「"plasma- processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

The gas supply hole of a shower plate is arranged in the region of low electric field in which the electric field is equal to or lower than a predetermined electric field strength on the basis of electromagnetic field distribution in the shower plate surface of an electromagnetic field introduced in the plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理室内に導入される電磁界のシャワープレート面内における電磁界分布に従い、所定の電界強度以下となる電界の弱い領域にシャワープレートのガス供給孔を配置する。 - 特許庁

To provide a low-cost plasma processing device capable of suppressing abnormal discharge and reducing production of particles, a semiconductor manufacturing device using the same, and a manufacturing method of a plate type product.例文帳に追加

異常放電の発生を抑えることができ、パーティクルの発生を低減することができるコスト安価なプラズマ処理装置、及びこれを用いた半導体製造装置、並びに板状の製品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method, capable of quickly and surely removing a material attached to an end section of a processing subject, such as a wafer and preventing damages due to plasma to each component inside a chamber.例文帳に追加

ウエハ等の被処理体の端部に付着した物質を迅速且つ確実に除去することができ、しかもチャンバ内の各部品のプラズマによる損傷を防止することができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which is capable of coping with various processing accompanying the microminiaturization and complex structure of a semiconductor device and controlling the distribution of the electromagnetic field of plasma-exciting high frequencies and the distribution of plasma so as to process a wafer uniformly.例文帳に追加

半導体デバイスの微細化、複雑構造に伴った多様な処理に対応し、プラズマ励起高周波の電磁界分布及びプラズマ発生分布を制御して均一処理を可能とするプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A plasma processing apparatus 10 comprises: a stage 14 on which a processed substrate is mounted; a processing container 12; first gas supply means 30; a shielding section 20; a dielectric member 40; microwave introduction means 42; and second gas supply means 46.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０は、被処理基体を搭載するステージ１４、処理容器１２、第１のガス供給手段３０、遮蔽部２０、誘電体部材４０、マイクロ波導入手段４２、及び、第２のガス供給手段４６を備えている。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and device using a high frequency power source, wherein impedance matching is optimized.例文帳に追加

高周波電源を用いたプラズマ処理装置において、プロセス条件の変化やチャンバ構造によっては、インピーダンスマッチングを正常に行ったとしても、真空チャンバとインピーダンス整合器の間の電送経路間で無視できない電力損失を生じる。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus for processing a workpiece such as a wafer by the plasma or the like under a decompression atmosphere, conductive ceramics as a sintered compact involving alumina as a main component are used as a material of constituent parts in the apparatus.例文帳に追加

減圧雰囲気においてプラズマ等によりウエハ等の被処理物を処理するプラズマ処理装置において、前記装置内の構成部品の材料にアルミナを主成分とした焼結体である導電性セラミックを用いる。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of processing in high speed without damaging a conductive layer formed on an object to be processed when applying processes of etching or washing to the object to be treated having the conductive layer like FPC and ITO glass.例文帳に追加

ＦＰＣ、ＩＴＯガラスなどの導電層を有する被処理体にエッチングや洗浄処理等の処理を行うにあたり、被処理体に形成された導電層にダメージを与えることがなく、高速度で処理を行えるようにする。 - 特許庁

To prevent a film from being formed on an inner surface of a sidewall part 14 of a dielectric wall vessel 11 by a scattering substance associated with sputter etching to hinder supply of high-frequency power, in an inductively-coupled plasma processing device.例文帳に追加

誘導結合形プラズマ処理装置において、スパッタエッチングに伴う飛散物によって誘電体壁容器１１の側壁部１４内面へ膜が形成され、高周波電力の供給が阻害されることを防止する。 - 特許庁

The vapor deposition mask return passage 75 is provided with a plasma processing apparatus, and the plasma irradiation to the vapor deposition masks 40 in the vapor deposition mask return passage 75 removes organic matters deposited on the vapor deposition masks 40.例文帳に追加

蒸着マスク返却路７５にはプラズマ処理装置が設けられており、蒸着マスク返却路７５において蒸着マスク４０にプラズマを照射することにより、蒸着マスク４０に付着した有機物を除去する。 - 特許庁

In an inductively coupled plasma processing apparatus, an RF antenna 54 provided on a dielectric window 52 for generating inductively coupled plasma is radially divided into an inner coil 58, an intermediate coil 60, and an outer coil 62.例文帳に追加

この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘導結合プラズマを生成するために誘電体窓５２の上に設けられるＲＦアンテナ５４が径方向で内側コイル５８、中間コイル６０および外側コイル６２に分割されている。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of applying ink without generating color omission, in a color filter manufacturing method executed through a process for forming a thin film layer in a pixel part and a process for correcting a portion getting defective by a foreign matter.例文帳に追加

画素部に薄膜層を形成する工程および異物により不良となった箇所を修正する工程を通して行なうカラーフィルタの製造方法において、色抜けのないインク塗布が可能となる、プラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

By the above, a multiple function, such as local plasma processing, and inspection, analysis, fine processing using charged particle beam or the like, is realized.例文帳に追加

荷電粒子線装置内にプラズマのガス供給源とプラズマ電源に繋がった電極を所望領域近傍に設置できる構成とし、局所的なプラズマ加工と荷電粒子線による検査、解析、微細加工等の複合機能を実現する。 - 特許庁

The reactive gas containing a polymeric monomer is blown out from a nozzle 14 of a plasma processing apparatus 10, put into contact with a transparent film 9 to be treated, and plasma generated under a pressure close to an atmospheric one is applied to the transparent film 9.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０のノズル１４から重合性モノマーを含有する反応ガスを吹き出して、透明な被処理フィルム９に接触させ、かつ被処理フィルム９に大気圧近傍下で生成したプラズマを照射する。 - 特許庁

A first conductive member 230 is provided in the vacuum container 202 on an outer peripheral side of the high-frequency electrode 210, and comes into contact with a surface of a flexible substrate 50 on a side to be subjected to film formation processing during plasma processing.例文帳に追加

第１導電部材２３０は、真空容器２０２の中のうち高周波電極２１０の外周側に設けられており、かつプラズマ処理時に可撓性基板５０のうち成膜処理が行われる側の面に接する。 - 特許庁

When the wafer 10 is subjected to plasma process in this state, the wafer 10 and tray 11 are both cooled during the plasma processing, so that the wafer 10 is unlikely to have a temperature difference between a center part and an outer peripheral part thereof, thereby improving uniformity of etching.例文帳に追加

この状態でウエハ１０をプラズマ処理すれば、プラズマ処理中にウエハ１０とトレイ１１の両方が冷却されるため、ウエハ１０の中心部と外周部で温度差が生じにくくエッチングの均一性が向上する。 - 特許庁

In the cleaning method of substrate processing equipment, a high frequency power is applied to a base 13 for holding a substrate to be processed when microwave plasma processing equipment 10 is cleaned by introducing cleaning gas and exciting the cleaning gas with microwave plasma.例文帳に追加

マイクロ波プラズマ処理装置１０に、クリーニングガスを導入して当該クリーニングガスをマイクロ波プラズマで励起するクリーニング時に、被処理基板を保持する基板保持台１３に高周波電力を印加する基板処理装置のクリーニング方法。 - 特許庁

To provide a plasma processing device that makes the unevenness of electric field distribution on a surface of an electrode small so that etching rate distribution is uniform in a plasma process using a high density plasma that can correspond to further fining.例文帳に追加

より微細化に対応可能な高密度プラズマを用いたプラズマ処理において、電極表面における電界分布の不均一を小さくすることが可能であり、エッチングレート分布が均一なプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

This plasma processing method comprises the step of making plasma gas pass through a porous material by sucking the porous material in being contacted with plasma gas (a), or making plasma gas blow the porous material with a predetermined flow rate (b).例文帳に追加

(a) プラズマガスを多孔性素材に接触させた状態で多孔性素材を吸引することにより、多孔性素材に前記プラズマガスを通過させるか、(b) プラズマガスを所定の流量で多孔性素材に吹き付けてプラズマガスを通過させる方法。 - 特許庁

To provide plasma processing equipment in which plasma can be formed under a state of uniform density on the center side of a processing space distant from the ceiling by introducing a microwave from the sidewall side of a processing container toward the processing space.例文帳に追加

処理容器の側壁側より処理空間に向けてマイクロ波を導入することにより、天井から離れた処理空間の中心側に密度が均一な状態でプラズマを形成することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus wherein work for main power supply lines arranged inside of outer peripheral conductors can be carried out, without having to remove the whole power supply structure, and the maintenance processability, such as replacing of fixed bodies, is improved.例文帳に追加

給電構造全体を取り外すことなく、外周導体の内部に配置された主給電線に対する作業を行うことができ、固定体の交換等のメンテナンス施工性を改善したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In this plasma processing apparatus, high frequency power applied to a high frequency applying electrode 2 is cyclically turned ON/OFF and turned to an intermittent pulse shape, the excitation strength of a plasma 7 is changed with time, and the generation of the powder is suppressed.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、高周波印加電極２に印加される高周波電力を周期的にオン・オフさせて間欠的なパルス状とし、プラズマ７の励起強度を時間的に変化させてパウダーの発生を抑制する。 - 特許庁

In an inductive-coupling plasma processing apparatus 1, the protecting plate 41 functions as an anode electrode to a bias electric field formed by a high-frequency power supplied to a susceptor 22 from a high-frequency power supply 29.例文帳に追加

また、誘導結合プラズマ処理装置１では、保護プレート４１が、高周波電源２９からサセプタ２２に対して供給される高周波電力によって形成されるバイアス電界に対するアノード電極として作用する。 - 特許庁

To provide an electrode for use in a plasma processing apparatus that can reduce the possibility of an abnormal discharge without entailing a rise in manufacturing cost and improve productivity by prolongation of a life.例文帳に追加

製造コストの増大を招くことなく異常放電が生じる可能性を低減することができ、寿命の長期化による生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Plasma processing is performed while maintaining the temperature of the wafer W at 100°C or lower, and a silicon nitride film 404 having film stress of 100 MPa or less is deposited on the resist pattern 402 and an antireflection film pattern 403 (Fig. 10(c)).例文帳に追加

ウェハＷの温度を１００℃以下に維持した状態でプラズマ処理を行い、レジストパターン４０２及び反射防止膜パターン４０３上に、１００ＭＰａ以下の膜ストレスを有するシリコン窒化膜４０４が成膜される（図１０（ｃ））。 - 特許庁

To provide a plasma processing equipment, by which volume of a region where plasma is generated is made smaller than the conventional volume, while securing conductance with respect to gas flow, and restraining generation of plasma leakage and deposits.例文帳に追加

ガス流に対するコンダクタンスを確保しつつプラズマ発生領域の容積を従来に比べて小さくすることができ、かつ、プラズマリークの発生や堆積物の発生を抑制することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To facilitate the replacement of a member provided to surround a substrate for controlling plasma at the time of implementing processing by plasma for the substrate on a placement base by making plasma processing gas with high frequency electric power in a processing container.例文帳に追加

処理容器内にて処理ガスを高周波電力によりプラズマ化し、載置台上の基板に対しプラズマにより処理を行う際に、プラズマを制御するために基板を囲むように設けた部材の交換を容易にすること - 特許庁

To improve a device for coping with various problems caused by scale-up of the device in an inductive coupling plasma processing device where a dielectric wall is disposed at the ceiling of a processing chamber corresponding to a high frequency antenna.例文帳に追加

高周波アンテナに対応して処理室の天井に誘電体壁が配設された誘導結合プラズマ処理装置において、装置の大型化に伴って生じる種々の問題に対処するための改良を装置に加える。 - 特許庁

This will enable the plasma distribution uniformity to be secured and the gas inflow from the plasma processing space into the plasma generation space to be stopped, and the forthright speed of the ion species to be independently controlled, moreover satisfactory controllability for the plasma component ratio.例文帳に追加

プラズマ分布の均一性確保とプラズマ処理空間からプラズマ発生空間へのガス流入阻止の両立が図れるうえ、プラズマ成分比率の制御性がよいことに加えて、イオン種の直進速度も独立に制御可能となる。 - 特許庁

Plasma processing is performed on the surface of a sheet-like substrate, composed of aromatic polyamide and then a metal thin film layer, principally comprising an alloy of nickel and chromium and a thin-film layer of copper are formed thereon to produce a substrate for flexible printed circuit.例文帳に追加

芳香族ポリアミドからなるシート状基材表面にプラズマ処理を行い、その上にニッケルとクロムからなる合金を主成分とする金属薄膜層、および銅の薄膜層を有するフレキシブルプリント回路用基板。 - 特許庁

To provide a technique capable of readily and properly adjusting the impedance of an impedance adjustment unit aimed at preventing overdischarges, which is provided between an anode electrode and a processing container of a plasma processing apparatus.例文帳に追加

アノード電極と処理容器との間にインピーダンス調整部を設けたプラズマ処理装置において、異常放電を抑えるためのインピーダンス調整部のインピーダンス調整を容易に適切に行うことができる技術を提供すること。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor, plasma processing method and apparatus, all or some of members in a processing chamber of a plasma processor are subjected to surface treatment with the use of a coupling agent.例文帳に追加

本発明は、プラズマ処理に用いるプラズマ処理装置の処理室内部の全部または一部の部材にカップリング剤が表面処理されていることを特徴とする半導体の製造方法及びプラズマ処理方法及びその装置である。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus 100, an electromagnetic field is formed in a processing vessel 1 by microwaves radiated into the processing vessel 1 from a planar antenna 31 through a microwave transmission plate 28, and Ar gas and N_2 gas are each plasmatized.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００では、平面アンテナ３１からマイクロ波透過板２８を経て処理容器１内に放射されたマイクロ波により、処理容器１内で電磁界が形成され、ＡｒガスおよびＮ_２ガスがそれぞれプラズマ化する。 - 特許庁

According to this plasma processing method, a chlorine-containing gas containing helium, chlorine, nitrogen, and argon is introduced into a reaction vessel 1 from a gas introduction line 8, and the pressure inside the reaction vessel 1 is made the same as atmospheric pressure or close to it.例文帳に追加

このプラズマ加工方法では、ガス導入ライン８から反応容器１の中にヘリウム、塩素、窒素、アルゴンを含む塩素含有ガスが導入され反応容器１の内部の圧力は大気圧または大気圧近傍の圧力とされる。 - 特許庁

The fiber material forms the coating film 52 of a reaction layer of the silicon carbide on the surface of the carbon fiber 51 by reacting C of the surface of the carbon fiber 51 with Si of SiH4 by performing plasma processing on the carbon fiber 51 in an SiH4 atmosphere.例文帳に追加

繊維材は，カーボン繊維５１をＳｉＨ_4 雰囲気の下でプラズマ処理によってカーボン繊維５１の表面のＣとＳｉＨ_4 のＳｉとが反応してカーボン繊維５１の表面に炭化ケイ素の反応層の皮膜５２が生成される。 - 特許庁

To provide a plasma processing device that can prevent deterioration due to abrasion and formation of particles by preventing members which sections and forms a plasma generation space from coming into direct frictional contact with each other when expanding/contracting.例文帳に追加

プラズマ生成空間を区画形成する部材同士がそれぞれ膨張・収縮の際に直接に摩擦接触させるのを防止して摩耗による劣化及びパーティクルの発生を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma density measuring probe that facilitates determination between surface wave resonance and the resonance excluding the surface wave resonance, and to provide a plasma density measuring device, a plasma processing device, and a plasma density measuring method.例文帳に追加

本発明は、表面波共振と表面波共振以外の共振との判別を容易に行うことができるプラズマ密度測定子、プラズマ密度測定装置、プラズマ処理装置、およびプラズマ密度測定方法を提供する。 - 特許庁

A method for processing the substrate includes the steps of setting the container 10 on a cooling stage 24, introducing a microwave via a cover 15, introducing a reaction gas from a gas valve 17, generating a plasma P therein, and plasma processing the substrate S.例文帳に追加

基板処理容器１０を冷却ステージ２４上にセットし、蓋体１５を介してマイクロ波を導入すると共にガスバルブ１７から反応ガスを導入し、内部でプラズマＰを発生させて基板Ｓに対してプラズマ処理を行う。 - 特許庁

A plasma processing apparatus is provided with measurement means (51A, 53A to 53E, 54) for measuring electric field of a sheath SH, formed on a plasma circumferential edge and a control means (55) for controlling the parameters of plasma generation, based on the measurement results of the measurement means.例文帳に追加

プラズマ周縁に形成されるシースＳＨの電界を計測する計測手段（５１Ａ，５３Ａ〜５３Ｅ，５４）と、この計測手段の計測結果に基づきプラズマ生成のパラメータを制御する制御手段（５５）とを備える。 - 特許庁

By performing Ar/H2 plasma processing before filming the noncrystalline silicon film in continuous three-layer filming, residual gases in a reaction chamber are removed and the concentration of impurity in the noncrystalline silicon film in continuous three-layer filming is reduced.例文帳に追加

３層連続成膜で、非晶質シリコン膜の成膜前にＡｒ／Ｈ_2プラズマ処理を行うことにより、反応室中の残留ガスを取り除き、３層連続成膜時の非晶質シリコン膜中の不純物濃度を減少させる。 - 特許庁

To provide a phase adjusting method, a phase adjusting apparatus, and a plasma processing apparatus which keep a phase change quantity constant at all the time regardless of a change in surrounding temperature, are extremely inexpensive and are superior even with respect to power saving.例文帳に追加

周囲の温度変化に関係なく、常に位相変化量を一定に維持することができるとともに、非常に安価で省エネに対しても優れた位相調整方法及び位相調整装置及びプラズマ加工装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of increasing effective power consumed in a plasma space by lowering the parasitic high-frequency resistance of tuning coils of a matching circuit, and reducing the power loss in the matching circuit.例文帳に追加

整合回路のチューニングコイルの寄生高周波抵抗をより低くして、整合回路における電力損失が少なくし、プラズマ空間で消費される実効的な電力を増加させることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a focus ring capable of improving an in-surface uniformity of a surface and reducing the occurrence of deposition on a backside surface of a peripheral portion of a semiconductor wafer compared to a conventional case, and to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

処理の面内均一性を向上させることができるとともに、半導体ウエハの周縁部裏面側に対するデポジションの発生を従来に比べて低減することのできるフォーカスリング及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of preventing an inner wall surface of a plasma section wall from being etched, suppressing the occurrence of particles and metal contamination, and increasing the amount of radical generated by increasing the electrode area.例文帳に追加

プラズマ区画壁の内壁面がエッチングされることを防止してパーティクルや金属汚染の発生を抑制し且つ、電極面積を増大させてラジカルの発生量を増加させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide magnet arrangement making point-cusp magnetic field for plasma generation that can produce uniform plasma distribution over the whole surface of a wafer so that a uniform processing speed may be realized, and to provide a plasma processing system.例文帳に追加

均一な処理速度を実現することができるようにウエハー表面全体に渡ってプラズマの均一な分布を作ることができるプラズマ生成用ポイントカスプ磁界を作るマグネット配列、およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁