「"plasma- processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

To simply control plasma damage only by the partial change of the configuration of an existing plasma processing apparatus.例文帳に追加

既存のプラズマプロセス装置の構成を部分的に変更するだけで、簡単にプラズマダメージを抑制できるようにする。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of improving a plasma generation efficiency by increasing a plasma density.例文帳に追加

プラズマ密度を高くして、しかもプラズマ生成効率を向上させることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To ensure the safety by reliably exhausting residual gas from a chamber before the chamber of a plasma processing apparatus is opened.例文帳に追加

プラズマ処理装置のチャンバ開放時に、チャンバ内に残留するガスを確実に排気して安全性を確保する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for preventing leakage of plasma around an isolation valve of a plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理チャンバーのアイソレーションバルブの周囲のプラズマ漏洩を防止する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technique capable of performing plasma processing with a high degree of in-plane uniformity for a wafer, which is a substrate.例文帳に追加

基板であるウエハに対して面内均一性の高いプラズマ処理を行うことができる技術を提供する。 - 特許庁

For instance, the oxygen active species can be obtained by an atmospheric pressure plasma processing that supplies the plasma into the atmospheric pressure atmosphere.例文帳に追加

酸素活性種は、例えば、大気圧雰囲気中へプラズマを供給する大気圧プラズマ処理により得られる。 - 特許庁

The elastomeric member is brought into contact with a grounded component of the plasma processing system when the door is in the closed position.例文帳に追加

エラストマー部材は、ドアが閉位置にあるときにプラズマ処理システムの接地された要素に接触させられる。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a substrate placing table 5 placing the substrate to be processed W in a processing vessel.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、処理容器内において被処理基板Ｗを載置する基板載置台５を備えている。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus generating high-density plasma with even plasma density over a large area.例文帳に追加

大面積にわたって均一なプラズマ密度を有する高密度プラズマを生成できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To control and perform plasma processing with high accuracy by using an simple processing method and apparatus.例文帳に追加

簡易な方法または装置でもってプラズマ処理を制御して、プラズマ処理を精度良く行うことを課題とする。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for preventing arcing at a port exposed to a plasma in a plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマチャンバにおいてプラズマに露出されたポートでのアーク放電を防止する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma generator and a plasma processing device extending the service life of a discharge tube.例文帳に追加

本発明は、放電管の寿命を延ばすことができるプラズマ発生装置およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system in which the temperature distribution of a mounting table can be controlled in a short time with high accuracy.例文帳に追加

載置台の温度分布を短時間にかつ高精度に制御することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which improves the uniformity of the inplane temperature of a gas supply member.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、ガス供給部材の面内温度の均一性を向上させた装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which the in-plane uniformity of processed shape is improved and charging damage is reduced.例文帳に追加

加工形状の面内均一性向上及びチャージングダメージを低減したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus easy to be installed in a manufacturing facilities without disturbance in plasma and without causing a large size of the apparatus.例文帳に追加

プラズマの撹乱がなく、装置が大型にならず、製造装置に容易に搭載することができるようにする。 - 特許庁

To enhance the uniformity and yield of a plasma processing process by allowing plasma density profile to be controlled easily and arbitrarily.例文帳に追加

プラズマ密度分布の容易かつ自在な制御を可能とし、プラズマプロセスの均一性や歩留まりを向上させる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of maintaining a thickness of a discharge gap even when a thermal stress is caused by discharge.例文帳に追加

放電による熱応力が生じても放電ギャップの厚さを維持可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system having an optimized top piece that can substantially be handled by a single person.例文帳に追加

実質的に一人で操作可能な、最適化された上部部材を備えたプラズマ処理システムを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of controlling easily and freely distribution characteristics for process characteristics or an electron density on a substrate to be processed.例文帳に追加

被処理基板上の電子密度あるいはプロセス特性の分布特性を容易かつ自在に制御すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which enables the observation of the state of a processed object under a plasma treatment on real time.例文帳に追加

プラズマ処理中の被処理物の状態をリアルタイムで観察可能とするプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a seal structure of a plasma processing structure capable of stabilizing plasma and preventing deterioration of a sealing member.例文帳に追加

プラズマを安定させ、シール部材の劣化を防止することができるプラズマ処理装置のシール構造を提供する。 - 特許庁

The method is for examining a plasma processing system having a chamber, an RF (radio frequency) power supply, and a matching network.例文帳に追加

本発明の方法は、チャンバ、ＲＦ電源、及び整合ネットワークを有しているプラズマ処理システムを試験する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of controlling a distribution of plasma generated in a processing container by a simple means.例文帳に追加

処理容器内で生成するプラズマの分布を簡易な手段で制御できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A substrate support (64) storing a workpiece is provided in the inside of a processing chamber (12) of a plasma processing system (10).例文帳に追加

プラズマ処理システム（１０）の処理チャンバ（１２）内に、加工物を収容する基板サポート（６４）が設けられている。 - 特許庁

To form a gas jetting vent hole in an electrode plate for a plasma processing device, wherein the vent hole has high shape accuracy.例文帳に追加

プラズマ処理装置用の電極板に形状精度の良好なガス噴出用の通気孔を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device with processing efficiency and device working efficiency improved by shortening maintenance time.例文帳に追加

メンテナンス時間を短縮して処理の効率や装置の稼働効率を向上させたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To easily and inexpensively start high frequency discharge and to stably maintain discharge in a plasma processing.例文帳に追加

プラズマプロセッシングにおいて簡易かつ低コストで高周波放電の開始を容易にし放電を安定に維持すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of varying an AC ratio without installing a largely scaled-up movable unit.例文帳に追加

大がかりな可動部を設けることなくＡＣ比を可変にすることが可能な、プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

After laser crystallization is carried out by light irradiation on a semiconductor layer on a substrate, oxygen plasma processing is performed.例文帳に追加

基板上の半導体層に光照射を行いレーザー結晶化を行った後、酸素プラズマ処理を施す。 - 特許庁

A plasma processing device 1 includes a microwave introduction device 5 which introduces a microwave into a processing container 2.例文帳に追加

プラズマ処理装置１は、処理容器２内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置５を備えている。 - 特許庁

To provide a plasma-processing device or a dry-etching method for etching a film structure having steps with high accuracy.例文帳に追加

段差を有する膜構造を高精度にエッチングするプラズマ処理装置またはドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To enable to suck treated gas uniformly along the fringe part of a processing region in the plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理における処理領域の周縁部に沿って処理済みガスを万遍なく吸引できるようにする。 - 特許庁

Titanium black which generates no abnormal discharge during the plasma processing is used for black pigment of the black matrix 1.例文帳に追加

ブラックマトリクス１の黒色顔料には、プラズマ処理持異常放電を発生させないチタンブラックが用いられる。 - 特許庁

The plasma processing layer 13A has an ionic functional group bonded to carbon constituting the carbonaceous film 13.例文帳に追加

プラズマ処理層１３Ａは、炭素質膜１３を構成する炭素と結合したイオン性の官能基を有している。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus 1000, an anode 1060 and cathodes 1062 are provided on the way of a channel 1018.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０００においては、アノード１０６０及びカソード１０６２が流路１０１８の途中にある。 - 特許庁

To provide a microwave plasma processing apparatus for further reducing damage to a substrate by microwave plasma.例文帳に追加

マイクロ波プラズマによる基板へのダメージを更に低減することが可能なマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To facilitate maintenance by preventing damage of resin bolts in a processing head including an electrode of a plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ処理装置の電極を含む処理ヘッドにおける樹脂ボルトの損傷を防止し、メンテナンスの容易化を図る。 - 特許庁

Two sets of anode electrode and cathode electrodes 12 are arranged opposing each other in a chamber of a plasma processing apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置のチャンバー内に、アノード電極とカソード電極１２とが２組、対向状に配置されている。 - 特許庁

To provide a substrate support stage of a plasma processing apparatus, which has a simple structure and prevents an electrical discharge at a connection terminal.例文帳に追加

簡易な構造で、接続端子における放電を防止するプラズマ処理装置の基板支持台を提供する。 - 特許庁

This results in reducing damage to the film quality of the wafer backside due to plasma generated during the high density plasma processing.例文帳に追加

これにより、高密度プラズマ工程中のプラズマによるウエハ裏の膜質ダメージを減少することができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which allows the lowering of processing rate and formation of particles to be positively and readily copied with.例文帳に追加

処理速度の低下やパーティクルの形成に確実且つ容易に対処できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A plasma processing apparatus 10 comprises: a plasma processing chamber 11; a plasma generating chamber 12 connected to the plasma processing chamber 11; a high-frequency antenna 16 for generating plasma; a plasma controlling plate 17 for controlling the electronic energy in the plasma; and an operation bar 171 and a moving mechanism 172 for adjusting the position of the plasma controlling plate 17.例文帳に追加

本発明に係るプラズマ処理装置１０は、プラズマ処理室１１と、プラズマ処理室１１と連通するプラズマ生成室１２と、プラズマを生成するための高周波アンテナ１６と、プラズマ中の電子エネルギーを制御するためのプラズマ制御板１７と、プラズマ制御板１７の位置を調整するための操作棒１７１及び移動機構１７２と、を備える。 - 特許庁

To solve a matter that the electric energy being fed to plasma increases because a high voltage must be applied between the electrodes in order to generate and sustain uniform plasma between the electrodes at a second plasma processing step when a first plasma processing step and the second plasma processing step of higher discharge start voltage are performed in the same plasma reaction chamber.例文帳に追加

第１のプラズマ処理工程とその工程より放電開始電圧が高い第２のプラズマ処理工程を同一プラズマ反応室内において行う場合に、第２のプラズマ処理工程において均一なプラズマを電極間に発生および維持させるためには、電極間に高電圧を印加する必要があり、プラズマへの投入電力量が大きくなる。 - 特許庁

The plasma-processing gas fed in the gas passage F smoothly flows into the gap (g) between the rotary electrode 1 and the substrate 2, and the plasma-processing gas in the gap (g) is evacuated smoothly of the chamber 5.例文帳に追加

ガス流路Ｆに供給されるプラズマ処理用ガスは、回転電極１と基板２との間のギャップ部ｇに円滑に流入し、また、ギャップ部ｇ内にてプラズマ処理された後のガスは、チャンバ５外に円滑に排出される。 - 特許庁