「"an SiC"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a logic gate circuit device comprising an SiC MISFET whose operating speed can be made fast.例文帳に追加

動作速度を高速化できる ＳｉＣ ＭＩＳＦＥＴで構成された論理ゲート回路デバイスを得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a heater which is usable for the epitaxial growth of an SiC film.例文帳に追加

ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に使用可能なヒータの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining an SiC single crystal ingot having superior quality and a long size.例文帳に追加

良質で長尺なＳｉＣ単結晶インゴットを得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC bipolar semiconductor element which has excellent crystal quality consisting of a p-type SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板をｐ型とした結晶品質の良いＳｉＣバイポーラ素子を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC wafer which is constituted, so that the wafer is put into practical use as a film-thickness monitoring wafer.例文帳に追加

ＳｉＣウェハを膜厚モニタ用のウェハとして実用化できる構造のウェハを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SiC substrate to remove a process-modified layer under practical conditions.例文帳に追加

実用的な条件によって加工変質層を除去するＳｉＣ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

When producing an SiC single crystal, the SiC seed crystal is immersed in the SiC melt.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶を製造するとき、ＳｉＣ種結晶は、ＳｉＣ溶液に浸漬する。 - 特許庁

To smoothly provide an SiC/Si composite material having high rigidity and high thermal conductivity.例文帳に追加

高剛性でかつ高熱伝導率のＳｉＣ／Ｓｉ複合材料を支障なく提供する。 - 特許庁

To provide a method for continuously growing an SiC single crystal having a large diameter by a solution method.例文帳に追加

溶液法によって大口径のＳｉＣ単結晶を連続的に成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal that can constrain a crystal defect.例文帳に追加

結晶欠陥をより抑制することが可能なＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device in which leakage current is reduced and current properties are improved.例文帳に追加

リーク電流を低減し、電流特性を向上することができるＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

The seed shaft 411 can be raised and lowered, and an SiC seed crystal 9 is attached to the bottom surface thereof.例文帳に追加

シードシャフト４１１は、昇降可能であり、下面にＳｉＣ種結晶９が取り付けられる。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal improved in crystal growth rate by a solution process.例文帳に追加

結晶成長速度を向上させた溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

This interlayer insulating film laminated structure is provided with an SiC film 4, an SiOC film 5 and an SiO_2 film 6.例文帳に追加

層間絶縁膜積層構造は、ＳｉＣ膜４、ＳｉＯＣ膜５、及びＳｉＯ_２ 膜６を有する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having excellent characteristics and enhanced reliability in which an SiC wafer can be employed.例文帳に追加

優れた特性を有するとともに信頼性が向上し、またＳｉＣウエハを用いることができると。 - 特許庁

The member 80 for sliding is formed by an SiC(silicon carbide) material being impregnated with oil.例文帳に追加

被摺接部材８０は、油が含浸されたＳｉＣ（炭化珪素）材料で形成されている。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device having high voltage resistance and low loss.例文帳に追加

高耐圧かつ低損失のＳｉＣ半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thereafter, the impregnated body is gradually cooled so as to obtain an SiC/Al based composite material.例文帳に追加

その後、含浸体を徐々に冷却することによりＳｉＣ／Ａｌ系複合材料を得る。 - 特許庁

An SiC substrate 25 is fitted to an SiC substrate fitting pedestal 23 in a crucible 5, and a gas introduction pipe 29 is installed below the crucible 5.例文帳に追加

るつぼ５の中にＳｉＣ基板２５がＳｉＣ基板取り付け台座２３に取り付けられて、るつぼ５の下方にはガス導入配管２９が設置されている。 - 特許庁

To obtain a power conversion circuit having an SiC semiconductor FET which operates in its stable state without a body diode causing crystal deterioration and damage in an SiC semiconductor caused by its energization operation.例文帳に追加

ボディーダイオードがその通電動作に起因してそのＳｉＣ半導体が結晶劣化や破壊を起こすことがなく安定した状態で動作するＳｉＣ半導体ＦＥＴを備えた電力変換回路を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SiC single crystal and a manufacturing apparatus for an SiC single crystal in which a cylindrical guide member is used and a high-quality crystal can be manufactured inside the member.例文帳に追加

筒状のガイド部材を用いてその内方で高品質な結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶の製造方法およびＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device in which a good low resistance ohmic electrode can be formed easily for an SiC substrate, and to provide a manufacturing method for the SiC semiconductor device.例文帳に追加

ＳｉＣ基板に対して、低抵抗で良好なオーミック電極を容易に形成できるＳｉＣ半導体装置およびＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SiC semiconductor device capable of sufficiently suppressing the peeling of a back electrode, and to provide an SiC semiconductor device having a novel back electrode structure in which the peeling of a back electrode is prevented.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体デバイスにおいて、裏面電極の剥離を十分に抑制することができる製造方法と、裏面電極の剥離が防止された新規な裏面電極構造を有するＳｉＣ半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal which can produce a large-diameter and high quality SiC single crystal and to provide an SiC wafer comprising the SiC single crystal obtained from the method.例文帳に追加

大口径で高品質のＳｉＣ単結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶の製造方法とその方法により得られたＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣウエハを提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing an SiC single crystal with which the arrival of particles to an SiC single crystal substrate is restrained and a high quality SiC single crystal is produced.例文帳に追加

パーティクルがＳｉＣ単結晶基板に到達することが抑制でき、高品質なＳｉＣ単結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC structure which is not liable to clog when a core material comprising an SiC/Si composite material, and having a honeycomb structure is obtained.例文帳に追加

ハニカム構造を有するＳｉＣ−Ｓｉ複合材料からなるコア材を得る際にＳｉの目詰まりが生じ難いＳｉＣ質構造体を提供すること。 - 特許庁

To provide a large capacity of SiC substrate whose power loss is small, an SiC semiconductor element, and a method for manufacturing this by providing a means for reducing contact resistance between an SiC substrate back face and an ohmic electrode.例文帳に追加

ＳｉＣ基板裏面とオーミック電極との間の接触抵抗を低減する手段を講じ、電力損失の小さい大容量のＳｉＣ基板、ＳｉＣ半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a susceptor in which transferring of an SiC to the rear surface of a substrate is prevented and an SiC thin film of uniform composition is obtained, and to provide a chemical vapor phase deposition method.例文帳に追加

基板裏面へのＳｉＣの転写を防止すると共に、均一な組成のＳｉＣ薄膜を得ることができるサセプタおよび化学気相成長方法を提供する。 - 特許庁

The method is carried out by supplying gas as a source material to an SiC seed crystal 5 placed in a growth chamber (1, 2) and growing an SiC single crystal 6 from the SiC seed crystal 5.例文帳に追加

成長用容器（１，２）内に配したＳｉＣ種結晶５に対して原料となるガスを供給して当該ＳｉＣ種結晶５からＳｉＣ単結晶６を成長させる。 - 特許庁

The monitor wafer is provided with an SiC wafer formed of an SiC crystal that is formed by a CVD method and a film with non-transparency which is formed on the uppermost layer of the SiC wafer.例文帳に追加

モニタウエハは、ＣＶＤ法で形成されたＳｉＣ結晶からなるＳｉＣウエハと、このＳｉＣウエハ上の最表層に設けられ、非透明性を有する膜と、を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC monocrystalline substrate suppressing cracking of an SiC monocrystalline ingot when cutting the SiC monocrystalline ingot.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶インゴットを切断するときに、ＳｉＣ単結晶インゴットが割れることを抑制することができるＳｉＣ単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for graphene film deposition on an SiC substrate which forms high-quality graphene by vacuum annealing at a lower temperature without requiring hydrogen annealing treatment, and to provide an SiC substrate with graphene.例文帳に追加

水素アニール処理を必要とせず、かつ従来よりも低い温度の真空アニールで高品質のグラフェンを形成することが可能なＳｉＣ基板へのグラフェン成膜方法及びグラフェン付きＳｉＣ基板を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for producing an SiC single crystal which can control an SiC polycrystal to be accumulated on the surrounding of a pedestal at which a seed crystal is installed even if not using etching gas.例文帳に追加

エッチングガスを使用しなくても、種結晶が設置される台座周囲にＳｉＣ多結晶が堆積することを抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

In a pre-via type dual damascene method, a via hole 10 and a wiring groove 13 are formed, and then an SiN film 8, the exposed part of an SiC film 5 and the exposed part of an SiC film 3 are removed by etching.例文帳に追加

先ビア方式のデュアルダマシン法において、ビアホール１０及び配線溝１３を形成した後、ＳｉＮ膜８、ＳｉＣ膜５の露出部及びＳｉＣ膜３の露出部をエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide a single crystal growing method for growing a single crystal with high crystallinity by a vapor phase method on an SiC seed crystal, and to provide a group III nitride single crystal and an SiC single crystal obtained by using the method.例文帳に追加

気相法によりＳｉＣ種結晶上に結晶性のよい単結晶を成長させる単結晶成長方法、その方法により得られるＩＩＩ族窒化物単結晶およびＳｉＣ単結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC substrate which can reduce not only micropipes but also basal plane dislocations, an SiC substrate manufactured by the method, and a semiconductor device.例文帳に追加

マイクロパイプだけでなく基底面内転位も低減することができるＳｉＣ基板の製造方法及びこれにより作製されたＳｉＣ基板並びに半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC crystal thin film in which the (0001) on-axis face of an SiC substrate is used, and epitaxial growth thereon can be performed at a high speed and which has a flat growth surface.例文帳に追加

ＳｉＣ基板のジャスト面を用い、エピタキシャル成長が高速で行われ、かつ平坦な表面の成長表面を有するＳｉＣ結晶膜の製造方を提供する。 - 特許庁

A hard mask of a four-layer structure consisting of an SiC film 5, an SiO_2 film 6, an SiC film 7 and an SiO_2 film 8 is formed on a porous silica film 4 which is a layer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜であるポーラスシリカ膜４上に、ＳｉＣ膜５、ＳｉＯ_２膜６、ＳｉＣ膜７及びＳｉＯ_２膜８からなる４層構造のハードマスクを形成する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device which greatly reduces a trap level on an SiC/SiO_2 interface, has high dielectric strength and low leakage current, and has stable threshold voltage.例文帳に追加

ＳｉＣ／ＳｉＯ_2界面のトラップ準位を大幅に低減し、高絶縁耐力、低リーク電流で、かつ閾値電圧が安定したＳｉＣ半導体装置の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a cleaning method for an SiC single crystal substrate, by which an SiC single crystal substrate immediately after being subjected to precision polishing is cleaned and the residual amount of heavy metals on the surface of the SiC single crystal substrate is made extremely small after cleaning.例文帳に追加

精密研磨した直後のＳｉＣ単結晶基板を用いて洗浄し、洗浄後のＳｉＣ単結晶基板表面の重金属の残留を極めて少なく出来るＳｉＣ単結晶基板の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a single crystal SiC substrate, capable of obtaining an SiC layer having good crystallinity by uniforming an interface between an SiC layer and an embedded insulation layer such as SiO_2, at low cost and with excellent productivity.例文帳に追加

ＳｉＣ層とＳｉＯ_２等の埋め込み絶縁層との界面を均一な状態にして結晶性のよいＳｉＣ層が得られ、しかも低コストで生産性のよい単結晶ＳｉＣ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing an SiC single crystal comprises growing an SiC single crystal on an SiC seed crystal substrate 9 from a raw material solution 3 containing SiC, C and a solution component other than the two components by the solution method, and includes a process for dissolving C before the start of SiC growth and a process for replenishing SiC after the start of SiC growth.例文帳に追加

溶液法により、ＳｉＣとＣと前記２成分以外の溶液成分を含む原料溶液３からＳｉＣ種結晶基板９上にＳｉＣ単結晶を成長させる方法であって、ＳＩＣ成長開始前にはＣを溶解させる工程を有し、ＳＩＣ成長開始後にはＳｉＣを補給する工程を有する。 - 特許庁

The method for forming an SiC single crystal includes forming an epitaxial film 6 of the SiC single crystal by epitaxially growing the SiC single crystal on an SiC substrate 1 having an inclination angle of 0.01-8° with respect to the SiC(0001) plane by metastable solvent epitaxy method and then forming an SiC single crystal 2 on the epitaxial film 6 of the SiC single crystal by a sublimation method.例文帳に追加

ＳｉＣ（０００１）面に対して０．０１〜８°の傾角を有するＳｉＣ基板１上に、準安定溶媒エピタクシー法によりＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させてＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜６を形成した後、前記ＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜６の上に、昇華法によりＳｉＣ単結晶２を形成するＳｉＣ単結晶の形成方法。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in a region of an SiC wafer 1 at a specified depth to form a hydrogen ion implanted region 2.例文帳に追加

ＳｉＣウエハ１の所定深さの領域に水素イオンを注入し水素イオン注入領域２を形成する。 - 特許庁

An ion-implanted layer 12 having an impurity ion peak is formed in an SiC substrate 11 by implanting an impurity ion into the substrate 11.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１１に不純物イオンを注入して、ＳｉＣ基板１１内に不純物イオンのピークを有する注入層１２を形成する。 - 特許庁