「"plasma- processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

Only the uniform heater plate 14 rotates above the stage body 13, and the substrate G is subjected to uniform plasma processing.例文帳に追加

ステージ本体１３の上方において均熱板１４のみが回転し、基板Ｇに対する均一なプラズマ処理が行われる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus with which a workpiece can be placed at an accurate position on a support member and the workpiece is supported on the support member in a correct attitude, and to provide a placing method for a tray in the plasma processing apparatus.例文帳に追加

処理対象物を支持部材上の正確な位置に載置して処理対象物を支持部材上に正しい姿勢で支持することができるようにしたプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるトレイの載置方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processing device having a simple structure, and capable of restraining a manufacturing cost, of preventing degradation of a product life of the device, of improving processing accuracy to a processing object, and of preventing plasma damage from occurring in the processing object; and to provide a discharge plasma processing method.例文帳に追加

簡易な構造で製造コストを抑制でき、装置の製品寿命の低下を防止するとともに被処理体に対する処理精度を向上させ被処理体にプラズマダメージを生じさせない放電プラズマ処理装置及び放電プラズマ処理方法を得る。 - 特許庁

When a wafer is arranged in a chamber and subjected to the plasma processing while heated, the wafer is preheated (preliminary heating) prior to the processing while irradiated with plasma, and a processing gas is supplied into the chamber after preheating to perform the plasma processing on the wafer.例文帳に追加

チャンバー内にウエハを配置し、ウエハを加熱しながらウエハにプラズマ処理を施すにあたり、処理に先立ってウエハにプラズマを照射しつつウエハにプリヒート（予備加熱）を施し、プリヒート後にチャンバー内に処理ガスを供給してウエハに対してプラズマ処理を行う。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus having high gas conductance capability, capable of dealing with a wide range of processes, without causing increase in production cost, having the function of preventing the plasma leakage, and capable of performing satisfactory plasma processing with stable plasma.例文帳に追加

高いガスコンダクタンス能力を備え、製造コストの上昇を招くことなく、広範なプロセスに対応することができるとともに、プラズマのリークを防止する機能が高く、安定したプラズマにより良好なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can maintain the uniformity of plasma processing, even when the material of an object film to be processed on a large-area substrate or wafer is different or process conditions of processing of a laminated film formed of a plurality of materials change greatly.例文帳に追加

大面積の基板またはウェハ上の処理対象膜の材料が異なったり、複数の材料からなる積層膜を処理するようなプロセス条件が大きく変化する場合にもプラズマ処理の均一性を保つことができるプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for enabling detection of foreign matters for the entire part of a substrate to be processed without influence of the reflected scattering light beam generated from the internal wall of a plasma processing chamber and also for monitoring contaminating condition of the internal wall of the plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理室の内壁から発生する反射散乱光の影響を受けることなく、被処理基板全面にわたり異物検出が可能になると同時に、プラズマ処理室の内壁の汚染状況をモニタリングできる技術を提供することにある。 - 特許庁

The plasma processing device includes an upper electrode 2 for generating plasma 1, a stage 3 on which a base material 6 to be subjected to plasma processing is disposed, a power supply 4 which applies a voltage to the upper electrode 2, a moving mechanism 5 disposed on the upper electrode 2, and a control unit 120.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、プラズマ１を生成するための上部電極２、プラズマ処理の対象となる基材６を配置するステージ３、上部電極２に電圧を印加する電源４、上部電極２に設置された移動機構５、制御部１２０を含む。 - 特許庁

In the removing method of the contaminant in the plasma processor where a prescribed plasma processing is performed on a workpiece W in the vacuumed processing container 4, the plasma processing for removing contaminant is performed by using a substrate where a silicon oxide film is formed on a surface.例文帳に追加

真空引き可能になされた処理容器４内にて被処理体Ｗに対して所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置の汚染物の除去方法において、表面にシリコン酸化膜が形成された基板を用いて汚染除去用のプラズマ処理を行う。 - 特許庁

To achieve a high aspect ratio and microfabrication of an uneven structure by improving a PR selection ratio in substrate plasma processing for forming, on a surface of a sapphire substrate, the uneven structure corresponding to a mask pattern by executing the plasma processing on the sapphire substrate on which the mask pattern is arranged.例文帳に追加

マスクパターンが配置されたサファイア基板に対して、プラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する基板のプラズマ処理において、ＰＲ選択比を向上させて、凹凸構造の高アスペクト比化や微細化を実現する。 - 特許庁

To obtain a plasma processing apparatus which processes the surface of a sample with a plasma, where a pattern of a high aspect ratio can be processed at a high speed.例文帳に追加

プラズマを利用し、試料の表面処理を行なうプラズマ処理装置において、高アスペクト比のパターンを高速度で処理する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of etching a surface of a base by using plasma without causing discharge breakdown on the base.例文帳に追加

基板に、放電破壊を起すことなくプラズマを用いて基板表面のエッチングを行うことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device in which uniform plasma can be generated, and a uniform processing against a substrate having a large area is possible, and a processing method.例文帳に追加

均一なプラズマを発生させ大面積基板に対して均一な処理が可能なプラズマ処理装置及び処理方法の提供。 - 特許庁

To provide a plasma processing method for conducting desirable surface treatment without the occurrence of abnormal discharge such as arc discharge.例文帳に追加

アーク放電等の異常放電が発生することなく、望ましい表面処理を施すことのできるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low-cost plasma processing method, by overcoming the fault of a thin film forming process at an early stage, in a method of manufacturing an electronic device.例文帳に追加

電子デバイスの製造工程にて、薄膜形成工程の異常を早期に解決し、かつ低コストのプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which is superior in ease of attachment and detachment of a component and improves mass-productivity.例文帳に追加

部品の組立及び取り外しの簡便性に優れたものとすることができ、量産性を向上させるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which has superior mass-productivity by controlling a deposition film deposited on a vacuum vessel inner wall.例文帳に追加

真空真空容器内壁に堆積する堆積膜を制御することにより量産安定性に優れたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A plasma processing apparatus has an antenna 30 in which a high-frequency current I_R is flowed from one end part to the other end part in an X direction.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、Ｘ方向の一端部から他端部に高周波電流Ｉ_R が流されるアンテナ３０を備えている。 - 特許庁

To provide plasma processing equipment capable of reducing the foreign material of a test piece or the pollution of the test piece, by suppressing the generation of abnormal electric discharge under processing.例文帳に追加

処理中の異常放電の発生を抑制して試料の異物あるいは汚染を低減できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In a plasma processing method which performs plasma processing, placing a semiconductor wafer 4 on a lower electrode 3 within a processing chamber 2, the plasma processing is performed in condition that the edge of the semiconductor wafer 4 fixed by the resin sheet 4a having a larger thermal expansion coefficient than the thermal expansion coefficient of the semiconductor wafer 4 is pressed against the surface of a lower electrode 3 by means of a board pressing means 5.例文帳に追加

処理室２内にの下部電極３上に半導体ウェハ４を載置してプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、半導体ウェハ４の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有する樹脂シート４ａによって固定された状態の半導体ウェハ４の縁部を基板押さえ部材５によって下部電極３の表面に押さえ付けた状態でプラズマ処理を行う。 - 特許庁

On a side wall 8 of a chamber 2 of a plasma processing apparatus 1, an earth wire 9 is attached which fixes the chamber 2 at a ground potential.例文帳に追加

プラズマ処理装置１のチャンバー２の側壁部８には、チャンバー２を接地電位に固定するアース線９が取り付けられている。 - 特許庁

To prevent an abnormal discharge to an inner surface of a skirt hole at the earth electrode of a plasma processing device to prevent an uneven processing.例文帳に追加

プラズマ処理装置の接地電極における噴出口の内面に異常放電が落ちるのを防止し、かつ処理ムラを防止する。 - 特許庁

The section 3 is provided with a processing unit 10 which blows off a gas used for plasma processing and, at the same time, sucks the gas in the vicinity of the section 3.例文帳に追加

処理部３には、プラズマ処理のためのガスを吹出すとともにその近傍で吸気する処理ユニット１０が設けられている。 - 特許庁

To prevent variation in plasma by preventing changes in high-frequency impedance of a high-frequency circuit, in an atmospheric pressure plasma processing apparatus.例文帳に追加

大気圧プラズマ装置において、高周波回路における高周波インピーダンスの変動を防止することによって、プラズマの変動を防ぐ。 - 特許庁

This plasma processing apparatus has a variable resistor 15 for correcting the impedance between a matching unit 14 of a high-frequency power supply 13 and an electrostatic attracting electrode 16.例文帳に追加

高周波電源１３の整合器１４と静電吸着電極１６間にインピーダンス補正用の可変抵抗器１５を設ける。 - 特許庁

To provide a plasma processing device with heightened uniformity of plasma density in a chamber without generating abnormal discharge or undesirable stationary wave.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、異常放電や不所望な定在波を発生させることなく、チャンバ内のプラズマ密度の均一性を高める。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus with which the effects on the shape of a sample-carrying port on plasma can be reduced through a simple arrangement.例文帳に追加

簡易な構成で、試料搬送口の形状のプラズマへの影響を低減することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Plasma is generated in a limited area of the necessary minimum for carrying out plasma processing on a substrate to be processed.例文帳に追加

本発明はこのような状況を鑑みて行われたものであり、パーティクル発生を抑制するプラズマ処理装置の提案を課題とする。 - 特許庁

A part of a substrate 1 (for example, an edge) is located between the surface frame body 5 and the back side frame body 6 during the plasma processing.例文帳に追加

そして表面枠体５及び裏面枠体６は、プラズマ処理時に、基板１の一部（例えば縁）を互いの間に位置させる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of correctly and easily positioning an electrode, and suppressing deformation of a shape of a discharge space.例文帳に追加

電極の位置決めが正確且つ容易にでき、且つ放電空間の形状の変形を抑制したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A refrigerant flow passage 145 for cooling a dielectric window 105 is provided in a sidewall 140 of a processing container 100 of a plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ処理装置の処理容器１００の側壁１４０に誘電体窓１０５を冷却するための冷媒流路１４５を設ける。 - 特許庁

To prevent a seal member for maintaining airtightness in a plasma processing apparatus from being deteriorated by plasma generated in the processing apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置内の気密性を保持するためのシール材が、処理装置内で発生したプラズマによって劣化するのを抑制する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus, that is capable of adsorbing a semiconductor wafer in a stable manner from the start of the processing of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ処理開始時から、安定した半導体ウエハの吸着を得ることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of plasma processing in which reliability is high and a throughput is high in the detachment and attachment of a wafer from and to a substrate electrode.例文帳に追加

ウェハの基板電極への脱吸着に対して、信頼性が高くさらにスループットの高いプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To improve power efficiency of a high frequency plasma processing system utilizing a higher frequency ion VHF bands, for example.例文帳に追加

ＶＨＦ帯のようなより高い周波数の高周波を利用する高周波プラズマ処理装置において、電力効率を改善する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which is structured such that the inside surface of a discharge tube is effectively protected from plasma generated in the discharge tube.例文帳に追加

放電管に生成したプラズマから放電管の内壁が効果的に保護されるようにしたプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing method that can fast and evenly process a single crystal AlN substrate without causing damage to its surface.例文帳に追加

単結晶ＡｌＮ基板を表面にダメージを与えることなく高速かつ均一に加工可能なプラズマ加工方法を提供する。 - 特許庁

In addition, a post-processing step (P5) for performing the plasma processing of the surface of the substrate S may be performed after the thin film deposition steps (P3, P4).例文帳に追加

さらに、薄膜形成工程（Ｐ３、Ｐ４）の後に、基板Ｓの表面をプラズマ処理する後処理工程（Ｐ５）を行ってもよい。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of surely and easily controlling the distribution of plasma formed in a vacuum chamber.例文帳に追加

真空チャンバ内に形成されるプラズマの分布を確実且つ容易に制御できるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of suppressing an increase in cost thereof and capable of remarkably improving the cooling efficiency of a focus ring.例文帳に追加

コスト上昇を抑制する共に、フォーカスリングの冷却効率を飛躍的に改善することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which is capable of restraining an arc discharge from occurring in an electrode where a high-frequency power is applied.例文帳に追加

高周波電力が印加される電極に生じるアーク放電を抑制することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a slot antenna type microwave plasma processing device for controlling electric field distribution in the vicinity of a slot antenna and uniformly controlling plasma to be generated.例文帳に追加

スロットアンテナ方式のマイクロ波プラズマ処理装置において、スロットアンテナ付近の電界分布を制御し、生成するプラズマを均一にする。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which prevents a warp of an electrode unit composed of a metal electrode, and a dielectric that is caused by a temperature change.例文帳に追加

金属電極と誘電体で構成される電極ユニットの温度変化による反りを防止するプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which endpoint detection can be conducted accurately even in short etching for processing a thin film by multiple conditions.例文帳に追加

薄膜を複数条件で処理する短いエッチングにおいても正確に終点検出を実施できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which has an electric conductor work that is hard to be damaged and in which both sides of the electric conductor work can be plasma-processed simultaneously.例文帳に追加

導電体ワークが損傷しにくく、導電体ワークの両面が同時にプラズマ処理されるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁