「"plasma- processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

To accurately detect influence of processing dispersion or damage associated with plasma processing including a solvent treatment after processing, in relation to a scribe corner monitor, a semiconductor wafer and a monitoring method.例文帳に追加

スクライブコーナモニタ、半導体ウェーハ及びモニタ方法に関し、処理後の溶剤処理を含めたプラズマ処理に伴う加工バラツキや、ダメージの影響を精度良く検出する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of compatibly achieving removal of a reaction product deposited on a dielectric window and obtaining stability of an etching rate of a workpiece.例文帳に追加

誘電体窓に堆積する反応生成物の除去と被処理体のエッチングレートの安定性とを両立させることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that has excellent plasma generation efficiency, a high etching speed and high throughput for input power of high-frequency electric power.例文帳に追加

高周波電力の入力パワーに対して、プラズマ発生効率が良好で、エッチング速度が早く、スループットが高いプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A plasma processing device 100 starts supplying an Ar gas from a first inert gas supply source 19a and a second inert gas supply source 19c at t1.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００では、ｔ１で第１の不活性ガス供給源１９ａ，第２の不活性ガス供給源１９ｃから、それぞれＡｒガスの供給を開始する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of inhibiting occurrence of charging damage in plasma extinction without adversely influencing process performance and generating foreign matter.例文帳に追加

プロセス性能に悪影響を及ぼすことなく、また異物を発生させることなくプラズマ消火時のチャージングダメージの発生を抑制可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for plasma processing where precision processing of fine pattern for a sample of large diameter is easy and the selective ratio in fine processing is improved.例文帳に追加

大口径の試料について微細パターンの精密な加工が容易で、また、微細加工時の選択比も向上させたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

A processing gas supplying device 22 supplies the processing gas for plasma processing into the plasma chamber 21, and a gas exhaust device 23 sets the inside of the plasma chamber 21 under a high vacuum.例文帳に追加

処理ガス供給装置２２は、プラズマ処理用の処理ガスをプラズマ室２１内に供給し、ガス排気装置２３は、プラズマ室２１内を高真空に設定する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device by which films having formality in quality and thickness can be formed on a large-area substrate such as a substrate for liquid crystal display panel.例文帳に追加

液晶表示パネル用基板のような大面積の基板であっても膜質および膜厚の均一な膜を形成することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of restraining the peak value of reflected waves appearing at the output of a high-frequency power source without being affected by a load change in discharging plasma.例文帳に追加

放電中のプラズマの負荷の変化に影響されず、高周波電源の出力部に現れる反射波のピーク値を抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Otherwise, after depositing a carbon film on the compression-bonding side of a mold support substrate and forming an uneven pattern in this carbon film, a release layer is formed by fluorine plasma processing.例文帳に追加

あるいはモールド支持基板の圧着面に炭素膜を成膜し、この炭素膜に凹凸パターンを形成した後、フッ素プラズマ処理により離型層を形成する。 - 特許庁

A plasma processing apparatus includes: a processing gas supply source 8 installed outside a vacuum chamber 12; and a radical emitter 10 for discharging processing gas supplied from the processing gas supply source 8.例文帳に追加

真空槽１２の外部に設けられた処理ガス供給源８と、処理ガス供給源８から供給された処理ガスを放電させるラジカル放出器１０とを備える。 - 特許庁

To provide a method in which stable discharge plasma processing is performed by generating uniform discharge plasma under the pressure in the vicinity of the atmospheric pressure regardless of a gas atmosphere in processing.例文帳に追加

処理の際のガス雰囲気を問わず、大気圧近傍の圧力下で均一な放電プラズマを発生させ、安定して放電プラズマ処理を行う方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus, which can generate a uniform plasma in a processing container and thus can provide regular processing, even if a wafer has a large diameter.例文帳に追加

処理容器内に一様なプラズマを発生させることができ、従って大口径のウエハであっても一様な処理をおこなうことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

This plasma processing apparatus processes an object to be treated W, in a processing chamber 2 maintained in a vacuum atmosphere by utilizing a plasma generated by imparting energy to a processing gas.例文帳に追加

プロセスガスにエネルギーを付与して生成したプラズマを利用して、真空雰囲気の処理室２内にて被処理物Ｗの処理を行うプラズマ処理装置である。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processing apparatus having a simple structure and using an electrode on the surface of which a solid dielectric is formed directly.例文帳に追加

放電プラズマ処理装置において、簡易な構成で電極の表面に直接固体誘電体を形成した電極を用いる放電プラズマ処理装置の提供。 - 特許庁

In the plasma processing container, a liner 102 is inserted at a bonding position between a side wall 1b and a top board 1c and its end reaches an inner O-ring 111.例文帳に追加

プラズマ処理容器において、ライナー１０２は、側壁１ｂと天板１ｃとの接合部位に挿入されており、その先端は、内側Ｏリング１１１に達している。 - 特許庁

To provide a plasma processing method having little thermal damage with a low running cost by minimizing a consumption quantity of a gas for generating plasma, and supplied power without lowering productivity.例文帳に追加

生産性を低下させることなくプラズマ生成用ガスの消費量や印加電力を少なくして低ランニングコストで熱的なダメージの少ないプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The plasma processing system 200 comprises the plasma reactor 300 for generating plasma as receiving an input gas and a frequency generator 400 for supplying radio frequency.例文帳に追加

プラズマ処理システム２００は、入力ガスが供給されてプラズマを発生するプラズマ反応器３００と、無線周波数を供給するための周波数発生器４００を備える。 - 特許庁

The current detecting unit 17 always monitors a current flowing through the lower electrode 12 during a plasma processing at all times to detect an overcurrent caused when insulation breakdown takes place.例文帳に追加

電流検知器１７は、プラズマ処理中、下部電極１２に流れる電流を常時モニタし、絶縁破壊が起こったときに発生する過電流を検知する。 - 特許庁

Based on the measurement result of the plasma density information, plasma processing of etching or the like is easily and appropriately controlled by an electric power control part 4 for generation.例文帳に追加

そのプラズマ密度情報の測定結果に基づいて、生成用電力制御部４によってエッチング等のプラズマ処理を容易にかつ適切に制御することができる。 - 特許庁

An apparatus (106) and the methods for reactive atom plasma processing can be used to shape, polish, planarize, and clean the surface of material with minimal subsurface damage.例文帳に追加

表面下の損傷を最小限に抑えて材料の表面を成形、研磨、平坦化、及び洗浄する反応原子プラズマ処理のための装置（１０６）及び方法。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which ensures uniform plasma density in a plasma generation container without the need for a special container of a specific shape.例文帳に追加

特定の形状を有する専用の容器を必要とすることなく、プラズマ生成容器内のプラズマ密度を均一化できるようにしたプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The plasma processing system comprises a chamber 1 for accommodating a substrate 11, a microwave generator 5 for generating microwave, and an antenna section 3 for radiating microwave.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、基板１１を収容するチャンバ１と、マイクロ波を発生するためマイクロ波発生器５と、マイクロ波を放射するためのアンテナ部３とを備えている。 - 特許庁

Further, the impedance is controlled within a predetermined impedance variable range by an automatic control during the plasma processing with the first and second matching devices 404 and 416.例文帳に追加

そして、第１および第２の整合器４０４，４１６によるプラズマ処理中のインピーダンス調整を、予め設定されたインピーダンス可変範囲内で自動制御により行う。 - 特許庁

To provided a plasma processing system capable of stably maintaining plasma of a plasma reactor upon momentary power supply interruption and its control method.例文帳に追加

瞬間的に電源供給の遮断が発生した際にもプラズマ反応器のプラズマを安定して維持することができるプラズマ処理システム及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

The image is fixed on the recording medium by applying prasma processing to an image (3) recorded on a recording medium (10) using a recording material containing a component curable by normal pressure plasma processing.例文帳に追加

常圧プラズマ処理により硬化する成分を含む記録剤を用いて記録媒体に記録された画像に対して施すことで、画像を記録媒体に定着させる。 - 特許庁

To reduce the thickness of a dielectric plate in a plasma processing device while obtaining a mechanical strength in consideration of the deformation of the dielectric plate when a pressure is reduced in a chamber.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、チャンバ内を減圧した際の誘電体板の変形を考慮して機械的強度を確保しつつ、誘電体板の薄型化を図る。 - 特許庁

To provide an electrostatic attracting structure which can rapidly and stably release a material to be processed, and to provide a method for electrostatically attracting, an apparatus and a method for plasma processing.例文帳に追加

速やかにかつ安定に被処理体を離脱可能な、静電吸着構造および静電吸着方法ならびにプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

This plasma processing apparatus 10 includes a processing object holding means, and a plasma generating means for turning a gas introduced into a chamber 11 into plasma in the chamber 11.例文帳に追加

実施形態によれば、プラズマ処理装置１０はチャンバ１１内に処理対象保持手段と、チャンバ１１内に導入されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、を備える。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for plasma processing which has excellent mass production stability by controlling a film deposited on the inner wall of a vacuum processing vessel.例文帳に追加

真空真空容器内壁に堆積する堆積膜を制御することにより量産安定性に優れたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To achieve a higher sensitivity (higher accuracy) and a long-time continuous stable operation of a monitor for monitoring an etched amount or a remaining quantity of etching of the plane of a workpiece in a plasma processing apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置の被加工試料面のエッチング量またはエッチング残量モニタの高感度化（高精度化）と長期連続安定動作を両立して可能とする。 - 特許庁

The plasma processing device 11 includes a container 12 capable of introducing cleaning water W, an ultrasonic generation device 13, a microwave generation device 14, and a pressure reduction device 15.例文帳に追加

プラズマ処理装置１１は、洗浄水Ｗを導入可能な容器１２と、超音波発生装置１３と、マイクロ波発生装置１４と、減圧装置１５とを備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing device with hermetic properties and adsorption power, with respect to a workpiece by a method, wherein ceramics which are high in sealing properties and ceramics strong in adsorption force are arranged.例文帳に追加

シール性の高いセラミックスと、吸着力の強いセラミックを配置することにより、被処理体とのシール性と吸着力を備えたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To prevent, in a plasma processing apparatus, corrosion of a lower end part of an inner electrode in an arrangement of three or more electrodes, which is caused by corrosive components generated from surface discharge.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、３つ以上並べられた電極のうち内側電極の下端部が、沿面放電に起因する腐蝕性成分により腐蝕するのを防止する。 - 特許庁

To provide a microwave plasma processing apparatus, in which microwave propagation characteristics are not adversely affected even when an inner conductor of a coaxial waveguide is thermally expanded or shrunk.例文帳に追加

同軸導波管の内導体が熱膨張・熱収縮しても、マイクロ波の伝播特性に悪影響を及ぼすことのないマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The atmospheric pressure plasma processing system is contained airtightly in a housing equipped with an exhausting system capable of evacuating the entire system including an atmospheric pressure chamber to a negative pressure level as compared with the atmospheric pressure.例文帳に追加

大気圧プラズマ処理装置は、大気圧チャンバを含む装置全体が大気圧より負圧に排気できる排気系を備えたハウジング内に気密に収容される。 - 特許庁

The electric field by the microwave accelerates electrons, generates a plasma in the plasma processing chamber 101, and excites the gas to process the surface of an object to be processed.例文帳に追加

このマイクロ波の電界により電子が加速され、プラズマ処理室１０１内にプラズマが発生し、処理用ガスが励起されて被処理基体１１２の表面を処理する。 - 特許庁

Furthermore, the covering of inside wall of a transport pipe 30 with reaction products, such as aluminum fluoride in advance, allows the changes with time in the plasma processing rate to be repressed.例文帳に追加

また、輸送管３０の内壁に、フッ化アルミニウムなどの反応生成物を予め被覆しておくことにより、経時的なプラズマ処理速度の変動を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing method excellent in reducing the amount of charges electrified on a plasma-processed processing-object substrate and preventing plasma damage and dielectric breakdown.例文帳に追加

プラズマ処理された被処理基板上に帯電した電荷量を低減し、プラズマダメージや絶縁破壊を防止するのに優れたプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

A plasma processing device 1 generates a plasma jet 13 by a plasma jet generation part 11 to irradiate a processed work 17 arranged at a container part 15 with the plasma jet 13.例文帳に追加

プラズマ加工装置１は、プラズマジェット発生部１１においてプラズマジェット１３を発生させ、容器部１５に配置された加工ワーク１７にプラズマジェット１３を照射する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method for preventing the failure of transport and the like due to electrostatic destruction and electrostatic suction by a stripped charge electrifying the surface of a substrate.例文帳に追加

基板表面に帯電する剥離電荷による静電破壊や静電吸着による搬送不可などを防止することが可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device, which can process the surface of a substrate with high uniformity, and is excellent in conservativeness, such as maintenance, without complicating the device structure.例文帳に追加

装置構造を複雑化することなく、基板表面に均一性の高い処理を施すことができ、メンテナンス等の保守性のよいプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A silicon nitride film 18 is formed, after plasma processing surface of a copper wiring 17 with a raw gas, including nitrogen element to form copper nitride layer 24.例文帳に追加

銅配線１７上表面を窒素元素を含む原料ガスを用いてプラズマ処理することにより窒化銅層２４を形成し、その後、シリコン窒化膜１８を形成する。 - 特許庁

Subsequently, the processing gas (a second gas) formed of a compound including nitrogen is introduced to the vacuum chamber, and the semiconductor substrate 10 is irradiated with the plasma thereof (nitrogen plasma processing step).例文帳に追加

続いて、真空チャンバに窒素含有化合物からなる処理ガス（第２のガス）を導入し、そのプラズマを半導体基板１０に照射する（窒素プラズマ処理工程）。 - 特許庁

To provide a plasma processing device wherein damages are prevented by preventing creeping discharge on the side end surfaces of an electrode, and particles are prevented from being generated while reducing maintenance frequency.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、電極の側端面等における沿面放電を防止して損傷を防ぎ、メンテナンス頻度を削減するとともにパーティクルの発生を防止する。 - 特許庁