「"plasma- processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a microwave plasma processing apparatus and a gate valve therefor which can suppress leakage of microwaves outside when igniting plasma or the like without increasing particles, and consequently can reduce the possibility of generating discharge or the like by leaked microwaves than before.例文帳に追加

パーティクルの増加を招くことなく、プラズマの着火時等に外部にマイクロ波が漏洩することを抑制することができ、漏洩したマイクロ波によって放電等が発生する可能性を従来に比べて低減することのできるマイクロ波プラズマ処理装置及びマイクロ波プラズマ処理装置用ゲートバルブを提供する。 - 特許庁

Disclosed is the method for manufacturing the field-effect semiconductor device which includes a stage of changing the physical or chemical state of the carbon nanotubes by performing plasma processing for the carbon nanotubes when the field-effect semiconductor such as a field-effect transistor 6 using carbon nanotubes for the channel layer 5 is manufactured.例文帳に追加

カーボンナノチューブをチャネル層５に用いた電界効果トランジスタ６等の電界効果半導体装置を製造するに際し、前記カーボンナノチューブに対してプラズマ処理を行うことによって前記カーボンナノチューブの物理的又は化学的状態を変化させる工程を有する、電界効果半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor, a plasma processing method and an apparatus, which can reduce peeling of substances formed at plasma generation adhered on a member and a processing chamber for suppressing generation of particles, thus improving product yield or productivity.例文帳に追加

プラズマ処理において、プラズマが発生している際に生成され、処理室内部の部材上に付着する堆積物質の剥離を低減してパーティクルの発生を抑制し、製品の歩留まりや生産性を向上できるようにした半導体の製造方法及びプラズマ処理方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The processing of the substrate is carried out in a plasma processing vessel in which a plasma is generated and controlled by a bias electric field between the substrate 21 mounted on the susceptor contained in the processing vessel and the side wall of the vessel to make higher the temperature at the center of the substrate 21 than that of the periphery.例文帳に追加

処理容器内にプラズマを生成し、処理容器内に収容されたサセプターに載置された基板２１と処理容器の側壁との間にバイアスの電界を形成することによりプラズマを制御し、基板２１の中心部の温度を周縁部の温度よりも高くして基板に対し処理を行う。 - 特許庁

To provide a silicon member and a method of manufacturing the same, by which changes in the resistivity of the member can be reduced in a semiconductor manufacturing process, particularly, in a plasma processing process, so that uniform wafer processing is achieved, and the silicon member does not act as a source of impurity contamination to a processed wafer and so on.例文帳に追加

半導体製造工程、特に、プラズマ処理工程において、部材自体の抵抗率が変動することを抑制することができ、これにより、ウエハ処理の均一化を図ることができ、かつ、被処理ウエハ等に対する不純物汚染源とならないシリコン部材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the golf ball including the golf ball body, the marks printed on the surface of the ball body, and a coating film formed to cover the ball body and the marks, includes plasma processing only to a predetermined area of the surface of the ball body, and printing the marks on at least a portion of the plasma processed area.例文帳に追加

ゴルフボール本体と、該ゴルフボール本体の上に印刷されるマークと、該ゴルフボール本体及び該マークを覆って形成される塗膜とを含むゴルフボールの製造方法において、該ゴルフボール本体の表面における所定領域のみにプラズマ処理を施した後、該プラズマ処理した領域の少なくとも一部に該マークを印刷する。 - 特許庁

To provide an equipment and a method for plasma processing being employed in a plasma CVD system where a high quality large area thin film can be deposited at a high rate with limited film quality and film thickness distribution or in a plasma etching system where a large area can be etched at a high rate with limited machining rate distribution.例文帳に追加

膜品質や膜厚分布が小さく、高速かつ大面積で高品質な薄膜の成膜が可能となるプラズマＣＶＤ装置あるいは、加工レート分布が小さく高速かつ大面積でエッチングが可能となるプラズマエッチング装置等に用いられる、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

In the rear surface W2 of a wafer W, a portion other than the rear side of a street S formed in the front surface W1 is coated with a resist film R, and a portion which is not covered with the resist film R is etched to divide to individual devices D from a rear surface to a front surface by fluorine system stable gas which is subjected to plasma processing.例文帳に追加

ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、表面Ｗ１に形成されたストリートＳの裏側以外の部分にレジスト膜Ｒを被覆し、レジスト膜Ｒが被覆されていない部分について、プラズマ化したフッ素系安定ガスにより裏面から表面にかけてエッチングして個々のデバイスＤに分割する。 - 特許庁

The method comprises the steps of conducting the NH_3 plasma processing to a substrate 20 by generating the NH_3 plasma to the surface of the substrate 20 within a chamber, removing a reactive byproduct including nitrogen remaining within the chamber, and forming an SiC film 34 with the PECVD method on the substrate 20 within the chamber.例文帳に追加

チャンバー内において基板２０表面にＮＨ_３プラズマを発生させ、基板２０に対してＮＨ_３プラズマ処理を行う工程と、チャンバー内に残留する窒素を含む反応生成物を除去する工程と、チャンバー内において、基板２０上に、ＰＥＣＶＤ法によりＳｉＣ膜３４を成膜する工程とを有する。 - 特許庁

To provide an inductively coupled plasma processing apparatus capable of symmetrically and uniformly generating a plasm density distribution throughout the center part and an outer periphery by forming openings for entering a processing gas at the center part of the lower part in a reaction chamber and a side surface thereof and by providing fan-shaped antennas below the reaction chamber.例文帳に追加

反応チャンバ内の下部中央部及び側面に処理ガスの流入口を形成し、反応チャンバ下部に扇形アンテナを具備することでプラズマ密度分布を中央部と外郭にかけて対称的でかつ均一に発生させることができる誘導結合型プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In the parallel plate plasma processing system applying RF to both an upper electrode 14 and a lower electrode 18, a metal plate 31 having a ground potential and including a plurality of openings H within the range of a specified area is placed between the upper electrode 14 and a wafer 16 mounted on the lower electrode 18.例文帳に追加

上部電極１４と下部電極１８との両方にＲＦを印加する平行平板型プラズマ処理装置において、上部電極１４と下部電極１８に搭載されたウェーハ１６との間に、接地電位を有し所定の面積の範囲に複数の開口部Ｈを含む金属板３１を設置する。 - 特許庁

When a high frequency electric power of 100 MHz is supplied to an antenna 5 which is provided in a vacuum vessel 1 by a high frequency power source 4 for the antenna, plasma is generated in the vacuum vessel 1 and plasma processing such as etching, deposition surface improvement and so on for a substrate 7 which is mounted on a substrate electrode 7 can be performed.例文帳に追加

アンテナ用高周波電源４により１００ＭＨｚの高周波電力を真空容器１内に設けられたアンテナ５に供給することにより、真空容器１内にプラズマが発生し、基板電極６上に載置された基板７に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck that makes good use of Johnsen-Rahbeck force of high attraction force, the electrostatic chuck suppressing surface roughness even when employing plasma irradiation using halogen gas etc., having small characteristic variation of the electrostatic chuck, and being usable by a plasma processing apparatus for a long time.例文帳に追加

本発明の課題は、吸着力の高いジョンセン・ラーベック力を利用した静電チャックで、ハロゲンガス等を用いたプラズマ照射であっても表面粗さの変化を抑えることができ、静電チャックの特性変化が小さく、プラズマ処理装置において長期間使用可能な静電チャックを提供することである。 - 特許庁

When a high frequency electric power of 13.56 MHz is supplied to a coil 6 via a matching circuit 5 for a plasma generation device by a high frequency power source 4 for the plasma generation device, plasma is generated in a vacuum vessel 1 and plasma processing such as etching, piling and so on is performed for a substrate 8 which is mounted on an electrode 7.例文帳に追加

プラズマ発生装置用高周波電源４により１３．５６ＭＨｚの高周波電力を、プラズマ発生装置用整合回路５を介して、コイル６に供給すると、真空容器１内にプラズマが発生し、電極７上に載置された基板８に対してエッチング、堆積等のプラズマ処理を行うことができる。 - 特許庁

A piezoelectric element piece used for this application has a water-repellent treated film formed by a spray or dipping method using a fluoride paint, or formed by a reduced or atmospheric pressure plasma processing method using a gas containing fluorine or fluorine compound so as to surround an adhesive surface fixed to a plug.例文帳に追加

プラグに固定される接着面を囲むように、フッ化物系塗料をスプレー法またはディッピング法により撥水処理膜が形成、あるいは、フッ素またはフッ素化合物を含んだガスを用いて減圧プラズマ処理法または大気圧プラズマ処理法により撥水処理膜が形成された圧電素子片を用いる。 - 特許庁

Further, when applying the plasma processing to the object to be processed having a conductive layer by using the opposing electrodes composed of a pair of roll electrodes facing each other, the object to be treated having the conductive layer is placed between the pair of the roll electrodes so as to contact with either of the pair of the roll electrodes.例文帳に追加

また、互いに対向する一対のロール電極からなる対向電極を用いて、導電層を有する被処理体をプラズマ処理するにあたり、一対のロール電極の電極間に、導電層を有する被処理体を、それらロール電極対のいずれか一方のロール電極に接触させる。 - 特許庁

In an enhanced DC plasma processing system which acts to instantaneously stop flow of current through plasma, the inductors 13, 14 having a tap are switched to the ground 9 so as to attain about 10% of substantial reversal of voltage when detecting arc condition through voltage technology and/or voltage rate of change technology.例文帳に追加

プラズマを通して電流が流れるのを即座に停止するように作用するエンハンスト直流プラズマ処理システムは、電圧技術及び又は電圧変化率技術を通してのアーク条件の検出に際し約１０％の実質的反転電圧を達成するようにタップ付きインダクタ１３及び１４が接地９ヘスイッチされる。 - 特許庁

The capacity coupling type plasma processing device comprises an upper electrode divided into an inside upper electrode 60 and an outside upper electrode 62 in a radial direction, and a first and a second direct current voltages V_C, V_E independent of two variable DC power source 80, 82 are applied simultaneously to both of upper electrodes 60, 62.例文帳に追加

この容量結合型プラズマ処理装置は、上部電極を径方向で内側上部電極６０と外側上部電極６２とに二分割し、２つの可変直流電源８０，８２より独立した第１および第２直流電圧Ｖ_C，Ｖ_Eを両上部電極６０，６２に同時に印加するようにしている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a dielectric material window, the dielectric material window, and a plasma processing apparatus using the dielectric material window which can increase an adhesive force between an antenna and the dielectric material window and also can prevent abnormal electric discharging and stabilize a plasma density distribution according to a magnetic field distribution or a plasma density distribution.例文帳に追加

アンテナと誘電体窓の密着性を向上させ、異常放電を防止し、かつ、誘電体窓内の電磁界分布、したがってプラズマ密度分布を安定させることができる誘電体窓の製造方法、誘電体窓、およびその誘電体窓を用いるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A plasma discharge generating unit for a plasma processing apparatus is equipped with a plurality of insulating units 3 extending into a direction parallel to the substrate to be processed with the shape of stripes, cathode electrodes 2a provided between at least mutually neighboring insulating units 3, and anode electrodes 2b provided at the end of the side of substrate 4 to be processed in respective insulating units 3.例文帳に追加

プラズマプロセス装置のプラズマ放電発生部は、被処理基板と平行な方向にストライプ状に延びる複数の絶縁部３と、少なくとも隣り合う絶縁部３同士の間に設けられたカソード電極２ａと、各絶縁部３における被処理基板４側の端部に設けられたアノード電極２ｂとを備えている。 - 特許庁

The plastic container is provided with a sterilized surface formed through plasma processing, on the whole inner surface of a plastic container body, and further with the gas-barrier thin film composed mainly of the inorganic oxides or a gas-barrier thin film mainly of a diamond shaped carbon film, on the whole surfaces including the sterilized surface.例文帳に追加

プラスチック製容器本体の内面の全面に、ブラズマ処理による殺菌面を設け、更に、該殺菌面を含む全面に、無機酸化物を主体とするガスバリア性薄膜またはダイヤモンド状炭素膜を主体とするガスバリア性薄膜を設けたことを特徴とするプラスチック製容器に関するものである。 - 特許庁

The plasma flow P from the plasma generation part E is bent in the direction not confronting the plasma generation part and allowed to flow into the plasma processing part T, and the position confronting the plasma generation part E is made a droplet capturing part D to capture cathode material in the form of particulates (droplets) as biproduct from the cathode when plasma is generated.例文帳に追加

プラズマ発生部Ｅからのプラズマ流れＰを磁界によりプラズマ発生部と対面しない方向に屈曲させて前記プラズマ加工部Ｔに流入させるとともに、プラズマ発生部Ｅと対面する位置をプラズマの発生時に陰極から副生する陰極材料微粒子（ドロップレット）を捕集するドロップレット捕集部Ｄとする。 - 特許庁

The upper electrode member 10a and a lower electrode member 10b facing together in the plasma processing system respectively include: an electrode body 11 comprising a metal plate; an insulation case 12 containing the electrode body 11; an insulation lid 13 for closing the insulation case 12; a ground electrode covering insulation member 14; and a ground electrode metal bar.例文帳に追加

プラズマ処理装置の互いに対向する上部電極部１０ａと下部電極部１０ｂのそれぞれは、板状金属からなる電極本体１１、電極本体１１を収容する誘電体ケース１２、その誘電体ケース１２を塞ぐ誘電体蓋１３、グランド電極被覆誘電体１４およびグランド電極金属棒を備えて構成される。 - 特許庁

The discharge plasma processing method and the apparatus thereof are characterized, by setting a solid dielectric on at least one opposite surface of a pair of opposed electrodes under a pressure near the atmospheric pressure, introducing a process gas between the opposed electrodes, applying a pulse-like electric field to obtain a plasma, and exposing a circuit board to the plasma.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを回路基板に接触させることを特徴とする回路基板の放電プラズマ処理方法及び装置。 - 特許庁

The plasma processing apparatus 100 is provided with a processing vessel 10 inside which plasma is excited in a required vacuum state, a microwave source 900 supplying microwave in the processing vessel for exciting plasma, and a dielectric plate 305 facing inside the processing vessel 10 for transmitting the microwave supplied from the microwave source 900 into the processing vessel.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００は、所望の真空状態にある内部にてプラズマが励起される処理容器１０と、処理容器内にプラズマを励起するためのマイクロ波を供給するマイクロ波源９００と、処理容器１０の内側に面し、マイクロ波源９００から供給されたマイクロ波を処理容器内に伝送させる誘電体板３０５と、を備える。 - 特許庁

A discharge plasma processing apparatus characterized in that a discharge plasma is caused to occur by applying an electric field to a pair of opposing electrodes, at least either of opposing surfaces of which is covered with a solid dielectric, and that the solid dielectric is a metal oxide formed on the surface of the electrode by oxidizing the electrode.例文帳に追加

対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面が固体誘電体で被覆された電極に電界を印加して放電プラズマを発生させる放電プラズマ処理装置において、前記固体誘電体が、電極を酸化処理することにより当該電の表面に形成された金属酸化物であることを特徴とする放電プラズマ処理装置。 - 特許庁

The matching circuit 30 is used in a semiconductor plasma processing system for feeding high frequency electric power to an electrode in a chamber through a power feeding path.例文帳に追加

整合器３０は、チャンバ内に設けられた電極に給電線路を介して高周波電力を供給する半導体プラズマ処理装置に用いられるものであって、２つの可変容量コンデンサ２２，２３と、コンデンサ２３の電極と給電線路の内部導体１６の端部との間に接続された銅板３１〜３３などで構成された分布定数回路とを備えたものである。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus for processing the sample placed on a sample stage 150 located in the inside of a processing chamber 100 by using plasma produced in the processing chamber 100, at least one of members 3 freely attachably/detachably fitted to/from one side of the inner wall 1 of the processing chamber has a part coated by a material 31 different from that of the other parts.例文帳に追加

処理室１００の内側に配置された試料台１５０上に載置された試料を、処理室１００内に生成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置において、処理室内壁１面に着脱自在に取付ける部材３の少なくとも１つは、他の部位とは異なる材料３１で被覆された部位を有する。 - 特許庁

The plasma processing system for producing microwave plasma with a slot antenna comprises a slot body arranging a number of slots for radiating microwave on a block conductor, and a dielectric arranged on the surface of the opposite side of the microwave radiation plane of the slot bodies, with the slot bodies and the dielectric integrally constructed by metalize bonding.例文帳に追加

スロットアンテナによりマイクロ波プラズマを生起させるプラズマ処理装置において、前記スロットアンテナは、ブロック状導体にマイクロ波放射用のスロットを多数設けたスロット体と、該スロット体のマイクロ波放射面とは反対側の面に配された誘電体を有し、該スロット体と該誘電体とをメタライズ接合により一体構造に構成する。 - 特許庁

A transmission system of the plasma processing apparatus is composed of a circular waveguide, an electromagnetic wave supply mechanism is made of a nearly cylindrical cavity connected to the circular waveguide, and a ridge 301 is provided at the cavity or the ridge 301 and a taper waveguide 401 are used in combination, thus improving a center concentration tendency of microwaves.例文帳に追加

プラズマ処理装置の伝送系が円形導波管を用いて構成され、電磁波供給機構が該円形導波管に接続された略円柱状の空洞部からなり、該空洞部にリッジ３０１を設けること、あるいは、リッジ３０１とテーパ導波管４０１を併用することでマイクロ波の中心集中傾向を改善する。 - 特許庁

The plasma processing device 1 includes: a processing chamber 3 structured to introduce a material gas and allow an A.C. voltage to be applied; and a shower plate 5 for partitioning the inside of the processing chamber into a gas introduction chamber 32 for introducing the material gas therein, and a reaction chamber 31 for arranging a substrate 10 therein, wherein a cooling device 50 is arranged in the gas introduction chamber.例文帳に追加

原料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成された処理室３と、処理室内を原料ガスが導入されるガス導入室３２と、基板１０が配置される反応室３１と、に区画するシャワープレート５と、を備えたプラズマ処理装置１において、ガス導入室内に、冷却装置５０が設けられている。 - 特許庁

In the automatic learning for the matching point correction, a dummy semiconductor wafer which is not an actual processing object is transported into a chamber and plasma processing is carried out under the same condition as the actual process and automatic matching is made to perform to a matching unit under a reference impedance Z_s, and the measured value of reflected wave power obtained by the reflected wave measuring circuit is fetched and stored in a memory.例文帳に追加

この整合ポイント補正のためのオートラーニングにおいては、実際の加工対象ではないダミーの半導体ウエハをチャンバ内に搬入し、実プロセスと同じ条件でプラズマプロセスを実行して、基準インピーダンスＺ_sの下で整合器にオートマッチングを行わせ、反射波測定回路で得られた反射波電力の測定値を取り込んでメモリに格納する。 - 特許庁

The plasma processing device is provided with a plurality of electrodes 102, an electrode moving means 111b for adjusting a distance between the electrodes, a probe 302 having a heating means, a measuring means 401 for measuring a voltage value and a current value between the electrodes, and an analysis means 400 that analyzes the values obtained by the measuring means in order to detect a plasma state.例文帳に追加

複数の電極１０２と、該電極の間の距離を調節する電極移動手段１１１ｂと、加熱手段を有するプローブ３０２と、前記電極間の電圧値及び電流値を計測する計測手段４０１と、該計測手段で得られた値を解析し、プラズマの状態を検知する解析手段４００とを具備する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device has a process A for depositing a low dielectric constant insulating film 15 on an upper layer of a semiconductor substrate 11, a process B for laminating a silicon content insulating film 26 having rich silicon on at least the upper layer of the low dielectric constant insulating film 15, and a process C for plasma-processing a surface of the silicon content insulating film 26.例文帳に追加

半導体基板１１の上層に低誘電率絶縁膜１５を積層する工程Ａと、低誘電率絶縁膜１５の少なくとも上層にシリコンリッチなシリコン含有絶縁膜２６を積層する工程Ｂと、シリコン含有絶縁膜２６の表面をプラズマ処理する工程Ｃとを備える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and cleaning method for suppressing etching in an electrode on cleaning to drastically reduce an operation time for cleaning without using a material to protect the electrode; and attaining a high-rank quality in a cleaning operation, by making the improvement of an economic potential through the protection of the electrode compatible with the reduction of the time required for the cleaning operation.例文帳に追加

電極を保護する部材を用いることなく、クリーニング時の電極のエッチングを抑制すると共にクリーニング作業時間を大幅に短縮でき、電極保護による経済性の向上と、クリーニング作業時間の短縮化とを両立させて、クリーニング作業の高品位化を図ったプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

The processing tube applied to the batch-type remote plasma processing unit is provided with a processing chamber 12 where a plurality of laminated wafers 1 are accommodated; and a discharge chamber 33 which is comparted from the chamber 12, to which processing gas 41 is supplied and can accommodate at least a pair of electrodes that generate plasma 40 inside the chamber 33.例文帳に追加

バッチ式リモートプラズマ処理装置に適用される処理管は、複数枚のウエハ１が積層して収容される処理室１２と、処理室１２から区画され、処理ガス４１が供給される放電室３３であって、少なくともこの放電室３３内でプラズマ４０を生成する一対の電極部を収容可能な放電室３３と、を備えている。 - 特許庁

The plasma processing method includes: product etching (step S1: processing of a sample including Ti material); thereafter carbon system deposition discharge for depositing a carbon system film on a Ti reaction product deposited on the surface of the processing chamber (step S2); and thereafter chlorine electric discharge for removing the carbon system film abd the Ti deposited on the surface of the processing chamber (step S3).例文帳に追加

製品エッチング（工程Ｓ１：Ｔｉ材料を含む試料の処理）後に、処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電（工程Ｓ２）と、その後に処理室表面に堆積するカーボン系膜とＴｉを除去する塩素系放電（工程Ｓ３）とを含むプラズマの処理方法とする。 - 特許庁

In the plasma processing method, a dummy substrate D having, on a surface thereof, organic matter similar to that on the surface of the substrate W is disposed in front of the substrate W with respect to the entering direction of the substrate W, and the dummy substrate D is entered into the plasma generation area P before entering the substrate W into the plasma generation area P.例文帳に追加

このプラズマ処理方法では、基板Ｗの表面における有機物と同様の有機物が表面にあるダミー基板Ｄを、基板Ｗの進入方向に対して、基板Ｗの前方に置き、基板Ｗにおけるプラズマ発生領域Ｐ内への進入に先立って、ダミー基板Ｄをプラズマ発生領域Ｐ内に進入させる。 - 特許庁

The silicon nitride film 23 is deposited by supplying a processing gas containing a silane gas, a nitrogen gas and a hydrogen gas to a processing vessel of a plasma deposition apparatus, exciting the processing gas to generate plasma while maintaining the temperature of the substrate inside the processing vessel at 100°C or lower and the pressure inside the processing vessel at 20-60 Pa, and applying plasma processing using the plasma.例文帳に追加

シリコン窒化膜２３は、プラズマ成膜装置の処理容器内にシランガス、窒素ガス及び水素ガスを含む処理ガスを供給し、処理容器内の基板の温度を１００℃以下に維持し、且つ処理容器内の圧力を２０Ｐａ〜６０Ｐａに維持した状態で、処理ガスを励起させてプラズマを生成し、当該プラズマによるプラズマ処理を行って成膜される。 - 特許庁

The plasma processing apparatus is equipped with a focus ring optimized for the purpose of the process and configured with a dielectric body, a conductor or a semiconductor to which a high frequency is applied by clarifying physical conditions that a sheath-plasma boundary 74 on a wafer 72 and a sheath-plasma boundary on the focus ring 80 are flat so as to establish the design method of its concrete structure.例文帳に追加

ウエハ７２上のシース・プラズマ界面７４とフォーカスリング８０上のシース・プラズマ界面が平坦であるための物理的条件を明らかにし、その具体的構造の設計手法を確立することによって、プロセスの目的に最適化された、高周波を印加した誘電体あるいは導体や半導体で構成されたフォーカスリングを装備する。 - 特許庁

The resin is a phenol resin or an epoxy resin, and the carbon material is exposed so that the upper face becomes an area ratio of 10 to 90% to the whole surface area of the upper face by at least one of blast process mechanical polishing processing, heating processing, plasma processing, and oxidant processing after forming the composition in a separator shape.例文帳に追加

また樹脂はフェノール樹脂またはエポキシ樹脂であり，上記の導電性樹脂組成物をセパレータ形状に成形した後，隔壁の上面を，ブラスト処理機械的研磨処理，加熱処理，プラズマ処理及び酸化剤処理の少なくとも１つにより隔壁上面の全表面積に対して10〜90％の面積比になるように炭素材料を露出させる。 - 特許庁

The plasma processing apparatus 1 has a lower electrode 22 having the mounting surface 221 and the lower electrode is provided with a pin (projection) 61 capable of freely projecting from the mounting surface 221, the pin 61 moving into a projection state wherein its tip surface 611 projects from the mounting surface 221 or into a storage state wherein the tip surface 611 is matched in level with the mounting surface 221.例文帳に追加

プラズマ処理装置１は、載置面２２１を備える下部電極２２を有し、下部電極には、載置面２２１から出没自在なピン（突起）６１が設けられており、突起６１は、その先端面６１１が載置面２２１より突出した突出状態と、載置面２２１と一致した収容状態とに移動することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus having a wafer support base adopting an electrostatic chuck system provided with a means for measuring the charged state of a wafer after plasma processing without causing defects in the process characteristics.例文帳に追加

従来の静電チャック方式のウェハ支持台上のウェハの帯電状態を測定する真空処理装置は電位センサを半導体ウェハの近傍に設置する構成であるため、電位センサ自身もエッチングされ、エッチングレート値や面内傾向特性に影響を与えると共に、このエッチングによってパーティクルを増加させる等のプロセス特性上の不具合が発生する。 - 特許庁

The method of forming an element isolating structure comprises an etching process of cutting the trenches 5 in a semiconductor substrate for isolating an element, a surface treating process of making the semiconductor substrate undergo plasma processing, and an embedding process of embedding the insulating film 7 in the trenches 5.例文帳に追加

半導体基板に素子分離のためのトレンチ部５を形成するエッチング工程と、前記トレンチ部に絶縁膜７を埋め込む、埋め込み工程とを有する素子分離構造形成方法であって、前記埋め込み工程の前に、前記半導体基板をプラズマ処理する表面処理工程を設けたことを特徴とする素子分離構造形成方法。 - 特許庁

The plasma processing method comprises: electrostatically attracting an insulative substrate S (substrate S) in a vacuum chamber 11 by an electrostatic chuck 17; and etching the substrate S by generating plasma in the vacuum chamber 11 while supplying helium gas for cooling the substrate S to a refrigerant space defined by the backside of the substrate S, and a reentrant 17c of the electrostatic chuck 17.例文帳に追加

真空槽１１内の絶縁性基板Ｓ（基板Ｓ）を静電チャック１７に対して静電吸着し、且つ、基板Ｓの裏面と静電チャック１７の凹部１７ｃとによって形成される冷媒空間に該基板Ｓを冷却するヘリウムガスを供給しつつ、真空槽１１内にプラズマを生成して基板Ｓをエッチング処理する。 - 特許庁