「"an SiC"」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A manufacturing method of a semiconductor device in the present invention comprises the steps of: growing a first GaN layer 18 on an SiC substrate 10; and forming a second GaN layer 20, grown under a condition that a ratio of a lateral growth speed to a longitudinal growth speed is smaller than that in the growth of the first GaN layer 18, on the first GaN layer 18.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣ基板１０上に、第１のＧａＮ層１８を成長させる工程と、第１のＧａＮ層１８上に、（横方向成長速度）／（縦方向成長速度）が、第１のＧａＮ層１８の成長に比べて小さい条件を用いることで成長された第２のＧａＮ層２０を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In a semiconductor device, charge accumulated on the interface of an SiO_2 surface protective film 16 and a coating part 23 composed of a silicon resin can be reduced by coating the surface of an SiC pn junction diode 10, and setting the thickness of the surface protective film 16 composed of SiO_2 to 2 μm thereby decreasing the capacitance of the SiO_2 surface protective film 16.例文帳に追加

この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６の膜厚を２μｍにすることによって、ＳｉＯ_２表面保護膜１６の静電容量を下げてＳｉＯ_２表面保護膜１６とシリコン樹脂で作製された被覆部２３との境界面に溜る電荷を低減できる。 - 特許庁

When the SiC single crystal film is formed on an SiC single crystal substrate 4 by a chemical vapor deposition method using a raw material gas containing Si and C, the SiC single crystal substrate 4 is heated at a first heating section and an Si material 5 is heated separately from the SiC single crystal substrate 4 at a second heating section provided at the upstream side of the flow direction of the raw material gas.例文帳に追加

ＳｉおよびＣを含んだ原料ガスを用いて化学気相成長法によってＳｉＣ単結晶基板４上にＳｉＣ単結晶膜を形成する際、ＳｉＣ単結晶基板４を第１加熱部で加熱し、ＳｉＣ単結晶基板４とは別に原料ガス流通方向上流側に設けられた第２加熱部でＳｉ材料５を加熱する。 - 特許庁

An ohmic electrode structure has an SiC substrate 1, p-type SiC area 2 formed on the surface of the substrate 1, thermally reacted layer 8 formed on the surface of the area 2, thermally oxidized film 3 covering the interface between the substrate 1 and area 2, upper insulating film 4 arranged on the surface of the oxidized film 3, and electrode film 7 arranged on the reacted layer 8.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１、ＳｉＣ基板１の表面に形成されたｐ型ＳｉＣ領域２、このｐ型ＳｉＣ領域２の表面に形成された加熱反応層８、ＳｉＣ基板１とｐ型ＳｉＣ領域２との界面を覆う熱酸化膜３、熱酸化膜３の表面に配置された上部絶縁膜４、加熱反応層８の上部に配置された電極膜７とを有する。 - 特許庁

A hetero-junction type FET has an SiC substrate 1, a channel layer 3 formed on the substrate 1, a nitride semiconductor barrier layer 8 having a top surface 8a forming a hetero-junction with the channel layer 3, a gate electrode 5 formed on the top surface 8a, and a source electrode and a drain electrode 6 formed on the top surface 8a.例文帳に追加

ヘテロ接合型ＦＥＴは、ＳｉＣ基板１と、ＳｉＣ基板１上に形成されたチャネル層３と、頂面８ａを有し、チャネル層３との間にヘテロ接合を形成し、窒化物半導体からなるバリア層８と、頂面８ａ上に形成されたゲート電極５と、頂面８ａ上に形成されたソース電極およびドレイン電極６とを備える。 - 特許庁

A wiring structure 30 formed in a semiconductor device is provided with lower layer embedded wiring 3A, an interlayer insulating film laminated structure 32, a connection hole plug 34, an interwiring insulating film laminated structure 36, and upper layer embedded wiring 18A connected through the connection hole plug to the lower layer embedded wiring and an SiC film 20(oxidation preventing layer).例文帳に追加

本半導体装置に設けた配線構造３０は、下層埋め込み配線３Ａ、層間絶縁膜積層構造３２、接続孔プラグ３４、配線間絶縁膜積層構造３６と、接続孔プラグを介して下層埋め込み配線と接続する上層埋め込み配線１８Ａ、及びＳｉＣ膜２０（酸化防止層）を有する。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing an SiC high breakdown voltage semiconductor in high yield and throughput by enabling vapor epitaxial growing of a semiconductor single crystal silicon carbide (SiC) film by using a polycrystal silicon carbide (SiC) substrate having ion-implanted impurity atoms as a source in addition to recovering micropipe defects of a single crystal silicon carbide (SiC) in a short time.例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）のマイクロパイプ欠陥を短時間で修復することに加えて、不純物原子をイオン注入した多結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板をソースとして半導体単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）膜を気相エピタキシャル成長することを可能とし、ＳｉＣ高耐圧半導体が高い歩留まりとスループットで生産可能となる方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises the steps of conducting the NH_3 plasma processing to a substrate 20 by generating the NH_3 plasma to the surface of the substrate 20 within a chamber, removing a reactive byproduct including nitrogen remaining within the chamber, and forming an SiC film 34 with the PECVD method on the substrate 20 within the chamber.例文帳に追加

チャンバー内において基板２０表面にＮＨ_３プラズマを発生させ、基板２０に対してＮＨ_３プラズマ処理を行う工程と、チャンバー内に残留する窒素を含む反応生成物を除去する工程と、チャンバー内において、基板２０上に、ＰＥＣＶＤ法によりＳｉＣ膜３４を成膜する工程とを有する。 - 特許庁

In the method for heat treating a semiconductor wafer in the horizontal heat treatment furnace using an SiC process tube having a CVD-SiC film formed on the inner wall face, heat treatment is performed under such a state as a wafer boat holding a semiconductor wafer is placed in the SiC process tube through a tray made of CVD-SiC.例文帳に追加

内壁面にＣＶＤ−ＳｉＣ膜を形成したＳｉＣプロセスチューブを使用した横型熱処理炉により半導体ウェーハを熱処理する方法であって、前記半導体ウェーハを保持したウェーハボートをＣＶＤ−ＳｉＣ製のトレイを介して前記ＳｉＣプロセスチューブの内部に載置した状態で熱処理を行うようにした。 - 特許庁

In the method for producing an SiC-containing sheet including: preheating a composite sheet; and heat treatment at 1,400 to 1,600°C, the composite sheet comprises at least either cellulose or synthetic fiber; at least either carbon powder or carbon fiber; diatomaceous earth; and phenolic resin, and also, at least the preheating is performed in a volatile component atmosphere from the composite sheet.例文帳に追加

複合体シートを予備加熱し、1400〜1600℃で熱処理することを含むSiC含有シートの製造方法であって、前記複合体シートは、セルロースおよび合成繊維の少なくとも一方、炭素粉体および炭素繊維の少なくとも一方、珪藻土並びにフェノール樹脂を含有し、かつ少なくとも前記予備加熱は、複合体シートからの揮発成分雰囲気下で行う前記方法。 - 特許庁

A manufacturing method of an AlN crystal 8 comprises: a step for growing the AlN crystal 8 on the surface of an SiC seed crystal substrate 3; and a step for extracting at least a part of the AlN crystal 8b in a range 8a of 2 mm to 60 mm on the AlN crystal 8 side from the surface of the SiC seed crystal substrate 3.例文帳に追加

ＳｉＣ種結晶基板３の表面上にＡｌＮ結晶８を成長させる工程と、ＳｉＣ種結晶基板３の表面からＡｌＮ結晶８側に２ｍｍ以上６０ｍｍ以下の範囲８ａにある少なくとも一部のＡｌＮ結晶８ｂを取り出す工程と、を含む、ＡｌＮ結晶８の製造方法である。 - 特許庁

A heterojunction field effect transistor 1 is fabricated by depositing an AlN buffer layer 3, a first GaN layer 4, an AlGaN barrier layer 5, and a second GaN layer 6 in this order on an SiC substrate 2 whose front face is a C surface, and then forming a source electrode 7, a drain electrode 8, and a gate electrode 9 on the GaN layer 6.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果型トランジスタ１は、表面がＣ面であるＳｉＣ基板２の上にＡｌＮバッファ層３、第１のＧａＮ層４、ＡｌＧａＮバリア層５、および第２のＧａＮ層６をこの順番に積層して、ＧａＮ層６の上にソース電極７、ドレイン電極８およびゲート電極９形成する。 - 特許庁

A semiconductor device has: an AlGaN buffer layer 18 provided on an SiC substrate 10 and that has an acceptor concentration (Na) higher than a donor concentration (Nd); a GaN electron transit layer 14 provided on the AlGaN buffer layer 18; and an AlGaN electron supply layer 16 provided on the GaN electron transit layer 14 and that has a band gap larger than that of GaN.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣ基板１０上に設けられ、アクセプタ濃度（Ｎａ）がドナー濃度（Ｎｄ）以上の濃度であるＡｌＧａＮバッファ層１８と、ＡｌＧａＮバッファ層１８上に設けられたＧａＮ電子走行層１４と、ＧａＮ電子走行層１４上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きいＡｌＧａＮ電子供給層１６と、を有する半導体装置である。 - 特許庁

To provide a method of forming an SiC thin film free from the occurrence of crack even on a coarse surface of a porous substrate or the like by using a mixed polymer material prepared by mixing polycarbosilane (PCS) with other silicon-based polymer material in the optimum mass ratio to improve the coating performacne and the conversion yield to a ceramic to reduce the shrinkage factor.例文帳に追加

本発明の目的は、PCSに他のケイ素系高分子材料を最適な質量比で混合した混合高分子材料を出発物質として用いることにより、塗布性やセラミックスへの転換収率を改善して収縮率を低下させ、多孔質基材のような粗い表面でもクラック形成の無いSiC薄膜を製造することにある。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step (a) for forming a semiconductor element on a semiconductor substrate, a step (b) for depositing an SiC:H film by repeating growth and stopping growth two times or more under a low pressure atmosphere, and a step (c) for forming an insulating cap layer on the SiC film or the SiC:H film.例文帳に追加

（ａ）半導体基板に半導体素子を形成する工程と、（ｂ）ＳｉＣ：Ｈ膜の成膜方法は、成長、成長停止を繰り返して、減圧雰囲気下で２回以上に分割してＳｉＣ：Ｈ膜を成膜する工程と、（ｃ）前記ＳｉＣ膜またはＳｉＣ：Ｈ膜上に絶縁キャップ層を成膜する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The film thickness measuring method according to the present invention is characterized in obtaining the film thickness of a coat at a predetermined position of an SiC dummy wafer from a measured etching time by forming the coat on a surface of the SiC dummy wafer under predetermined conditions, etching the coat, and measuring the etching time needed to expose the SiC dummy wafer surface at the predetermined position.例文帳に追加

本発明の膜厚測定方法は、ＳｉＣダミーウェーハの表面に、所定条件で被膜を形成し、被膜をエッチングし、ＳｉＣダミーウェーハの所定位置において、ＳｉＣダミーウェーハ表面が露出するまでのエッチング時間を測定し、測定されたエッチング時間より、所定位置における被膜の膜厚を得ることを特徴とする。 - 特許庁

The snubber device 6 comprises: an SiC-MOSFET 3 connected between an output terminal C and a reference terminal E of the switching transistor 1; a Zener diode 4 formed between a gate terminal G and a drain terminal D of the SiC-MOSFET 3; and a resistor 5 formed between the gate terminal G and a source terminal S of the SiC-MOSFET 3.例文帳に追加

スナバデバイス６は、スイッチングトランジスタ１の出力端子Ｃ−基準端子Ｅ間に接続されたＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３と、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３のゲート端子Ｇ−ドレイン端子Ｄ間に形成されたツェナーダイオード４と、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３のゲート端子Ｇ−ソース端子Ｓ間に形成された抵抗器５とを備える。 - 特許庁

A method for etching an SiC substrate 10 has a masking step to form a masking layer 14 where a part of the surface of the SiC substrate 10 is exposed and another part is coated, a modifying step where the composition of an etching area 16 including the exposed surface of the substrate is modified from silicon carbide SiC to graphite C and a removing step to remove the modified etching area 16.例文帳に追加

本発明によるＳｉＣ基板１０のエッチング方法は、ＳｉＣ基板１０に、該基板の表面の一部を露出させ一部を被覆するマスク層１４を形成するマスク工程と、露出した基板表面を含むエッチング領域１６の組成を、炭化珪素ＳｉＣからグラファイトＣに変化させる変質工程と、変質したエッチング領域１６を除去する除去工程とを有する。 - 特許庁

The electrode film/silicon carbide structure is constructed in a manner such that an electrode 13, which contacts with a surface of an SiC substrate 10 exposed through a contact window 12 opened to an insulating film 11 formed on the surface of the SiC substrate 10 and is located extending to a surface opposed to the SiC substrate of the insulating film 11, has a fine blocks structure of stacked fine rectangular crystals.例文帳に追加

本発明に係る電極膜／炭化珪素構造体では、ＳｉＣ基板１０の表面に形成された絶縁膜１１に開口した接触窓１２により露出したＳｉＣ基板１０の表面に接し、絶縁膜１１のＳｉＣ基板対向面に延伸させて設けた電極１３は、微細直方結晶を積上げた微細積木構造を有する。 - 特許庁

A method for producing a p-SiC semiconductor single crystal by a solution method which is a method for growing the p-SiC semiconductor single crystal on an SiC single crystal substrate from a solution formed by dissolving C in an Si melt, wherein a solution prepared further adding to the above solution Al and N in amounts satisfying the relationship: the amount of Al added>the amount of N added is used.例文帳に追加

Ｓｉ融液にＣを溶解させた溶液からＳｉＣ単結晶基板上にｐ型ＳｉＣ半導体単結晶を成長させる方法において、上記溶液に更にＡｌおよびＮを、Ａｌ添加量＞Ｎ添加量の関係を満たす量で添加した溶液を用いることを特徴とする溶液法によるｐ型ＳｉＣ半導体単結晶の製造方法。 - 特許庁

This mechanical seal device includes an SiC-based sintered compact rotating ring and a carbon-based seat ring, where the SiC-based sintered compact ring has following properties: the average crystal grain size is ≤5 μm; the porosity is ≤5.0%; the average pore size is ≤2.0 μm; and the resistivity is ≤1 Ω cm at a room temperature.例文帳に追加

ＳｉＣ系焼結体回転リング及びカーボン系シートリングを含むメカニカルシール装置において、前記ＳｉＣ系焼結体リングは、平均結晶粒径が５μｍ以下、気孔率が５．０％以下、平均気孔径が２．０μｍ以下であって、比抵抗が室温で１Ω・ｃｍ以下であるＳｉＣ系焼結体リングとする。 - 特許庁

A flow-in port is formed by providing a gap S2 between a crucible body 1a and a raw material vessel 1b, and a flow-out port is formed by providing a gap S1 between the crucible body 1a and a cap material 1b so that a gas 5 flows from the flow-in port to the flow-out port when an SiC single crystal 4 is grown.例文帳に追加

るつぼ本体１ａと原料容器１ｂとの間に隙間Ｓ２を設けることによって流入口を形成すると共に、るつぼ本体１ａと蓋材１ｂとの間に隙間Ｓ１設けることによって流出口を形成し、ＳｉＣ単結晶４を成長させる際に、流入口から流出口に向かってガス５が流動するようにする。 - 特許庁

A first sidewall 111 composed of a stress film having expandability itself is formed on a side face of a gate electrode 101, a second sidewall 112 composed of a film having small stress relative to it is formed on the first sidewall 111, and a semiconductor layer, which is, for example, an SiC layer 104 is separated from the first sidewall 111 by the second sidewall 112.例文帳に追加

ゲート電極１０１の側面に、自身は膨張性を有する応力膜からなる第１のサイドウォール１１１と、第１のサイドウォール１１１上にこれに比して応力の小さい膜からなる第２のサイドウォール１１２とが形成されており、半導体層、例えばＳｉＣ層１０４が第２のサイドウォール１１２により第１のサイドウォール１１１から離間する。 - 特許庁

A step of epitaxially growing an undoped layer 22 as an SiC layer into which impurities are introduced, and a step of epitaxially growing an impurity doped layer 23 as the SiC layer into which nitrogen is introduced in a pulse-like manner are alternately repeated by a CVD method, to form a restriction layer 30 on a SiC substrate 3b.例文帳に追加

ＣＶＤ法により、不純物を導入しないＳｉＣ層であるアンドープ層２２をエピタキシャル成長させる工程と、パルス状に窒素を導入したＳｉＣ層である不純物ドープ層２３をエピタキシャル成長させる工程とを交互に繰り返し、抑制層３０をＳｉＣ基板３ｂ上に形成する。 - 特許庁

The composite member is produced by making the substrate by infiltrating molten Mg or molten Mg alloy into an SiC aggregate stored into a molding, further, providing a non-filled region in which SiC is not filled between the die and the SiC aggregate, and forming the metal coating layer by a metal made to exist in the non-filled region.例文帳に追加

鋳型に収納されたSiC集合体に、溶融したMg又はMg合金を溶浸させて上記基板を作製すると共に、鋳型とSiC集合体との間にSiCが充填されない非充填領域を設けて、この非充填領域に存在させた金属により、金属被覆層を形成することで、上記複合部材を製造する。 - 特許庁

In this case, and it is preferred that the surface temperature of the substrate in the surface coating layer forming process is kept 400°C or below, any metal of tungsten, molybdenum, vanadium, silicon and platinum is used, an SiNx film, an SiOx film, an SiOC film, an SiNC film or an SiC film is employed for the surface coating layer.例文帳に追加

このとき、表面被覆層形成工程中の基板表面温度を４００℃以下に保つこと、触媒体として、タングステン、モリブデン、バナジウム、シリコン及び白金のいずれかの金属を用いること、表面被覆層を、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｘ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＮＣ膜及びＳｉＣ膜のいずれかとすることが望ましい。 - 特許庁

This honeycomb structure is obtained by forming an impregnation base material containing metal Si and metal Al and an alkaline-earth metal compound on a part of the surface of a honeycomb base material having an SiC phase and an oxide phase containing an Si oxide and impregnating metal Si and metal Al into pores of the honeycomb base material through heating in an inert atmosphere.例文帳に追加

このハニカム構造体は、ＳｉＣ相とＳｉ酸化物を含む酸化物相とを有するハニカム基材の一部の表面に、金属Ｓｉと金属Ａｌとを含む含浸基材とアルカリ土類金属の化合物とを形成し、不活性雰囲気下で加熱して金属Ｓｉ及び金属Ａｌをハニカム基材の気孔内に含浸させて得る。 - 特許庁

Since the inner wall surface of the skirt part 30 is seamlessly coated with the TaC member 31, it is made possible that carbon particles are suppressed from being taken into an SiC single crystal 70, also formation of projections of the SiC single crystal 70 is prevented, and cracks or breakage can be prevented from being easily generated.例文帳に追加

前記ＴａＣ部材３１によってスカート部３０の内壁面が継ぎ目無く覆われるので、ＳｉＣ単結晶７０に炭素粒子が取り込まれることを抑制することが可能になると共に、ＳｉＣ単結晶７０の突起物が形成されることを防止でき、亀裂や割れが生じ易くなることを防止できる。 - 特許庁

The method includes a process for forming a Schottky electrode 5 and a surface opening dicing line region 7 on a surface of an SiC wafer (high concentration n-type substrate 1 and low concentration n-type epitaxial layer 2) and forming an ohmic electrode 4 and a rear opening dicing line region 8 on a rear face of the SiC wafer before a dicing process.例文帳に追加

ダイシング工程を行う前に、ＳｉＣウエハ（高濃度ｎ型基板１及び低濃度ｎ型エピタキシャル層２）の表面にショットキ電極５及び表面開口ダイシングライン領域７を形成し、ＳｉＣウエハの裏面にオーミック電極４及び裏面開口ダイシングライン領域８を形成する工程を実行する。 - 特許庁

The crosslinkable polyorganosiloxane material contains: (A) polyorganosiloxane having a group with the aliphatic carbon-carbon-multiple bond and (B) polyorganosiloxane having an Si-bonded hydrogen atom; or, in place of (A) and (B), (C) polyorganosiloxane having an SiC-bonded group with the aliphatic carbon-carbon-multiple bond and an Si-bonded hydrogen atom; and (D) a platinum catalyst.例文帳に追加

（Ａ）脂肪族炭素−炭素−多重結合を有する基を有するポリオルガノシロキサン（Ｂ）Ｓｉ結合水素原子を有するポリオルガノシロキサン、又は（Ａ）及び（Ｂ）の代わりに（Ｃ）脂肪族炭素−炭素−多重結合を有するＳｉＣ結合基及びＳｉ結合水素原子を有するポリオルガノシロキサン、及び（Ｄ）白金触媒を含有する架橋性ポリオルガノシロキサン材料。 - 特許庁

The tubular body is composed by forming an SiC layer at least on the outer surface of a tubular fiber-reinforced carbonaceous base material consisting of aggregate made of ceramic fibers and carbonaceous formation filling gaps between them and diffusing silicon atoms toward the inside of the relevant fiber-reinforced carbonaceous base material from a borderline region between the fiber-reinforced carbonaceous base material and the SiC layer.例文帳に追加

セラミック繊維からなる骨材と前記セラミック繊維間に充填された炭素質とからなる管状の繊維強化炭素質基材の少なくとも外表面にＳｉＣ層が形成され、前記繊維強化炭素質基材と前記ＳｉＣ層の境界領域から当該繊維強化炭素質基材の内部に向かってケイ素原子が拡散してなる管状体。 - 特許庁

Buried metallization can be formed while suppressing erosion at the time of CMP and preventing metal diffusion into an interlayer insulation film by forming a film having both CMP stop function and metal diffusion preventive function of an SiN film, an SiC film, or the like, on an interlayer insulation film at a field part.例文帳に追加

フィールド部の層間絶縁膜上に、ＳｉＮ膜やＳｉＣ膜などのＣＭＰ停止機能と金属拡散防止機能の両機能を有する膜を成膜するすることにより、ＣＭＰ時のエロージョンが抑制され、かつ層間絶縁膜内への金属拡散が防止された、埋め込み金属配線を形成することができる。 - 特許庁

The semiconductor device 20 is provided with an SiC substrate 21, an undope GaN layer 22, an Si dope n-type AlGaN layer 23 which are formed sequentially on the SiC substrate 21, a TiAl source electrode 24, a TiAl drain electrode 25, and an NiAu gate electrode 26 which are formed respectively on the Si dope n-type AlGaN layer.例文帳に追加

半導体装置２０は、ＳｉＣ基板２１と、このＳｉＣ基板２１上に順次形成されたアンドープＧａＮ層２２と、Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層２３と、このＳｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層上にそれぞれ形成されたＴｉＡｌソース電極２４と、ＴｉＡｌドレイン電極２５と、ＮｉＡｕゲート電極２６とを備える。 - 特許庁

An SiC monocrystal substrate is mechanically lapped using a lapping plate formed with a predetermined flatness manufactured by a facing process of cutting the surface of the lapping plate made of material quality having a predetermined hardness and generating two kinds of grooves by machining, a shaving process of shaving with a circular-arc shaving tool, and a process of charging the lapping plate after the shaving process using a charging ring.例文帳に追加

所定の硬度の材質よりなる前記ラッピング定盤の表面を平坦に切削するとともに２種類の溝を加工生成するフェージング工程と、円弧状のシェービング治具でシェービングするシェービング工程と、該シェービング工程後のラッピング定盤をチャージングリングを用いてチャージングする工程とにより製作される所定の平坦度に形成されたラッピング定盤を使用して、ＳｉＣ単結晶基板をメカニカルラッピングする。 - 特許庁

The SiC/carbon nanotube composite material has a CNT (carbon nanotube) region on an SiC substrate, the region having a large number of carbon nanotubes rising from the substrate surface, wherein the carbon nanotubes are formed with high orientation and in high density in the CNT region, and the coefficient of friction in the region can be varied by changes in mechanical energy imparted to the CNT region.例文帳に追加

本発明によると、ＳｉＣ基材上に該基材表面から立ち上がる多数のカーボンナノチューブを有するＣＮＴ領域が形成されているＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料であって、該ＣＮＴ領域には前記カーボンナノチューブが高配向かつ高密度に形成されており、前記ＣＮＴ領域に付与される機械的エネルギー量の変化によって該領域の摩擦係数を異ならせることができる、ＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料が提供される。 - 特許庁

When a GaN crystal is grown on an AlN layer after sequentially forming an SiC layer and the AlN layer on an Si substrate 12 by a chemical vapor deposition method, the Si substrate 12 having a nitride semiconductor thin film is manufactured by generating nitrogen-based radical by blowing ammonia gas onto a heated mesh-shaped tungsten catalyst 14 and growing the GaN crystal by reacting the generated radical and an organic gallium compound on the AlN layer.例文帳に追加

化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。 - 特許庁