「"plasma- processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

This plasma processing device 100 includes stubs 43A as second waveguides for adjusting an electric field distribution formed on a planar antenna plate 31 constituting a flat waveguide.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００は、偏平導波管を構成する平面アンテナ板３１の上に形成される電界分布を調整する第２の導波管としてのスタブ４３Ａを備えている。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for plasma processing capable of providing an energy suited for substrate processing to ions in a plasma and narrowing a dispersion width of the ion energy.例文帳に追加

プラズマ中のイオンに基板の処理に適したエネルギーをもたせるとともに、イオンエネルギーの分散を狭帯域化させることを可能とするプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

Formation due to a sputtering method of the transparent conductive film deposits after performing a surface reformation in a plasma processing by performing a flattening processing by grinding after forming the coloring pixel.例文帳に追加

着色画素の形成後に研磨による平坦化処理を行い、透明導電膜のスパッタリング法による形成はプラズマ処理にて表面改質を行ったのちに成膜する。 - 特許庁

The magnet arrangement is used in the plasma processing system having a top electrode 1 placed above a surface of the wafer 23 and an outer insulating member 3 for supporting the electrode 1.例文帳に追加

マグネット配列は、ウェハー２３の表面の上方に配置される上部電極１と上部電極１を支持するための外側絶縁部材３とを有するプラズマ処理装置に用いられる。 - 特許庁

To make a processing gas flow uniform along the lengths of a couple of electrodes in a plasma processing apparatus which introduces the processing gas into between opposite surfaces of the electrodes from their length-side edges.例文帳に追加

処理ガスを一対の電極どうしの長手側縁の間から対向面間に導入するプラズマ処理装置において、処理ガス流を上記長手方向に均一化する。 - 特許庁

The plasma processing chamber also includes a top electrode assembly 112 having a top electrode 111 and disposed directly above the inner bottom electrode 131 and the outer bottom electrode 133.例文帳に追加

プラズマ処理チャンバは、上部電極１１１を備え内側下部電極１３１と外側下部電極１３３との真上に配置された上部電極アセンブリ１１２を、さらに備える。 - 特許庁

The device ignites fuel/air mixture inside a combustion chamber using a plasma jet ignitor capable of injecting a compound with a dielectric constant higher than that of air by plasma processing in the internal-combustion engine.例文帳に追加

内燃機関において、空気よりも誘電率の高い化合物をプラズマ化して燃焼室に噴射し得るプラズマジェットイグナイタを用いて燃焼室内の混合気を点火する装置である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of efficiently removing a reaction product occurring in plasma processing and preventing it from attaching to the surface of a substrate to be processed.例文帳に追加

プラズマ処理で発生した反応生成物を効率的に除去し、被処理基板表面への付着を防止することの出来る半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus, which achieves uniformity of cooling gas pressure around a through-hole of a sample stage, and which prevents the generation of a temperature difference between a pusher pin and the sample stage.例文帳に追加

試料台の貫通孔周辺の冷却ガス圧力の均一化を図ると共に、プッシャピンと試料台との温度差の発生を防止したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which suppresses the deposition of a reaction product on an internal peripheral surface of a focusing ring, and of reduces the wasting of the internal peripheral surface of the focusing ring owing to plasma.例文帳に追加

フォーカスリングの内周面への反応生成物の堆積を抑制でき、また、フォーカスリング内周面のプラズマによる消耗を低減できるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing device, wherein even if a reactor vessel has a large diameter, the overall size of the device can be reduced as much as possible, while the inside surface of a vessel is prevented from wearing.例文帳に追加

反応器の直径が大きくても、装置全体のサイズを可及的に小さくできると共に、容器の内面が損耗されることを防止し得るプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of depositing a silicon oxide film by plasma CVD, which has good uniformity in film thickness in the wafer surface by processing the wafer surface with an alternate method instead of plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理に代わる方法によってウエハ表面を処理し、膜厚のウエハ面内均一性が良好なシリコン酸化膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a parallel plate plasma processing system, and a method for fabricating a semiconductor device using the plasma processing system, in which the probability of charge-up damage can be lowered at the time of ashing or etching and machining for fabricating a good device can be carried out without varying the permittivity of an interlayer insulation film before and after etching.例文帳に追加

平行平板型プラズマ処理装置において、アッシングまたはエッチング時のチャージアップ・ダメージを受ける確率を低くすることができ、かつエッチング前後で層間絶縁膜の誘電率を大きく変化させてしまうことなく良好なデバイス形成のための加工を行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus 1 which changes a processing gas introduced in a processing container 2 into plasma to process a substrate W, the ratio of an introduction amount of a processing gas introduced in a center part of the substrate W stored in the processing container 2 and an introduction amount of a processing gas introduced in a peripheral part of the substrate W stored in the processing container 2 changes during the plasma processing.例文帳に追加

処理容器２に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１において、処理容器２に収納された基板Ｗの中心部に導入される処理ガスの導入量と、処理容器２に収納された基板Ｗの周辺部に導入される処理ガスの導入量の比が、プラズマ処理中に変化する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus 11 includes a processing container 12 for internally performing plasma processing on a treated substrate, a slot antenna plate 18 wherein a plurality of slot holes 17 for supplying microwaves into the processing container 12 are arranged, and a rod 52 as a microwave radiation amount adjusting mechanism for adjusting an amount of microwave radiation radiated from the slot holes 17 by changing openings of the slot holes 17.例文帳に追加

プラズマ処理装置１１は、内部で被処理基板にプラズマ処理を行う処理容器１２と、マイクロ波を処理容器１２内へ供給するためのスロット孔１７が複数設けられたスロットアンテナ板１８と、スロット孔１７の開度を変化させてスロット孔１７から放射されるマイクロ波の放射量を調整するマイクロ波放射量調整機構としてのロッド５２とを備える。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus having a plurality of gas blowoff ports 18 with respect to the side opposite to the processed material 8 for processing it, a uniform plasma processing can be performed onto the processed material, by exhausting a mixture gas comprising more than two kinds of gases with mutually different flow ratio from the mutually different exhaustion ports.例文帳に追加

被処理体８に対する対向面に複数のガス噴出口１８を備えるガス噴出手段を備え、前記被処理体８に処理を施すプラズマ処理装置において、２種類以上の互いに異なる流量比からなる混合ガスを、互いに異なる前記ガス噴出口から噴出させることで、被処理体に均一なプラズマ処理を施すことが可能となる。 - 特許庁

The resist removing apparatus D comprises a plasma processing section 10 for irradiating resist with plasma processing gas of any one of N_2 gas, O_2 gas, H_2O gas or their mixture gas, and a steam processing section 20 for stripping and removing resist 4 from the substrate 1 by touching the resist irradiated with processing gas to steam blown out from a steam blow-out nozzle 23.例文帳に追加

レジスト除去装置Ｄは、大気圧近傍の圧力下で、Ｎ_２ガス、Ｏ_２ガス、Ｈ_２Ｏガスのいずれか、あるいはこれらの混合ガスをプラズマ化した処理ガスをレジストに照射するプラズマ処理部１０と、処理ガスを照射されたレジストにスチーム吹き出しノズル２３から吹き出したスチームを接触させて基板１からレジスト４を剥離させて除去するスチーム処理部２０とを備える。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus in which a cylindrical substrate installed in a reaction vessel is subjected to plasma processing, a high frequency electrode and a plurality of auxiliary members different from the cylindrical substrate are installed around the cylindrical substrate within the reaction vessel, and at least a part of the auxiliary members is formed of a conductive material, and is also electrically grounded.例文帳に追加

反応容器内に設置された円筒状基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、反応容器内の円筒状基体の周囲には、高周波電極及び円筒状基体とは異なる複数の補助部材が設置され、補助部材は少なくとも一部が導電性材料で形成され、かつ電気的に接地されていることを特徴とする。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a processing chamber for performing prescribed plasma processing operations to an object to be processed, a gas supply mechanism for supplying a gas for processing of the object, a first vacuum pump connected to the processing chamber and having a vacuum state kept therein, and a second vacuum pump connected to the gas supply mechanism for evacuating the gas supply mechanism.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理装置は、被処理体に所定のプラズマ処理を行う処理室と、前記被処理体を処理するためのガスを供給するガス供給機構と、前記処理室に接続されて当該処理室内を減圧状態に維持する第１の真空ポンプと、前記ガス供給機構に接続されて当該ガス供給機構を排気する第２の真空ポンプを有する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus is provided with a processing chamber wherein a substrate 4 to be processed, a gas inlet 6 to introduce a gas into the inside of the chamber, and a plasma discharge generator 15 to form a plasma area in an area away from the substrate 4 by generating plasma discharge within the chamber, and it is used to apply plasma processing to the substrate 4.例文帳に追加

プラズマプロセス装置は、被処理基板４が内部に配置される処理室と、処理室の内部にガスを導入するガス導入口６と、処理室の内部にプラズマ放電を発生させることにより、被処理基板４から離れた領域にプラズマ領域を形成するプラズマ放電発生部１５とを備え、被処理基板４にプラズマ処理を施すように構成されている。 - 特許庁

To provide an etching end point judging method and a plasma processing device which performs the end point judging method, by using a film thickness measurement method of a processed material, capable of measuring the amount of actual remaining film and etching the depth of the processed layer on-line.例文帳に追加

被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定することのできる被処理材の膜厚測定方法を用いたエプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Next, a hold by the holding member 213 is released, and the substrate S is stationarily floated by the gas from the gas injection hole 103b of a placing table 103, and the substrate S is delivered to the plasma processing device 100.例文帳に追加

次に、保持部材２１３による保持を解除し、載置台１０３のガス噴射孔１０３ｂからのガスにより基板Ｓを静止浮上させて、プラズマ処理装置１００へ基板Ｓを受け渡す。 - 特許庁

To provide a plasma processing device allowing minimizing of the overall size of the device even with a large diameter of a reactor and minimizing running costs even when etching an oxide film formed on a sample.例文帳に追加

反応器の直径が大きくても、装置全体のサイズを可及的に小さくでき、また試料に設けた酸化膜をエッチングする場合でも、ランニングコストが可及的に少ないプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which suppresses abnormal discharge in a gas hole part, thereby preventing damage of a sample table caused by the abnormal discharge, and has the high reliability and stability of the device.例文帳に追加

ガス穴部での異常放電を抑制することにより、異常放電によって起こる試料台の損傷を防止し、装置の信頼性及び安定性の高いプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

If a low-dielectric-constant (low-k) film is damaged during plasma processing, one of the reaction products is water, which is left adsorbed on the low-dielectric-constant film (into pores), if the temperature is lower than 100-150°C.例文帳に追加

プラズマ処理の際、低誘電率(low-k)膜が損傷した場合、反応生成物の１つは水であり、温度が１００〜１５０℃より低ければ、低誘電率膜（孔内）に吸収されたままである。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which can apply a chamfering processing on the corner of an edge part of a workpiece individually and efficiently even if a small workpiece such as a crystal vibration chip is used.例文帳に追加

水晶振動片のような小型のワークを用いた場合であっても、ワークの縁部の角に面取り加工を個別にかつ効率的に施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The deposition shield 14 improved for surrounding a processing space 12 of the plasma processing system includes a cylindrical body having: an inner surface 82; an outer surface 84; an upper end face 86; and a lower end face 88.例文帳に追加

プラズマ処理システムの処理空間１２を包囲するための改良された堆積シールド１４は、内面８２、外面８４、上端面８６、及び下端面８８を有する円筒体を具備する。 - 特許庁

To provide a method of operating a plasma processing apparatus having an excellent mass production stability by suppressing peeling off of a reactive product deposited on inner walls (mainly, inner walls of the chamber) of a vacuum chamber other than a Faraday shield effective range.例文帳に追加

真空容器内のファラデーシールド有効範囲外（主に、チャンバー内壁）に付着した反応生成物の剥がれを抑制し、量産安定性に優れたプラズマ処理装置の運転方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system realizing a high density, high uniformity plasma over a wide parameter region in a plasma generation system employing a high frequency of VHF or UHF band and a magnetic field.例文帳に追加

ＶＨＦもしくはＵＨＦ帯の高周波と磁場とを用いてプラズマを生成する方式において、広いパラメータ領域で、高密度，高均一のプラズマを実現するプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In the induction coupling type plasma processing apparatus, an RF antenna 54 provided on a dielectric window 52 is divided into an inside coil 58, an intermediate coil 60, and an outside coil 62, along the radial direction.例文帳に追加

この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘電体窓５２の上に設けられるＲＦアンテナ５４が径方向で内側コイル５８、中間コイル６０および外側コイル６２に分割されている。 - 特許庁

To provide a plasma processor which realizes a good surface reforming effect at a low cost by a simple mechanism, and a substrate surface reforming method by the plasma processing.例文帳に追加

良好な表面改質効果を低コスト且つ簡便な機構で実現することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理による基板の表面改質方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a plasma processor and a plasma processing method which are superior in efficient removal of charges on a plasma-processed substrate and in prevention of dielectric breakdown in liquid crystal panel manufacturing process.例文帳に追加

液晶パネル製造工程において、プラズマ処理された基板上に帯電した電荷を効率よく除去し、絶縁破壊を防止するのに優れたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing method that decreases pattern difference and that performs uniform processings, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the same, in a multilayered film containing a number of films having different gas permeabilities.例文帳に追加

ガス透過性が異なる膜を含む多層膜において、パターン差を低減し均一な加工を行うプラズマ処理方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, the generation of local discharge in the boundary of an electric field such as the edge of the dielectric plate or the like is suppressed whereby the efficiency of plasma processing such as the deposit of an oxide film or the like can be improved.例文帳に追加

また、誘電体板のエッジ部等の電界境界部で局所放電の発生が抑制され、酸化膜の成膜等のプラズマ処理の効率を向上させることが可能となる。 - 特許庁

To improve plasma processing by efficiently removing undesirable deposits adhering to a DC ground electrode used in a DC voltage application method by means of a simple configuration to maintain a good DC ground function.例文帳に追加

ＤＣ印加方式に用いる直流接地電極に不所望な堆積物が付着するのを簡易な構成で効率的に除去して、ＤＣ接地機能を良好に保ち、プラズマプロセスを向上させる。 - 特許庁

In a plasma processing device, a support surface 15 of a plate 14, which supports and heats a glass substrate 18 as a processed substrate, is curved convex so as to form a part of the outer surface of a column.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、被処理基板であるガラス基板１８を支持すると共に加熱するためのプレート１４の支持面１５は、円柱の外面の一部を形成するように、凸状に湾曲する。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processing device having a base material to be processed prevented from bending in a discharge space by making a roll electrode as a lower electrode of an opposing electrode serve as a conveyor roller, capable of maintaining stable discharge.例文帳に追加

対向電極の下側の電極であるロール電極を搬送ローラとして兼用することにより、被処理基材の放電空間でのたわみを防止し、かつ、安定な放電の維持を可能とする。 - 特許庁

To provide a magnetron plasma processing device which is capable of locally producing a strong magnetic field at a required site in the processing space of a work so as to enhance a processing space in plasma density.例文帳に追加

被処理体の処理空間の所望の位置に局部的に強磁場強度部分を形成して、処理空間のプラズマ密度を高くすることができるマグネトロンプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

Finally, while conveying the film-shaped base material the from a first winding roller 2_1 to the second winding roller 2_2, a post-plasma process is performed by performing the plasma processing on the electrode film by the plasma generation unit 6.例文帳に追加

最後に、第１巻出巻取ローラ２_１から第２巻出巻取ローラ２_２にフィルム状基材ａを搬送しつつ、プラズマ発生ユニット６により電極膜にプラズマ処理を施す後プラズマ工程を行う。 - 特許庁

Furthermore, a first altered layer 25 is formed by altering a part of the second interlayer insulating film 19, which is exposed from a sidewall of the fist through hole 23 through plasma processing using plasma including oxygen gas.例文帳に追加

次に、酸素ガスを含むプラズマを用いたプラズマ処理により、第２の層間絶縁膜１９における第１のホール２３の側壁に露出する部分を変質して、第１の変質層２５を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a device forming uniform and stable plasma, and forming a film in uniform film thickness and film quality distribution on a large-area substrate, and to provide a plasma CVD method and device.例文帳に追加

一様で安定したプラズマを形成でき、大面積基板に均一な膜厚及び膜質分布で成膜できるプラズマ処理方法及び装置並びにプラズマＣＶＤ方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of improving an in-plane uniformity of processing comparing to the conventional apparatus and reducing useless spaces in a processing chamber to miniaturize the apparatus.例文帳に追加

従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、処理チャンバー内の無駄な空間を削減して装置の小型化を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, an induction component is not easily generated between the operation part and coil part and the plasma processing apparatus compatibly remove the reaction product deposited on the dielectric window and obtain the stability of the etching rate of a workpiece.例文帳に追加

これにより、作用部とコイル部との間で誘導成分が生じにくく、誘電体窓に堆積する反応生成物の除去と被処理体のエッチングレートの安定性とを両立させることができる。 - 特許庁

To provide a plasma processor and a plasma processing method which prevent the failure in feeding a processing object with the possibility of damaging by abnormal discharge to a post process.例文帳に追加

異常放電によるダメージを受けた可能性がある処理対象物が後工程に送られる不具合を防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The plasma processing is made to the surface of the polymer-type liquid crystal layer 10A to reform its surface, and the close contactability of the color filter layer 10B to the polymer-type liquid crystal layer 10A is controlled.例文帳に追加

重合型液晶層１０Ａの表面にプラズマ処理を施すことで、その表面が改質され、重合型液晶層１０Ａに対するカラーフィルタ層１０Ｂの密着性が制御される。 - 特許庁