「"plasma- processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

A film substrate 13a with ink peelability is manufactured by plasma processing a peelable film substrate 13 at an atmospheric plasma part 110.例文帳に追加

剥離性を有するフィルム基材１３を大気圧プラズマ部１１０にてプラズマ処理して、インキ剥離性を有するフィルム基材１３ａを作製する。 - 特許庁

The neutral particle beam is generated by generating a negative ion by plasma processing of the gas and neutralizing the negative ion and collimated via an orifice board 4 wherein an orifice 4a is formed.例文帳に追加

中性粒子ビームは、上記ガスをプラズマ化することにより負イオンを生成し、この負イオンを中性化することにより生成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device of a small size, in which a treating face of a workpiece can be locally and continuously plasma-processed stably.例文帳に追加

小型で、ワークの被処理面を局所的かつ連続的に安定してプラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and apparatus whereby cleaning is performed dependent on the degree of pollution, and to provide a program and data storing medium.例文帳に追加

汚れ度合いに応じてクリーニングを施すことができるプラズマ処理方法、プラズマ処理装置、プログラムおよび情報記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a technique capable of effecting a uniform etching process upon applying plasma processing or etching processing, for example, on a workpiece.例文帳に追加

被処理体に対してプラズマ処理例えばエッチング処理を行うにあたり、均一なエッチング処理を行うことができる技術を提供すること。 - 特許庁

Head constituent members 21-23 including the electrode 23 of the processing head 20 of this plasma processing device M are connected together by the resin bolts 30.例文帳に追加

プラズマ処理装置Ｍの処理ヘッド２０の電極２３をはじめとするヘッド構成部材２１〜２３を、樹脂製のボルト３０で連結する。 - 特許庁

To provide a useful polymer at a low cost by subjecting the surfaces of a polymer to plasma processing with atmospheric pressure-glow discharge under a pressure near the atmospheric pressure.例文帳に追加

ポリマーの表面に、大気圧近傍の圧力下での大気圧グロー放電プラズマ処理することにより、有用なポリマーを安価に提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method in which a large amount of nitrogen is not introduced into a silicon oxide film and a dangling bond is prevented from being generated.例文帳に追加

窒素がシリコン酸化膜の内部にまで大量に導入せずまた、ダングリングボンドが発生するのを防止するプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus continuously processing the whole surface of a resin coated part of an electric wire and preventing metal pollution.例文帳に追加

電線などの樹脂被覆部の表面全体を連続して処理できると共に、金属汚染が防止できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing deposition of particles to a semiconductor wafer even in a plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理を行う場合であっても、半導体ウェハ上へのパーティクルの付着を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

PLASMA PROCESSING APPARATUS, METHOD FOR ESTIMATING ITS PERFORMANCE AND MAINTAINING IT, AND SYSTEM FOR MANAGING AND CONFIRMING ITS PERFORMANCE例文帳に追加

プラズマ処理装置の性能評価方法、保守方法、及び性能管理システム、並びにプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の性能確認システム - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of accurately detecting the endpoint of cleaning of a magnetic neutral line discharge (NLD) plasma etching apparatus.例文帳に追加

磁気中性線放電（ＮＬＤ）プラズマエッチング装置のクリーニングの終点を制度良く検出することが可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To uniformly execute plasma processing in the width direction, without fluctuations, and moreover to easily manufacture a reaction vessel at a low cost.例文帳に追加

幅方向でプラズマ処理をムラなくほぼ均一に行なうことができ、しかも、反応容器を簡単に安価に作製することができるようにする。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can improve processing efficiency by accelerating temperature change of a wafer, thereby improving precision of temperature adjustment.例文帳に追加

ウエハの温度の変化を高速化し温度の調節の精度を向上して処理の効率を向上できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus comprises an electrode ring, having a larger diameter than that of an electrode for mounting a substrate and disposed on the periphery of the substrate in an evacuated tank.例文帳に追加

真空槽内に、基板を搭載する電極の径に比べ、径の大きな電極リングを、基板周囲に配置することで解決できる。 - 特許庁

The preliminary reaction plasma processing chamber is constituted so as to generate reaction radicals, by subjecting to chemical reaction based on the plasma of a reaction substance.例文帳に追加

予備反応プラズマ処理チャンバは、反応物質のプラズマに基づく化学反応を行って反応基を生成するように構成されている。 - 特許庁

To realize a high throughput capacity (a high processing speed) in a plasma processing, even if the dielectric constant of a solid dielectric to be fitted onto the surface of an electrode is low.例文帳に追加

電極表面に設ける固体誘電体の誘電率が低くても、プラズマ処理において高い処理能力（処理速度）を実現する。 - 特許庁

Alternatively, the stand 10 is applied to a plasma processing apparatus 100, and adhesive force of the protective layer 3 is varied using ultraviolet light when plasma is generated.例文帳に追加

また、載置台１０をプラズマ処理装置１００に適用し、プラズマ発生時の紫外光を用いて、保護層３の粘着力を可変とする。 - 特許庁

Consequently uniform microwaves can be supplied to a plasma processing room and the microwave plasma processor of high quality can be provided.例文帳に追加

これにより、プラズマ処理室に均一なマイクロ波を供給することができるようになり、高品質なマイクロ波プラズマ処理装置とすることができる。 - 特許庁

A dielectric member 60 is arranged on a discharge surface 42 facing an electric field applied electrode 30 of the earth electrode 40 of the plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ処理装置の接地電極４０における電界印加電極３０を向く放電面４２上に誘電部材６０を配置する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of processing a sample to be processed stably for a long period by reducing damage to a processing chamber wall surface.例文帳に追加

処理室壁面の損傷を少なくし、長期間安定して被処理対象の試料を処理できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

This plasma processing device has a high-impedance formation circuit 38 to increase the impedance of a load circuit of a high-frequency power application part 39.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、高周波電力印加部３９の負荷回路のインピーダンスを大きくするための高インピーダンス化回路３８を有する。 - 特許庁

To provide a slot antenna type microwave plasma processing device for controlling electric field distribution in the vicinity of a slot antenna and uniformly controlling plasma to be generated.例文帳に追加

スロットアンテナ方式のマイクロ波プラズマ処理装置において、スロットアンテナ付近の電界分布を制御し、生成するプラズマを均一に制御する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device efficiently supplying energy of microwaves to a processing vessel even if it is provided with a plurality of microwave sources.例文帳に追加

複数のマイクロ波源を備えた場合も，処理容器にマイクロ波のエネルギーを効率的に供給できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A resistor region 20 is formed by processing a region immediately below the p-type pad 24 in the surface of the p-type nitride layer 18 through plasma processing.例文帳に追加

ｐ型窒化物層１８の表面のうち、ｐ型パッド２４直下の領域をプラズマ処理することで抵抗領域２０を形成する。 - 特許庁

To provide plasma processing equipment that suppresses damages to a processing chamber that causes contamination over samples and mixing of foreign matter with improved operating ratio.例文帳に追加

試料への汚染及び異物混入の原因となる処理室の損傷を抑制し、稼働率の向上したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To effectively suppress radiant heat from a cover covering a holding sheet to a substrate in plasma processing which is performed to the substrate held by the holding sheet.例文帳に追加

保持シートに保持された基板を対象とするプラズマ処理において、保持シートを覆うカバーから基板への輻射熱を効果的に抑制する。 - 特許庁

Hereby, the multilayer board can be cooled at the time of plasma processing, and only the smear can be removed efficiently without burning the multilayer board.例文帳に追加

これによりプラズマ処理時に多層基板を冷却することができ、多層基板を焼損せずスミアのみを効率的に除去することができる。 - 特許庁

To the exposed surfaces of the insulating film, the copper wiring, and the copper post provided on the semiconductor substrate; plasma processing is performed using nitride-based gas.例文帳に追加

半導体基板上に設けられている絶縁膜、銅配線及び銅ポストの露出面に対して、窒素系ガスを用いて、プラズマ処理する。 - 特許庁

To provide a resin member with high plasma resistance to be used inside a plasma processing device for a manufacturing process of semiconductors, flat panel displays and the like.例文帳に追加

本発明は、半導体やフラットパネルディスプレー等の製造プロセスのプラズマ処理装置内で用いるプラズマ耐性が高い樹脂部材を提供する。 - 特許庁

To efficiently and optionally control a plasma density profile in doughnut-shaped plasma formed in a chamber in inductively coupled plasma processing.例文帳に追加

誘導結合型のプラズマ処理においてチャンバ内に形成されるドーナツ状プラズマ内のプラズマ密度分布を効率よく任意に制御すること。 - 特許庁

To provide a method for plasma processing in a semiconductor substrate, capable of effectively cleaning on a lower electrode or around the lower electrode.例文帳に追加

下部電極上あるいは下部電極周辺のクリーニングを効率的に行うことができる半導体基板のプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

This relates to a plasma processing method in which this plasma 3 is blown from between the mutually facing electrodes 1, 1 and supplied to an object 4 to be processed.例文帳に追加

このプラズマ３を対向する電極１、１の間から吹き出して被処理物４の表面に供給するプラズマ処理方法に関する。 - 特許庁

To obtain good seal performance between a plasma space and its outside, over a long period in an ECR(electron cyclotron resonance) plasma processing unit.例文帳に追加

例えばＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマ処理装置において、長期間に亘ってプラズマ空間と外部との間の高いシール性を得ること。 - 特許庁

According to an embodiment, the plasma processing apparatus includes a first electrode, a second electrode, a dielectric member, and a relative permittivity control unit.例文帳に追加

実施形態によれば、第１電極と、第２電極と、誘電体部材と、比誘電率制御部と、を備えたプラズマ処理装置が提供される。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus capable of performing stable plasma-processing even for a large substrate by suppressing thermal deformation of a ridge electrode and the substrate.例文帳に追加

リッジ電極および基板の熱変形を抑制し、大型の基板にも安定したプラズマ処理が行える真空処理装置を提供する。 - 特許庁

The substrate electrode 11 of a plasma processing unit comprises a parent material 22 of aluminum, and an oxidation film 23 formed thereon.例文帳に追加

プラズマ処理装置の基板電極１１は、アルミニウムからなる母材２２と、この母材２２の表面に形成された酸化皮膜２３とを備える。 - 特許庁

A metal film 104 having a barrier film 106 is subject to an oxygen plasma processing to form an oxide film 110 on the surface of the barrie film 107.例文帳に追加

バリヤー膜１０６を有する金属膜１０４に対して酸素プラズマ処理を行い、バリヤー膜表面に酸化物膜１１０を形成する。 - 特許庁

To cool a tray with high efficiency in a plasma processing apparatus which arranges the tray housing a substrate in a substrate housing hole on a substrate susceptor.例文帳に追加

基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、トレイを高効率で冷却する。 - 特許庁

To provide a protective member for the wafer up-down device of a plasma processing device, where the protective member is excellent in plasma resistance and can be stably used for many hours.例文帳に追加

耐プラズマ性に優れ、長時間に亘って安定使用が可能なプラズマ処理装置のウエハ昇降装置の保護部材を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of reducing sparse and dense micro-loading in a pattern where the dense space width is 20 nm or less.例文帳に追加

本発明は、密部スペース幅２０ｎｍ以下のパターンにおいて、疎密マイクロローディングの低減を可能とするプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma-processing apparatus capable of controlling an abnormal discharge produced between an insulating plate and a supporting frame component for supporting the insulating plate.例文帳に追加

絶縁板とこれを支持する支持枠部材との間の異常放電の発生を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A discharge space 91 is formed by using the lower surface of the electrode 30 of a plasma processing device M as a discharge surface, and plasma treatment is applied to an object W to be processed.例文帳に追加

プラズマ処理装置Ｍの電極３０の下面を放電面として放電空間９１を形成し、被処理物Ｗをプラズマ処理する。 - 特許庁

To provide a device structure capable of stabilizing processing condition of a workpiece by stabilizing a generating condition of plasma in a plasma processing apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、プラズマの発生状態を安定化させることにより、ワークの処理状態の安定化を図ることのできる装置構造を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which is capable of monitoring and controlling the state of plasma with high accuracy even when the external surface of the device varies in temperature.例文帳に追加

装置外表面の温度が変化した場合でも、高精度にプラズマ状態をモニタして管理することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁