「"plasma- processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the nitride semiconductor device which has the mesa structure formed by the dry etching includes a stage (A) of plasma-processing a surface exposed by the dry etching in an atmosphere including nitrogen plasma.例文帳に追加

ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、窒素プラズマを含む雰囲気中で、前記ドライエッチングにより露出した面を、プラズマ処理する工程（Ａ）を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus provided with a gas feed means which feeds gas in pulses into a reaction chamber, where the processing speed and shape of a sample can be set uniform through all its surface, even if an ultrasonic free flow is not established.例文帳に追加

反応室にパルス的にガスを供給する手段を備えたプラズマ処理装置において、超音速自由流が成立しない場合においても試料の処理速度および形状の試料面内での均一化を図る。 - 特許庁

In an induction-coupled plasma processing apparatus, an RF antenna 54 provided on a dielectric window 52 to generate induction-coupled plasma is divided into an inner coil, an intermediate coil, and an outer coil 62 in the radial direction.例文帳に追加

この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘導結合プラズマを生成するために誘電体窓５２の上に設けられるＲＦアンテナ５４が径方向で内側コイル、中間コイルおよび外側コイル６２に分割されている。 - 特許庁

The upper electrode 105 for a parallel-plate plasma processing apparatus includes a substrate 105a formed of a desired dielectric, and a dielectric layer 110 formed at least partially on the lower electrode 210 side surface of the plasma processing apparatus out of the surface of the substrate 105a, the dielectric layer 110 having a sparse and dense pattern where the outside of the lower electrode 210 side surface is denser than the inside.例文帳に追加

平行平板型のプラズマ処理装置用の上部電極１０５であって、所望の誘電体から形成された基材１０５ａと、前記基材１０５ａの表面のうち、少なくとも前記プラズマ処理装置の下部電極２１０側の表面の一部に形成された導電体層１１０と、を含み、前記導電体層１１０は、前記下部電極２１０側の表面の外側が内側より密になるように疎密のパターンを有する上部電極１０５が提供される。 - 特許庁

A plasma processing apparatus 1 for turning a processing gas into plasma and processing a substrate includes a processing container 3 which houses a substrate 31, a shower plate 21 which is arranged in the processing container 3 and supplies the processing gas to a processing chamber 2, and a gas supply pipe 22.例文帳に追加

処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマ処理装置１は、基板３１を収容する処理容器３と、処理容器３内に配置され、処理室２に処理ガスを供給するシャワープレート２１と、ガス供給配管２２とを備えている。 - 特許庁

The microwave divided by E distribution interferes at the opposite portion in the inlet portion 104, strengthens electric field across a slot 106 at the interval of half the wavelength inside the waveguide, and is introduced into a plasma processing chamber 101 by transmitting a dielectric 102 via the slot 106.例文帳に追加

Ｅ分岐されたマイクロ波は導入部１０４の対向部で干渉し、管内波長の１／２毎にスロット１０６を横切る電界を強め、スロット１０６を介し誘電体１０２を透してプラズマ処理室１０１に導入される。 - 特許庁

A plasma processing unit has a function in which microwaves are introduced into a vacuum chamber 4 through the intermediary of a microwave transmission window member 3, processing gas existing in the vacuum chamber 4 is irradiated with microwaves to generate plasma, and a work is processed by the use of the plasma.例文帳に追加

マイクロ波透過窓部材３を介して真空容器４の内部にマイクロ波を導入し、真空容器４内のプロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマを発生させ、このプラズマを利用して被処理物７を処理する装置である。 - 特許庁

To provide a method of forming an insulating film, an apparatus for forming an insulating film, and a plasma processing unit, those of which can successfully implement film quality control at an interface between a silicon substrate and an SiN film, and can form a high quality SiN film, in a short time.例文帳に追加

シリコン基板とＳｉＮ膜との界面での膜質制御を首尾よく行うことができ、しかも、短時間で高品質のＳｉＮ膜を形成することのできる絶縁膜形成方法、絶縁膜形成装置及びプラズマ処理ユニットを提供する。 - 特許庁

To provide a device for processing work by plasma capable of moving electrodes closer to each other, to increase an etching rate, when plasma- processing a work and of increasing a gap between the electrodes, when putting the work into or out of the gap between the electrodes after the plasma process is finished.例文帳に追加

プラズマ処理時には電極部同士を接近させてエッチングレートを上げ、プラズマ処理が終了してワークを電極部間に出し入れするときには、電極部間の間隔を大きくできるワークのプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

A method of manufacturing a device includes repeating, inside a deposition device: an insulating film-forming step of forming an insulating film on a substrate where the functional film is formed so as to cover the functional film; and a plasma-processing step of exposing a surface of the formed insulating film to plasma.例文帳に追加

成膜装置内で、機能膜が形成された基板上に、上記機能膜を覆うように、絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、形成した上記絶縁膜の表面をプラズマに曝すプラズマ処理工程とを繰り返すこと。 - 特許庁

While conveying a film-shaped base material a from a first winding roller 2_1 to a second winding roller 2_2 via a cooling drum 3, a pre-plasma process is performed by performing plasma processing on a surface of the film-shaped base material a by a plasma generation unit 6.例文帳に追加

第１巻出巻取ローラ２_１から冷却ドラム３を介して第２巻出巻取ローラ２_２にフィルム状基材ａを搬送しつつ、プラズマ発生ユニット６によりフィルム状基材ａの表面にプラズマ処理を施す前プラズマ工程を行う。 - 特許庁

In the plasma treatment apparatus in which plasma producing spaces 22 are adjacent to and communicate with a plasma processing space 13, the plasma producing spaces 22 are formed so as to be distributed or the like and a magnetic circuit 25 for confining electrons into each plasma producing space 22 is additionally provided.例文帳に追加

プラズマ発生空間２２がプラズマ処理空間１３に隣接し且つ連通しているプラズマ処理装置において、プラズマ発生空間２２が分散等して形成され、且つプラズマ発生空間２２内に電子を封じる磁気回路２５が付設される。 - 特許庁

To provide a plasma processing device where the correct discrimination of the service life in each of a plurality of consumables (electrodes and/or nozzles) can be performed, therefore, each consumable is efficiently used, so that the reduction of running cost can be attained.例文帳に追加

複数の消耗品（電極および／またはノズル）のそれぞれについて正確な寿命判定を行うことができ、これにより各消耗品を効率良く使用することでランニングコストの削減を図ることのできるプラズマ加工装置を提供する。 - 特許庁

To supply electric power from an electric power source with high transfer efficiency by adjusting the oscillation frequency of a high-frequency power source following to fluctuation of load impedance in a high-frequency resonator such as plasma processing equipment.例文帳に追加

プラズマ処理装置などの高周波共振装置の負荷インピーダンスの変動に追従して高周波電源の発振周波数を整合させることにより、高い転送効率で電源から電力を供給させ得る周波数整合器を提供する。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus, a process gas G is introduced into the interior of a discharge tube 6 of dielectric, a microwave M guided via a microwave waveguide 10 is irradiated on the process gas G within the discharge tube 6 to generate a plasma.例文帳に追加

誘電体で形成された放電管６の内部にプロセスガスＧを導入し、放電管６の内部のプロセスガスＧにマイクロ波導波管１０を介して導いたマイクロ波Ｍを照射してプラズマを発生させるようにしたプラズマ処理装置である。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a method therefor which enable uniformity in the distribution of electric power in a reaction vessel to be increased to realize the more uniform quality of a deposited film, and consequently realize the formation of the deposited film of excellent quality with high productivity.例文帳に追加

反応容器内における電力分布の均一性を高め、形成される堆積膜の品質をより均一にし、その結果、優れた品質の堆積膜を生産性良く形成することを可能とするプラズマ処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a high frequency power supply for supplying high frequency power to such a load as the impedance may be varied abruptly, e.g. a plasma processing system, in which under power supply to the load is prevented upon abrupt change of load impedance.例文帳に追加

プラズマ処理装置のようにインピーダンスが急変することがある負荷に高周波電力を供給する高周波電源装置において、負荷のインピーダンスが急変したときに負荷に供給される電力が過大になるのを防止する。 - 特許庁

According to the plasma processing apparatus, a process gas is taken in from a suction port 28 formed in an electrode 20, so that the adherence of the reaction product from the reaction between a radical and a substrate 16 to the surface of the substrate 16 can be suppressed.例文帳に追加

このプラズマプロセス装置によれば、電極２０に形成された吸引口２８から、プロセスガスを吸い込むので、ラジカルと基板１６の表面との反応で生成した反応生成物が基板１６の表面に付着することを抑制できる。 - 特許庁

In the device for a plasma process by arranging a cylindrical substrate 109 in a reaction container that forms a decompressible plasma processing space 106, an electrode 103 for introducing a discharging electric power is disposed outside the reaction container.例文帳に追加

減圧可能なプラズマ処理空間１０６を形成する反応容器内に円筒状基体１０９を配置しプラズマ処理を行う装置において、その反応容器外に、放電電力を導入するため電極１０３が配置されている。 - 特許庁

A method includes: flowing a pre-coat gas mixture into a plasma processing chamber, where the pre-coat gas mixture has an affinity for an etchant gas mixture; irradiating a substrate with a first plasma from the pre-coat gas mixture; and introducing the substrate comprising the substrate material.例文帳に追加

本願の方法は、エッチングガス混合物と親和性を有するプレコート（pre-coat）ガス混合物をプラズマ処理チャンバに流入させる工程、プレコートガス混合物の第一プラズマを照射する工程、基材を含む基板を導入する工程を含む。 - 特許庁

A plasma processing apparatus provides a first electrode in a processing container which can be depressurized, introduces a processing gas into the processing container to generate plasma by the power of high-frequency electrical power, and performs a desired plasma process to a processed body by the plasma.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、減圧可能な処理容器内に第１の電極を設け、前記処理容器内に処理ガスを導入して高周波電力のパワーによりプラズマを生成し、前記プラズマによって被処理体に所望のプラズマ処理を施す。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can attempt to improve in-plane uniformity of a process and improve miniaturization and process efficiency of the device while allowing for the gap between an upper electrode and a lower electrode to be changed easily.例文帳に追加

処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、装置の小型化と処理効率の向上を図ることができ、かつ、上部電極と下部電極との間隔を容易に変更することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sample table that maintains smoothness of a contact face by lapping and stably holds a semiconductor wafer by forming the contact face into a substantially concave shape, and to provide a microwave plasma processing apparatus with the same.例文帳に追加

ラッピング加工によって接触面の平滑性を保ち、かつ接触面を略凹形状にすることによって、半導体ウエハを安定的に保持することができる試料台及び該試料台を備えたマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A method comprises a process for applying high frequency voltage into a vacuum chamber 5 through a dielectric plate 4 to generate a plasma, and plasma-processing the interlayer insulating film formed in the semiconductor substrate 8 disposed in the vacuum chamber 5 by using the plasma.例文帳に追加

真空室内５に誘電体板４を介して高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、このプラズマを用いて、真空室５内に設置された半導体基板８に形成された層間絶縁膜をプラズマ処理する工程を含む。 - 特許庁

The plasma processing device controls the state of electric energy generated by electromagnetic waves emitted into a plasma and magnetic fields, and the state of capacitive coupling discharge, of inductive coupling discharge, and of electronic cyclotron resonance discharge, thereby controls the generation of active species.例文帳に追加

プラズマ中に放射する電磁波と磁場による電子エネルギ状態制御、及び容量結合放電、誘導結合放電、電子サイクロトロン共鳴放電の各放電状態制御により、電子エネルギ状態を制御し、活性種発生を制御する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which mixes a first material gas and a second material gas together, and supplies the mixed gas to a processing object substrate capable of supplying the mixed gas uniformly to the processing object substrate in a large area.例文帳に追加

第１原料ガスと第２原料ガスとを混合させて処理対象基板に供給するプラズマ処理装置であって、処理対象基板に、大きな面積で均一に混合ガスを供給することを可能とするプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for plasma processing able to control the transmittance of electromagnetic waves and improve the discharge characteristic and the uniformity of the plasma and the performance and stability of etching processing by selecting material of the transmission window.例文帳に追加

本発明は、透過窓の素材を選択することにより、電磁波の透過率をコントロールでき、プラズマの放電特性と、プラズマの均一性と、エッチングプロセス性能および安定性が向上するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device for reducing charged particles, such as ions and electrons, having positive or negative charges applied to a body to be processed from plasma in which the discharge state at the initial stage of discharging is unstable.例文帳に追加

本発明の目的は、放電初期の放電状態が不安定なプラズマから被処理体へ照射される正、又は負の電荷をもったイオンや電子等の荷電粒子を低減することが可能なプラズマ処理装置を提供することにある。 - 特許庁

The microwave plasma processing equipment 100 processes a substrate W by making a microwave propagate through a waveguide 22, making a microwave leaked from a T-shaped slot 23a transmit through a dielectric 24, and generating plasma of processing gas with the field energy of microwave.例文帳に追加

マイクロ波プラズマ処理装置１００は，導波管２２にマイクロ波を伝播させ，Ｔ字型のスロット２３ａから漏れ出したマイクロ波を誘電体２４に透過させ，マイクロ波の電界エネルギーにより処理ガスをプラズマ化させて，基板Ｗをプラズマ処理する。 - 特許庁

To stabilize plasma generation in a microwave plasma processing apparatus which suppressing generation of reflected waves at the connection part between a microwave supply waveguide and a microwave antenna, for improving charging efficiency, and suppressing discharging.例文帳に追加

マイクロ波プラズマ処理装置において、マイクロ波供給導波管とマイクロ波アンテナとの接続部における反射波の形成を抑制し、給電効率を向上させ、放電を抑制し、プラズマ処理装置中におけるプラズマ形成を安定化させる。 - 特許庁

Components including a gas distribution plate 22, a chamber liner 30 and a focus ring 14 that constitute a plasma processing chamber 10 are subjected to surface plasma-splaying of ceramics or high temperature polymers having surface roughness properties to improve polymer adhesion for coating 32 thereof.例文帳に追加

プラズマ処理チャンバ１０を構成する、ガス供給板２２、チャンバライナ３０、フォーカスリング１４などの部品の表面を、ポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つ、セラミック又は高温ポリマー等の材料をプラズマ溶射し、被覆３２する。 - 特許庁

Thereby, there is no tightening force generated on the anode electrode nor a difference in temperature in the anode electrode due to uneven quantity of heat transmitted to the electrode, preventing the uneven plasma processing due to the difference in the temperature of the anode electrode, the destruction of the anode electrode due to thermal stress or other problems.例文帳に追加

これにより，アノード電極に締め付け力や伝熱量の不均一による温度差が生じることがなく，アノード電極の温度差によるプラズマ処理性能の不均一や熱応力によるアノードの破損などを防止できる。 - 特許庁

Along the transporting line 1 of the atmospheric pressure plasma processing apparatus M1, a heating section 2 which heats the substrates W, a processing section 3 which forms a small thickness space 100 between the row of the setters 5 and the section 3, and a cooling section 4 which cools the substrates W are sequentially arranged.例文帳に追加

プラズマ処理装置Ｍ１の搬送ライン１に沿って、基材Ｗを加熱する加熱部２と、セッタ５の列との間に薄厚空間１００を形成する処理部３と、基材Ｗを冷却する冷却部４が順次配置されている。 - 特許庁

A magnetic field variation amount formation part produces a variation amount of the electromagnetic field which is a differential between the initial value of the magnetic field measured by the magnetic sensor 21 and the variation value changed from the initial value, and outputs it to a plasma processing control part 17 as a plasma variation information.例文帳に追加

磁界変化量生成部は、磁気センサ２１で計測された磁界の初期値と当該初期値から変化した変化値との差分である、電磁界の変化量を生成し、プラズマ変化情報としてプラズマ処理制御部１７に出力する。 - 特許庁

A plasma source electrode and a wafer, which are processed, are disposed opposite to each other in a chamber and means for supplying etching gas is disposed between the plasma source electrode and the wafer being processed in order to plasma processing, e.g. plasma etching, the wafer being processed.例文帳に追加

チャンバ内にプラズマソース電極と被処理基板とを対向配置するとともに、これらプラズマソース電極と被処理基板との間にエッチングガスを導入するためのガス供給手段を配置し、被処理基板をプラズマ処理、例えばプラズマエッチングする。 - 特許庁

Conventional structures of the ceiling portion of a plasma processing chamber are so reconsidered with respect to the places and portions in the processing chamber whereto reaction products are stuck especially easily and a plasma is concentrated easily as to provide a ceiling-board outer-periphery ring made of a resin-based raw material in the outer-periphery portion of the ceiling board.例文帳に追加

処理室内の特に反応生成物の付着しやすい場所及びプラズマの集中しやすい箇所に対し従来の天板部の構造を見直し天板の外周部に樹脂系素材からなる天板外周リングを設ける。 - 特許庁

To provide an all-purpose plasma processing device which has a size capable of generating plasma on the processed object as a whole, as an electrode for generating the plasma and has an electrode with a mechanism capable of arbitrarily controlling the planar distribution of the plasma generated.例文帳に追加

プラズマ発生用電極として、被処理物面全体にプラズマを発生させることのできる大きさを有し、発生させたプラズマの面内分布を任意に制御できる機構を持った電極を備えた汎用的なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A region (and a neighboring region thereof) having a sidewall portion exposed between source-drain electrodes 17, of a semiconductor layer 14 formed in a lower layer of a channel protection layer 15 provided in the thin film transistor TFT is subjected to oxidation processing by oxygen plasma processing.例文帳に追加

薄膜トランジスタＴＦＴに設けられるチャネル保護層１５の下層に形成された半導体層１４のうち、ソース、ドレイン電極１７間に側壁部が露出する領域（及びその近傍領域）が、酸素プラズマ処理により酸化処理されている。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus, capable of performing plasma distribution control which can make a distribution of plasma density change at an arbitrary condition such that the plasma density is enlarged in one region on a horizontal plane and the plasma density is lessened in other regions.例文帳に追加

水平面における１の領域ではプラズマ密度を大きくするとともに他の領域ではプラズマ密度を小さくする等、プラズマ密度の分布を任意の状態に変化することができるプラズマ分布制御が可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the hard carbon film, when depositing the hard carbon film containing the metal element and nitrogen, the deposition condition is controlled using a processing method such as an ion-plating method, a sputtering method, a plasma processing method and an ion implanting method.例文帳に追加

金属元素及び窒素を含有した硬質炭素膜を形成する際に、イオンプレーティング法、スパッタリング法、プラズマ処理及びイオン注入処理等の処理方法を利用し、形成条件を制御する硬質炭素膜の製造方法である。 - 特許庁

Accordingly, after a silicon oxide film is formed on the SiC substrate using a plasma processing apparatus, the gate insulating film having excellent electrical characteristics can be obtained by exposing the formed silicon oxide film to radicals each containing a nitrogen atom to reform it.例文帳に追加

このため、プラズマ処理装置を用いて、ＳｉＣ基板上にシリコン酸化膜を形成した後、窒素原子を含むラジカルに、形成されたシリコン酸化膜を曝して改質を行うことにより、電気的特性の優れたゲート絶縁膜を得ることができた。 - 特許庁

Then, by supplying plasma 13 blew by the plasma processing apparatus A into the gap 30 between the semiconductor chip 14 and the mounting substrate 15, the surface of semiconductor chip 14 and the surface of mounting substrate 15 and the surface of bump 16 are cleaned.例文帳に追加

この後、プラズマ処理装置Ａから吹き出されるプラズマ１３を半導体チップ１４と実装基板１５の間隙３０に供給することによって半導体チップ１４の表面と実装基板１５の表面とバンプ１６の表面を洗浄する。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processing method capable of realizing a stable discharge state under an atmospheric pressure using a simple device, and carrying out processing with a small amount of processing gas in a peeling process in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造工程における剥離工程において、大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置かつ、少量の処理用ガスで処理の可能な放電プラズマ処理方法及びその装置を提供。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which keeps high etching resistance of a photoresist layer comprising an ArF photoresist or an F2 photoresist when etching an antireflection layer or etching the antireflection layer and an etching objective layer.例文帳に追加

反射防止層をエッチングする際、または反射防止層およびエッチング対象層をエッチングする際に、ＡｒＦフォトレジストまたはＦ２フォトレジストからなるフォトレジスト層の耐プラズマ性を高く維持することができるプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To improve the quality of film formation by eliminating ion bombardment onto a processed substrate and reduce the cost of a plasma processing apparatus by efficiently removing particles in a processing chamber with a simple configuration in the apparatus and a plasma cleaning method thereof.例文帳に追加

プラズマプロセス装置及びそのプラズマクリーニング方法について、被処理基板へのイオン衝撃を無くして成膜の質を向上させると共に、簡単な構成により処理室内のパーティクルを効率よく除去できるようにして、装置コストの低減を図る。 - 特許庁