「"plasma- processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate processing apparatus capable of uniformly performing plasma processing of a wafer surface by overcoming the problem, wherein although a silicon wafer is mounted between electrodes and ac power of high frequency is applied between the electrodes to perform the plasma processing of wafer in a plasma processing apparatus, there is an wafer between the electrodes so that plasma is not uniform.例文帳に追加

プラズマ処理装置では、電極間にシリコンウエハを載置し、電極間に高周波の交流電力を印加してウエハのプラズ処理を行っていたが、電極間にはウエハが存在する為、プラズマは均一とならず、ウエハ表面のプラズマ処理を均一に行う事の出来る基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of improving processing efficiency by reducing contamination of a sample.例文帳に追加

試料の汚染を低減して処理の効率を向上することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

According to this method, the plasma is generated in the plasma chamber 41 to apply the plasma processing on a semiconductor wafer W.例文帳に追加

これにより、プラズマ室４１内にプラズマを発生させ、半導体ウエハＷにプラズマ処理を施す。 - 特許庁

The wafer 2 is sucked to the lower electrode 3 and subjected to plasma processing, and dechucked after the processing is completed.例文帳に追加

このウエハ２を下部電極３に吸着させプラズマ処理し、処理完了後にウエハ２をデチャックさせる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which the maintenance labor of an electrode itself for removing dust is reduced.例文帳に追加

ダスト除去用の電極自体のメンテナンス労力が低減されたプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing system comprises a process chamber within which plasma is both ignited and sustained for processing.例文帳に追加

プラズマ処理システムは、処理チャンバを備え、処理チャンバ内では、処理のためにプラズマが点火および維持される。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and apparatus can maintain a deposition rate in a stable manner.例文帳に追加

成膜レートを安定に維持することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ICP source plasma processing device of a large diameter in which uniformity and ignition property of plasma are improved.例文帳に追加

Ｉ大口径のＣＰ源プラズマ処理装置において、プラズマの均一性及び着火性を改善する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of stably processing the sample of an object to be processed for a long time.例文帳に追加

長期間安定して被処理対象の試料を処理できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To reduce particles generated during plasm ignition and extinction in a plasma-separation-type plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ分離型のプラズマ処理装置において、プラズマ点火時、消火時に発生するパーティクルを低減する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus enabling stable processes, even if high electric power is input.例文帳に追加

大電力を投入しても安定した処理を行なうことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an improved method and apparatus relating to ion-assisted etching processing in a plasma processing system.例文帳に追加

プラズマ処理システムにおけるイオン支援エッチング処理に関する改良された方法及び装置を開示する。 - 特許庁

The electrostatic chuck 21 of the plasma processing apparatus includes substrate placing parts 27A to 27F where a substrate 2 is placed.例文帳に追加

プラズマ処理装置の静電チャック２１は基板２が載置される基板載置部２７Ａ〜２７Ｆを備える。 - 特許庁

An overshoot voltage is applied to a lower electrode just before starting plasma processing to a wafer.例文帳に追加

ウェハに対するプラズマ処理が開始される直前に下部電極に対してオーバーシュート電圧が印加される。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of performing fine and uniform etching processing at a high speed.例文帳に追加

微細かつ均一なエッチング加工を高速度で実施することができるプラズマ加工装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus selectively nitrides the region to be processed occupying a part of the surface of the object to be processed.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、被処理物の表面の一部を占める被処理領域を選択的に窒化する。 - 特許庁

Since temperature of the processing vessel drops quickly, plasma processing is carried out in a stabilized temperature atmosphere.例文帳に追加

このため速やかに処理容器の温度が降温し、安定した温度雰囲気でプラズマ処理することができる。 - 特許庁

To provide the plasma processing equipment of a large area wafer processing which can control plasma density and uniformity.例文帳に追加

プラズマ密度と均一性を制御できる大面積ウエハ処理のプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes the substrate placing table 5 on which the substrate W to be processed is placed in a processing vessel.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、処理容器内で被処理基板Ｗを載置する基板載置台５を備える。 - 特許庁

A plasma processing device having a type provided with a tubular electrode and a magnetic line forming means is employed.例文帳に追加

筒状電極及び磁力線形成手段を有する形式のプラズマ処理装置が用いられる。 - 特許庁

A liquid plasma processing apparatus floating body 1 is forced to levitate above an untreated liquid 2 by a float 10.例文帳に追加

液体プラズマ処理装置浮体１は、フロート１０により非処理液体２上に浮揚されている。 - 特許庁

The plasma processing apparatus 1 generates plasma under atmospheric pressure to process a glass substrate 12.例文帳に追加

プラズマ処理装置１は、大気圧下でプラズマを発生させ、ガラス基板１２を処理するプラズマ処理装置である。 - 特許庁

To provide a silicon carbide part of a plasma processing apparatus which allows the reduction of particle contamination on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板のパーティクル汚染を減少させるプラズマ処理装置の炭化シリコン部品を提供する。 - 特許庁

A semiconductor chip 34 serving as a specimen is installed on a cathode electrode 35 in a plasma processing chamber 32.例文帳に追加

試料となる半導体チップ３４を、プラズマ処理室３２のカソード電極３５の上に設置する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of improving the conductance of a baffle plate while preventing a plasma leak.例文帳に追加

プラズマリークを防止した上でバッフル板のコンダクタンスを改善できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A conductive film 20 is formed on the surface layer 18 of the semiconductor layer 16 having been subjected to the plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理が行われた半導体層１６の表層１８上に導電膜２０を形成する。 - 特許庁

Micro-waves 32 are introduced in the plasma processing chamber 26, and a magnetic field is formed by a coil 31.例文帳に追加

またプラズマ処理室２６には、マイクロ波３２が導入され、コイル３１によって磁場が形成される。 - 特許庁

To detect the quick and minute change of a spectrum in a plasma processing device or the like with a good reproducibility.例文帳に追加

プラズマ処理装置等における分光スペクトルの速い微小変化を再現性よく検知すること。 - 特許庁

PHASE ADJUSTING METHOD AND APPARATUS, ELEMENT SEPARATING AND COMBINING METHOD AND APPARATUS, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS例文帳に追加

位相調整方法とその装置及び素子分割組み合せ方法とその装置及びプラズマ加工装置 - 特許庁

To provide plasma processing unit that is reliable and can start well and also is lower in price.例文帳に追加

プラズマの点灯が確実に行えて始動が良好であり、しかも安価なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device with a hardly deformable shield plate attaining processing cost reduction.例文帳に追加

加工費を低減することができ、変形が生じにくい遮蔽板を有するプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

It relates to plasma processing unit emanating a jet of plasma out of the discharge opening 1 of the reacting vessel 2.例文帳に追加

反応容器２の吹き出し口１からジェット状のプラズマを吹き出すプラズマ処理装置に関する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system capable of preventing a coating material from being transferred to an upper surface of a conveyance arm.例文帳に追加

搬送アームの上面に対するコーティング材の転写を防止できるプラズマ処理システムを提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive plasma processing device ensuring the lighting of a plasma and being smooth to start.例文帳に追加

プラズマの点灯が確実に行えて始動が良好であり、しかも安価なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus in which a stage 11 having a placement plane 11a for placing a wafer W of the object of the plasma processing is provided, the placement plane 11a has a flatness with a difference of 100 μm or smaller in height after the stage 11 is deformed at a temperature at which the apparatus is used for the plasma processing and before the stage 11 is not deformed.例文帳に追加

プラズマ処理対象のウェハＷが載置される載置面１１ａを有するステージ１１を備えたプラズマ処理装置において、載置面１１ａは、プラズマ処理時の装置使用温度でステージ１１が変形した後とステージ１１が変形する前の高低差が１００μｍ以下の平坦度を有する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which can do a surface processing evenly all over the inner surface of a member.例文帳に追加

部材の内面全体に均一な表面処理を施すことができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of controlling plasma more precisely as compared with the conventional one.例文帳に追加

従来に比べてより細かなプラズマの制御を可能とすることのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus M1 transports a plurality of setters carrying glass substrates W by connecting the setters in a row.例文帳に追加

プラズマ処理装置Ｍ１は、ガラス基材Ｗを載せた複数のセッタを一列に連ねて搬送する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device that accurately measures plasma parameters so as to stably supply plasma.例文帳に追加

プラズマ・パラメータを正確に計測し、プラズマを安定して供給可能とするプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can control electrostatic attraction force holding a workpiece at an optimum value.例文帳に追加

被処理体を保持する静電吸着力を、最適値に制御できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus, a first electrode 2 and a second electrode 17 are disposed facing each other.例文帳に追加

プラズマ処理装置においては、第一の電極２と第二の電極１７とが対向して配置される。 - 特許庁

Immediately before plasma processing is started on a wafer, an overshoot voltage is applied to a bottom electrode.例文帳に追加

ウェハに対するプラズマ処理が開始される直前に下部電極に対してオーバーシュート電圧が印加される。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can detect occurrence of abnormalities, such as vacuum leaks, etc., at an early stage.例文帳に追加

真空のリーク等の異常の発生を早期に検知することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing system also includes a component for controlling impedance between the electrode and the plasma.例文帳に追加

プラズマ処理システムは、さらに、電極とプラズマとの間のインピーダンスを制御するための要素を備える。 - 特許庁

This device is provided with the main electrodes 5, 31 to be opposed against by pinching a plasma processing space 15.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、プラズマ処理空間１５を挟んで対向する主電極５,３１を備える。 - 特許庁