「"plasma- processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plasma processing method and a post-treating method which can prevent etching not only in a processing chamber but also in a carrier system certainly.例文帳に追加

処理チャンバー内だけでなく、搬送システムにおける腐食も確実に防止できるようなプラズマ処理方法および後処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a metal oxide thin film capable of forming a thin film being reduced in the variation of surface resistance or the like, by using a plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理を用いることにより、表面抵抗等のばらつきが少ない薄膜形成が可能な金属酸化物薄膜の製膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which can process a large number of workpieces in parallel and can make the number of a required operation cycle to be minimum.例文帳に追加

多数の工作物を並行して加工することができ、かつ必要な操作サイクルの数を最小にすることのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system where sticking of deposits to the inner wall of a chamber or a in-chamber member, such as an insulator, can be prevented.例文帳に追加

チャンバ内壁や絶縁体等のチャンバ内部材への堆積物の付着を有効に防止することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that can highly efficiently generate high-density plasma, even when the apparatus processes an object to be processed has a large area.例文帳に追加

大面積の被処理体を処理する場合であっても、高効率で且つ高密度のプラズマを生成することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that can highly efficiently generate high-density plasma, even when the device processes an object to be processed has a large area.例文帳に追加

大面積の被処理体を処理する場合であっても、高効率で且つ高密度のプラズマを生成することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A plasma processing method of a sapphire substrate comprises executing plasma processing on a sapphire substrate, on which a mask pattern is formed by a resist film arranged on a surface, by using a mixed gas obtained by mixing a CH_2F_2 gas with a BCl_3-based gas to form, on the surface of the sapphire substrate, an uneven structure corresponding to the mask pattern.例文帳に追加

サファイア基板のプラズマ処理方法において、表面に配置されたレジスト膜によりマスクパターンが形成されたサファイア基板に対して、ＢＣｌ_３が主体のガスにＣＨ_２Ｆ_２ガスを混合した混合ガスを用いてプラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する。 - 特許庁

The manufacturing apparatus for manufacturing the semiconductor device from an object to be molded includes a molding die 142 which clamps the object to be molded for injection of molten resin, for molding, and an atmospheric pressure plasma processing apparatus 160 which reforms a parting surface of the molding die 142 to have hydrophobic property by atmospheric pressure plasma processing.例文帳に追加

被成形品から半導体装置を製造する製造装置は、前記被成形品を型締めして溶融樹脂を注入して成形する成形金型１４２と、大気圧プラズマ処理によって成形金型１４２のパーティング面を疎水性に改質する大気圧プラズマ処理装置１６０と、を有する。 - 特許庁

The plasma processing method includes the steps of: preparing a silicon substrate where a silicon oxide film is formed; performing plasma processing by introducing nitrogen gas on the silicon oxide film to generate plasma; and nitrifying an upper part of the silicon oxide film with the plasma to change the upper part of the silicon oxide film into a silicon nitride film.例文帳に追加

シリコン酸化膜が形成された前記シリコン基板を準備する工程と、前記シリコン酸化膜上に窒素ガスを導入してプラズマを生成して該プラズマ処理する工程と、前記シリコン酸化膜の上部を前記プラズマにより窒化して、該シリコン酸化膜の上部をシリコン窒化膜に変化させる工程とを有する。 - 特許庁

This plasma processing device is equipped with an electrode 5 and an electrode 31 disposed almost face to face with each other with a plasma processing space 15 held between them, an electrode 6 disposed face to face with the electrode 5 with a gas passage 26 held between them, and an electrode 31 disposed face to face with the electrode 31 with the gas passage 28 held between them.例文帳に追加

プラズマ処理空間１５を挟んで略対向対置されている電極５および電極３１と、電極５に対してガス流路２６を挟んで対向配置されている電極６と、電極３１に対してガス流路２８を挟んで対向配置されている電極３２とを備える。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes: a reaction chamber for generating plasma and applying plasma processing to an object to be processed; an extract section for extracting an emission amount from the plasma; and a control section for variably controlling one of groups of parameters used for controlling the plasma on the basis of the emission amount within a predetermined range of processing conditions to control the state of the plasma.例文帳に追加

プラズマを発生し、被処理物をプラズマ処理する反応チャンバと、前記プラズマからの発光量を抽出する抽出部と、予め定められた処理条件の範囲内で、前記発光量に基づいて前記プラズマ密度をするパラメータ群の一つを可変制御してプラズマ状態を制御する。 - 特許庁

The plasma processing device for performing plasma processing of a test piece by generating plasma inside a vacuum processing chamber 1 is provided with a plurality of groups (7, 7') of high frequency induction antennas for forming an induction electric field which rotates clockwise on an ECR face of a magnetic field formed in the vacuum processing chamber 1, and plasma is generated by an electron cyclotron resonance (ECR) phenomenon.例文帳に追加

真空処理室１内にプラズマを生成して試料をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、真空処理室１内に形成される磁場のＥＣＲ面に右回転する誘導電場を形成する高周波誘導アンテナを複数組（７、７’）設け、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象によりプラズマを生成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and a plasma processing method by which plasma discharging can be maintained regardless of whether or not the process object body is facing an applying electrode and the surface of the process object body can be uniformly processed by plasma discharging regardless of the existence of a conductive pattern formed on the process object body.例文帳に追加

被処理体が印加電極に対面しているかいないかに関わらずプラズマ放電を持続できるとともに、被処理体上に形成されている導電性パターンの有無に関わらずプラズマ放電により被処理体の表面を均一に処理することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent the blocking of a discharge hole for processing gas formed in a second gas supply member disposed at a lower place in a plasma processing device with a two-stage shower.例文帳に追加

２段シャワーを備えたプラズマ処理装置において、下方に配置された第２のガス供給部材に形成された処理ガスの吐出孔の閉塞を回避する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which particles can be removed with less detrimental effects in simple structure and its method for removing particles.例文帳に追加

プラズマ処理への悪影響少なくかつ簡易な構成でパーティクル除去を行なうことが可能なプラズマ処理装置およびそのパーティクル除去方法を提供すること。 - 特許庁

The plasma processing apparatus comprises a process chamber 101, a pressure measurement equipment 401 that measures the pressure inside the process chamber 101, and a pump 403 that ejects gas inside the process chamber 101.例文帳に追加

プロセスチャンバー１０１と、プロセスチャンバー１０１内の圧力を測定する圧力測定器４０１と、プロセスチャンバー１０１内のガスを排出するポンプ４０３とを備える。 - 特許庁

The plasma processing control part 17 performs control, for example, such as changing the impressing voltage of a plasma generating power supply 14 based on the obtained plasma variation information.例文帳に追加

プラズマ処理制御部１７は、取得したプラズマ変化情報に基づいて、例えば、プラズマ生成用電源１４の印加電圧を変化させる等の制御を行う。 - 特許庁

When performing plasma processing, the coil 7 for plasma generation is activated after the inside of vacuum container 3 is replaced by a gas, and bias voltage potential is applied to the holding means 2.例文帳に追加

プラズマ処理を行う場合は、真空容器３内をガス置換した後にプラズマ発生用コイル７を作動させ、保持手段２にバイアス電位を負荷し、プラズマを発生させる。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and a method therefor, which are capable of processing a specimen uniformly by applying a prescribed temperature distribution to the surface of the specimen.例文帳に追加

試料表面をより所定の温度分布を付与することにより試料を均一に処理することのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

Both ends of the plasma processing head 20 are placed on the supports 70 respectively and the head 20 is bridged between the paired supports 70 so as to cover the conveyer 10.例文帳に追加

そして、プラズマ処理ヘッド２０の両端部をヘッド支持台７０に載置し、プラズマ処理ヘッドをローラコンベアに被さるように一対のヘッド支持台の間に架け渡す。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of reducing foreign matters inside an inner side chamber and executing stable fine work over a long period of time in the processing chamber of a double structure.例文帳に追加

二重構造の処理チャンバにおいて、内側チャンバ内の異物を低減でき、長期にわたり安定した微細加工が可能であるプラズマ処理装置とする。 - 特許庁

To attain suppression of particles due to peeling of a reactive product from a chamber inner wall and stabilization of an in-chamber atmosphere by simple control and structure in a plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、チャンバ内壁からの反応生成物の剥離によるパーティクルの抑制とチャンバ内雰囲気の安定化を、簡易な制御と構成で実現する。 - 特許庁

The system further comprises a factory interface coupled with the workpiece carrier and carrying the workpiece to/from a factory environment on the outside of the plasma processing system.例文帳に追加

前記システムは、前記プラズマ処理システムの外部のファクトリ環境との間でワークピースを搬送する、前記ワークピース搬送装置に結合されたファクトリインタフェースをさらに備えている。 - 特許庁

To provide a plasma generating device and a workpiece processing device capable of improving plasma processing efficiency while restraining a plasma generating mechanism from getting larger or more complex.例文帳に追加

プラズマ発生機構の大型化や複雑化を抑制しつつプラズマ処理効率を向上させることが可能なプラズマ発生装置及びワーク処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which is scarcely broken even when it is subjected to a local stress, and wherein even when it is broken, damage is scarcely done to the inside of the vacuum vessel.例文帳に追加

局所的応力がかかった場合にも破損し難く、たとえ破損した場合にも真空容器内が損傷を被り難いプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To prevent plasma flow-derived deposits depositsed on an annular rib for droplet capture in a plasma processing device from falling in a plasma generation unit and causing a short circuit.例文帳に追加

プラズマ処理装置におけるドロップレット捕獲用の環状リブ上に形成されたプラズマ流由来の堆積物が、プラズマ発生部へ落下して短絡を起こすことを防止する。 - 特許庁

To provide a plasma abnormal discharge diagnosis method by which a plasma processing apparatus needs no many sensors and which is high in accuracy, and to provide a plasma abnormal discharge diagnosis system.例文帳に追加

プラズマ処理装置に多くのセンサを備える必要がなく、精度の高いプラズマ異常放電診断方法及びプラズマ異常放電診断システムを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and device that can improve uniformity of the processing, between the substrates in the continuous process by securing steadily the stability of plasma discharge.例文帳に追加

確実にプラズマ放電の安定を得ることで、連続処理中における基板間の処理の均一性を向上できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing section is provided with a linear opening 16b for blowing out fluorine based plasma gas, and a diffuser 35 for widening the irradiation width of the linear opening.例文帳に追加

プラズマ処理部は、プラズマ化したフッ素系ガスを吹き出すライン状の吹き出し口１６ｂを備えており、吹き出し口の照射幅を広げる拡散板３５を備える。 - 特許庁

To provide a plasma accelerator which can not only efficiently accelerate travelling speed of a plasma beam but is easy to produce and compose, and a plasma processing system equipped with the plasma accelerator.例文帳に追加

プラズマビームの移動速度を効率よく高められるのみならず、作製及び構成が簡単なプラズマ加速装置及び該装置を備えるプラズマ処理システムを提供する。 - 特許庁

To provide a chuck assembly that reduces damage to the film quality of a wafer backside due to plasma during a high density plasma processing, and a high density plasma device using same.例文帳に追加

高密度プラズマ工程中のプラズマによるウエハ裏の膜質ダメージを減少することができるチャックアセンブリ及びそれを用いた高密度プラズマ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device in which uniform plasma is generated by forming streamer discharge stably, and further, upsizing and cost increase of the device is suppressed.例文帳に追加

安定してストリーマ放電を生成して均一なプラズマを生成することができ、しかも装置の大型化や高コスト化を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Furthermore, by covering an inside wall of a transport pipe with reaction products, such as aluminum fluoride in advance, changes with the passage of time in the plasma processing rate can be repressed.例文帳に追加

また、輸送管の内壁に、フッ化アルミニウムなどの反応生成物を予め被覆しておくことにより、経時的なプラズマ処理速度の変動を抑えることができる。 - 特許庁

In a first plasma processing, the gas containing such a hydrofluorocarbon as CHF_3, CH_2F_2, CH_3F is used to form deposition substances D at least on the side walls of a groove 110.例文帳に追加

第１のプラズマ処理では、ＣＨＦ_３、ＣＨ_２Ｆ_２、ＣＨ_３Ｆ等のハイドロフルオロカーボンを含むガスを用い、溝部１１０の少なくとも側壁に堆積物Ｄを形成する。 - 特許庁

To provide plasma processing equipment that changes the temperature of a sample block or sample placed on it in a broad scope, for a short time, to have the efficiency in processing improved.例文帳に追加

試料台またはその上に配置された試料の温度を広い範囲で短時間に変化させ処理の効率を向上させたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In a parallel flat plate plasma processing apparatus, before ignition of a plasma, such a bias at a frequency at which the plasma is not ignited is applied to an electrode which holds a substrate to be processed.例文帳に追加

平行平板型プラズマ処理装置において、プラズマの点火より前に、被処理基板を保持する電極に、プラズマが点火しないような周波数のバイアスを印加する。 - 特許庁

Here, before the second photoresist pattern 110 is removed, the semi-insulating GaAs substrate 101 is subjected to a plasma processing in an H_2S-containing atmosphere in order to stabilize the surface of the gate recess 111 with sulfur.例文帳に追加

ここで、ゲートリセス１１１を硫黄で表面安定化するため、第２のフォトレジストパターン１１０を除去する前にＨ_２Ｓを含む雰囲気下でプラズマ処理を加える。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of generating various plasma by one device and providing various surface treatment to a substrate to improve a manufacturing efficiency.例文帳に追加

一台で各種のプラズマを発生でき、基板に対して各種の表面処理を可能にし、生産効率を向上させることのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The processing chamber 5 is equipped with movable chambers 6 and 11, and the movable chambers 6 and 11 are each brought into close contact with the transfer trays 2 to form plasma processing chambers 7 and 12.例文帳に追加

処理室５には複数の可動チャンバー６，１１を備え、可動チャンバー６，１１と搬送トレー２とを密着させることで複数のプラズマ処理室７，１２を構成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for plasma processing which can prevent reaction products from sticking on a dielectric plate, reduce loss, and ensure uniformity of the processing.例文帳に追加

誘電板への反応生成物の付着を防止し、かつ損失を低減するとともに処理の均一性を確保できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can efficiently remove attached substances even in an area within a processing chamber that is hard to be exposed to plasma, and to provide a cleaning method therefor.例文帳に追加

プラズマに暴露されにくい処理室内の領域においても、効率的に付着物を除去することが可能なプラズマ処理装置およびそのクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To suppress breakage of a cover which covers the lower surface of a window member and production of particles and to easily attach and detach the cover to/from an induction coupling plasma processing apparatus.例文帳に追加

誘導結合プラズマ処理装置において、窓部材の下面を覆うカバーの破損とパーティクルの発生を抑制し、且つカバーを容易に着脱できるようにする。 - 特許庁

To provide a plasma processing system in which generation of abnormal discharge is prevented at the corner part of a lower electrode for mounting an angular substrate in any process pressure region.例文帳に追加

いかなるプロセス圧力領域にあっても、角型基板を設置する下部電極の角部において異常放電の発生を防ぐプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma generator that can equalize the concentration distribution of a process gas in a region where plasma is generated, and to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

本発明は、プラズマを発生させる領域におけるプロセスガスの濃度分布の均一化を図ることができるプラズマ発生装置およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a device for generating a uniform high-density plasma with good efficiency of high frequency power throughout a large area under lower pressure.例文帳に追加

低圧力下で大面積にわたり高周波電力効率が良好で、均一な高密度プラズマを発生させることができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁