「"plasma- processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

A showerhead 10A for introducing material gas into the chamber 1 is provided in a surface wave exiting plasma processing device 100.例文帳に追加

表面波励起プラズマ処理装置１００には、チャンバ１内へ材料ガスを導入するためのシャワーヘッド１０Ａが設けられている。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film on a substrate using plasma processing, which can realize high speed film forming and a high quality film at the same time.例文帳に追加

プラズマ処理により基板上に薄膜を形成する方法において、高速成膜と高い膜品質とを同時に実現する。 - 特許庁

PLASMA POTENTIAL AND ION SPEED MEASUREMENT METHOD, PLASMA POTENTIAL AND ION SPEED MEASUREMENT DEVICE AND PLASMA PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM AND PROGRAM例文帳に追加

プラズマ電位及びイオン速度計測方法、プラズマ電位及びイオン速度計測装置及びプラズマ処理装置並びに記録媒体及びプログラム - 特許庁

The water vapor is decomposed into hydrogen and oxygen in a plasma processing, which combines with fluorine of decomposed fluorine gas to generate hydrogen fluoride.例文帳に追加

プラズマ処理によって水蒸気は水素と酸素とに分解され、分解されたフッ素系ガスのフッ素と結合しフッ化水素を生成する。 - 特許庁

In a discharge plasma processing apparatus, at least one of oppositely-faced parallel-plane electrodes 2, 3 of the apparatus is provided with a solid dielectric 4.例文帳に追加

放電プラズマ処理装置の平行平板型の対向する電極２、３のうち、少なくとも一方に固体誘電体４を設ける。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of uniformly decomposing and removing organic matter present on a surface of a processing object substrate.例文帳に追加

被処理基板の表面にある有機物をプラズマによって、均一に分解、除去することができるプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

An electrode (a) 102 and the EL layer 103 are arranged on an insulator 101, and a plasma processing is performed on the EL layer 103.例文帳に追加

絶縁体１０１上に電極（ａ）１０２、ＥＬ層１０３が設けられ、ＥＬ層１０３に対してプラズマ処理が行われる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of stably generating plasma even when using a power supply of low output or low frequency.例文帳に追加

低出力あるいは低周波の電源を用いても、プラズマを安定して発生させることができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a focus ring and a plasma processor for further improving uniformity within a surface of a plasma processing in comparison with conventional rings and processors.例文帳に追加

従来に比べてプラズマ処理の面内均一性を向上させることのできるフォーカスリング及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus 20, microwaves are inputted from a microwave generator 355 as energy for exciting the introduced gas.例文帳に追加

プラズマ処理装置２０は、また、導入されたガスを励起させるためのエネルギーとしてマイクロ波発生器３５５からマイクロ波を投入する。 - 特許庁

The plasma processing device includes a reaction container 2 open at one side to form a nozzle 1, and a plurality of plasma-generating electrodes 3 and 4.例文帳に追加

片側が吹き出し口１として開放された反応容器２と複数のプラズマ生成用電極３、４とを具備して構成される。 - 特許庁

Plasma processing is carried out for a recessed and projected pattern 103 while maintaining the pattern 103 at a temperature near the melting point of the photoresist.例文帳に追加

このプラズマ処理は、凹凸パターン１０３をフォトレジストの溶融点近傍の温度に保ちながら、凹凸パターン１０３に対して行う。 - 特許庁

To provide a plasma processing device that uniformizes a plasma distribution on a substrate without changing the properties of the plasma itself.例文帳に追加

プラズマそのものの特性を変化させることなく、基板上のプラズマの分布を一様にすることが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a susceptor that maintains stable plasma and deposits a uniform film by improving design of a susceptor for a plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ処理装置用サセプタの設計を改良し、安定的なプラズマの維持及び均一な膜の堆積を可能にするサセプタを提供する。 - 特許庁

A dual-chamber plasma processing apparatus comprises two reaction spaces which are equipped with different gas inlet lines and different RF systems.例文帳に追加

デュアル反応チャンバプラズマ処理装置は、異なるガス流入ライン及び異なるRFシステムが取り付けられた２つの反応チャンバから成る。 - 特許庁

Helium, supplied from a helium cylinder 1, is made to come into direct contact with pure water 5 in a steam mixer 3 and is supplied to a plasma processing unit 4.例文帳に追加

ヘリウムボンベ１からのヘリウムは、水蒸気混合器３で純水５と直接に接触されて、プラズマ処理部４に供給される。 - 特許庁

To improve the yield by greatly reducing foreign matter sticking on a wafer in a plasma processing process when a semiconductor device is manufactured.例文帳に追加

半導体デバイスを製造する際のプラズマ処理工程において、ウエハに付着する異物を大幅に低減し、歩留まりを向上させる。 - 特許庁

This plasma processing device 1 is provided with a plasma generation unit 10 including a pair of electrodes 11 and 12 for forming the discharge space 14.例文帳に追加

プラズマ処理装置１は、放電空間１４を形成する一対の電極１１，１２を含むプラズマ生成ユニット１０を備えている。 - 特許庁

To suppress abnormal discharge for improving the excitation efficiency of microwave plasma in a microwave plasma processing apparatus, having a radial slotted line antenna.例文帳に追加

ラジアルラインスロットアンテナを有するマイクロ波プラズマ処理装置において、異常放電を抑制し、マイクロ波プラズマの励起効率を向上させる。 - 特許庁

To obtain a plasma processing system in which the plasma density is made uniform easily and exactly while reducing the loss of high frequency energy.例文帳に追加

プラズマ処理装置において高周波エネルギーの損失を少なくしてプラズマ密度の均一化を容易に、しかも精確に行うこと。 - 特許庁

To automatically measure a thickness of each tray and properly control the trays in a plasma processing system including the trays in which substrates are placed to be transferred.例文帳に追加

基板を載置して搬送するトレイを備えるプラズマ処理システムにおいて、トレイの厚さを自動的に測定して適切に管理する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus reducing contamination of a placed substrate to be processed without breaking a cover.例文帳に追加

カバーの破壊等を生じさせることなく、載置された被処理基板の汚染を少なくすることができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

This plasma processing system is for depositing a film on a large-area substrate 17 by means of a CVD process in a reactor 10.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、反応容器１０でＣＤＶ過程によって大面積基板１７に成膜を行うためのものである。 - 特許庁

To provide a non-destructive and simple analytical method which allows in-situ monitoring of plasma damage during the plasma processing, such as, resist stripping.例文帳に追加

レジスト剥離などのプラズマ処理の際、プラズマ損傷の監視がその場(in situ)で可能な、非破壊で簡単な分析方法を提供する。 - 特許庁

To alleviate an operator's effort required for maintenance work of processing head of an atmospheric pressure plasma processing device and suppress generation of particles.例文帳に追加

常圧プラズマ処理装置の処理ヘッドのメンテナンス作業に要する作業者の労力を軽減するとともに、パーティクルの発生を抑制する。 - 特許庁

To stop the output of at least one high-frequency power supply when an excessive reflected wave arises therein and to stop the outputs of other high-frequency power supplies instantaneously in plasma processing equipment which performs plasma processing by using a plurality of high-frequency power supplies.例文帳に追加

複数の高周波電源を用いてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において少なくとも一つの高周波電源に過大な反射波が生じたときに当該高周波電源の出力を停止すると共に他の高周波電源の出力を瞬時に停止させること。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus, an electrode which prevents degradation of electrostatic attraction force and reduces the leakage of helium gas used for heat transfer of an electrode is provided by providing a level difference which is higher than the inside and capable of maintaining electrostatic attraction force on the outer periphery of the surface of electrode in the plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、プラズマ処理室内の電極表面の外周部に、内側よりも高く、静電吸着力を維持できる段差を設けることで、静電吸着力低下の抑制と電極の熱伝達に用いるヘリウムガスのもれを低減する電極を備えた。 - 特許庁

A wiring board plasma-processing device includes, in the same plasma processing chamber 109, a plasma source, a surface processing unit 106 for performing a pretreatment of the board 102 to be processed, and a plurality of sputtering film deposition units 107, 108 for forming a seed layer formed of a plurality of films.例文帳に追加

同一のプラズマ処理室１０９内に、プラズマ源を備え、被処理基板１０２の前処理を行なう表面処理部１０６と、複数の膜によって形成されたシード層を形成する複数のスパッタ成膜部１０７、１０８を備えた配線基板プラズマ処理装置とする。 - 特許庁

The gas for plasma processing is introduced between electrodes 1, 1 facing each other when generating a plasma 3 under a pressure near the atmospheric pressure by applying voltages between the electrodes 1, 1 facing each other and applying a plasma processing on the surface of an object 4 to be processed by the plasma 3.例文帳に追加

対向配置された電極１、１間に電圧を印加することよって大気圧近傍の圧力下でプラズマ３を生成すると共に該プラズマ３により被処理物４の表面をプラズマ処理する際に、上記対向する電極１、１間に導入されるプラズマ処理用ガスに関する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method for easily and securely lighting up plasma in low pressure while the drop of yield is prevented and securely performing a highly precise plasma treatment by sucking dust and dirt by a substrate to be processed and to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

被処理基板に塵埃が吸着され、歩留まりの低下が発生することを防止しつつ、低圧下においても、容易にかつ確実にプラズマを着火することができ、高精度なプラズマ処理を確実に行うことのできるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus of which the component consumption cost is reduced by extending the life of an electrode member configuring a lower electrode and the inside of which is prevented from being contaminated due to attachment of scattered objects, and to provide the electrode member to be used for the plasma processing apparatus.例文帳に追加

下部電極を構成する電極部材を長寿命化して部品消耗コストを低減するとともに、飛散物付着による装置内部の汚染を防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用の電極部材を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the substrate holder for plasma processing and a plasma processing method, the substrate 4 is pressed by a contact part 5 installed in a holder body 3c, and the center part of the substrate 4 is fixed by preventing it from being brought into direct contact with the holder body 3c.例文帳に追加

基板４がホルダー本体３ｃに設けられた接触部５に押え込まれることで、前記基板４の中央部がホルダー本体３ｃに直接接触しないようにして固定されるようになっているプラズマプロセス用基板ホルダーおよびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device that performs plasma processing using gas containing SF_6 in a chamber having a member comprising alumite, wherein a reducing agent is allowed to contact the member comprising the alumite after plasma processing is performed by using the gas containing SF_6 and the like.例文帳に追加

アルマイトからなる部材を備えたチャンバー内でSF_6含有ガスを用いたプラズマ処理を行う半導体装置の製造方法において、前記SF_6含有ガスを用いたプラズマ処理後に、前記アルマイトからなる部材に還元剤を接触させることを特徴とする半導体装置の製造方法など。 - 特許庁

In the vacuum processing device 100, a vacuum pre-heating chamber 10 and a plasma processing chamber 20 are connected to each other, and substrate conveying devices 11 and 13 are arranged in two stages of upper and lower inside the vacuum pre-heating chamber 10, and a substrate conveying device 21 is arranged inside the plasma processing chamber 20.例文帳に追加

真空処理装置１００は、真空予備加熱室１０とプラズマ処理室２０とが連結されており、真空予備加熱室１０内には、基板搬送装置１１，１３が上下２段に配置され、プラズマ処理室２０内には、基板搬送装置２１が配置されている。 - 特許庁

To provide an inductive coupling plasma processing device capable of effecting uniform plasma processing by high-density plasma, without generating any deterioration of plasma density with respect to a large-size substrate due to capacitive coupling constituent, and without generating any unevenness in the plasma density due to the bias of an electric field distribution.例文帳に追加

大型基板に対して容量結合成分によるプラズマ密度の低下および電界分布の偏りによるプラズマ密度の不均一が生じずに、より高密度なプラズマで均一なプラズマ処理を行うことができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a microwave plasma processing method wherein leakage prevention structure is installed on the whole periphery of an outer peripheral part of a plasma head, in order to prevent microwave from leaking from a gap between the plasma head and a substrate to be treated to the outside of the equipment, and to provide microwave plasma processing equipment and its plasma head.例文帳に追加

プラズマヘッドと被処理基板との隙間から装置外へマイクロ波が漏洩しないようにプラズマヘッドの外周縁部にその全周にわたって漏洩防止構造体を設けたマイクロ波プラズマ処理方法、マイクロ波プラズマ処理装置及びそのプラズマヘッドを提供することを目的としている。 - 特許庁

In order to enhance an effect by only a modification by a plasma processing and only a modification by a thermal annealing processing, a plasma based on a processing gas containing a rare gas and an oxygen atom is used, and a modification processing which combines the plasma processing with the thermal annealing processing is performed on the insulating film, to modify the insulating film.例文帳に追加

プラズマ処理による改質のみ、熱アニール処理のみによる改質による効果を向上する為に、希ガスと酸素原子を含む処理ガスに基ずくプラズマを用いて、絶縁膜にプラズマ処理と熱アニール処理を組み合わせた改質処理を施すことで、該絶縁膜を改質する。 - 特許庁

To provide an atmospheric pressure plasma processing apparatus that successively performs plasma processing on substrates while transporting many setters carrying the substrates by arranging the setters in a row, can relieve the effect of another gas flow exerted upon the blown-off flow of a process gas and, at the same time, can prevent the temperature drop of a substrate caused by intruded outside air.例文帳に追加

多数のセッタを一列に並べて搬送しながら順次プラズマ処理する装置であって、処理ガスの吹出し流が、他のガス流の影響を受けるのを緩和するとともに外気進入により基材温度が低下するのを防止できる装置を提供する。 - 特許庁

A method of improving throughput in a semiconductor wafer deposition process in a high-density plasma processing chamber, comprises a step of processing a first wafer within the high-density plasma processing chamber using a process including high output sufficient for burning out fluorosilicate glass residue in the processing chamber.例文帳に追加

高密度プラズマ処理室内の半導体ウエハ堆積工程の処理量を改善する方法は、処理室内のフオロ珪酸塩ガラス残留物を焼き尽くすのに十分な高出力を含む工程を用いて、高密度プラズマ処理室内で第１のウエハを処理する工程を含む。 - 特許庁

To provide a parallel plate type plasma processing apparatus in which, when plasma processing is performed while adjusting an upper electrode 40 to the setting temperature by a temperature adjustment mechanism 47, deterioration in processing uniformity between substrates is suppressed which is caused by changes in the processing environmental atmosphere.例文帳に追加

平行平板型のプラズマ処理装置において、上部電極４０を温度調整機構４７により設定温度に調整しながらプラズマ処理を行うにあたり、処理の環境雰囲気が変わることに起因する基板間の処理の均一性の低下を抑えること。 - 特許庁

To provide an inductively coupled plasma processing apparatus capable of preventing occurrence of notch as much as possible, when etching a micropattern on a processed substrate.例文帳に追加

処理基板に微細パターンをエッチングする際にノッチの発生を極力防止することができる誘導結合プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of removing contamination particles at the upper portion of a workpiece during discharge or before/after the discharge.例文帳に追加

放電中あるいは放電の前後において被処理体上方にある異物粒子を除去することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The device also controls the power distribution of radiation electromagnetic waves by a displacement current control method to control a plasma distribution, thereby controls the uniformity of the plasma processing.例文帳に追加

放射電磁波電力分布を変位電流制御により制御し、プラズマ分布を制御してプラズマ処理の均一性を制御する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a device capable of realizing a high speed treatment in a comparatively high pressure of 0.1-100 atmospheric pressure.例文帳に追加

０．１気圧〜１００気圧という比較的高い圧力下で高速な処理を実現できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Electrons and exciton by the plasma generated in the preliminary electric discharge regions 16-1, 16-2 can be supplied directly to the plasma processing space 15.例文帳に追加

この予備放電領域１６-１,１６-２で発生されたプラズマによる電子や励起種をプラズマ処理空間１５に直接供給できる。 - 特許庁