「"an SiC"」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a technology which anneals an impurity layer on an SiC substrate without suffering a loss of Si in SiC.例文帳に追加

ＳｉＣ中のＳｉ欠損を発生させずにＳｉＣ基板の不純物層をアニールする技術を提供する。 - 特許庁

A module 2 including an SiC switching element 11 is attached to a lower part on one surface of a heat spreader 1.例文帳に追加

ヒートスプレッダ１の一方の表面の下部には、ＳｉＣスイッチング素子１１を含むモジュール２が取り付けられている。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an SiC semiconductor device realizing a high activating rate while maintaining a smooth surface as it is.例文帳に追加

平滑な表面を維持したまま高い活性化率を実現するＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which uses an SiC semiconductor substrate and has a high breakdown voltage, and also to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体基板を用いた高耐圧の半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provided an SiC semiconductor device of an inverted type trench gate structure, capable of both reducing an ON-resistance and improving a withstand voltage.例文帳に追加

オン抵抗低減と耐圧向上の双方を図ることができる反転型のトレンチゲート構造のＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

To produce a satisfactory SiC element by preventing the clean surface of an SiC substrate from being contaminated by C or the like in the atmosphere.例文帳に追加

ＳｉＣ基板の清浄表面を大気中のＣ等で汚染されないようにし、良好なＳｉＣ素子が製造できるようにする。 - 特許庁

The silicide protection film 10 is formed of an SiC film and/or an SiOC film.例文帳に追加

ここで、シリサイドプロテクション膜１０は、ＳｉＣ膜およびＳｉＯＣ膜の少なくとも一方からなるものとする。 - 特許庁

A buffer layer 42 made of an AlN is formed on an SiC substrate 41, and further a Ga layer 43 is deposited on the buffer layer 42 made of the AlN.例文帳に追加

ＳｉＣ基板４１上にＡｌＮからなるバッファ層４２を形成し、更に、ＡｌＮからなるバッファ層４２上にＧａ層４３を堆積させる。 - 特許庁

To provide a metallic fiber-reinforced composite material having improved strength while keeping the characteristics of an SiC reinforced composite material such as lightweight and high rigidity.例文帳に追加

SiC強化複合材料の軽量で高剛性という特徴を維持しながら、強度を改善した金属繊維強化複合材料を提供する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a substrate with an SiC layer whose surface is less roughened.例文帳に追加

ＳｉＣ層の表面の荒れの程度がより小さいＳｉＣ層を有する基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SiC semiconductor device which makes it possible to form a deep trench in SiC.例文帳に追加

ＳｉＣに深いトレンチが形成できるようにしたＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a production method for an SiC single crystal suitable as a substrate material for electronic and optical devices, by a solution growth method.例文帳に追加

電子デバイス、光学デバイス用基板材料として好適な炭化珪素単結晶の溶液成長法による製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which has high breakdown voltage and in which the contact resistance of a GaN semiconductor layer with an SiC substrate is small.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体層とＳｉＣ基板との接触抵抗を小さくすること、および高耐圧化すること。 - 特許庁

To maintain high visibility of an engraved pattern and suppress generation of particles during laser marking of an SiC wafer.例文帳に追加

ＳｉＣウェハへのレーザマーキングにおいて、刻印したパターンの高い視認性を確保しつつ、パーティクルの発生を抑制する。 - 特許庁

An abrasive liquid 7, containing same polished abrasive grains and solvent, is fed to the ground surface of an SiC wafer 4 by a liquid-filling vessel 5.例文帳に追加

注液器５により同一の研磨砥粒と溶剤を含む研磨液７をＳｉＣウェハ４の研磨面に供給する。 - 特許庁

To control a thickness of an SiC layer by enabling a detection of a flattened position of the SiC layer when the SiC layer is flattened.例文帳に追加

ＳｉＣ層の平坦化の際の平坦化位置の検出を行えるようにし、ＳｉＣ層の厚さ制御が行えるようにする。 - 特許庁

To provide an SiC mold superior in durability, never having a recessed part or the like on its surface, high in precision, and at a low cost.例文帳に追加

耐久性に優れるとともに、モールド表面に凹部等が生じることがなく、高精度であり、且つ安価なＳｉＣモールドを提供する。 - 特許庁

The top surface of the W plug 20 is coated with the laminated film comprising an SiC film 21 and a TiC/TiSi layer 26 whose thickness is not larger than about ten-odd nano-meters.例文帳に追加

ＳｉＣ膜２１とＴｉＣ／ＴｉＳｉ層２６とからなる十数ｎｍ程度以下の積層膜で、Ｗプラグ２０の上面を覆う。 - 特許庁

To form an impurity diffusion region in an SiC substrate at a low cost, without generating damages on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板表面にダメージを生じることなく、低コストでＳｉＣ基板に不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

It is preferable to coat the surface of the SiC/C composite material with an SiC film by the chemical vapor growth (CVD) method.例文帳に追加

好ましくはＳｉＣ／Ｃ複合材の表面に化学的気相蒸着（ＣＶＤ）法によるＳｉＣ被膜が被着されたものである。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal in which a high-quality SiC single crystal having a large aperture can be continuously grown at a low cost with stability.例文帳に追加

大口径、高品質ＳｉＣ単結晶を安価に安定して連続成長させることができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for producing an SiC single crystal whereby the amount of growth of the single crystal can be kept uniform.例文帳に追加

成長量を均一に保って成長させることのできるＳｉＣ単結晶の製造方法及びＳｉＣ単結晶の製造装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device which has L-load surge resistance and also has breaking electric field intensity, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

Ｌ負荷サージ耐量があり、かつ、破壊電界強度もあるＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Marking of an SiC wafer 100 with an identifier 101 is realized by irradiation with a pulsed laser using a harmonic of a wavelength four times that of a YAG laser.例文帳に追加

ＳｉＣウェハ１００への識別子１０１のマーキングは、ＹＡＧレーザの４倍高調波を用いたパルスレーザの照射によって行われる。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device in the structure for improving a yield by preventing fluctuation in product characteristics, and also to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

製品特性にバラツキを防止でき、歩留まり向上を図ることができる構造のＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC/carbon nanotube composite material which is a composite material having a region where carbon nanotubes with high orientation are densely formed on an SiC substrate and which shows high wear resistance and/or shock absorption characteristics.例文帳に追加

ＳｉＣ基材上に高配向のカーボンナノチューブが密に形成された領域を有する複合材料であって、良好な耐摩耗性および／または衝撃吸収特性を示すＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料を提供する。 - 特許庁

This porous molded SiC has an SiC coating layer formed by CVD process on the surface of a porous molded SiC article composed of a constitution structure comprising an SiC whisker skeleton integrated with SiC formed by the heat-treatment of a polycarbosilane.例文帳に追加

ＳｉＣウイスカーの骨格と、ポリカルボシランを熱処理して生成したＳｉＣとが一体化した組織構造からなる多孔質炭化珪素成形体の表面に、ＣＶＤ法によるＳｉＣ被膜が形成されてなる多孔質ＳｉＣ成形体。 - 特許庁

A Schottky diode 30 includes an SiC layer 11, an anode electrode 13 formed on an upper main surface of the SiC 11, a cathode electrode 12 formed on a lower main surface of an SiC substrate 10, and a p-type impurity area 15 formed both edges of a facet.例文帳に追加

ショットキーダイオード３０は、ＳｉＣ層１１と、ＳｉＣ層１１の上部主面に形成されたアノード電極１３と、ＳｉＣ基板１０の下部主面に形成されたカソード電極１２と、ファセットの両端部に形成されたｐ型不純物領域１５とを備えている。 - 特許庁

To provide vertical hot-wall CVD(chemical vapor deposition) epitaxial equipment which uses a susceptor which controls the development of peeling and crack, an SiC epitaxial growth method which uses the equipment, and an SiC epitaxial growth film formed by using the equipment and method.例文帳に追加

剥離やクラックの発生が抑制されるサセプタを用いた縦型ホットウォールＣＶＤエピタキシャル装置、この装置を用いたＳｉＣエピタキシャル成長方法及びこれらの装置と方法とを用いて形成されるＳｉＣエピタキシャル成長膜を提供する。 - 特許庁

Therefore, the device characteristics are improved by forming an electronic device to an SiC single crystal substrate having the direction of dislocation line of the threading dislocation 3 of being the [0001] c-axis, and an SiC semiconductor device with improved yield having no deterioration is formed.例文帳に追加

このため、貫通転位３の転位線の方向が［０００１］ｃ軸であるＳｉＣ単結晶基板に対して電子デバイスを形成すれば、デバイス特性は良好となり、劣化が無く、歩留まりも向上したＳｉＣ半導体装置とすることができる。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal increasing C solubility in a solution to improve a growth rate of the SiC single crystal, suppressing fluctuation in a solution composition due to consumption of an SiC component associated with the growth of the single crystal, and stabilizing conditions for single crystal growth.例文帳に追加

溶液内のＣ溶解度を高めてＳｉＣ単結晶の成長速度を向上させると共に、単結晶の成長に伴うＳｉＣ成分の消費等による溶液の組成変動を抑制し、単結晶成長のための条件を安定させることができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

This inventive SiC-based joining material is characterized in that in an SiC-based joining material containing SiC powder, it contains an SiC-based joining material having an average particle diameter of 5 μm or smaller in a ratio of 15 wt.% or more when the overall SiC powder is 100 wt.%.例文帳に追加

本発明のＳｉＣ系接合材は、ＳｉＣ粉末を含むＳｉＣ系接合材において、ＳｉＣ粉末全体を１００ｗｔ％としたときに、平均粒径が５μｍ以下のＳｉＣ粉末を１５ｗｔ％以上の割合で含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor device, as a substrate 11 for forming thereby a nitride semiconductor field effect transistor, an SiC (11-20) plane having its heat conductivity nearly larger by 40% than the one of an SiC (0001) plane is so used as to obtain thereby the low thermal resistance of a chip without increasing the size and the number of chips.例文帳に追加

窒化物半導体電界効果トランジスタを形成するための基板１１としてＳｉＣ（０００１）面に比べて熱伝導率が４０％程度大きなＳｉＣ（１１−２０）面を用いることにより、チップサイズとチップ数を増加させることなく低いチップ熱抵抗を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prepares a means for restricting a fact that micro-pipe defects in a substrate are inherited to an SiC film, decreases the micro-pipe defects, and comprises an SiC thin film having superior crystallinity; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

基板中のマイクロパイプ欠陥がＳｉＣ膜に引き継がれることを抑制する手段を講じ、マイクロパイプ欠陥が少なく、結晶性が良好なＳｉＣ薄膜を備えた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor manufacturing apparatus comprises a deposition chamber 2 for forming an SiC epitaxial film on a wafer W loaded on a susceptor S and a cleaning chamber 5 connected to the deposition chamber 2 via a transportation chamber 4 having a transportation robot 17 transporting the susceptor S and removing an SiC film adhered to the susceptor S.例文帳に追加

サセプタＳに載置されるウェハＷ上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する成膜室２と、サセプタＳが搬送される搬送用ロボット１７を有する搬送室４を介して成膜室２に連結され、サセプタＳに付着したＳｉＣ膜を除去するクリーニング室５とを有する。 - 特許庁

The CVD-SiC film-coated member has an SiC base material 2 having a flat surface 2s, an SiC intermediate layer 3 formed on the surface 2s of the base material 2 with crystal orientation arranged, and having a flat surface 3s, and a CVD-SiC layer 4 formed on the surface 3s of the intermediate layer 3.例文帳に追加

表面２ｓが平坦なＳｉＣ基材２と、この基材２の表面２ｓに結晶方位を揃えて形成され表面３ｓが平坦なＳｉＣ中間層３と、この中間層３の表面３ｓに形成されたＣＶＤ−ＳｉＣ層４とを有するＣＶＤ−ＳｉＣ膜被覆部材。 - 特許庁

The SiC/SiC 10 is one prepared by forming an Si-rich carbon nitride layer 14 on the surface of an SiC/SiC substrate 12, forming a fibrous composite material layer 16 on the surface of the Si-rich carbon nitride layer 14, and forming an SiC covering layer 18 on the surface of the fibrous composite material layer 16.例文帳に追加

ＳｉＣ／ＳｉＣ１０は、ＳｉＣ／ＳｉＣ基材１２の表面にＳｉリッチ炭・窒化物層１４が形成され、Ｓｉリッチ炭・窒化物層１４の表面に繊維複合材料層１６が形成され、繊維複合材料層１６の表面にＳｉＣ被覆層１８が形成されたものである。 - 特許庁

The SiC dummy wafer being obtained by forming an SiC film on the surface of a basic material by CVD and then removing the basic material comprises an SiC shaped body having such properties as the half peak width of SiC (111) face measured by X-ray diffraction is 0.2° or less and the warp is 0.5 mm or less.例文帳に追加

ＣＶＤ法により基材面にＳｉＣ膜を成膜した後基材を除去して得られ、Ｘ線回折により測定されるＳｉＣ（１１１）面の半値幅が０．２°以下、反りが０．５mm以下の性状を備えたＳｉＣ成形体からなるＳｉＣダミーウエハ。 - 特許庁

To provide an SiC-based oxide film field-effect transistor which can suppress the variance in device characteristics, and to provide a method of manufacturing an SiC-based oxide film field-effect transistor which can suppress the variance in the device charactersitics.例文帳に追加

デバイス特性のばらつきを抑制しつつ、耐久性を向上可能なＳｉＣ系酸化膜電界効果トランジスタ、およびデバイス特性のばらつきを抑制することが可能なＳｉＣ系酸化膜電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing an SiC single crystal comprises a step for cutting away or grooving a part of the peripheral region 15 of an SiC substrate 1, and a step for growing the SiC single crystal on the surface of the substrate which has been cut away or grooved as the seed substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１の周縁領域１５の一部を切除または溝切りする工程と、切除または溝切り後の基板を種基板としてこの種基板の表面上にＳｉＣ単結晶を成長させる工程とを含むＳｉＣ単結晶の製造方法である。 - 特許庁

When the surface of a base material is coated with an SiC coating by CVD, an SiC plate is fixed or stuck on a part of a face of the base material and the base material is set on a base material holder in a CVD reaction apparatus using the fixed or stuck SiC plate as a holding part.例文帳に追加

基材表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ被膜を被着する方法において、基材面の一部にＳｉＣ板を嵌着または貼着し、嵌着または貼着したＳｉＣ板を保持部として基材をＣＶＤ反応装置の基材ホルダーにセットするＳｉＣ被膜の被覆方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SiC single crystal, by which the stress caused by fixing of an SiC seed crystal is almost avoided, the formation of macro-defects can be suppressed, and a high quality and large size SiC single crystal can be obtained; and to provide the SiC single crystal obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

ＳｉＣ種結晶の固定に伴う応力をほとんどなくし，マクロ欠陥の発生を抑制できると共に，高品質かつ大口径のＳｉＣ単結晶を得ることができるＳｉＣ単結晶の製造方法，及び該製造方法によって得られるＳｉＣ単結晶を提供すること。 - 特許庁

A method for forming an SiC epitaxial layer 16 above an SiC substrate 10 and manufacturing a semiconductor element by implanting ions into the SiC epitaxial layer 16 and performing heat treatment includes a step of forming a gettering layer 13 having a higher defect density than the SiC substrate 10.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１０上にＳｉＣエピタキシャル層１６を形成し、該エピタキシャル層１６にイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する方法において、上記ＳｉＣ基板１０よりも欠陥密度の高いゲッタリング層１３を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 特許庁

A method of manufacturing an SiC semiconductor element includes steps of: doping a surface layer of an SiC substrate 1 with an impurity; depositing a carbon film 2 on a surface of the SiC substrate doped with the impurity in an inert gas atmosphere; annealing the SiC substrate having the carbon film deposited; and removing the carbon film deposited on the annealed SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１の表面層に不純物のドーピングを行なう工程と、不純物がドーピングされたＳｉＣ基板の表面に、不活性ガス雰囲気中でカーボン膜２を堆積する工程と、カーボン膜が堆積されたＳｉＣ基板をアニール処理する工程と、アニール処理されたＳｉＣ基板に堆積されているカーボン膜を除去する工程とを含むことを特徴とするＳｉＣ半導体素子の製造方法。 - 特許庁

The method for producing an SiC/Si composite material includes a step of preparing a mixture including an SiC powder and an organic binder, a molding step of molding the mixture into a preform, a defatting step of defatting the preform in a specified ambient atmosphere, a working step of working the preform after defatting, and an infiltration step of infiltrating Si.例文帳に追加

ＳｉＣ粉末及び有機バインダーを含む混合物を準備する行程と、前記混合物を成形してプリフォームとする成形工程と、前記プリフォームを所定雰囲気で脱脂する脱脂工程と、脱脂した後の前記プリフォームに加工を施す加工工程と、Ｓｉを浸透させる浸透工程と、を含むＳｉＣ／Ｓｉ複合材料の製造方法。 - 特許庁