「"an SiC"」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A wiring groove 5 is formed within the porous MSQ(2) with the plasma etching with an SiC mask 3 used as a mask, and a deposited film 7 is formed on the entire surface of the silicon substrate 1 including the side surface of the wiring groove 5 using the plasma of deposition gas.例文帳に追加

ＳｉＣマスク３をマスクとしたプラズマエッチングによりポーラスＭＳＱ（２）内に配線溝５を形成し、堆積性ガスのプラズマを用いて配線溝５の側面を含むシリコン基板１全面に堆積膜７を形成する。 - 特許庁

A nitride semiconductor laminate 9 including an active layer 5 formed therein with at least a light emitter is provided on an SiC substrate 1, and a pair of upper and lower electrodes 11 and 12 are provided on the rear surface of the SiC substrate 1 and on the front surface of the semiconductor laminate 9, respectively.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１上に、少なくとも発光部が形成される活性層５を含む窒化物半導体積層部９が設けられ、ＳｉＣ基板１の裏面および半導体積層部９の表面側に、一対の上部電極１１および下部電極１２がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

When an SiC growth layer 4 is epitaxially grown on the surface of the etch pit 1b in such a condition that portions grown in the side wall parts of the etch pit 1b are brought into contact mutually, the dislocation is prevented from being transferred to the SiC growth layer 4.例文帳に追加

そして、その表面に、エッチピット１ｂの側壁部に成長した部分同士が互いに接触する条件にてＳｉＣ成長層４をエピタキシャル成長させることで、ＳｉＣ成長層４に転位が引き継がれないようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of sufficiently securing breakdown voltage between a base region and a drain region of an SiC power device and having a depression region capable of preventing an increase of an electric field in a gate insulation film while keeping withstand voltage between a source and a drain.例文帳に追加

ＳｉＣパワーデバイスのベース領域・ドレイン領域間の降伏電圧を十分に確保可能でソース・ドレイン間耐圧を確保しつつゲート絶縁膜中の電界値上昇を抑制可能なデプレッション領域を有する半導体装置を実現する。 - 特許庁

In the method for fabricating the diamond substrate, an SiC layer is formed on the lower surface of a diamond film layer for preventing the diamond film layer from being deformed in the process of forming the diamond substrate, and then a semiconductor layer is formed on the diamond film layer or directly formed on the lower surface of the SiC layer.例文帳に追加

ダイヤモンド基板を形成する工程でダイヤモンド・フィルム層の変形を防止するためダイヤモンド・フィルム層の下部表面にＳｉＣ層が形成され、次に半導体層がダイヤモンド・フィルム層の上に形成されるか、またはＳｉＣ層の下部表面に直接形成される。 - 特許庁

The movable stage which is movable while mounted with a body has a core material 1 having a honeycomb structure, and a surface plate 2 provided at least on its body mount surface side, and the core material 1 and surface plate 2 are both made of an SiC material.例文帳に追加

物体を載置して移動可能な可動ステージであって、ハニカム構造を有するコア材１と、その少なくとも物体載置面側に設けられた表面板２とを有し、コア材１および表面板２がいずれもＳｉＣ質材料からなる。 - 特許庁

When executing activating treatment by using a lamp anneal device, an SiC wafer 1 composed of an n^+ type substrate 1a and an n^- type epitaxial layer 1b to inject an impurity is arranged so that the side of the n^- type epitaxial layer 1b can be turned toward the side of a wafer stage 5.例文帳に追加

ランプアニール装置を用いて活性化処理を行うに際し、ｎ^+型基板１ａと不純物が注入されるｎ^-型エピ層１ｂとによって構成されるＳｉＣ基板１を、ｎ^-型エピ層１ｂ側がウェハステージ５側を向く様に配置する。 - 特許庁

To provide a method for processing an SiC film, capable of suppressing the formation of a sub-trench at the edge of a bottom part of a trench while improving the flatness of a side face of the trench, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device, in which the processing method is used.例文帳に追加

トレンチ側面の平坦性を向上させつつ、トレンチ底部のエッジにおけるサブトレンチの形成を抑制できるＳｉＣ膜の加工方法およびその加工方法が用いられる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Before polishing a target substrate using the polishing pad, the surface conditions of the polishing pad are adjusted by sliding an SiC substrate on the polishing pad, the SiC substrate containing elements other than Si, C, and O in an amount of less than 1.0 mass%.例文帳に追加

研磨パッドを用いて所望の基板を研磨するに先がけて、研磨パッドをＳｉ、Ｃ、およびＯのいずれとも異なる元素の質量分率が、１．０（質量％）未満であるＳｉＣ基板を用いて摺動させて、研磨パッドの表面状態を調整する。 - 特許庁

In the Schottky diode 10, where a Schottky electrode 15 is joined to a 4H-type SiC semiconductor 13, the orientation of an SiC semiconductor 13 that comes into contact with the Schottky electrode 15 should have a {03-38} surface, or a surface at an off angle that is within 10° from the surface.例文帳に追加

本発明は、４Ｈ型のＳｉＣ半導体１３にショットキー電極１５が接合されてなるショットキーダイオード１０において、ショットキー電極１５と接するＳｉＣ半導体１３の面方位が、｛０３−３８｝面、またはこの面から１０°以内のオフ角を有する面であることを特徴としている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a surface protective film 16 composed of SiO_2 and coating the surface of an SiC pn junction diode 10, a polyimide resin film 22 coating the surface protective film 16 (1 μm thick), and a coating part 23 composed of a silicon resin and coating the polyimide resin film 22.例文帳に追加

この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６と表面保護膜１６(膜厚１μｍ)を被覆するポリイミド樹脂膜２２、およびポリイミド樹脂膜２２を被覆するシリコン樹脂で作製された被覆部２３を備えた。 - 特許庁

To provide a technique for obtaining an optical reflection mirror constituted by forming a reflection film on the surface of a base plate composed of an SiC-Si composite material with which the reflection film free from cracks is easily formed and which has ultra-precision surface roughness and flatness.例文帳に追加

亀裂のない反射膜の形成が容易であり、なおかつ超精密な表面粗さと平面度を有しているＳｉＣ−Ｓｉ複合材料からなる基板の表面に反射膜を形成してなる光学反射ミラーを得る技術を提供する。 - 特許庁

An SiC single crystal with the same polytype as a substrate is epitaxially grown by introducing a raw material gas having an atom number ratio of carbon atoms to silicon atoms (C/Si ratio) of not less than 0.20 and less than 0.75 into the (0001) Si plane of a hexagonal system SiC single crystal substrate.例文帳に追加

六方晶系ＳｉＣ単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面に、炭素原子とケイ素原子の原子数比（Ｃ／Ｓｉ比）が０．２０以上０．７５未満の原料ガスを導入することにより、基板と同じポリタイプのＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To connect a deep layer and a base layer so that the deep layer can be surely deeper than a trench, in a method for manufacturing an SiC semiconductor device so that an electrical field concentration in a gate oxide film formed in the trench can be further relaxed.例文帳に追加

トレンチ内に形成するゲート酸化膜での電界集中をより緩和できるようにしたＳｉＣ半導体装置の製造方法において、ディープ層とベース層とを接続する構造にしつつ、ディープ層が確実にトレンチよりも深くできるようにする。 - 特許庁

To provide a fabrication process of a semiconductor device which can carry out sufficient heat treatment while minimizing aggravation of the surface state of an SiC wafer, and to provide a semiconductor device which is fabricated by the fabrication process and exhibiting excellent characteristics.例文帳に追加

ＳｉＣウェハの表面状態の悪化を抑制しつつ、十分な熱処理を実施することが可能な半導体装置の製造方法、および当該製造方法により製造されることにより、優れた特性を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A compound semiconductor region 2 is formed on an SiC substrate 1, after that, a gate electrode 4g, a source electrode 4s, and a drain electrode 4d are formed on the compound semiconductor region 2, and an Au film 10 to be connected to the source electrode 4s is further formed on the compound semiconductor region 2.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１上に化合物半導体領域２を形成し、その後、化合物半導体領域２上にゲート電極４ｇ、ソース電極４ｓ及びドレイン電極４ｄを形成し、更に、化合物半導体領域２上にソース電極４ｓに接続されるＡｕ膜１０を形成する。 - 特許庁

A substrate support device is provided with an SiC susceptor 11 which horizontally supports only one wafer W and has a recessed substrate support section 13 on which the wafer W is placed on its upper surface and five through holes 14 at a portion including the peripheral edge section of the support section 13.例文帳に追加

基板支持装置は、ウェハＷを１枚だけ水平に支持するＳｉＣ製のサセプタ１１を備えており、このサセプタの上面部には、ウェハが載置される凹状の基板支持部１３が形成され、基板支持部の周縁部を含む部位には、５つの貫通穴１４が設けられている。 - 特許庁

In manufacturing of a multiplayer wiring structure, an SiC layer 2 and a layer insulation film 3 are laminated on a lower wiring 1, and a via hole 4 and a wiring groove 5 reaching a surface of the SiC layer 2 are formed by dry-etching of a prescribed region of the layer insulation film 3.例文帳に追加

多層配線構造の製造において、下層配線１上にＳｉＣ層２、層間絶縁膜３を積層して形成し、層間絶縁膜３の所定の領域のドライエッチングでＳｉＣ層２表面に達するヴィアホール４と配線溝５とを形成する。 - 特許庁

A metal plate 17 with high heat conductivity is directly joined with and mounted on an SiC brick 13 of a refractory constituting a furnace wall of a furnace body 2, and the SiC brick 13 is disposed on a water cooling jacket 15 that is a cooling section for a furnace body 2 through the metal plate 17.例文帳に追加

本発明は、炉本体２の炉壁を構成する耐火物のＳｉＣレンガ１３に熱伝導率の高い金属板１７を直接接合によって取付け、ＳｉＣレンガ１３を炉本体２の冷却部たる水冷ジャケット１５に金属板１７を介して設置している。 - 特許庁

In annealing, the temperature is given a distribution in the plane of an SiC wafer 1, and the part of the boundary between the ion-implanted layer 2 and the non-ion-implanted layer 3 which is parallel to the <11-20> or <1-100> is activated first and crystals are reoriented.例文帳に追加

そして、アニール処理においてＳｉＣウェハ１の面内において温度分布を持たせ、イオン注入層２と非イオン注入層３との境界線のうち＜１１−２０＞または＜１−１００＞と平行な部分からアクティブ化すると共に結晶を再配列させるようにする。 - 特許庁

The one end of open ends of the honeycomb structure composed of an SiC-Si composite material is constituted so as to be closed by the flat plate composed of the SiC-Si composite material.例文帳に追加

菌体増殖のためのハニカム構造を有する孔部を具備したバイオリアクタであって、該バイオリアクタは、ＳｉＣ-Ｓｉ複合材料からなるハニカム構造体の開口端の一端が、該ＳｉＣ-Ｓｉ複合材料からなる平板により閉口された構成からなることを特徴とするバイオリアクタ。 - 特許庁

The objective AlN single crystal is formed on an SiC single crystal substrate 2 by as follows: a melt 4 of the abcd alloy is prepared in a nitrogen atmosphere and, while the melt 4 is being kept in the nitrogen atmosphere, the melt 4 is cooled and/or at least either of components (a) and (b) is evaporated.例文帳に追加

そして、窒素雰囲気下に保持したまま、このａｂｃｄ系合金の融液４を冷却するか、および／またはそれから前記成分ａとｂの少なくともいずれかを蒸発させることによって、AlＮ単結晶をSiＣ単結晶基板２の上に晶出させる。 - 特許庁

An AlN layer or Si3N4 layer is used as the insulation board 24, a hard brazing material containing the active element is used as the first and second joining materials 26, 28, and an SiC composite material and a C/Cu composite material are used as the heat sink material 20.例文帳に追加

そして、絶縁基板２４としてＡｌＮ層又はＳｉ_3Ｎ_4層を用い、第１及び第２の接合材２６及び２８として、活性元素を含む硬ろう材を用い、ヒートシンク材２０として、ＳｉＣ／Ｃｕ複合材やＣ／Ｃｕ複合材を用いる。 - 特許庁

A diameter-reduced part 8d is provided on the end part at a reaction chamber 9 side in a heating vessel 8 in an SiC single crystal production apparatus 1, and the diameter-reduced part 8d causes the flux of a raw material gas 3 to have in-plane distribution on the growth face of the SiC single crystal.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶製造装置１のうち加熱容器８における反応容器９側の端部に縮径部８ｄを設け、この縮径部８ｄにより原料ガス３の流束がＳｉＣ単結晶の成長面上において面内分布を持つようにする。 - 特許庁

This composite body is an Al-SiC composite body formed using an SiC porous body impregnated with a metal containing Al as its main component and the Al-SiC composite body is characterized by that the composite body contains 40 vol.% or higher of SiC and the Charpy impact value of the composite body is 0.1 J/cm2 or higher.例文帳に追加

ＳｉＣ多孔体にＡｌを主成分とする金属を含浸したＡｌ−ＳｉＣ複合体であり、該複合体はＳｉＣを４０体積％以上含有し、該複合体のシャルピー衝撃値が０．１Ｊ／ｃｍ^2以上であることを特徴とする。 - 特許庁

This SiC structure has the honeycomb structure and has the core material 1 comprising the SiC/Si composite material and a surface board 2 comprising an SiC material which is set at least on one side of the core material 1, and on the inner wall of the honeycomb structure 3 of the core material 1, a BN layer 4 exists.例文帳に追加

ハニカム構造を有し、ＳｉＣ−Ｓｉ複合材料からなるコア材１と、コア材１の少なくとも一方側に設けられ、ＳｉＣ質材料からなる表面板２とを有するＳｉＣ質構造体であって、コア材１のハニカム構造部３の内壁にＢＮ層４を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SiC single crystal substrate capable of obtaining a (000-1) carbon plane having more excellent surface roughness by reducing processing scratches in polishing the (000-1) carbon plane of the SiC single crystal substrate and reducing adhering substances on the surface after finish polishing.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶基板の（０００−１）カーボン面の研磨加工において加工傷を減少させ、かつ仕上げ研磨後の表面付着物を減少させて、より良好な表面粗さをもつ（０００−１）カーボン面を得られるＳｉＣ単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a sufficient heat treatment is carried out while deterioration in surface state of an SiC wafer is suppressed, and the semiconductor device which has excellent characteristics by being manufactured by the use of the manufacturing method.例文帳に追加

ＳｉＣウェハの表面状態の悪化を抑制しつつ、十分な熱処理を実施することが可能な半導体装置の製造方法、および当該製造方法により製造されることにより、優れた特性を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

When an SiC alternately cell-sealed filter 22 collecting particulates contained in exhaust gas Gin discharged from an engine 10 using fuel containing fuel additives is regenerated, only a regeneration unit 12-1 is operated and other units 12-2, 12-3 are held in a non-operation state.例文帳に追加

燃料添加剤を含有する燃料を用いたエンジン１０から放出された排気ガスＧin中に含まれるパティキュレートを捕捉したＳｉＣ交互目封止フィルタ２２を再生する際、例えば、再生ユニット１２−１のみを動作させ、他のユニット１２−２，１２−３は非動作状態を維持する。 - 特許庁

To provide technology by which a honeycomb structural member comprising an SiC-Si composite material composed of Si or a Si alloy as a matrix and ceramic powder or ceramic fibers as a reinforcing material and a plate member of the SiC-Si composite material are surely joined in spite of large areas of each other's joined surfaces.例文帳に追加

ＳｉまたはＳｉ合金をマトリックスとし、セラミックス粉末またはセラミックス繊維を強化材とするＳｉＣ-Ｓｉ複合材料からなるハニカム構造部材とＳｉＣ-Ｓｉ複合材料の板部材とを互いの接合面が大面積であっても確実に接合される技術を提供する。 - 特許庁

It is possible to obtain a power conversion circuit with an SiC-MOSFET which can prevent the body diode 2 built in the SiC-MOSFET1 from becoming current conduction state in a reflux mode, prevents deterioration and damage of to crystal of the SiC-MOSFET1, and operates in its stable state.例文帳に追加

ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ１に内蔵するボディーダイオード２が還流モード時に電流導通状態になることを阻止することが出来、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ１の結晶の劣化と破壊を防ぎ安定した状態で動作するＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴを備えた電力変換回路を得ることが出来る。 - 特許庁

To enable forming a light radiating end face of a semiconductor light-emitting element, using a nitride III-V compound semiconductor by cleavage, without having to use an expensive substrate such as an SiC substrate or the like, to enable fetching of an electrode from both upper and lower surfaces and to eliminate faults in operation.例文帳に追加

ＳｉＣ基板などの高価な基板を用いることなく、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子の光放出端面を劈開により形成することができ、電極取り出しを上下両面から行うことができ、動作にも支障を生じないようにする。 - 特許庁

In the bonding arm for a wire bonder, the bonding arm contains a honeycomb structure composed of an SiC material, and is composed of a member in which plates consisting of the SiC material in the same quality are joined to the upper and lower sections of the honeycomb structure.例文帳に追加

ワイヤーボンダー用のボンディングアームであって、該ボンディングアームが、ＳｉＣ系材料からなるハニカム構造体を含み、かつ、該ハニカム構造体の上下に同質のＳｉＣ系材料からなる平板が接合されてなる部材により構成されていることを特徴とするボンディングアーム。 - 特許庁

To provide a diamond substrate in which the crystal lattice mismatch between a diamond film layer and a semiconductor layer is mitigated by an SiC layer and the crystal quality of the semiconductor layer is improved, and which has improved performances and stability, and a method for fabricating the same, with which the fabricating process of the diamond substrate is simplified.例文帳に追加

ダイヤモンド・フィルム層と半導体層の間の結晶格子ミスマッチがＳｉＣ層によって取り除かれ、さらに半導体層の結晶品質が改善され、ダイヤモンド基板の製造工程が単純化され、性能と安定性が高められるダイヤモンド基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The tap hole and the tap flume are made of an SiC ceramic sintered compact which includes 96 mass% or more SiC and sintering auxiliaries of 4 mass% or less, with the total of 99 mass% or more, and has a porosity of 5% or less.例文帳に追加

ＳｉＣを９６質量％以上含有し、焼結助剤を４質量％以下含有し、それらの合計が９９質量％以上であり、気孔率５％以下であるＳｉＣセラミックス焼結体で構成される出銑口及び出銑樋である。 - 特許庁

The surface of an SiC substrate is flattened, by giving a gas cluster ion beam step by step that has two kinds of etching effects with different etching speeds to etch the surface thereof, and then another gas cluster ion beam, made mainly of oxygen gas is applied thereto.例文帳に追加

エッチング速度がそれぞれ異なる２種類のエッチング効果を持ったガスクラスターイオンビームを段階的に照射してＳｉＣ基板表面をエッチングしつつ平坦化した後、酸素ガスを主成分としたガスクラスターイオンビームを照射する。 - 特許庁

To suppress deterioration in an element being energized by reducing not only micropipes but also residual strain and the expansion of dislocation in a base bottom surface to lamination defects caused by the residual strain in an SiC substrate, the manufacturing method of the SiC substrate, and a semiconductor device.例文帳に追加

ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体デバイスにおいて、マイクロパイプだけでなく残留ひずみや、残留ひずみに起因する基底面内転位の積層欠陥への拡張も低減し、通電中における素子の劣化を抑制すること。 - 特許庁

To provide a carbon nanotube film produced from polycrystalline SiC, porous SiC and SiC whisker and having large area and arranged in a specific direction, carbon nanotube arranged in a specific direction, an SiC substrate with the carbon nanotube film, and a whisker with the carbon nanotube and its producing method.例文帳に追加

多結晶質ＳｉＣ、多孔質ＳｉＣ及びＳｉＣウィスカーから製造され、大面積で且つ所定方向に配向するカーボンナノチューブ膜、及び所定方向に配向するカーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ膜付ＳｉＣ基板、並びにカーボンナノチューブ付ウィスカー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heat treating method and a heat treating device forming a low resistance ohmic electrode on an SiC substrate with thermal energy smaller than in the prior art, and preventing damage and degradation of characteristics of an element part of a semiconductor device in heat treatment, and to provide a method of manufacturing the semiconductor using the heat treating method.例文帳に追加

従来技術よりも小さい熱エネルギーで、ＳｉＣ基板上に低抵抗のオーミック電極を形成することができ、熱処理における半導体装置の素子部の損傷および特性の劣化を防止することができる熱処理方法および熱処理装置、ならびに前記熱処理方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To avoid formation of a level difference between a top surface of a semiconductor layer and a top surface of a semiconductor region and formation of a level difference on the top surface of the semiconductor region when manufacturing an SiC semiconductor device with a semiconductor region of a second conductivity type formed in a depth range including the top surface of the semiconductor layer of a first conductivity type.例文帳に追加

第１導電型の半導体層の上面を含む深さ範囲に第２導電型の半導体領域が形成されているＳｉＣ半導体装置を製造する際に、半導体層の上面と半導体領域の上面との間に段差が形成されず、かつ、半導体領域の上面に段差が形成されないようにする。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes: a process of forming an SiC film 11; a heat treatment process of heat-treating the SiC film 11 with Si supplied to a surface of the SiC film 11; and a process of forming a facet obtained on the surface of the SiC film 11 by the heat treatment process into a channel 16.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ膜１１を形成する工程と、このＳｉＣ膜１１の表面にＳｉを供給した状態で、このＳｉＣ膜１１を熱処理する熱処理工程と、熱処理工程によってＳｉＣ膜１１の表面に得られたファセットをチャネル１６とする工程とを備えている。 - 特許庁

A MOSFET as a semiconductor device includes an SiC wafer of n-type conductivity, a plurality of p bodies 21 of p-type conductivity so formed as to include a first main surface 20A of the SiC wafer, and n^+ source regions 22 of n-type conductivity each of which is formed in a region surrounded by each of the p bodies 21 when viewed planely.例文帳に追加

半導体装置であるＭＯＳＦＥＴは、導電型がｎ型であるＳｉＣウェハと、ＳｉＣウェハの第１の主表面２０Ａを含むように形成された導電型がｐ型の複数のｐボディ２１と、平面的に見て複数のｐボディ２１のそれぞれに取り囲まれる領域内に形成された導電型がｎ型のｎ^＋ソース領域２２とを備えている。 - 特許庁

An MOSFET includes: an n-type SiC drift layer 2 formed on an SiC substrate 1; a pair of p-type base regions 3 formed above the SiC drift layer 2; and an n-type high-concentration layer 9 formed at a depth of the bottom of the base region 3 over the SiC drift layer 2 and having a high impurity concentration than the SiC drift layer 2.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、ＳｉＣ基板１上に形成されたｎ型のＳｉＣドリフト層２と、ＳｉＣドリフト層２の上部に形成されｐ型の一対のベース領域３と、ＳｉＣドリフト層２におけるベース領域３の底部の深さ一帯に形成され、当該ＳｉＣドリフト層２よりも不純物濃度が高いｎ型の高濃度層９とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device has: a first transistor formed on an SiC substrate 1; a first interlayer dielectric 11 formed at an upper part of the first transistor and the SiC substrate 1; and a crystallization silicon film 20 formed on the first interlayer dielectric 11; and a second transistor formed on the crystallization silicon film 20.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、ＳｉＣ基板１に形成された第１のトランジスタと、第１のトランジスタ及びＳｉＣ基板１の上方に形成された第１の層間絶縁膜１１と、第１の層間絶縁膜１１上に形成された結晶化シリコン膜２０と、結晶化シリコン膜２０に形成された第２のトランジスタとを具備する。 - 特許庁

The method comprises steps of forming an insulation film 22 on the surface of an epitaxial substrate 20 using an SiC substrate as an original substrate, coating the SiC substrate surface on the backside with a high heat-resistive material 23 such as spion glass, sintering it at about 500°C, polishing it by CMP, etc. to planarize, and removing the insulation film 22.例文帳に追加

ＳｉＣ基板を元基板とするエピタキシャル基板２０の表面に絶縁膜２２を形成し、次に、裏面のＳｉＣ基板面にスピオングラス等の高耐熱材料２３を塗布し、約５００℃で焼結した後、ＣＭＰ等で研磨して平坦化し、絶縁膜２２を除去する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁