「"plasma- processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

In the manufacturing method, a groove surrounding the semiconductor device is formed by carrying out plasma etching on the surface of the semiconductor substrate by using a plasma processing apparatus 1.例文帳に追加

本発明の製造方法では、プラズマ処理装置１を用いて前記半導体基板の表面をプラズマエッチングすることによって前記半導体素子を取り囲む溝を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which uses an inductive coupling electrode for plasma generation to prevent etching of the inner wall surface of a plasma formation box.例文帳に追加

プラズマ発生のために誘導結合型の電極を用いることにより、プラズマ形成ボックス内の壁面がエッチングされることを防止することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a structure of an electrode for a plasma processing device for controlling electric field intensity distribution by high frequencies consumed for the generation of plasma between parallel flat-plate type electrodes.例文帳に追加

平行平板型の電極間においてプラズマの生成に消費される高周波による電界強度分布を制御するためのプラズマ処理装置用の電極の構造を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus directly checking whether plasma is in a suitable state instead of checking the processed quality of a substrate by processing the substrate.例文帳に追加

基板処理を行って基板の処理品質を調べることなく、プラズマが適正状態になっているかどうかを直接的に調べることが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus using a film thickness measurement method of a processed material capable of accurately measuring an actual residual film amount and/or an etching depth of a processed layer on line.例文帳に追加

被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定することのできる被処理材の膜厚測定方法を用いたエプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of attaining a desired wafer temperature distribution with low power consumption by optimizing a refrigerant circulation amount in a cycle of a direct expansion type cooling system.例文帳に追加

直膨式冷却システムにおけるサイクル内の冷媒循環量を最適化させ、低消費電力にて所望のウエハ温度分布を達成可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus of capacity coupling type capable of forming uniform plasma efficiently, with a high uniformity within field of plasma treatment, and hardly causing charge up damage.例文帳に追加

効率的に均一なプラズマを形成することができ、プラズマ処理の面内均一性が高く、かつチャージアップダメージが生じ難い容量結合型のプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma-processing method, where together with a sample comprising a silicon nitride film, anisotropic and precise dimension, working and superior selectivity with respect to a base-material silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン窒化膜を有する試料の加工において、異方性な寸法精度のよい加工や、下地シリコン酸化膜との選択性に優れたプラズマ処理方法を提供するものである。 - 特許庁

To enable an electronic drive distance to be made infinite, significantly improve the ignitability of plasma, and make better the circumferential directional uniformity of plasma in an induction-type plasma processing device.例文帳に追加

誘導型プラズマ処理装置において、電子の駆動距離を無限大にすることを可能とし、プラズマの着火性を飛躍的に改善し、周方向のプラズマの均一性を良好なものとする。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus 20, plasma is produced from the introduced gas by using electric field energy of the inputted microwaves, and etching of the organic film is carried out by using the produced plasma.例文帳に追加

プラズマ処理装置２０は、投入されたマイクロ波の電界エネルギーを用いて、前記導入されたガスからプラズマを生成し、生成されたプラズマを用いて有機膜をエッチングする。 - 特許庁

To provide an exhaust gas processing method and a plasma processing method and apparatus, which can improve the processing capability of a chemical reaction generating means for processing an unreaction gas or by-product.例文帳に追加

未反応ガスや副生成物を処理する化学反応生起手段の処理能力を向上させることができる排気処理方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The control part 43 changes the chuck voltage according to each process of plasma processing composed of a plurality of processes including an etching process, and in the etching process, applies a high voltage to the electrode plate 25d.例文帳に追加

制御部４３は、エッチング工程を含む複数の工程からなるプラズマ処理の各工程に応じてチャック電圧を変更し、エッチング工程では高電圧を電極２５ｄに印加する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a processing container 1, a stationary base 14, a piping 4, microwave irradiating means 8, 9 and 10, and ultraviolet ray irradiating means 34a, 34e, 16a and 16b.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、処理容器１と固定台１４と配管４とマイクロ波照射手段８、９、１０と紫外線照射手段３４ａ、３４ｅ、１６ａ、１６ｂとを備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of expanding a processing area and of carrying out uniform processing, and allowing design to be easily changed in response to an object of processing.例文帳に追加

処理範囲を大面積化することができると共に、均一な処理を行うことができ、しかも処理対象に応じて容易に設計変更が可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system, having the function for predicting modification of plasma generating conditions by detecting variation in the molecular density of dissociated active species.例文帳に追加

プラズマ中の解離活性種分子の密度の変化を検知し、プラズマを発生させる条件をどのように変更すればよいかを予測する機能を備えたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A first electrode unit 10 and a second electrode unit 20 are arranged in opposition to each other, and a work W is inserted into the plasma processing space 1a of approximate atmospheric pressure formed between the electrodes 11, 21.例文帳に追加

第１電極ユニット１０と第２電極ユニット２０を互いに対向配置させ、電極１１，２１間に形成される略常圧のプラズマ処理空間１ａにワークＷを通す。 - 特許庁

To provide a plasma processing device having excellent productivity by adopting a shower plate excellent in processing, mechanical strength, plasma resistance and maintainability, and a semiconductor device having good characteristics.例文帳に追加

加工性、機械的強度、プラズマ耐性、メンテナンス性に優れたシャワー板を採用することで生産性に優れたプラズマ処理装置、および特性の良好な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Prior to the start of plasma processing, the positions of those respective solenoids 20 to 22 are moved long the rail 27, and the inclination of a magnetic field to be formed in the upper cylindrical part 2a is adjusted.例文帳に追加

そして，プラズマ処理が開始される前に，各ソレノイド２０〜２２の位置をレール２７に沿って移動させ，上部円筒部２ａ内に形成される磁場の勾配を調整する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device and its working method capable of quickly removing reaction product and effecting etching high in uniformity with high speed, in plasma processing employing gas pulse.例文帳に追加

ガスパルスを用いたプラズマ加工において、反応生成物を迅速に除去し、均一性の高いエッチングを高速で行うことができるプラズマ処理装置及び加工方法の提供。 - 特許庁

To provide a plasma processing device facilitating discharge in atmospheric-pressure nitrogen, capable of executing uniform processing in a wide range and of executing low-damage processing to an object, and reduced in processing time.例文帳に追加

大気圧・窒素中の放電が容易で、広範囲で均一な処理ができ、対象物に低ダメージの処理ができ、処理時間が短縮されたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology of minimizing damage on the mounting table surface when cleaning a plasma processing apparatus of a substrate by means of plasma without using a dummy substrate.例文帳に追加

基板に対してプラズマ処理を行う装置についてダミー基板を用いずにプラズマによりクリーニングするにあたり、載置台表面の損傷を抑制することのできる技術を提供すること。 - 特許庁

To easily enable a plasma process which is uniform in the circumferential direction as well as the radial direction in an induction-coupled plasma processing apparatus, while sufficiently suppressing a wavelength effect in a radio frequency (RF) antenna.例文帳に追加

誘導結合型プラズマ処理装置において、ＲＦアンテナ内の波長効果を十全に抑制しつつ、周回方向にも径方向にも均一なプラズマプロセスを容易に実現すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of improving an efficiency of production of plasma products and suppressing damage to an object to be processed due to a light beam emitted from plasma.例文帳に追加

本発明は、プラズマ生成物の生成効率を向上させるとともに、プラズマから放出される光による被処理物の損傷を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which the low resistance of a contact resistance and the reduction of in-plane variance of contact resistance can be established at the same time, and to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

コンタクト抵抗の低抵抗化と、コンタクト抵抗の面内ばらつきの低減とを両立することができる半導体装置の製造方法およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma-processing device capable of reducing generation of particles and elongating the life of a part, even if a high-frequency power is applied to a base for sample mounting.例文帳に追加

試料を載置する載置台に高周波を印加する場合であっても、パーティクルの発生を低減することができ、部品の寿命を長くすることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and an apparatus therefor, which hardly spreads a plasma to a downstream region of a substrate electrode, has a proper power efficiency and allows the maintenance work to be reduced.例文帳に追加

基板電極よりも下流の領域へのプラズマの拡がりが起きにくく、パワー効率が良く、かつ、メンテナンス作業が軽減できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a residue modification processing method of suppressing contamination of a processed substrate with residues sticking in a processing container, and a plasma processing method using the residue modification processing method.例文帳に追加

処理容器内に付着した残渣による被処理基板の汚染を抑制する残渣改質処理方法と、この残渣改質処理方法を用いたプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

In a second process, the processing object is put in a processing container and heated up to the predetermined specified in-plane temperature distribution, and normal plasma processing is carried out.例文帳に追加

載置台に第二の工程では処理容器に処理対象物を入れ、処理対象物を予め定められた特定の面内温度分布まで加熱した後、通常のプラズマ処理を行う。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which is excellent in maintainability, long in service life as a whole, and capable of restraining an abnormal discharge from occurring in a gate space.例文帳に追加

メンテナンス性が高く装置全体としての寿命が長いプラズマ処理装置、さらにはゲート空間における異常放電の発生を抑制したプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To execute uniform plasma processing, without damage to a substrate to be processed by controlling the uniformity of a plasma electron concentration, while suppressing the rise in plasma electron temperature, even under a low-pressure atmosphere.例文帳に追加

低圧雰囲気においても，プラズマの電子温度の上昇を抑えつつ，プラズマ電子密度の均一性を制御し，被処理基板へのダメージのない，均一なプラズマ処理を行う。 - 特許庁

To provide a plasma etching apparatus and a plasma processing method, for uniform etching processes from the central part in a wafer plane to edge part, by solving the problem of degradation in rate in a wafer edge part.例文帳に追加

ウェハエッジ部でのレートの低下を解消し、ウェハ面内の中心部からエッジ部にわたって均一なエッチング加工を可能にするプラズマエッチング装置及び、プラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of forming a strong induction field in a vacuum vessel, and preventing spattering, the temperature rise of an antenna conductor, and generation of particles.例文帳に追加

真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To achieve a longer lifetime of a tray by preventing displacement of a substrate caused by abrasion of the tray accompanying repetition of a plasma treatment, thereby reducing an operational cost of a plasma processing apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理の繰り返しに伴うトレイの削れに起因する基板の位置ずれを防止することでトレイの長寿命化を図り、それによってプラズマ処理装置の運用コストを低減する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus for performing a plasma process on a substrate to be processed using plasma, which prevents the substrate placed on a substrate placement member from being damaged.例文帳に追加

プラズマを用いて被処理基板に対してプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置において、被処理基板載置部材の上に載置された被処理基板に傷が付くことを抑制する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus for generating stable plasma at from high pressure to low pressure by forming an adequate resonance region in a top plate according to plasma conditions.例文帳に追加

プラズマ条件に応じて天板内に最適な共振領域を形成し、高い圧力から低い圧力にわたって安定したプラズマの発生が可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Uniformity in etching characteristics and plasma processing are improved in various applications by appropriately selecting the optimal combination of two DC voltages V_C, V_E.例文帳に追加

これらの２つの直流電圧Ｖ_C，Ｖ_Eの組み合わせを適宜選択することにより、種種のアプリケーションにおいてプラズマプロセスやエッチング特性の均一性を向上させることができる。 - 特許庁

Since the plasma generated between the pair of main electrodes passes through the center of the wafer, rotation of the wafer enables the plasma processing condition in the wafer surface to be uniformalized.例文帳に追加

主電極対間に生成されたプラズマはウエハ中心を貫通した状態になっているので、ウエハを回転させることにより、ウエハ面内でのプラズマ処理状況を均一化できる。 - 特許庁

To provide a plasma processor capable of preventing metallic pollution generated from an earth electrode constituted of a conductive material containing a metal as the earth of plasma generated in a plasma processing room.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、プラズマ処理室中に生成するプラズマのアースとして、金属を含む導体材料で構成されるアース電極から発生する金属汚染を防止する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which is usable to manufacture a color filter having less quality defects such as a white void of ink and color mixing of ink, and the color filter manufactured by using the same method.例文帳に追加

インクの白抜けや、インクの混色といった品質不良の少ないカラーフィルタの製造に利用可能なプラズマ処理方法およびその方法を用いて製造したカラーフィルタを提供する。 - 特許庁

To provide a batch type plasma processing device which has advantages of both a sheet type device and a batch type device and not only has a high throughput, but also can increase the yield of products.例文帳に追加

枚葉式の装置とバッチ式の装置の両者の利点を併せ持ち、スループットが高いのみならず、製品の歩留まりも高くすることが可能なバッチ式のプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, suppressing generation of contamination caused by differences of coefficients of thermal expansion between members constituting an upper electrode when a substrate is processed by using a parallel flat plate type plasma processing equipment.例文帳に追加

平行平板型プラズマ処理装置を用いた基板の処理に際し、上部電極を構成する部材間の熱膨張係数差に起因する異物の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide an asymmetric grounded susceptor (72) used in a plasma processing chamber (40) for chemical vapor deposition onto large rectangular panels (74) supported on and grounded by the susceptor.例文帳に追加

化学蒸着用プラズマ処理チャンバ（４０）に用いる非対称に接地されたサセプタ（７２）であって、サセプタによりサポートされ、接地された大きな矩形パネル（７４）が上にあるものを提供する。 - 特許庁

MICROWAVE ION SOURCE, LINEAR ACCELERATOR SYSTEM, ACCELERATOR SYSTEM, ACCELERATOR SYSTEM FOR MEDICAL USE, HIGH ENERGY BEAM APPLICATION SYSTEM, NEUTRON GENERATING DEVICE, ION BEAM PROCESSING DEVICE, MICROWAVE PLASMA SOURCE, AND PLASMA PROCESSING DEVICE例文帳に追加

マイクロ波イオン源、線形加速器システム、加速器システム、医療用加速器システム、高エネルギービーム応用装置、中性子発生装置、イオンビームプロセス装置、マイクロ波プラズマ源及びプラズマプロセス装置 - 特許庁

To provide a material having excellent characteristics as the microwave transmission window of a plasma processing equipment similar to quartz glass on one hand and especially possessing corrosion resistance to fluorine- containing plasma on the other hand.例文帳に追加

プラズマ処理装置のマイクロ波透過窓として石英ガラスと同様の優れた特性を有する一方、特にフッ素を含むプラズマに対する耐食性を備える材料を提供する。 - 特許庁

Since the wafer temperature variation in the lot can be lowered with simplified manipulations, the plasma processing ensuring very high reproducibility can be attained, even in processings which are particularly influenced by temperature.例文帳に追加

ロット内のウエハ温度変動を容易な操作で低減することができるので、特に温度の影響が大きな処理などでも極めて再現性のよいプラズマ処理を得ることができる。 - 特許庁