「"plasma- processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

A grounding side electrode 3, a high-voltage side electrode 4 and a dielectric member 5 disposed between them are provided in the plasma reactor A, that is, a plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマリアクター、すなわちプラズマ処理室Ａ内には、接地側電極３、高圧側電極４、および両者の間に配置された誘電体部材５が設けられている。 - 特許庁

The plasma processing apparatus provided with a plasma source controllable of plasma distribution controls the shape of a sheath-bulk boundary above the wafer to be an upward convex form in plasma ON/OFF states.例文帳に追加

プラズマ分布を制御可能なプラズマ源を備えたプラズマ処理装置において、プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、ウエハ上のシース／バルク境界面の形状を凸型に制御する。 - 特許庁

To provide an internal antenna type plasma processing apparatus capable of achieving reduction in the volume of a vacuum container, efficient utilization of high-frequency power, and efficient utilization of supplied gas.例文帳に追加

内部アンテナ型のプラズマ処理装置において、真空容器の小容積化、高周波電力の効率的な利用および供給ガスの効率的な利用を可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor plasma processing device that can enhance etching uniformity, by compensating a radical-side concentration phenomenon which is a weakness of an inductively coupled plasma source.例文帳に追加

本発明の誘導結合プラズマ源の短所であるラジカル側面集中現象を補ってエッチング均一度を高めることができる半導体プラズマ処理装置に関する。 - 特許庁

To provide a corrosion-resistant material having excellent corrosion resistance to the plasma of a halogen base gas used in manufacturing a semiconductor and a polyimide substrate, and in plasma-processing liquid crystal.例文帳に追加

半導体製造、ポリイミド基板製造、液晶プラズマ処理等で使われるハロゲン系ガスのプラズマに対して優れた耐蝕性を有する耐蝕性部材を提供する。 - 特許庁

The plasma processing device is operable to control a flow conductance of plasma formed, and comprises a lower electrode 104, and an upper electrode 114 opposed to the lower electrode, between which a gap is formed.例文帳に追加

空隙を形成するために下部電極１０４と反対側に上部電極１１４を含むプラズマ処理装置において形成されたプラズマのフローコンダクタンスを制御する。 - 特許庁

An upper electrode unit 23a and a lower electrode unit 23b of this plasma processing device 1 are provided with main electrode parts 3a and 3b and side electrode parts 7a-7d, respectively.例文帳に追加

プラズマ処理装置１の上部電極ユニット２３ａおよび下部電極ユニット２３ｂは、主電極部３ａ，３ｂおよび側方電極部７ａ〜７ｄをそれぞれ備えている。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of controlling impedance on a plasma source side and capable of eliminating impedance errors among devices or cleaning cycles.例文帳に追加

プラズマソース側のインピーダンスを調整することができ、装置間あるいはクリーニングサイクル間のインピーダンス誤差を解消することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can be used suitably in fabrication of an electronic device and can provide plasma with higher selectivity (plasma energy is relatively low).例文帳に追加

電子デバイスの製造において好適に使用可能な、より選択性の高い（プラズマエネルギーが比較的に低い）プラズマを与えることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

An electrode assembly used for a plasma processing device includes the removable rails adjustable to reconfigure electrodes to accommodate substrates of different widths.例文帳に追加

プラズマ処理装置に用いるための電極組立体は、異なる幅の基板を収容すべく電極を再構成するように調整可能な着脱可能なレールを具備している。 - 特許庁

Consequently, electric field intensity in the lower electrode 5 is uniformed, ion energy accelerated by an electric field is uniformed in the substrate face and the uniformity of the plasma processing is improved.例文帳に追加

その結果、下部電極５面内の電界強度が均一化され、電界により加速されるイオンエネルギーが基板面内で均一になり、プラズマ処理の均一性が向上する。 - 特許庁

This plasma processing device 100 includes a power source part 103, a step-up transformer 107, electrodes 101a and 101b, and pregrounded ground electrodes 109a and 109b.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００は、電源部１０３と、昇圧トランス１０７と、電極１０１ａ，１０１ｂと、予め接地されている接地電極１０９ａ，１０９ｂとを含む。 - 特許庁

The plasma processing method is used for forming high aspect ratio vias by implementing an etching step and a protective film forming step alternatively in a repeated manner.例文帳に追加

本発明の一形態に係るプラズマ処理方法は、エッチング工程と保護膜形成工程とを交互に繰り返し実施することでシリコン基板に高アスペクト比のビアを形成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of preventing a dielectric member from breaking and falling off, by preventing a nozzle member integrally having the holding part of the dielectric part from being thermally deformed.例文帳に追加

誘電部材の保持部を一体に有するノズル部材が熱変形を来たすのを防止し、誘電部材の破損、脱落を防止可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A plasma processing apparatus 2 causing plasma to penetrate to the inside of a processing object 1 that is at least partially breathable, and conducting a given plasma processing on the processing object 1 comprises: plasma generating means 3 for generating plasma; and plasma penetration means for causing the plasma to penetrate to the inside of the processing object 1.例文帳に追加

少なくともその一部が通気性を有する処理対象物１の内部にプラズマを透過させることにより所定のプラズマ処理を施すためのプラズマ処理装置２であって、プラズマを生成するプラズマ生成手段３と、前記プラズマを前記処理対象物１の内部に透過させるプラズマ透過手段とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

In the method of etching process for selectively etching a silicon nitride film for a silicon oxide film after arranging, within a plasma processing chamber, a laminated film formed by laminating the silicon nitride film 15 on the silicon oxide film 14, a gas including oxygen is supplied into the plasma processing chamber using a halogen gas including boron as the principal gas as an additive gas.例文帳に追加

シリコン酸化膜１４上にシリコン窒化膜１５を積層してなる積層膜をプラズマ処理室内に配置して、前記シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的にエッチングするエッチング処理方法において、前記プラズマ処理室内に、主ガスとしてホウ素を含むハロゲンガスを、添加ガスとして酸素含有ガスを供給する。 - 特許庁

An exhaust ring 126 is disposed around the lower electrode 122 to section the interior of the processing chamber 100 into a plasma processing space 102 and an exhaust space 104 wherein the exhaust ring 126 is provided with through holes 126a and stop holes 126b, smaller in number than the through holes 126a, and opening to the plasma processing space 102 side.例文帳に追加

下部電極１２２の周囲には，処理室１００内のプラズマ処理空間１０２と排気空間１０４とを区画するように排気リング１２６が配されており，排気リング１２６には貫通孔１２６ａと，貫通孔１２６ａより少数であり，かつ，プラズマ処理空間１０２側に開口する止り孔１２６ｂが形成されている。 - 特許庁

The fault supervisory system of a plasma processing apparatus is characterized in comprising a particle measuring means for measuring the amount of particle generated by the plasma process at the area near the plasma processing portion, and a fault detecting means for detecting the occurrence of the fault in the plasma process on the basis of the result of measurement by the particle measuring means.例文帳に追加

プラズマ処理装置の異常監視システムであって、プラズマ処理部近傍において、プラズマ処理により発生するパーティクル量を計測するパーティクル計測手段と、前記パーティクル計測手段による計測結果に基づいて、プラズマ処理における異常発生を検出する異常検出手段とを備えていることを特徴とするシステム。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which component consumption cost is reduced by prolonging the lifetime of an electrode member composing a lower electrode and contamination on the inside of the apparatus due to adhesion of scattering matters can be prevented, and to provide an electrode member for the plasma processing apparatus, a process for producing the electrode member and a method for recycling it.例文帳に追加

下部電極を構成する電極部材を長寿命化して部品消耗コストを低減するとともに、飛散物付着による装置内部の汚染を防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用の電極部材ならびに電極部材の製造方法およびリサイクル方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The resist removing apparatus D comprises a plasma processing section 10 for lowering adhesion of resist 4 and a substrate 1 by irradiating the resist with fluorine based plasma processing gas under pressure in the vicinity of atmospheric pressure, and a section 20 for stripping and removing the resist 4 from the substrate 1 by supplying water to the resist 4 subjected to lowering adhesion.例文帳に追加

レジスト除去装置Ｄは、大気圧近傍の圧力下で、フッ素系ガスをプラズマ化した処理ガスをレジストに照射することによりレジスト４と基板１との密着性を低下させるプラズマ処理部１０と、密着性が低下されたレジスト４に水分を供給し、基板上から剥離して除去する除去処理部２０とを備える。 - 特許庁

This particulate matter processing device is provided with a plasma processing device 10 for charging particulate matter in exhaust gas by atmospheric pressure plasma and a catalyst processing device 20 for inducing the charged particulate matter in the exhaust gas G2 fed into from the plasma processing device 10 into a catalyst layer 22 selectively by an applied electric field to decompose and process it by catalyst action in the catalyst layer 22.例文帳に追加

排ガス中の粒子状物質を大気圧プラズマにより荷電させるプラズマ処理装置１０と、プラズマ処理装置１０から送入される排ガスＧ２中の荷電した粒子状物質を、印加電界により選択的に触媒層２２に誘導して、触媒層２２の触媒作用によって分解処理する触媒処理装置２０を備える。 - 特許庁

The plasma processing system comprises a processing chamber for forming a silicon nitride film on the surface of an article to be processed, having a silicon oxide film on a silicon substrate by plasma processing, a susceptor contained in the processing chamber and mounting the article to be processed, and a temperature regulator connected with the susceptor and sustaining the temperature thereof at about 250-350°C.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理装置は、シリコン基板上にシリコン酸化膜を有する被処理体の表面にシリコン窒化膜をプラズマ処理によって形成する処理室と、処理室に収納されて被処理体を載置可能なサセプタと、サセプタに接続されてサセプタの温度を約２５０乃至約３５０℃に維持する温度調節装置とを有する。 - 特許庁

Disclosed is the plasma processing apparatus that processes the sample placed in a processing chamber in a vacuum container using plasma generated in the processing chamber, wherein the plasma processing apparatus includes an in-processing-chamber member which is disposed in the processing chamber to face the plasma and made of quartz containing 0.05 to 0.5% by weight of yttrium or 0.1 to 1% by weight of aluminum.例文帳に追加

真空容器内の処理室内に配置された試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、この処理室内に配置されて前記プラズマに面しイットリウムを０.０５乃至０.５重量％またはアルミニウムを０.１乃至１重量％含む石英から構成された処理室内部材を備えた。 - 特許庁

The plasma processing method is used to form a silicon nitride film for a substrate 21 to be subjected to plasma processing by applying plasma of raw material gas containing silicon and hydrogen and a nitrogen containing gas, wherein a bias power for ion injection onto the substrate 21 is set higher than a threshold level, so that the increased Si-H coupling can reduce the compression stress.例文帳に追加

シリコン及び水素を含有する原料ガスと窒素を含有するガスとのプラズマにより、プラズマ処理対象の基板２１に対して窒化シリコン膜を成長させるプラズマ処理方法において、前記基板２１にイオン入射させるバイアスパワーを閾値以上にすることでＳｉ−Ｈ結合量を増加させて圧縮応力を低減させた。 - 特許庁

To provide a substrate-mounting stand for plasma processing apparatus, capable of keeping satisfactory contact conditions between the stand and an electrostatic chuck, preventing the occurrence of increase in the temperature of the substrate to be processed, and improving the availability factor and decreasing running cost of the apparatus, and to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

基台部と静電チャック部との間の接着状態を長期に亘って良好な状態に保つことができ、被処理基板の温度上昇の発生等を防止することができるとともに、従来に比べて装置稼働率の向上と、ランニングコストの低減を図ることのできるプラズマ処理装置用基板載置台及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Contaminations such as organic substances, by which a flow of the underfill material to be injected into the gap 30 is obstructed at injecting the underfill material, and by which an adhesion of the underfill material is obstructed, are removed by plasma processing.例文帳に追加

アンダーフィルの際に間隙３０に注入するアンダーフィル材の流れを阻害したりアンダーフィル材の密着を阻害したりする有機物等の汚れをプラズマ処理により除去する。 - 特許庁

A transmission window 10 which can transmit the high frequency wave is formed on the upper surface of the processing container 1 in the plasma processing equipment, and the radio frequency wave antenna 2 is attached on the window 10.例文帳に追加

プラズマ処理装置における処理容器１の上面に、高周波を透過可能な透過窓１０が設けられ、この透過窓１０上に高周波アンテナ２が取り付けられている。 - 特許庁

When the work (glass substrate) 16 is conveyed to a next stage after the plasma processing, a lift frame 14 is used which comes into contact with a peripheral edge part of the work (glass substrate) 16.例文帳に追加

プラズマ処理が終了し、被加工物（ガラス基板）１６を次工程に搬送する際には、被加工物（ガラス基板）１６周縁部の周縁部に当接するリフト用フレーム１４が用いられる。 - 特許庁

To provide a plasma processing device, which controls the generation of active species and the uniformity of a plasma process, prevents a change in the characteristics of a semiconductor element, and optimizes process conditions in a separate manner.例文帳に追加

活性種発生制御、均一性制御、半導体素子特性変化防止、プロセス処理条件の適正化が、それぞれ独立に制御できるプラズマ処理装置を実現する。 - 特許庁

To provide plasma processing equipment having a built-in porous plate for uniforming the plasma distribution near a substrate to be treated while suppressing a reduction in plasma density, easily not by a try-and-error method.例文帳に追加

プラズマ密度の低減を抑えながら被処理基板近傍のプラズマ分布を均一にする多孔板を内蔵したプラズマ処理装置を、試行錯誤でなく簡便に提供する。 - 特許庁

A doomed enclosure wall 120 for a plasma processing chamber 100 is made of a dielectric material with a rough surface, having average roughness of about 150 to about 450 microinches.例文帳に追加

プラズマ処理チャンバ１００のためのドーム型エンクロージャ壁１２０は、約１５０から約４５０までマイクロインチの粗さ平均を有する粗い表面を有する誘電材料から作られる。 - 特許庁

To provide a conductive deposit monitor for monitoring a conductive deposit adhered on an inner wall of a vacuum chamber, a plasma processor, and a plasma processing method.例文帳に追加

真空室を大気開放することなく、真空室内に付着した導電性付着物をモニターするための導電性付着物モニター、プラズマ処理装置、及びにプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma forming method capable of improving the unevenness of a plasma density distribution accompanied with the enlargement of a plasma source to achieve an even plasma processing over the entire substrate.例文帳に追加

プラズマ源の大型化に伴うプラズマ密度分布の不均一性を改善し、基板の全面にわたって均一なプラズマ処理を実現することができるプラズマ形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus provided with a magnetic field adjusting mechanism in a simple structure capable of easily controlling the strength distribution of a high frequency magnetic field generated from an exciting coil with the high degree of freedom.例文帳に追加

励起コイルから発生する高周波磁場の強度分布を容易且つ高い自由度で制御できる、簡単な構造の磁場調整機構を備えるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

By this setup, the measurement of the electric sensor 7 can be corrected for a temperature rise of the external surface 11 of the device due to plasma processing, and a state of plasma can be monitored with high accuracy.例文帳に追加

これにより、プラズマ処理による装置外表面１１の温度上昇による、電気センサー７計測値の補正を可能とし、高精度にプラズマ状態をモニタすることができる。 - 特許庁

To provide a plasma source and a plasma processing system using this plasma source, for easily forming large area plasma, and minimizing the facility floor area, while uniformly generating plasma of the large area.例文帳に追加

大面積のプラズマを均一に発生することができ、大面積化が容易であり、設備面積を最小化できるプラズマソース及びこれを利用したプラズマ処理システムを提供すること。 - 特許庁

This member 10 forms a gas passage F for making a plasma processing gas flow smoothly into a gap (g) between a rotating electrode 1 and a work, i.e., a substrate 2.例文帳に追加

ガス流路形成部材１０は、回転電極１および被処理物である基板２とのギャップ部ｇに対して円滑にプラズマ処理用ガスを流すガス流路Ｆを形成している。 - 特許庁

The upper surface of the outer frame of the intermediate crystal plate and the lower surface of the upper crystal substrate consist of crystal element surfaces and airtightly joined by surface activated bonding using the plasma processing.例文帳に追加

中間水晶板外枠の上面及び上側水晶基板の下面は水晶素面からなり、プラズマ処理を用いた表面活性化接合により気密に接合される。 - 特許庁

To provide a plasma processing unit, and its substrate mounting table, in which a self-bias voltage can be measured while using a substrate mounting table of such a structure as the surface is coated with an insulator.例文帳に追加

表面が絶縁体で被覆された構造の基板載置台を用いつつ、自己バイアス電圧を測定することの可能なプラズマ処理装置、および、その基板載置台を提供すること。 - 特許庁

To generate a plasma with high density at low electric potential free from unbalance in plasma density especially between an inlet portion and an opposite portion so as to enable faster and more uniform performance for high quality plasma processing.例文帳に追加

高品質な処理をより高速且つ均一に行うことが可能となるように、特に導入部と対向部とのプラズマ密度バランスが崩れない高密度低電位プラズマを発生させる。 - 特許庁

To provide an inductively-coupled plasma processing device capable of executing high-accuracy plasma density distribution control without replacing an antenna nor increasing a device cost and a power cost.例文帳に追加

アンテナを交換することなく、装置コストおよび電力コストを高くすることなく、かつ高精度のプラズマ密度分布制御を行うことができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The surface processing method includes a process for spraying fine particles on an object to be processed, and a process for plasma-processing the object with the fine particles as a mask.例文帳に追加

被処理物上に微粒子を散布する工程と、前記微粒子をマスクとして、前記被処理物をプラズマ処理する工程と、を備えたことを特徴とする表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a processing method thereof for preventing a breakdown of a lower portion of vacuum vessels, such as a vacuum vessel and a pump caused by an abnormal electrical discharge like an arc electrical discharge or the like.例文帳に追加

アーク放電などの異常放電による真空容器およびポンプなど真空容器の下方部の破壊を防止するプラズマ処理装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which is capable of generating stable plasma of which control range of work distance is broad under atmospheric pressure, and in which low running cost and high-speed processing can be made compatible.例文帳に追加

大気圧下でワークディスタンスの制御範囲が広い安定したプラズマを発生させることが可能で、低ランニングコストと高速処理を両立できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron electrode for plasma processing which causes less abnormal discharge and can stably discharge for a long time, and to provide a film deposition method in which dust generation accompanied by abnormal discharge is suppressed.例文帳に追加

異常放電が少なく、長時間安定的に放電可能なプラズマ処理用マグネトロン電極、及び異常放電に伴うダスト発生を抑制した成膜方法を提供する。 - 特許庁