「"plasma- processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

The coating film surface 13 of the fitted part 2 of the stabilizer bar 1 is subjected to plasma processing by a plasma generating device 12, and then a bonding agent is applied to the coating film surface 13, and the rubber bushing formed through vulcanization molding is fitted on the fitting part 2, compressed in the radial direction and heated, and is fitted fast on the fitting part 2.例文帳に追加

プラズマ発生装置１２を用いてスタビライザーバー１の被嵌合部２の塗装膜面１３をプラズマ処理し、その後に、被嵌合部２の塗装膜面１３に接着剤を塗布し、加硫成形したゴムブッシュを被嵌合部２に外嵌し、ゴムブッシュを径方向に圧縮するとともに加熱してゴムブッシュを被嵌合部２に外嵌固定する。 - 特許庁

The frequency adjustment method for the surface acoustic wave apparatus including a piezoelectric substrate 1 and an insulation film formed on the piezoelectric substrate 1 to cover interdigital electrodes 2 formed on the piezoelectric substrate applies plasma processing to the insulation film 3 to modify the surface of the insulation film 3 thereby changing the frequency.例文帳に追加

圧電基板１と、圧電基板上に形成されたくし型電極２を覆うように圧電基板１上に形成された絶縁膜とを有する弾性表面波装置の周波数調整に際し、絶縁膜３をプラズマ処理し、該絶縁膜３の表面を変質させることにより、周波数を変化させる、弾性表面波装置の周波数調整方法。 - 特許庁

In this plasma processing method, after the film containing the magnetic material (magnetized free layer 33) is subjected to the etching process, processing is carried out for exposing the film containing the magnetic material (magnetized free layer 33) subjected to the etching process into the plasma atmosphere of a gas mixture having a gas containing hydrogen gas or at least hydrogen atoms and also having oxygen gas or nitrogen gas.例文帳に追加

磁性体材料を含む膜（磁化自由層３３）をエッチング加工した後、水素ガスもしくは少なくとも水素原子を含むガスを有するとともに酸素ガスもしくは窒素ガスを有する混合ガスのプラズマ雰囲気中にエッチング加工した磁性体材料を含む膜（磁化自由層３３）をさらす処理を行うプラズマ処理方法である。 - 特許庁

The plasma processing device processes the surface of a processing subject S using radicals generated by exciting a process gas, wherein a plasma generating chamber member 6 having an internal plasma generating chamber 6a is connected to a gas introduction tube 5 attached to the outside of a process chamber 1, and a gas regulator 7 is provided at the end of the plasma generating chamber member 6.例文帳に追加

プロセスガスを励起させて生成したラジカルによって被処理物Ｓの表面を処理するプラズマ処理装置であり、プロセス室１外部に取り付けられたガス導入管５には、内部にプラズマ発生室６ａを備えたプラズマ発生室部材６が接続され、このプラズマ発生室部材６の端部にはガス制御部７が設けられている。 - 特許庁

This plasma processing apparatus is provided with a reactor R, formed of an insulating base material 1 equipped with: a plurality of through-holes 2 for introducing a plasma-generating gas G from openings on one side and for discharging the activated plasma generating gas G from openings on the other end side; and electrodes 3 and 4 for respectively generating discharge in the respective through-holes 2.例文帳に追加

一端側の開口からプラズマ生成用ガスＧが流入すると共に他端側の開口から活性化されたプラズマ生成用ガスＧが流出する複数の貫通孔２と、各貫通孔２内でそれぞれ放電を発生させるための電極３，４とが設けられた絶縁基材１からなる反応器Ｒを具備する。 - 特許庁

To realize a plasma processing device which has a high selective ratio and is capable of carrying out fine processing, by a method wherein a plasma generating means that generates plasma through a capacitive coupling discharge and a means which radiates electromagnetic waves into a plasma generating chamber are provided.例文帳に追加

本発明は容量結合放電プラズマと、高周波による電磁波放射によるプラズマの複合放電により、プラズマ中の電子のエネルギレベルをプラズマ発生とは独立に制御し、目的とする活性種を目的とする量、生成することでより高性能なプラズマ処理を実現するとともに、電磁波放射、磁場を制御し大口径基板を均一に処理するものである。 - 特許庁

On the surface of a nozzle plate 21 previously subjected to surface roughening (oxygen plasma processing or sand blasting) to have a surface roughness (Ra) of 0.01-0.1, a plasma polymerization film having a thickness of 0.5 μm or less is formed by plasma CVD using a compound containing fluorine or silane as a material and then it is coated with fluororesin to form an ink repellent film.例文帳に追加

予め粗面化処理（酸素プラズマ処理又はサンドブラスト処理）により表面粗さ（Ｒａ）０．０１〜０．１とされたノズルプレート２１表面に、フッ素含有化合物又はシラン化合物を原料としてプラズマＣＶＤ法により０．５μｍ以下のプラズマ重合膜を形成し、その皮膜上にフッ素樹脂を塗布し、撥インク膜を形成する。 - 特許庁

A nonwoven fabric comprising heat resistant fibers and fibrillation liquid crystal polymer fibers is subjected to at least one surface treatment selected from low temperature plasma processing, surfactant processing, grafting, sulfonation, fluorination, hydroentaglement process, and resin coating thus producing a separator for an electrochemical element, e.g. a capacitor.例文帳に追加

少なくとも耐熱性繊維と、フィブリル化液晶性高分子繊維とを含有する不織布に、低温プラズマ処理、界面活性剤処理、グラフト処理、スルホン化処理、フッ素処理、水流交絡処理、樹脂コーティング処理から選ばれる少なくともひとつの表面処理が施されていることを特徴とする、キャパシタ等の電気化学素子に用いることができるセパレータ。 - 特許庁

A plasma processing apparatus A comprises: the processing chamber; a substrate holding part 23 which is disposed in the processing chamber and holds a processed substrate 4; a composite electrode 28 which faces the substrate holding part 23 in the processing chamber and has a plurality of first electrodes 2a and second electrodes 2b for generating plasma; and a gas supply part for supplying material gas into the processing chamber.例文帳に追加

プラズマプロセス装置Ａは、処理室と、処理室の内部に設けられ、被処理基板４を保持する基板保持部２３と、処理室の内部に基板保持部２３に対向して設けられ、プラズマを発生させる複数の第１電極２ａ及び第２電極２ｂを有する複合電極２８と、処理室の内部に材料ガスを供給するガス供給部とを備えている。 - 特許庁

The plasma processing apparatus generates a plasma-generated object from a process gas using plasma excited by microwave and processes a workpiece, and is characterized by a microwave transmission member for introducing microwave to a region wherein the plasma is excited, and a thickness detection means to detect the thickness of the microwave transmission member directly.例文帳に追加

マイクロ波により励起させたプラズマを用いてプロセスガスからプラズマ生成物を生成し、被処理物の処理を行うプラズマ処理装置であって、前記プラズマが励起される領域にマイクロ波を導入するためのマイクロ波透過部材と、前記マイクロ波透過部材の厚み寸法を直接検出する厚み検出手段と、を備えることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus, having a plurality of small electrodes arranged nearly in the same plane, when high frequency powers of different frequencies are applied to the electrodes adjacent to each other, the combination of the electric field strengths generated by respective electrodes can provide electric field strength which is uniform over a large area to improve film thickness distribution and etching speed distribution.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、反応容器内の略同一平面上に配置された複数の小電極に対して、互いに隣接する電極に異なる周波数の高周波電力を印加することで、各々の電極で生じる電界強度を合成して大面積にわたって均一な電界強度を生じさせることが可能となり、膜厚分布やエッチング速度の分布が改善される。 - 特許庁

A wafer support device 20 includes an electrostatic chuck 22 capable of adsorbing a silicon wafer W as an object of plasma processing, a guard ring 30 mounted on a step 26 of the electrostatic chuck 22, a cooling plate 40 placed on a backside of the electrostatic chuck 22 for cooling the electrostatic chuck 22, and a coolant gas flow path 50 arranged to supply a flow of coolant gas for cooling the guard ring 30.例文帳に追加

ウエハ載置装置２０は、プラズマ処理を施すシリコン製のウエハＷを吸着可能な静電チャック２２と、この静電チャック２２の段差部２６に載置された保護リング３０と、静電チャック２２の裏面に配置された静電チャック冷却用の冷却板４０と、保護リング３０を冷却するための冷却用ガスを供給する冷却用ガス通路５０とを備えている。 - 特許庁

As for a structure of this nickel-hydrogen secondary battery, a group of electrodes 5, in which low temperature plasma processing is applied to a separator 3 of synthetic resin fiber and it is interveningly mounted between a nickel electrode and a hydrogen storage alloy electrode, is sealed in a battery can 1 together with alkali electrolyte, and an area having different degrees of hydrophilic property is formed on the surface of the separator 3.例文帳に追加

ニッケル極２と水素吸蔵合金電極４の間に、合成樹脂繊維から成りかつ低温プラズマ処理されたセパレータ３が介装されている電極群５をアルカリ電解液と一緒に電池缶１に封入した構造のニッケル・水素二次電池であって、セパレータ３の表面には、親水性に程度差のある領域が形成されているニッケル・水素二次電池。 - 特許庁

To avoid the facilities from becoming enormous, when a plurality of types of surface processes are effected by a plasma surface processor, in which a semiconductor substrate such as a silicon wafer, etc., fed into a core chamber is mounted in the surface processor of a plasma processing unit connected to this core chamber via a gate value, and the surface processing is effected by plasma therein.例文帳に追加

コアチャンバー１内に送り込んだシリコンウエハー等の半導体基板８を、このコアチャンバー１にゲート弁３を介して接続したプラズマ処理ユニット２の表面処理室２ａ内に装填して、ここでプラズマによる表面処理を行うようにしたプラズマ表面処理装置において、この装置によって複数種類の表面処理を行う場合に設備が膨大になることを回避する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus 10 includes: a processing container 100 in which a body to be processed is plasma-processed; an upper electrode 105 and a lower electrode 110 which face each other in the processing container 100, a processing space being formed therebetween; and a first high-frequency power supply 150 connected to the lower electrode 110, a high-frequency power being supplied into the processing container 100.例文帳に追加

プラズマエッチング装置１０は、内部にて被処理体をプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、下部電極１１０に接続され、処理容器１００内に高周波電力を出力する第１の高周波電源１５０とを有する。 - 特許庁

When thin film transistors such as a switch transistor 5 and a drive transistor 6 used as driving elements in an EL panel 1 are manufactured, semiconductor films 5b and 6b which are enhanced in crystallinity are formed by subjecting a base film 16 to plasma processing as preprocessing for forming a semiconductor layer 9b of crystalline silicon to serve as semiconductor films 5b and 6b where channels are formed.例文帳に追加

ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタを製造する際に、チャネルが形成される半導体膜５ｂ、６ｂとなる結晶性シリコンの半導体層９ｂを成膜する前処理として下地膜１６にプラズマ処理を施すことによって、結晶化度を高めた半導体膜５ｂ、６ｂを形成することができる。 - 特許庁

For the plasma etching by a microwave, a semiconductor processing apparatus includes the quartz-made transmission window 105 of the porous structure, a microwave introduction window 108 to which a heating medium flow path is added, and a heating medium circulation device so as to greatly reduce the production of foreign matter of fine particle size sticking on nearby a surface of the substrate 102 to be processed by optimizing a plasma processing method for the substrate 102 to be processed.例文帳に追加

被処理基板１０２に対するプラズマ処理方法を最適化し被処理基板１０２の表面近傍部に付着する微小粒径異物の発生を大幅に低減するために、マイクロ波によるプラズマ処理に際し、多孔構造の石英製透過窓１０５、熱媒体流路を付設したマイクロ波導入窓１０８、および熱媒体循環装置により構成する。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus for processing a substrate to be processed, a space for plasma excitation and a plasma gas introducing path for the same are separated from each other by a porous medium such as a porous ceramic material, thereby: preventing the plasma excitation in the plasma introducing path; and exciting uniform plasma of high density in a desired plasma excitation space.例文帳に追加

被処理基板を処理するプラズマ処理装置において、プラズマを励起するための空間と、プラズマを励起するためのプラズマガス導入経路を多孔質媒体、たとえば多孔質セラミック材料で分離することにより、前記プラズマガス導入経路でのプラズマの励起を防止して、所望のプラズマ励起空間において高密度かつ均一なプラズマを励起させることが可能とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the solar cell employs the plasma processing apparatus that comprises: a shower plate consisting of a conductive substrate with a gas supply port; a first electrode having a salient part including a conductive porous material and provided on a surface of the shower plate opposing to a second electrode so as to cover the gas supply port, and that supplies a material gas from the salient part.例文帳に追加

本発明の太陽電池の製造方法では、ガス供給口を有する導電性基板からなるシャワープレートと、第２の電極に対向する前記シャワープレートの面上にガス供給口を覆うように設けられた導電性多孔質材料からなる凸部を有する第１の電極を備え、この凸部より原料ガスを供給するプラズマ処理装置を用いる。 - 特許庁

To provide a radial line slot antenna for a plasma processing device where the close adhesion between a metallic plate having many also holes configuring the radial slot antenna and a dielectric material placed at an opposite side to a microwave radiation face of the metallic plate is improved so as to enhance the radiation efficiency and the uniformity of microwaves and cope with a substrate with a large area to be processed.例文帳に追加

ラジアルスロットアンテナを構成する多数のスロット孔を有する金属板と、この金属板のマイクロ波放射面と反対側に設けられている誘電体との密着性を良くして、マイクロ波の放射効率と均一性の向上を図ることができ、大面積の被処理基板に対応することが可能となるプラズマ処理装置におけるラジアルラインスロットアンテナを提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device having a heat resistant resin film formed on a semiconductor element and an epoxy based resin compound formed thereon, surface of the heat resistant resin film on which the epoxy based resin compound is formed is subjected to plasma processing by using nitrogen atom containing gas which contains at least one kind of nitrogen, ammonia and hydrazine.例文帳に追加

半導体素子上に形成する耐熱性樹脂膜とその上に積層するエポキシ系樹脂化合物層とを有する半導体装置において、エポキシ系樹脂化合物層を積層する耐熱性樹脂膜の表面を、窒素、アンモニア、ヒドラジンの少なくとも１種を含有する窒素原子含有ガスを用いてプラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

Furthermore, by using the plasma processing device 100, processing gas containing rare gas and oxygen is introduced into the chamber 1 and a microwave is introduced by the flat antenna 31, plasma is generated under pressure conditions in the range of 6.7-267 Pa and the insulating film is modified by the plasma (step S6).例文帳に追加

この酸化珪素膜上にＣＶＤ法により絶縁膜としての酸化珪素膜を成膜し（ステップＳ４）、さらに、プラズマ処理装置１００を用い、チャンバ１内に希ガスと酸素を含む処理ガスを導入するとともに平面アンテナ３１によりマイクロ波を導入し、６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内の圧力条件でプラズマを発生させ、該プラズマにより、絶縁膜を改質する（ステップＳ６）。 - 特許庁

This plasma processing apparatus includes an upper electrode 3 which is installed in a vacuum chamber 2 and which can hold a substrate 10, a gas supply port 14 installed so that it may counter with the upper electrode 3 in the vacuum chamber 2, and a lower electrode 4 having gas suction ports (gas suction ports 24a and 24b) of the number more than the number of the gas supply ports 14.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、真空チャンバ２内に設置され、基板１０を保持することが可能な上部電極３と、真空チャンバ２内に上部電極３と対向するように設置され、ガス供給口１４と、ガス供給口１４の数よりも多くの数のガス吸引口（ガス吸引口２４ａおよび２４ｂ）とを有する下部電極４とを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing the liquid crystal device is provided with: a step S1 to respectively form electrodes to apply a driving voltage to the liquid crystal on a TFT substrate and a counter substrate; a step S4 to apply plasma processing to either electrode on the TFT substrate or the counter substrate; and a step S5 to respectively form inorganic alignment layers on the electrodes of the TFT substrate and the counter substrate.例文帳に追加

ＴＦＴ基板及び対向基板に、液晶に駆動電圧を印加する電極をそれぞれ形成するステップＳ１と、ＴＦＴ基板と対向基板とのいずれか一方の電極に、プラズマ処理を行うステップＳ４と、ＴＦＴ基板及び対向基板の電極上に、無機配向膜をそれぞれ形成するステップＳ５と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

According to consumption of a focus ring which is consumed by plasma processing, the high frequency bias power being applied to the focus ring is changed by controlling an impedance adjustment circuit, and the high frequency bias power being applied to a sample stand is controlled to a predetermined high frequency bias power by controlling the output of a high frequency bias power supply.例文帳に追加

プラズマ処理により消耗するフォーカスリングの消耗量に応じて、前記フォーカスリングに印加する高周波バイアス電力を前記インピーダンス調整回路を制御することで変化させる一方、前記試料台に印加する前記高周波バイアス電力を、前記高周波バイアス電源の出力を制御することで、前記所定の高周波バイアス電力に制御する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus having a cathode electrode provided with a plurality of recesses or exhaust holes in which plasma is generated only in the vicinity of the cathode electrode and generation of plasma is minimized in the vicinity of a substrate, unnecessary substance is prevented from being mixed into a film, and plasma can be generated uniformly in all recesses or exhaust holes of the cathode electrode.例文帳に追加

複数の凹部または複数の排気孔を設けたカソード電極を備えるプラズマ処理装置において、カソード電極の近傍のみにプラズマを発生させて基板近傍のプラズマ発生を抑制し、膜中への不要物質の混入を防ぐとともに、カソード電極の全ての凹部または全ての排気孔に均一にプラズマを生成することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processor and a plasma processing method which can get stable processing speed being is easily applicable to processing of a highly micronized semiconductor device, too, by attenuating microwaves or charged particles, and avoiding electric damage to, especially, the semiconductor device, without providing it with a meshy metallic plate for screening microwaves between a microwave transmitting window and a work.例文帳に追加

マイクロ波透過窓と被加工物の間にマイクロ波を遮蔽するメッシュ状の金属板を設けることなく、マイクロ波及びまたは荷電粒子を減衰させ、被加工物、特に半導体デバイスに対する電気的ダメージを回避し、安定した処理速度を得ることができ、微細化の進んだ半導体デバイスの処理にも適応容易なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The colored matter manufacturing process repeatedly conducts, per scanning or color, the step of conducting a wettability improving process selected from the group consisting of plasma processing, corona processing, and frame processing on an ink giving surface, the step of giving ultraviolet curing type ink by an inkjet system to the processing surface, and the step of ultraviolet irradiating to the given ultraviolet curing type ink.例文帳に追加

インク付与面にプラズマ処理、コロナ処理、フレーム処理よりなる群から選択される濡れ性向上化処理を行う工程、該処理面にインクジェット方式により紫外線硬化型インクを付与する工程、および、付与された紫外線硬化型インクに紫外線を照射する工程を、主走査毎もしくは色毎に繰り返して行う着色物の製造方法である。 - 特許庁

The plasma processing system comprising a vacuum processing chamber 101, a means for supplying gas into the vacuum processing chamber 101, a plasma generating means 107, and an electrode 103 for mounting a wafer 104 is further provided with a supporting shaft 121 having a structure for making the electrode 103 movable, a structure for supplying a bias power to the electrode, and a structure for transporting a temperature conditioning medium of the electrode.例文帳に追加

真空処理室１０１と、真空処理室１０１内にガスを供給する手段と、プラズマ生成手段１０７と、ウエハ１０４を載置する電極１０３とを備えるプラズマ処理装置において、電極１０３の移動を可能とする構造と、該電極にバイアス電力を供給する構造と、電極を温調する媒体を輸送する構造とを有する支持軸１２１を備える。 - 特許庁

This plasma processing device 1 is provided with: the chamber 2; a first electrode 3 supporting a workpiece 10; a second electrode 4 arranged oppositely to the first electrode 3 through the workpiece 10, a power circuit 5 applying a high-frequency voltage between the respective electrodes 3 and 4; a gas supply part 6 supplying gas into the chamber 2; and an exhaust pump 7 exhausting the gas in the chamber 2.例文帳に追加

プラズマ処理装置１は、チャンバー２と、ワーク１０を支持する第１の電極３と、ワーク１０を介して第１の電極３と対向配置された第２の電極４と、各電極３、４間に高周波電圧を印加する電源回路５と、チャンバー２内にガスを供給するガス供給部６と、チャンバー２内のガスを排気する排気ポンプ７とを備えている。 - 特許庁

A plasma processing apparatus 100 includes a plasma generating means for generating plasma in a chamber 1, a measuring portion 60 for measuring an integrated value of the number of particles of active species in the plasma moving toward a workpiece (wafer W), and a control portion 50 which so controls as to terminate plasma treatment when the measured integrated value of the number of particles has reached a set value.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００は、チャンバー１内でプラズマを生成させるプラズマ生成手段と、被処理体（ウエハＷ）へ向けて移動するプラズマ中の活性種の粒子数の積算値を計測する計測部６０と、計測された粒子数の積算値が設定値に達した場合に、プラズマ処理を終了させるように制御する制御部５０と、を備えている。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus provided with a gas injecting means including a plurality of gas injecting ports 18 to the surface opposing to the processing object 8 in order to conduct the process to the processing object 8, the uniform plasma process can be implemented to the processing object by injecting a mixed gas having different flow rate ratios of two or more kinds of gas from different gas injecting ports.例文帳に追加

被処理体８に対する対向面に複数のガス噴出口１８を備えるガス噴出手段を備え、前記被処理体８に処理を施すプラズマ処理装置において、２種類以上の互いに異なる流量比からなる混合ガスを、互いに異なる前記ガス噴出口から噴出させることで、被処理体に均一なプラズマ処理を施すことが可能となる。 - 特許庁

The plasma processing apparatus comprises a base 5 for holding the substrate 4 on the upper surface, and a source 8 (inert gas supply means) for supplying inert gas between the lower surface of the substrate 4 and the upper surface of the substrate holding base 5 through a gas channel 7 comprising a sleeve 71 (tubular body) inserted into the substrate holding base 5.例文帳に追加

基板４を上面に保持する基板保持台５と、基板４の下面と基板保持台５の上面との間にガス流路７を介して不活性ガスを供給する不活性ガス供給源８（不活性ガス供給手段）とを備えたプラズマ処理装置において、不活性ガス供給源８のガス流路７を、基板保持台５に挿入されたスリーブ７１（筒状体）から構成した。 - 特許庁

The substrate processing method for generating plasma by incurring magnetron discharge within a processing vessel by an electric field and a magnetic field, and for performing plasma processing on a substrate using the plasma includes the steps of: carrying the substrate into the processing vessel; forming a film on the substrate through activation using plasma by feeding gases into the processing vessel; and carrying the treated substrate out of the processing vessel.例文帳に追加

電界と磁界とにより処理容器内にマグネトロン放電を起こしてプラズマを生成し、このプラズマを用いて基板をプラズマ処理する基板処理方法であって、基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内にガスを供給してプラズマにより活性化させ、基板上に膜を形成する工程と、処理後の基板を処理容器から搬出する工程とを備える。 - 特許庁

The indirect type plasma processing device 1 is provided with a pair of electrodes 3a, 3b, a power source 6 which supplies a prescribed power between the electrodes, a treating gas supply device 5 which supplies a treating gas 4 between the electrodes, and an ultraviolet light source 7 which irradiates ultraviolet light on a plasma fluid 9 which is generated between the electrodes and injected to the treating object 10.例文帳に追加

間接型プラズマ処理装置１は、一対の電極３ａ及び３ｂと、電極間に所定の電力を供給する電源６と、電極間に処理ガス４を供給する処理ガス供給装置５と、電極間で発生され、被処理物１０に対して噴射されるプラズマ流体９に対して紫外線を照射する紫外線光源７を備える。 - 特許庁

The plasma-processing device 1002 scans a workpiece 1902 supported by a first electrode structure 1004 having a first electrode 1012 comprising a first opposing surface 1020 with the same planar shape as that of the processed region 1908, by means of a second electrode structure 1036 having a second electrode 1046 comprising a linear second opposing surface 1050.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００２は、被処理領域１９０８の平面形状と同一の平面形状を有する第１の対向面１０２０を持つ第１の電極１０１２を備える第１の電極構造体１００４に支持されたワーク１９０２を線状の第２の対向面１０５０を持つ第２の電極１０４６を備える第２の電極構造体１０３６で走査する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which not only the frequency interference is eliminated between high frequency signals but also the impedances can be matched easily and accurately in a short time between the high frequency power supplies for an ICP electrode and an FS electrode and the corresponding electrodes, stabilized ignition of plasma is obtained easily, and plasma discharge can be excited reliably.例文帳に追加

各高周波信号間で周波数干渉をなくすだけでなく、それらの各高周波信号に対して、ＩＣＰ電極用およびＦＳ電極用の各高周波電源とそれぞれに対応する各電極間で、容易にかつ短時間で正確にインピーダンス整合させることができ、プラズマの安定な着火を容易に実現し、プラズマ放電を確実に励起させることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A plasma etching device includes a processing vessel 100 for subjecting a wafer W to plasma processing in the inside thereof; an upper electrode 105 and a lower electrode 110, facing each other inside of the processing vessel 100 for forming a processing space between them; and a high-frequency power source 150 connected to at least either of the upper electrode 105 and the lower electrode 110 for outputting high-frequency power to the inside of the processing vessel 100.例文帳に追加

プラズマエッチング装置は、内部にてウエハＷをプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかに接続され、処理容器１００の内部に高周波電力を出力する高周波電源１５０と、を有する。 - 特許庁

A plasma processing device, which performs surface treatment for a workpiece sample by ionizing the raw gas inside a vacuum container with an evacuation means, a raw gas supply means, a processing sample installation means and a high frequency power application means to a workpiece sample, is constituted to control the temperature of a workpiece substrate to a temperature pattern which is preset according to proceeding of treatment.例文帳に追加

排気手段と、原料ガス供給手段と、被加工試料設置手段と、被加工試料への高周波電力印加手段を有する真空容器内で、前記原料ガスをプラズマ化し、被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、被処理基板の温度を処理の進行に従って予め設定された温度パターンに制御するよう構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 特許庁

The manufacturing method of an electronic device can be realized using the plasma processing method.例文帳に追加

プラズマ励起用のガスを用いてプラズマを発生させ、処理用ガスを前記プラズマ内に導入して被処理物を処理するプラズマ処理方法で、処理用ガスは亜酸化窒素ガスを含み、かつ前記亜酸化窒素ガスを電子温度が２．２４ｅＶ未満のプラズマ中に導入することで絶縁膜にダメージを与えるイオンの発生を軽減させることで、高品質な酸窒化を実現できるプラズマ処理方法、及びこのプラズマ処理方法を使った電子装置の製造方法を実現できる。 - 特許庁

The plasma processing method comprises controlling the degrees of openings of an upper pressure control valve 134 and a lower pressure control valve 146 disposed between an upper exhaust chamber UC and an upper vacuum exhaust system 136, and between a lower vacuum exhaust chamber DC and a lower vacuum exhaust system 148, respectively, to generate a predetermined displacement difference between the upper exhaust chamber UC and the lower exhaust chamber DC.例文帳に追加

本発明によれば，上部排気室ＵＣと上部真空排気系１３６の間及び下部真空排気室ＤＣと下部真空排気系１４８との間にそれぞれ設けられている，上部圧力調整弁１３４及び下部圧力調整弁１４６の開度を調整することにより，上部排気室ＵＣと下部排気室ＤＣとの間に所定の排気量差を生じさる構成とした。 - 特許庁

The plasma processing apparatus comprises a high frequency electrode and an impedance variable electrode that produce plasma discharge, wherein it is configured that high-frequency electric power is applied via a matching circuit for performing matching of impedance to the high frequency electrode and the impedance variable electrode is provided on a substrate retention member for retaining a substrate, and then the impedance variable electrode is grounded via an impedance variable mechanism 274 for varying the impedance.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、プラズマ放電を生成する高周波電極とインピーダンス可変電極とを有し、インピーダンスの整合を行う整合器を介して前記高周波電極に高周波電力を印加し、基板を保持する基板保持部材にインピーダンス可変電極を設け、このインピーダンス可変電極をインピーダンスを可変するインピーダンス可変機構２７４を介して接地するように構成される。 - 特許庁

The system for fabricating an electronic device comprises a processing chamber employing a fluorine based gas for removing an insulating film between interconnect line layers and oxides on the contact surface of a semiconductor, a conveyor for conveying the semiconductor in order to remove fluorine remaining on the contact surface after the insulating film is removed, equipment for heat treating the semiconductor, and a system performing hydrogen based plasma processing of the semiconductor.例文帳に追加

半導体のコンタクト表面の配線層間絶縁膜と酸化物を除去するためのフッ素系ガスを用いた処理チャンバと、絶縁膜を除去した後、コンタクト表面に残留するフッ素を除去するために前記半導体を搬送する搬送装置と、前記半導体を加熱処理するための加熱処理装置と、前記半導体を水素系のプラズマ処理をするためのプラズマ処理装置を用いる。 - 特許庁

To provide high frequency plasma processor and processing method in which high speed processing can be performed uniformly over a large area with high reproducibility by solving the problem that high frequency power is distorted to generate harmonics easily when a high speed VHF plasma processing method is introduced and accurate matching can not be accomplished because incoming and reflecting power can not be read accurately.例文帳に追加

大面積にプラズマ処理を行う装置及び方法において、高速処理が可能なＶＨＦ周波数のプラズマ処理法を導入しようとした場合の、高周波電力が歪んで高調波を生じ易く、入射、反射電力が正確に読めない、マッチングが正確に合わせられないという問題を解決し、再現性良く、大面積にわたって均一に、高速で処理しうる高周波プラズマ処理装置及び方法を提供することができる。 - 特許庁

The silicon nitride film formed on a substrate 19 by plasma processing and used in a semiconductor element is constituted by laminating a biased silicon nitride film 31 which is formed by applying a bias to the substrate 19, and an unbiased silicon nitride film 32 which is formed by not applying a bias to the substrate 19 when the silicon nitride film comes in contact with a film 41 who wants to avoid hydrogen supply.例文帳に追加

プラズマ処理により基板１９上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、当該窒化珪素膜が、水素の供給を遮断したい膜４１と接する場合、当該窒化珪素膜を、基板１９にバイアスを印加して形成したバイアス窒化珪素膜３１と基板１９にバイアスを印加しないで形成したアンバイアス窒化珪素膜３２とを積層して構成すると共に、アンバイアス窒化珪素膜３２を膜４１に接する側に配置する。 - 特許庁