「"plasma- processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a structure capable of improving the efficiency of contact between material to be processed and plasma active species and, thereby, improving the processing efficiency of the material to be processed in the apparatus which generates plasma from gas and subjects the material to be processed to plasma processing while conveying the material to be processed.例文帳に追加

被処理物を搬送しながら、気体からプラズマを発生させて被処理物をプラズマ処理する装置において、被処理物とプラズマ活性種との接触の効率を向上させ、これによって被処理物の処理効率を向上させるような構造を提供する。 - 特許庁

When housing a substrate 5 with the insulating film damaged by plasma processing inside a chamber 1, introducing restoration agent steam into the chamber, heating the inside of the chamber and executing the damage restoration processing of the insulating film, the temperature of the inner wall of the chamber 1 is made higher than the temperature of the substrate.例文帳に追加

プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜が存在する基板５をチャンバー１内に収め、チャンバー内に回復剤蒸気を導入し、チャンバー内部を加熱して、前記絶縁膜のダメージ回復処理を行う際に、チャンバー１の内壁の温度を基板の温度よりも高温とする。 - 特許庁

The plasma processing apparatus comprises a processing chamber in which plasma is formed, a rotating body which is rotated around a shaft facing the plasma, and a space which is arranged on the side facing the plasma of a bearing part of the shaft, and has a step larger than a space between a bearing surface of the bearing part and the shaft.例文帳に追加

内部にプラズマが形成される処理室と、前記プラズマに面して軸周りに回転する回転体と、前記軸の軸受部の前記プラズマに面する側に配置され、前記軸受部の軸受面と軸との間の隙間より大きくされた段差を有する空間とを備えたプラズマ処理装置。 - 特許庁

In the plasma processing equipment having the porous plate 4 installed between a plasma generator 8 and 7 and the substrate 2 to be treated, the shape and arrangement of pores of the porous plate is determined from the calculation of active species distribution and diffusion in the plasma generator, so that the plasma active species may have a desired density and distribution near the substrate.例文帳に追加

プラズマ発生部８、７と被処理基板２との間に多孔板４を設けたプラズマ処理装置において、前記多孔板の孔の形と配置を、基板近傍のプラズマ活性種を所望の密度と分布とするように、プラズマ発生部の活性種分布と拡散計算から決定する。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus including a unit for generating a plasma, a processing chamber whose interior can be reduced in pressure by a vacuum evacuation unit connected thereto, and a unit for supplying gas to the processing chamber; an inner wall contacting the plasma is made of a material having low resistance.例文帳に追加

処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、前記処理室内へのガス供給装置とから成るプラズマ処理装置において、プラズマと接する内壁を抵抗性材料で構成した。 - 特許庁

A TMR device comprises: a shield layer; a seed layer; an antiferromagnetic layer; a second anti-parallel layer including a portion subjected to plasma processing; a ruthenium layer having a thickness of 4 Å; a CoFex layer; a first anti-parallel layer; a tunnel barrier layer; a magnetic free layer; and a cap layer, in order.例文帳に追加

本発明のＴＭＲデバイスは、シールド層と、シード層と、反強磁性層と、プラズマ処理部分を含む第２の反平行層と、４Åの厚さを有するルテニウム層と、ＣｏＦｅx 層と、第１の反平行層と、トンネルバリア層と、磁気フリー層と、キャップ層とを順に備える。 - 特許庁

In this plasma etching method, a plasma processing apparatus 10 which is equipped with a pair of electrodes 22, 24 positioned in a vacuum vessel so as to face each other at a prescribed interval, irradiates the vacuum vessel 12 with a microwave, and generates plasma in the vacuum vessel 12 through electron cyclotron resonance by using the vacuum vessel 12 as a resonator is installed.例文帳に追加

真空容器内で所定間隔開けて互いに対向して設けられた一対の電極２２，２４を備え、真空容器１２にマイクロ波を放射し、真空容器１２を共振器としてその内で電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ処理装置１０を設ける。 - 特許庁

After the FSG layer 13 is formed to cover aluminum wirings 12 on a substrate 11 in a chamber of a plasma processing apparatus, an NSG layer 14 is continuously formed in the chamber subsequent to the formation of the FSG layer 13 on the condition of higher temperature when the FSG layer 13 is formed.例文帳に追加

基板１１上のアルミニウム配線１２を覆う状態で、プラズマ処理装置のチャンバ内においてＦＳＧ層１３を形成した後、このチャンバ内においてＦＳＧ層１３の形成に連続させてＦＳＧ層１３の形成温度よりも高い温度条件でＮＳＧ層１４を形成する。 - 特許庁

This plasma processing apparatus includes a quartz plate 3 transmitting the microwave, a base 13 of aluminum supporting the quartz plate 3, and a step 17 that is formed in an inward direction on an under surface of the quartz plate 3 and formed at a position separated from the contact of the base 13 and the quartz plate 3.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、該マイクロ波を透過させる石英板３と、該石英板３を支持するアルミニウム製のベース１３と、該石英板３の下面に内向きに形成され且つ該ベース１３と該石英板３との接点から離れた位置に形成された段差１７と、を具備するものである。 - 特許庁

The plasma processing apparatus brings a workpiece into substantial contact with a plasma source that is of a surface discharge type dielectric barrier discharge system formed with an antenna and a ground in a dielectric substance to generate plasma on a surface opposite to a surface having the plasma source on the workpiece.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、誘電体内にアンテナとアースが形成された面放電型の誘電体バリア放電方式のプラズマ源において、被処理体を前記プラズマ源に略接触させ、被処理体に対してプラズマ源を設置した面とは反対の面にプラズマを生成するようにした。 - 特許庁

The plasma processing device comprises the chamber 1 for processing a plasma at its inside, a top plate 15 made of dielectric blocking the upper side of the chamber 1, and an antenna part 3 functioning as a high frequency supplying means supplying high frequency in the chamber 1 through the top plate 15.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、プラズマ処理を内部で行なうためのチャンバ１と、このチャンバ１の上側を塞ぐ誘電体からなる天板１５と、この天板１５を介して高周波をチャンバ１内に供給する高周波供給手段としてのアンテナ部３とを備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that can make in-plane uniformity of processing higher than before, can be made compact by reducing an unnecessary space in a processing chamber, and can easily vary the interval between an upper electrode and a lower electrode.例文帳に追加

従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、処理チャンバー内の無駄な空間を削減して装置の小型化を図ることができ、かつ、上部電極と下部電極との間隔を容易に変更することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a photodetection method, which can detect a plurality of light signals obtained from a plurality of measuring positions, and can analyze a condition of each measuring position using an apparatus having an advantage of a more simplified structure.例文帳に追加

複数の測定位置から得られる複数の光信号を検出することができ、また、より単純な構造を有するという利点を有している装置を使用して各測定位置の状態を分析することができるプラズマ処理装置および光検出方法を提供すること。 - 特許庁

The plasma processing device 1 includes an upper electrode 3 capable of retaining a substrate 10, and a lower electrode 4 installed so as to be opposed to the upper electrode 3 and provided with a plurality of projections 4a and recesses 4b formed on a part opposed to the upper electrode 3.例文帳に追加

このプラズマ処理装置１は、基板１０を保持することが可能な上部電極３と、上部電極３と対向するように設置され、上部電極３と対向する部分に複数の凸部４ａおよび複数の凹部４ｂが形成される下部電極４とを備えている。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processing device forming two discharge spaces, using three electrodes, capable of easily finely adjusting a distance between the electrodes of both the discharge spaces and continuously stably processing by generating uniform plasma.例文帳に追加

３枚の電極を用いて２つの放電空間を形成する放電プラズマ処理装置において、簡便に両放電空間の電極間距離を微調整することができ、均一なプラズマを発生させ、継続して安定した処理を行うことのできる放電プラズマ処理装置の提供。 - 特許庁

This plasma processing apparatus comprises the vacuum vessel 100 having a dielectric window 107, a means 103 for supporting a substrate 102 to be processed installed in the vacuum vessel, a first exhausting means 106 for exhausting the inside of the vacuum vessel, and a means for introducing a processing gas into the vacuum vessel.例文帳に追加

誘電体窓１０７を有する真空容器１００と、該真空容器内に設置された被処理基体１０２を支持する手段１０３と、該真空容器内を排気する第１の排気手段１０６と、該真空容器内へ処理用ガスを導入する手段とを有する。 - 特許庁

In this cleaning method of a plasma processor, provided with metal components inside the processing chamber, at the removing of a deposited film generated during plasma processing and stuck to the surface of the metal component by cleaning, the cleaning is ended to leave a part in the thickness direction of the deposited film.例文帳に追加

処理室内部に金属部品を有するプラズマ処理装置のクリーニング方法において、プラズマ処理中に発生し、金属部品の表面に付着した堆積膜をクリーニングによって除去する際に、該堆積膜の厚さ方向の一部を残して前記クリーニングを終了することにより、達成される。 - 特許庁

To provide a plasma processing system for forming a carbon film on the inner surface of a plastic container by using high-frequency plasma capable of simplifying the system and operating procedure, shortening work time and forming a more uniform carbon film, and to provide a method for producing a carbon film-formed plastic container.例文帳に追加

装置の簡略化、操作方法の簡略化、作業時間の短縮、より均一な炭素被膜の形成などが可能な、高周波プラズマを利用してプラスチック容器の内面に炭素被膜を形成するプラズマ処理装置及び炭素被覆形成プラスチック容器の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of undesired effects imposed on an object of plasma processing by plasma, developed during the ashing process from by-products of etching such as an F-containing by-product deposited on processing chamber inner walls or on parts inside the chamber, in case etching and ashing are implemented in one and the same processing chamber.例文帳に追加

エッチングとアッシングを同一処理容器内で行なうと、エッチングによる副生成物、例えばＦを含有する副生成物が処理容器の内壁や内部部品に付着し、この付着物がアッシング工程中にプラズマ化し、このプラズマが被処理体に作用して思わしくない影響を及ぼす。 - 特許庁

To provide a method and an equipment for plasma processing which enable to demount without any trouble a dielectric substrate to be processed such as a large glass substrate after being subjected to the surface treatment, with the dielectric breakdown of an insulation thin film of a device formed on the substrate being surely prevented.例文帳に追加

大型ガラス基板などの被処理誘電体基板を、これに形成されたデバイスの絶縁薄膜の絶縁破壊を確実に防止しながら表面処理を行ったのちに支障無く取り外すことのできるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide wafer holder including wafer stage on which the wafer is loaded and wafer stage outer-ring surrounding said wafer stage used in the plasma processing chamber for reducing edge exclusion (EE) while preventing wafer backside contamination.例文帳に追加

本発明の目的は、その上にウエハが載置されるウエハステージと、このウエハステージを取り囲むウエハステージ外側リングとを有するウエハホルダであって、ウエハ裏面の汚染を防止しつつエッジエクスクルージョン（ＥＥ）を減らすためにプラズマ処理チャンバ内で使用されるウエハホルダを提供することである。 - 特許庁

The method for manufacturing a polyimide wiring substrate is constituted by including a reforming step that forms a reformed layer on a polyimide resin, an adsorbing step that allows metal ions to be adsorbed in the reformed layer, and a reducing step that reduces the adsorbed metal ions with a plasma processing or an electron beam radiation processing.例文帳に追加

ポリイミドフィルムに改質層を形成する改質工程；改質層に金属イオンを吸着させる吸着工程；および吸着した金属イオンをプラズマ処理または電子ビーム照射処理により還元させる還元工程；を含んでなるポリイミド配線板の製造方法。 - 特許庁

On a surface layer t of an organic material which has a bonding of carbon and hydrogen formed on a figure of component (e.g., shield ring) located in a processing room of a plasma processing apparatus, a surface fluorination treatment, which replaces hydrogen bound with carbon contained in the surface layer with fluorine, is performed.例文帳に追加

プラズマ処理装置における処理室内に配設される部品（例えばシールドリング）の形状に形成された炭素と水素の結合を有する有機材料の表面層ｔに，この表面層に含まれる炭素に結合されている水素をフッ素に置換する表面フッ素化処理を施す。 - 特許庁

The exposure apparatus includes a plasma processing device which icnludes a first supply port capable of supplying a plasma produced from a process gas, and brings the plasma supplied from the first supply port into contact with a predetermined member coming into contact with the exposure liquid to enhance liquid repellency of a surface of the predetermined member to the exposure liquid.例文帳に追加

露光装置は、プロセスガスより生成されたプラズマを供給可能な第１供給口を有し、第１供給口から供給されたプラズマと露光液体と接触する所定部材とを接触させて、所定部材の表面の露光液体に対する撥液性を高めるプラズマ処理装置を備えている。 - 特許庁

The plasma processing apparatus comprises a process chamber having a substrate holder supporting a procesing substrate, a dielectric tube installed at the upper part of the process chamber so as to be communicated with the interior of the process chamber, a helical coil wound around the dielectric tube, and an RF power source for feeding RF power to the helical coil.例文帳に追加

処理基板を支持する基板ホルダーを有する工程チャンバーと、工程チャンバーの内部と連通されるように工程チャンバーの上部に設置される誘電体管と、誘電体管の周りに巻かれた螺旋コイルと、螺旋コイルにＲＦ電力を供給するためのＲＦ電源と、を備えるプラズマ処理装置である。 - 特許庁

Since a wiring board 10 is exposed to plasma 28 in a state that a patterned metallic wiring layer 15 is covered with a protection layer 18 in this surface processing method, plasma processing is applied to the surface of a base material 11 exposed between laminated films 13, but the metallic wiring layer 15 is not exposed to plasma 28.例文帳に追加

本発明の表面処理方法は、パターニングされた金属配線層１５を保護層１８で覆った状態で配線板１０をプラズマ２８に晒すので、積層膜１３間に露出する基材１１の表面はプラズマ処理されるが、金属配線層１５がプラズマ２８に晒されることがない。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming the stress control film on the field effect transistor, and changing an intrinsic stress of the stress control film by providing a heat treatment, or a plasma processing with ammonia or hydrogen to change the whole or a part of the material of the stress control film.例文帳に追加

電界効果トランジスタの上に応力制御膜を形成し、熱処理又はアンモニア又は水素によるプラズマ処理を施して、応力制御膜の全体又はその一部の材質を変化させることにより応力制御膜の真性応力を変更する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A warm air unit 125 is connected to a dielectric window 103 of the plasma processing apparatus and on the basis of a temperature signal generated by measuring the temperature of the dielectric window 103 or a shower plate 102 by a temperature sensor 128, the warm air unit 125 is controlled to perform temperature control over the dielectric window 103 or shower plate 102.例文帳に追加

プラズマ処理装置の誘電体窓１０３に温風ユニット１２５を接続し、誘電体窓１０３あるいはシャワープレート１０２の温度を温度センサー１２８により計測した温度信号を元に、温風ユニット１２５を制御して誘電体窓１０３あるいはシャワープレート１０２の温度制御を行う。 - 特許庁

A surface characteristic of the organic resin film is improved and peeling liquid is prevented from penetrating inside the organic resin film when the resist film formed on the organic resin film is peeled (including after peeling of the resist film) for patterning the organic resin film by previously plasma-processing a surface of the organic resin film.例文帳に追加

有機樹脂膜の表面を予めプラズマ処理することにより、有機樹脂膜の表面特性を改善し、有機樹脂膜のパターニングのために有機樹脂膜上に形成されたレジスト膜を剥離する際（レジスト膜の剥離後も含む）に剥離液が有機樹脂膜内部に浸透するのを防ぐことを特徴とする。 - 特許庁

A capacitor is housed or built in a multilayered printed wiring board, in which at least a part of its surface makes a contact angle of 7 to 45° with respect to water, and at least a part of its surface is subjected to at least plasma processing, cleaning, or an acid treatment.例文帳に追加

多層プリント配線板に収納または内蔵させるコンデンサであって、その表面の少なくとも一部は、水に対する接触角が７〜４５°であることを特徴とするコンデンサであって、その表面の少くとも一部にはプラズマ処理、洗浄処理および酸処理のうちの少くとも一の処理が施されている。 - 特許庁

The plasma processing device includes: a UV irradiation means 1 for irradiating ultraviolet rays UV on the surface of an object S to be processed; and a plasma supply means 2 for supplying plasma P on the surface of the object S with the ultraviolet rays UV irradiated by the UV irradiation means 1, both means arranged adjacent to each other.例文帳に追加

被処理物Ｓの表面に紫外線ＵＶを照射するための紫外線照射手段１と、紫外線照射手段１で紫外線ＵＶが照射された被処理物Ｓの表面にプラズマＰを供給するためのプラズマ供給手段２とを隣り合って配置したプラズマ処理装置に関する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes an electrode for applying an excitation voltage to a discharge gas to generate plasma; a jetting mechanism provided relatively movably with the surface to be processed and jetting the plasma to the surface to be processed; and a rotary mechanism configured to rotate and move the electrode such that the axis of rotation is in the jetting direction of the plasma.例文帳に追加

放電用ガスに励起電圧を印加してプラズマを発生させる電極と、被処理面との間で相対的に移動可能に設けられ、前記プラズマを前記被処理面に噴射する噴射機構と、前記プラズマの噴射方向を回転軸方向として前記電極を回転移動させる回転機構とを備える。 - 特許庁

In the parallel plate plasma processing system not employing a magnetic field and applying RF to the lower electrode, microwaves are employed and the metal plate 31 having a ground potential and including a plurality of openings H within a range of a specified area is placed between a microwave introduction window 26 and the wafer 16 mounted on the lower electrode 18.例文帳に追加

磁場を用いず、かつ下部電極にＲＦを印加する平行平板型プラズマ処理装置においては、マイクロ波を用い、マイクロ波導入窓２６と下部電極１８上に搭載されたウェーハ１６との間に、接地電位を有し所定の面積の範囲に複数の開口部Ｈを含む金属板３１を設置する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes one or more antenna openings 22 formed in a wall surface of a vacuum container 4; a lid 24 for covering an external surface of the vacuum container; antenna conductors 26 provided inside the respective antenna openings 22; and dielectric cups 30 that cover the antenna conductors 26 in the respective antenna openings 22.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、真空容器４の壁面に設けられた１以上のアンテナ用開口２２と、その真空容器外側の面を塞いでいる蓋２４と、各アンテナ用開口２２内に設けられたアンテナ導体２６と、各アンテナ用開口２２内においてアンテナ導体２６を覆っている誘電体カップ３０とを備えている。 - 特許庁

In a shower plate 105 arranged in the processing chamber 102 of plasma processing equipment and discharging plasma excitation gas in order to generate plasma in the processing chamber 102, a porous gas circulator 114 having pores communicating in the direction of gas circulation is attached to a longitudinal hole 112 becoming the discharge passage of plasma excitation gas.例文帳に追加

プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、プラズマ励起用ガスの放出経路となる縦孔１１２に、ガス流通方向に連通した気孔を有する多孔質ガス流通体１１４を装着した。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus performing surface modification by carburizing or the like an object to be treated comprising a metal material using plasma in an inside of a vacuum furnace, capable of optionally changing an electric field strength for plasma generation, thereby improving degree of freedom in surface modification of various objects to be treated.例文帳に追加

真空炉の内部にてプラズマを用いて金属材料からなる被処理物の浸炭等による表面改質を行うプラズマ処理装置において、プラズマ生成のための電界強度を任意に変更可能とし、これによって多種多様な被処理物の表面改質における自由度を向上させる。 - 特許庁

In the plasma processing method, a device including a power source which outputs sine-wave power with a single frequency of 20 kHz to 3 MHz, an LC resonance circuit in which capacitance and inductance are variable, and a pulse control element is used as a power supply device supplying plasma excitation power to a pair of electrodes.例文帳に追加

電極対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、２０ｋＨｚ〜３ＭＨｚで単一周波数の正弦波の電力を出力する電源、キャパシタンスおよびインダクタンスが可変であるＬＣ共振回路、および、パルス制御素子を有する装置を用いることにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

For enhancing axisymmetry of plasma processing using a circularly polarized wave generator for conducting a circularly polarized wave processing of microwaves regardless of reflection waves, stubs 403, 404 are provided at a side of a circular waveguide 405 in a circle/rectangle converter 402 and the stubs 403, 404 are made cylindrical and the tip is made semicircular.例文帳に追加

反射波が有っても、マイクロ波の円偏波化が行える円偏波発生器を用いてプラズマ処理の軸対称性を高めるため、円矩形変換器４０２の円形導波管４０５側にスタブ４０３および４０４を設け、スタブ４０３および４０４は円柱状で先端部は半球状とした。 - 特許庁

When the wafer is separated, ammeters 32a, 32b detect currents flowing through wiring paths 24a, 24b of the electrodes 21a, 21b, and based upon detection results thereof, a control unit 34 determines plasma conditions of demagnetizing plasma processing, and a polarity, a voltage value, and an application time of a demagnetizing voltage for processing on a next wafer.例文帳に追加

ウエハを脱離する際に電極２１ａ，２１ｂの配線経路２４ａ，２４ｂに流れる電流を電流計３２ａ，３２ｂにより検出し、その検出結果に基づき、制御部３４は、次のウエハを処理する際の除電プラズマ処理時のプラズマ条件、並びに除電電圧の極性、電圧値及び印加時間を決定する。 - 特許庁

An inductively coupled plasma processing apparatus is configured such that inductively coupled plasma is generated so as to have a doughnut shape under a dielectric window 52 close to an RF antenna 54 and the doughnut-shaped plasma is dispersed in a large processing space so as to level the plasma density near a susceptor 12 (namely, on a semiconductor wafer W).例文帳に追加

この誘導結合型プラズマ処理装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that achieves high processing accuracy and high reliability by preventing adverse effects on the next process and mixing of gasses, which should not be mixed with each other, by surely removing a residual gas inside a vacuum container and that of in processing-gas supply piping, and a method for operating the same.例文帳に追加

真空容器内及び処理ガス供給配管内の残留ガスを確実に除去することにより、次の工程への悪影響と混合させてはならないガス同士の混合を防止し、加工精度と信頼性の高いプラズマ処理装置及びその運転方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a voltage potential detection portion (for example, an amplitude detection portion 6 and an operation portion 7) for detecting the self-bias voltage potential of the object of processing, and a DC voltage control portion (control portion 8) for controlling the DC voltage for electrostatic chucking so that the difference between the self-bias voltage potential and the DC voltage for electrostatic chucking lies inside a given range.例文帳に追加

処理対象物の自己バイアス電位を検知する電位検知部（例えば、振幅検出部６及び演算部７）と、自己バイアス電位と静電吸着用直流電圧との差が所定範囲となるように静電吸着用直流電圧を制御する直流電圧制御部（制御部８）を備える。 - 特許庁

The plasma processing system also includes an induction coil configured to form an electromagnetic field for creating a plasma for processing the substrate, and the optimized top piece coupled to the bottom piece which has a hollow cylindrical portion for accommodating a heating and cooling plate at a terminal end.例文帳に追加

また、プラズマ処理システムは、基板を処理するプラズマを発生させるための電磁場を形成するように構成された誘導コイルと、その末端部に加熱及び冷却プレートを収容するための中が空洞で円筒形の部分を有する上部部材であって、下部部材と結合する最適化された上部部材を含んでなる。 - 特許庁

To prevent the electrical shortings of a film containing a magnetic material, in the plasma processing of the film containing the magnetic material after the etching thereof, by exposing the film containing the magnetic material into a plasma atmosphere of a gas mixture containing hydrogen or into a plasma atmosphere of a gas mixture containing at least one kind of gas containing hydrogen.例文帳に追加

磁性体材料を含む膜のエッチング後のプラズマ処理を、水素を含む混合ガスのプラズマ雰囲気中もしくは水素を含む少なくとも一種類のガスを含む混合ガスのプラズマ雰囲気中に磁性体材料を含む膜をさらすことで、磁性体材料を含む膜の電気的ショートを防止することを可能とする。 - 特許庁

A clearance between a workpiece 700 and an electrostatic chuck 131 attracting the workpiece is filled with gas, an ESC voltage applied to the electrode of the electrostatic chuck is changed to keep the amount of the gas leaking from the clearance into the plasma processing device at a specified value or thereabouts, and the attraction force of the workpiece is controlled.例文帳に追加

被処理体７００と被処理体を吸着した静電チャック１３１の間の間隙に気体を充満させ、その気体が前記間隙からプラズマ処理装置内に漏洩する量が規定値付近に維持されるように静電チャックの電極に印加するＥＳＣ電圧を変化させ、被処理体の吸着力を制御する。 - 特許庁