「"plasma- processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

The plasma processing method has, in the deep-mined process for the silicon substrate, a conditioning step of cleaning a surface of a target 32, in addition to an etching step and a protective film forming step.例文帳に追加

本発明に係るプラズマ処理方法は、シリコン基板に対する深掘り加工プロセスにおいて、エッチング工程と保護膜形成工程のほかに、ターゲット３２の表面を清浄化するコンディショニング工程を有している。 - 特許庁

In the plasma processing device, the power of high frequency (LF) for bias control is pulse-modulated at a characteristics corresponding to the process, and further, in synchronization with the pulse modulation of the LF power, its frequency (LF frequency) is pulse-modulated, as well.例文帳に追加

このプラズマ処理装置では、バイアス制御用高周波（ＬＦ）のパワーをプロセスに応じた特性てパルス変調するだけでなく、ＬＦパワーのパルス変調に同期してその周波数（ＬＦ周波数）もパルス変調する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device including a means for detecting an amount of an ion flux of plasma (plasma density) and a device state on a distribution of the amount of an ion flux of plasma, wherein the amount of an ion flux of plasma is related to a stability in mass production and a reduction in a performance difference among chambers or devices.例文帳に追加

量産安定性と機差低減に関わるプラズマのイオンフラックスの量（プラズマ密度）と、その分布に関する装置状態を検知する手段を備えたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing device conducts processing using plasma and detects the condition of plasma generating in a processing chamber or the adhesive quantity of a reactive product adhered to exhaust piping by using a frequency-measuring device.例文帳に追加

プラズマを用いた処理を行うプラズマ処理装置であって、処理室内に発生するプラズマの状態あるいは排気配管に付着した反応性生成物の付着量を、周波数測定装置を用いて検出する。 - 特許庁

Before conducting plasma processing on a substrate 12 to be treated, the front and back sides of the substrate 12 to be processed are simultaneously exposed by feeble plasma in the gas, composed mainly of inert gases.例文帳に追加

被処理基板１２をプラズマ処理する前に、不活性ガスを主体としたガス中で微弱なプラズマにて被処理基板１２の表裏を同時に曝すことで、被処理基板１２の電荷を取り除くことが可能となる。 - 特許庁

This allows unevenness in plasma density distribution caused by the standing wave of the high frequency power formed on the high frequency coil 23 to be improved, thereby enabling the system to achieve an even plasma processing over the entire substrate.例文帳に追加

これにより、高周波コイル２３上に形成される高周波電力の定在波を原因とするプラズマ密度分布の不均一性が改善され、基板の全面にわたって均一なプラズマ処理が実現可能となる。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a semiconductor device manufacturing method capable of effectively removing deposits including metal accumulated on a pattern sidewall by dry processing while suppressing pattern thinning by side etching.例文帳に追加

サイドエッチングによるパターン細りを抑制しつつ、ドライ処理によってパターン側壁に堆積した金属を含む堆積物を効率良く除去することのできるプラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dust collection/recovery device provided with a means which has high dust collection effect even for an object of a large size and discharges a collected dust to the outside of a system without fail, in a plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ処理装置において大型の対象物に対しても、高いダスト捕集効果を有し、一度捕集したダストを確実に系外へと排出する手段をもつダスト捕集・回収装置を提供する。 - 特許庁

The chamber inner wall protecting member is disposed along the inner wall of the chamber of the plasma processing equipment, with electrical continuity, established between the inner wall of the chamber and the protecting member and the chamber being grounded.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、上記チャンバー内壁保護部材をプラズマ処理装置のチャンバー内壁部に沿って配置し、チャンバー内壁部と保護部材とを電気的に導通するとともにチャンバーが接地されて構成される。 - 特許庁

The rubber composition comprises >10 pts.wt. and <120 pts.wt. silica per 100 pts.wt. dien rubber and a silane coupling agent, wherein the silica is surface-treated by atmospheric plasma processing.例文帳に追加

ジエン系ゴム１００重量部に対して、シリカを１０重量部を超え１２０重量部未満、及びシランカップリング剤を含んでなるゴム組成物であって、前記シリカが大気圧プラズマ処理による表面処理が施されている。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device capable of reducing the number of plasma processing steps and the process time and performing desired plasma treatment on a first treated surface and a second treated surface.例文帳に追加

プラズマ処理の工程数削減および処理時間短縮を図ることができるとともに、第１の被処理面および第２の被処理面に対して所望のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus reduced in downtime, maintenance cost and an environmental load of the apparatus by reducing the discharge amount of a refrigerant generated in maintenance of a direct expansion-type cooling cycle, and to provide a method of maintaining the same.例文帳に追加

直膨式冷却サイクルのメンテナンス時に生じる冷媒排出量を削減することで、装置のダウンタイム、メンテナンスコスト、環境負荷を低減したプラズマ処理装置およびそのメンテナンス方法を提供する。 - 特許庁

The damage recovery method of an insulating film is selected, in which damage recovery treatment is carried out by bringing an insulating film which has received damage due to plasma processing into contact with restorative being carbonate ester based compound.例文帳に追加

プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜を、炭酸エステル系の化合物である回復剤と接触させてダメージ回復処理を行うことを特徴とする絶縁膜のダメージ回復方法を選択する。 - 特許庁

To provide an etching device, configured so that a substrate can be processed at relatively low cost while suppressing abnormal electrical discharge in application of a winding vacuum treatment device to a plasma processing device using RF power.例文帳に追加

巻取り式の真空処理装置をＲＦ電力を用いるプラズマ加工装置に適用するに際し、異常放電の発生を抑え、しかも比較的低コストで基板を処理できるようにしたエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a deposit protection cover and a plasma processing apparatus capable of providing a simple solution to deposits adhered to portions originally considered to be unreachable by plasma without increasing manufacturing cost.例文帳に追加

本来プラズマが入り込まないと想定されている部位等における堆積物に対して、製造コストの増大を招くことなく簡易に対策を行うことのできる堆積物対策用カバー及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of easily adjusting individual heights of a magnet mechanism having a plurality of magnets with different polarities and capable of improving the film thickness non-uniformity in forming a thin film.例文帳に追加

極性が異なる複数の磁石を有する磁石機構の個々の高さを容易に調整可能とし、薄膜形成における膜厚不均一性を改善することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing device includes: a processing chamber 1 for processing a processing object 2; a plasma generation chamber 11 for generating plasma by a process gas to extract a radical component; and a transport chamber 21 for transporting the radical component to the processing chamber 1.例文帳に追加

被処理体２を処理するための処理室１と、プロセスガスによりプラズマを生成しラジカル成分を抽出するためのプラズマ生成室１１と、そのラジカル成分を処理室１に輸送する輸送室２１を備える。 - 特許庁

To provide a batch type vacuum processing apparatus capable of efficiently performing surface processing such as removal of a natural oxide film of a wafer by using remote plasma processing process and capable of reducing deterioration in wafer yield, device loads and so on.例文帳に追加

遠隔プラズマ処理プロセス処理を用い、ウェハの自然酸化膜除去などの表面処理を効率的に行うことができ、ウェハの歩留り悪化や装置負担を軽減し得るバッチ式真空処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a system and method for plasma processing of an article to be processed under prescribed temperature control, in order to bring about satisfactory semiconductor characteristics, and to provide a cluster tool.例文帳に追加

本発明は、良好な半導体特性をもたらすために所定の温度制御の下で被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置及び方法並びにクラスターツールを提供することを例示的目的とする。 - 特許庁

A method for forming fine irregularities by applying blast processing to the surface or a method for substituting other atoms for a fluoric atoms to be the source of water repellent force by plasma processing is used as processing for reducing the water repellent property.例文帳に追加

撥液性の低下する処理については、表面にブラスト処理を施して微細な凹凸を形成する方法、またはプラズマ処理にて撥液力の元となるフッ素原子を他の原子に置換する方法等がある。 - 特許庁

To enhance processing capability of a plasma processing device for jetting a processing gas from a blowout port through a discharge space and for exposing a processing object to the jetted gas while relatively moving it with respect to the discharge space.例文帳に追加

処理ガスを放電空間に通して吹出し口から吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置における処理能力を高める。 - 特許庁

A microwave produced by a microwave power supply 1 is introduced into a microwave radiator 6 through an impedance matching device 4 and a matching transformer 5 and radiated into a plasma processing chamber 7 via a vacuum-sealed quartz window 11.例文帳に追加

マイクロ波電源１により発生したマイクロ波は、インピーダンス整合器４、整合用変成器５を通りマイクロ波放射器６に導入され、真空封じの石英窓１１を介してプラズマ処理室７に放射される。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus for performing easy electric discharge under the atmospheric pressure with the existence of nitrogen while enduring long-time streamer electric discharge to provide an object with wide-range uniform processing with low damage in a shorter processing time.例文帳に追加

大気圧・窒素中の放電が容易で、長時間のストリーマ放電に耐え、広範囲で均一な処理ができ、対象物に低ダメージの処理ができ、処理時間が短縮されたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

An SiOCH film is formed by lamination a plurality SiOCH films, and each of the SiOCH films is formed by a deposition step by a plasma CVD method, and a modification step by a hydrogen plasma processing.例文帳に追加

ＳｉＯＣＨ膜を複数のＳｉＯＣＨ膜部分の積層により形成し、各々のＳｉＯＣＨ膜部分は、プラズマＣＶＤ法による堆積工程と、水素プラズマ処理による改質工程により形成される。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which a large and flat plasma beam opposite to a work to be processed is formed and a uniform film forming processing is performed on the work to be processed by using the plasma beam.例文帳に追加

被処理物に対向して大きな平面状に形成されたプラズマビームを得ることができ、このプラズマビームを用いて被処理物に対して均一な成膜処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The electrodes 1, 2 are preferably in a cylindrical structure and, it is particularly preferable that a cooling material supply means 20 is provided for supplying cooling material 9 into the cylindrical electrodes to thereby decrease the temperature of the electrodes during plasma processing.例文帳に追加

電極は、円筒状構造であることが好ましく、特に、プラズマ処理中、電極温度を下げるために円筒電極の内部に冷却材を供給する冷却材供給手段を設けることが好ましい。 - 特許庁

In the plasma processor, a member constituted of a material formed by containing the conductive material in an amorphous base material of quartz or germanium is used as a member faced to the plasma in the plasma processing room.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、プラズマ処理室内でプラズマに面する部材として、非晶質材である石英もしくはゲルマニウムの基材に導電性材料を含有させて形成した材料で構成された部材を用いる。 - 特許庁

A vacuum chamber for a plasma processing device includes a main body 100, a shower head 125 provided to a ceiling of the main body, a base 140 provided in a chamber body, and a susceptor 135 coupled to the base.例文帳に追加

プラズマ処理装置用真空処理チャンバは、本体１００と、本体の天井に設けられたシャワーヘッド１２５と、チャンバボディの内部に設けられた台１４０と、台に結合されたサセプタ１３５とを備えている。 - 特許庁

To attain plasma cleaning at low consumption for an electrode of placing a substrate to be processed, in a step of plasma cleaning the inside of a processing container without a substrate to be processed, in a plasma processing apparatus for semiconductor manufacturing.例文帳に追加

半導体製造に用いるプラズマ処理装置の、被処理基板を用いず処理容器内をプラズマ洗浄する工程において、被処理基板載置用電極の消耗の少ないプラズマ洗浄を実現する。 - 特許庁

In particular, by using hydrogen plasma processing, the removal of a graphite-based carbon film deposited on the gate and the process for forming a diamond-based carbon film or diamond film into the needle-like structure can be carried out at the same time.例文帳に追加

特に、水素プラズマ処理を用いることにより、ゲート上に堆積したグラファイト系炭素膜の除去とダイアモンド系炭素膜あるいはダイアモンド膜を針状構造にするプロセスを同時に行うことができる。 - 特許庁

To provide an induction coupled antenna with improved uniformity of plasma, capable of reducing a capacity coupling, power loss, and damage generated at a base board, and provide a plasma processing device using the same.例文帳に追加

プラズマの均一度が向上され、容量結合とパワー損失および基板に加えられる損傷を減らすことができる構造を有した誘導結合型アンテナおよびこれを採用したプラズマ処理装置の提供。 - 特許庁

In this inductively coupled plasma processing device, a coiled high frequency antenna 21 is installed in a housing constituting a processing chamber, and reaction gas is introduced into the processing chamber to generate a plasma to form or etch a film on a substrate in the processing chamber.例文帳に追加

従って、処理装置の大型化に伴って高周波アンテナの長さが長くなっても、アンテナ電位を均等かつ低下させることができる誘電結合プラズマ処理装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a plasma processing method that can perform a plasma process with high productivity and quality, particularly, a plasma process on a large-area substrate with uniformity at high speed, and that can also easily deal with many kinds.例文帳に追加

生産性が高く高品質なプラズマ処理を、特には大面積な基体へのプラズマ処理を均一且つ高速に行うことが可能で且つ多品種対応が容易に可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

By using a plasma processing device 100 for introducing a microwave into a chamber 1 by a flat antenna 31 having a plurality of holes, the surface of silicon is oxidized to form a silicon oxide film (step S1) and then a silicon oxide film is deposited thereon as an insulating film by CVD (step S4).例文帳に追加

複数の孔を有する平面アンテナ３１によりチャンバ１内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置１００を用い、シリコン表面を酸化して酸化珪素膜を形成する（ステップＳ１）。 - 特許庁

To provide a plasma processing device in which the duration of plasma generated between electrodes is made long and the distance of plasma that can be reached is made long, thereby the height difference of concavo-convex on the surface of the treating object is made large.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、電極間で発生されたプラズマの持続時間を長くしてプラズマの到達可能距離を長くし、それによって被処理物の表面の凹凸の高低差を大きくする。 - 特許庁

The plasma processor has the processing chamber 12 in which a substrate to be processed 4 is arranged, and a plasma-discharge generator being mounted in the processing chamber 12 and generating a plasma for plasma-processing the substrate to be processed 4.例文帳に追加

プラズマプロセス装置は、被処理基板４が内部に配置される処理室１２と、処理室１２の内部に設けられ被処理基板４にプラズマ処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ放電発生部とを備える。 - 特許庁

To obtain a means for improving degradation of attraction force due to presence of warpage of a sample, and leakage of helium gas used for heat transfer of the sample to be processed and a lower electrode in a plasma processing apparatus using electrostatic attraction.例文帳に追加

静電吸着を用いたプラズマ処理装置において、試料の反り有無による吸着力の低下と処理する試料と下部電極の熱伝達に用いるヘリウムガスのもれを改善する手段を得る。 - 特許庁

To provide a plasma processing method in which the concentration of residual sulphur (S) on a substrate to be processed can be controlled to a specified value or below after an oxide film is subjected to plasma etching by using CF based gas and COS gas.例文帳に追加

ＣＦ系ガスとＣＯＳガスとを用いて酸化膜をプラズマエッチングした後に、被処理基板上に残留する硫黄（Ｓ）の濃度を所定値以下に制御することができるプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processing method and an apparatus therefor which can realize a stable discharge state under the atmospheric pressure condition and treat circuit boards with a small quantity of process gas, using a simple and convenient apparatus.例文帳に追加

大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置かつ、少量の処理用ガスで回路基板の処理が可能な放電プラズマ処理方法及びその装置の提供。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of uniformly feeding gas between a cathode electrode and an anode electrode even when both electrodes are made large in area, and thinning the thickness of each electrode.例文帳に追加

カソード電極およびアノード電極が大面積化したときにも両電極の間にガスを均一に供給することができ、かつ、両電極の厚みを薄く抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To enhance the stability and reproducibility of a process by effectively preventing deposition or adhesion of an oxide film to a counter electrode on the side opposite to an electrode for supporting a substrate in a capacitively coupled plasma processing apparatus.例文帳に追加

容量結合型のプラズマ処理装置において基板を支持する電極と反対側の対向電極にデポや酸化膜が付くのを効率よく防止してプロセスの安定性や再現性の向上を図る。 - 特許庁

Plasma processing is performed on the backup metal oxide film pattern using a gas containing halogen element of 0.1 to 10% and a source gas containing an inert gas to form the metal oxide film pattern where a lower section linewidth is decreased.例文帳に追加

前記予備金属酸化膜パターンを０．１％乃至１０％ハロゲン元素を含むガス及び不活性ガスを含むソースガスを利用してプラズマ処理して下部線幅が減少された金属酸化膜パターンを形成する。 - 特許庁

To perform a surface reforming and an etching processing simultaneously on both surfaces of many boards such as flexible circuit boards in a microwave-excited plasma processing device.例文帳に追加

マイクロウェ−ブ励起プラズマ処理装置に於いて、可撓性回路基板等の多数枚の被処理基板の表面改質及びエッチング処理等を両面同時に行うことができる回路基板のプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

If the plasma processing is stopped before reaching the setting time and thereafter the processing is resumed, a monitor 30 couples, in a waveform coupling unit 34, the light emission waveform stored in the waveform storage unit 33 with the light emission waveform in the resumed processing.例文帳に追加

モニタ３０は、設定時間に至る前にプラズマ処理が停止し、その後再処理をした場合、波形記憶部３３に記憶されている発光波形とこの再処理の発光波形とを波形結合部３４で結合する。 - 特許庁

When the plasma-processed substrate is transferred from a vacuum plasma processing chamber to an another vacuum chamber, the substrate is moved while inert gas and H_2O gas are introduced so that it becomes constant pressure.例文帳に追加

プラズマ処理された基板を、真空プラズマ処理室から別の真空室へ移載する場合、一定の圧力になるように不活性ガスとＨ_２Ｏガスを導入しながら前記基板を移動させることで解決できる。 - 特許庁