「"plasma- processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent a trace amount of scraps chipped off from the surface of a beam-like structure in plasma processing equipment having the beam-like structure for supporting a dielectric board.例文帳に追加

誘電体板を支持する梁状構造物を有するプラズマ処理装置において、梁状構造物表面の微量の削れを高水準で防止する。 - 特許庁

To provide a microwave plasma processing apparatus wherein a transmission path of microwaves is maintained in an appropriate state even after the temperature increases, and to provide a method of supplying the microwaves.例文帳に追加

昇温後においてもマイクロ波の伝送路を適正な状態に保つマイクロ波プラズマ処理装置及びマイクロ波の給電方法の提供。 - 特許庁

The recess is provided in the center of the surface facing a gas introducing means 12, which is provided in the close vicinity of the antenna section 7 and which introduces a gas into the plasma processing chamber.例文帳に追加

この凹部は、アンテナ部７に近接して設けられプラズマ処理室１にガスを導入するガス導入手段１２と対向する面の中央部に設ける。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a projection 52 provided while protruding downward from the lower surface side of the tray 6, and a projection fitting-in hole 53 provided to be recessed downward on a tray mounting surface 5.例文帳に追加

トレイ６の下面側から下方に突出して設けられた突起５２と、トレイ載置面５に下方に窪んで設けられた突起嵌入穴５３を有する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which in-plane uniformity can be enhanced when compared with prior art, and to provide a treatment gas supply structure thereof.例文帳に追加

従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method for processing the surface of a silicon substrate, capable of obtaining a uniform emulsified etching surface by plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理によって均一な白濁状のエッチング面を得ることができるシリコン系基板の表面処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This causes the gate electrode 13 to be electrically connected to the protection diode D1, and thereby charging is evaded thereafter even if it is subjected to a process associated with plasma processing.例文帳に追加

これにより、ゲート電極１３は保護ダイオードＤ１と電気的に接続され、以降、プラズマ処理を伴う工程を経てもチャージングは回避される。 - 特許庁

To improve uniformity and yield of a plasma process by enabling easy and free control of plasma density distribution in a capacitive coupling plasma processing apparatus.例文帳に追加

容量結合型のプラズマ処理装置においてプラズマ密度分布の容易かつ自在な制御を可能とし、プラズマプロセスの均一性や歩留まりを向上させること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that compensates a coil current varying as the coil current revolves on a coil to improve uniformity of generated plasma in a peripheral direction.例文帳に追加

コイル周回に伴い変化するコイル電流を補償し、生成されるプラズマの周方向の均一性を向上させるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of plasma-processing a chalcogen compound semiconductor film containing chalcogen elements that do not cause side etching, in a phase change device manufacturing step.例文帳に追加

相変化デバイスの製造工程において、サイドエッチングを世紀させないカルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜のプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma generating device and a plasma processing device capable of generating plasma capable of enhancing the in-plane uniformity of the processing of a processed object.例文帳に追加

被処理物の処理の面内均一性を高め得るプラズマを生成することができるプラズマ発生装置及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the IPA molecules contained in the thin film are selectively removed by plasma processing using an ammonia gas to form pores uniformly in the thickness direction.例文帳に追加

さらに、アンモニアガスを用いたプラズマ処理により、薄膜中に含まれるＩＰＡ分子を選択的に脱離させて、厚さ方向に均一な空孔を形成する。 - 特許庁

To provide high processing effect without increasing flow of process gas supplied to a discharge space of counter electrodes in remote-type plasma processing.例文帳に追加

リモート方式のプラズマ処理において、対向電極の放電空間に供給する処理ガスの流量を多くしなくても高い処理効果が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of easily controlling the plasma electronic energy distribution in accordance with the kind of dissociated gas molecules or its dissociation energy.例文帳に追加

解離させるガス分子の種類やその解離エネルギーに応じてプラズマの電子エネルギー分布を容易に制御することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of plasma-processing a chalcogen compound semiconductor film containing chalcogen elements, not causing the side etch, in a phase change device manufacturing method.例文帳に追加

相変化デバイスの製造工程において、サイドエッチングを世紀させないカルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜のプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

In a plasma reaction vessel for plasma processing provided with a Faraday shield arranged between an inductive coil and a dielectric, the Faraday shield and the dielectric are integrally formed.例文帳に追加

誘導コイルと誘電体との間にファラデーシールドが設けられたプラズマ処理用のプラズマ反応容器において、ファラデーシールドを誘電体と一体的に形成する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a plasma reactor having a fan type electrode reciprocally arranging a ground side electrode and a high pressure side electrode in feather shape.例文帳に追加

接地側電極と高圧側電極とを交互に羽状に配置したファン型電極を有するプラズマリアクタを有するプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor layer 16 is subjected to plasma processing using gas containing a dopant to increase an impurity concentration of a surface layer 18 of the semiconductor layer 16.例文帳に追加

半導体層１６に対して、ドーパントを含有するガスによるプラズマ処理を行って、半導体層１６の表層１８の不純物濃度を高める。 - 特許庁

The photoresist pattern 6 on a methyl polysiloxane film which is a low dielectric constant insulation film is removed, using a gas consisting of oxygen and nitrogen in a plasma processing.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜であるメチルポリシロキサン膜５上のフォトレジストパターン６を、酸素および窒素を含むガスを用いたプラズマ処理により剥離する。 - 特許庁

To provide a method for plasma processing in which a tape-like substrate is stably and efficiently plasma-processed.例文帳に追加

テープ状基板を安定して効率よくプラズマ処理できるテープ状基板のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a plasma leak preventing plate of plasma processing system in which plasma generated in a processing chamber can be prevented effectively from leaking to the outside of the processing chamber.例文帳に追加

処理室で発生したプラズマが処理室外に漏洩するのを有効に防止することができるプラズマ処理装置のプラズマ漏洩防止板を提供する。 - 特許庁

To provide a high frequency coil arrangement which supplies high frequency energy efficiently even to a large area in an induction coupling plasma processing apparatus.例文帳に追加

誘導結合プラズマ処理装置において、大きな面積であっても効率的に高周波エネルギーを供給する高周波コイル配置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus coping with variations in a plasma density generated by various causes and having high controllability over the variations in the plasma density.例文帳に追加

種々の要因により発生した揺らぎについて対応でき、またプラズマ密度の揺らぎに対して高い制御性を持つプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which throughput is enhanced by shortening the time required for supplying inert gas to the lower surface of a substrate until a specified pressure level is reached.例文帳に追加

基板下面に不活性ガスを所定圧力に達するまで供給する時間を短縮させてスループットを向上させたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology of eliminating an alteration layer including SiC formed on the surface of silicon by plasma processing while minimizing erosion to the silicon surface.例文帳に追加

プラズマ処理によりシリコン表面に形成される、ＳｉＣを含む変質層を、シリコン表面の侵食を最小限に抑止しながら除去する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which corrects the deformation of a voltage waveform in a convenient method due to capacitive elements, etc. connected in series to a substrate under processing.例文帳に追加

被処理基板と直列に接続された容量性素子等による電圧波形の変形を、簡便な方法で補正するプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a self-bias control device and a plasma processing device controlling a self-bias without giving influence on plasma density.例文帳に追加

本発明は、プラズマ密度に影響を与えることなくセルフバイアスの制御をすることができるセルフバイアス制御装置およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system, which restricts the effects of transition resume particularly relating to pressure changes of fluids during various types of switching of feedstreams.例文帳に追加

様々な供給流路の切り替え中の流体の圧力の変化に特に関連した移行レジームの影響を制限するプラズマ処理システムの提供。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus for suppressing the occurrence of plasma discharge in a gas introduction piping and a gas introduction hole, and for preventing contaminants from adhering thereto.例文帳に追加

ガス導入配管内部及びガス導入孔でのプラズマ放電の発生を抑制し、汚染物質の付着を防止するプラズマ処理装置を与える。 - 特許庁

The gas is processed by introducing the gas to be processed into the plasma processing chamber 1b in which plasma is generated by inducing the discharge between the electrodes.例文帳に追加

電極間に放電を誘起させてプラズマ処理室内にプラズマを生成した状態で、被処理ガスをプラズマ処理室内に導入して、ガスの処理を行う。 - 特許庁

Consequently, the chamber can improve plasma processing performance by concentrating more of the RF output in the region between the two electrodes.例文帳に追加

結果的に、発明は２電極間の領域にＲＦ出力をより集中させることによって、プラズマ処理能力を向上することが可能である。 - 特許庁

To provide a method of processing a substrate and method of manufacturing a semiconductor chip where an etching mask is formed at low cost by my means of a plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理を用いたエッチングのためのマスクを低コストで形成することができる基板の加工方法および半導体チップの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which plasma density distribution inside a vacuum vessel can be made uniform and etching of the inner wall surface of the vacuum vessel can be prevented.例文帳に追加

真空容器内のプラズマ密度分布の均一化を図り得ると共に、真空容器の内壁面のエッチングを防止し得るプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To prevent the space between intermediate parts in the longitudinal direction of a pair of elongated electrodes of a plasma processing device from becoming narrow due to the Coulomb force, etc.例文帳に追加

プラズマ処理装置の一対の長尺電極の長手方向の中間部どうし間の間隔がクーロン力等によって狭くなるのを防止する。 - 特許庁

On the other hand, either a catalyst CVD method or a hydrogen plasma processing method is preferably employed in the process for irradiating hydrogen against the surface of the silicon substrate.例文帳に追加

一方、シリコン基板の表面に水素を照射する工程においては、触媒ＣＶＤ法または水素プラズマ処理法を用いることが好ましい。 - 特許庁

The plasma processing system includes an electron source electrode, where direct current (DC) power is coupled to generate a ballistic electron beam in etching a substrate.例文帳に追加

基板のエッチング中に弾道電子ビームを生成するために、プラズマ処理システムは、直流（ＤＣ）電力が結合される電子源電極を含んでいる。 - 特許庁

The microwave plasma processing apparatus 10 excites gas by electric field energy of microwaves emitted from a radial line slot antenna 205 in order to perform plasma treatment of a substrate G.例文帳に追加

マイクロ波プラズマ処理装置１０は、ラジアルラインスロットアンテナ２０５から放出されたマイクロ波の電界エネルギーによりガスを励起させ、基板Ｇをプラズマ処理する。 - 特許庁

To obtain a magnetron plasma processing apparatus and a processing method, where plasma can be uniformly formed in a processing space, even if a work substrate is large.例文帳に追加

被処理基板が大型の場合にも処理空間に均一なプラズマを形成することができるマグネトロンプラズマ処理装置および処理方法を提供すること。 - 特許庁

While carrying out plasma processing before coating of an organic layer, heat treatment of about 200°C order or less is performed to this substrate 18 with electrodes by a heater 24.例文帳に追加

この電極付き基板１８には、有機層を成膜する前にプラズマ処理と共に、ヒータ２４により２００℃程度以下の加熱処理が施される。 - 特許庁

The microwave plasma processing device has a waveguide 30 having a branch portion BP, a slot antenna having a plurality of slots, a dielectric window, and a processing chamber.例文帳に追加

マイクロ波プラズマ処理装置は、分岐部分ＢＰを有する導波管３０、複数のスロットを有するスロットアンテナ、誘電体窓および処理室を有している。 - 特許庁

The first plasma creates a pre-coat residual film on surfaces in the plasma processing chamber, and the etch resistance of the substrate material is substantially maintained.例文帳に追加

そして、プラズマ処理チャンバ内で、第一プラズマが表面にプレコート残留膜を形成し、基材のエッチング耐性を実質的に維持することを特徴とする。 - 特許庁

To provide plasma processing technology which can generate large-area plasma in high reproducibility and therefore can use inexpensive plasma source applicable for wide application.例文帳に追加

大面積のプラズマを再現性良く生成することができ、これにより幅広い用途に適用可能な安価なプラズマソースを用いたプラズマ処理技術を提供する。 - 特許庁

The high frequency electrode 11 has been etched using plasma generated between the high frequency electrode 11 and the counter electrode in the equipment for plasma processing.例文帳に追加

高周波用電極１１は、プラズマ処理装置内で、高周波用電極１１と対向電極との間に生成したプラズマを用いて、エッチングされている。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus wherein gas is hard to accumulate in a processing space and fresh processing gas can be always supplied to a substrate to be processed.例文帳に追加

処理空間にガスが滞留し難く、被処理基板に常に新鮮な処理ガスを供給することが可能なプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The activated carbon can be obtained by conducting a low-temperature fluorine compound plasma processing to an activated carbon obtained by carbonizing and activating a carbonaceous material.例文帳に追加

かかる活性炭は、炭素質材料を炭化し賦活して得た活性炭を低温フッ素化合物プラズマ処理することによって得ることができる。 - 特許庁