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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "processing defect"に関連した英語例文

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"processing defect"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 15



例文

PROCESSING DEFECT DETECTOR FOR FILM例文帳に追加

フイルムの加工不良検出装置 - 特許庁

DISK STORAGE DEVICE AND METHOD FOR PROCESSING DEFECT例文帳に追加

ディスク記憶装置及び欠陥処理方法 - 特許庁

To suppress generation of processing defect at the time of supplying processing liquid onto a developed substrate.例文帳に追加

現像処理後の基板上に処理液を供給する際に、処理欠陥の発生を抑制すること。 - 特許庁

To improve usability for a user and prevent an occurrence of a processing defect in a non-contact type IC medium processor.例文帳に追加

非接触型IC媒体処理装置において、利用者の使い勝手を向上させるとともに処理不良の発生を防止する。 - 特許庁

例文

To detect a processing defect which causes the deterioration of high-density multicolor reproduction, and to perform correction in accordance with the defect.例文帳に追加

高濃度の多重色の色再現の劣化を招くプロセス不良を検出し、それに応じた補正を行う。 - 特許庁


例文

To protect optical parts from being damaged by reflection beam by securely detecting reflection beam attributed to such a laser processing defect as cutting failure even if laser beam processing is performed by pulse output.例文帳に追加

パルス出力のレーザ加工であっても、切断不良などのレーザ加工不良による反射光を確実に検出し、光学部品を反射光による損傷から保護する。 - 特許庁

To avoid occurrence of a deuterium loading processing defect caused due to deuterium gas not reaching an optical fiber in a lower winding part of a winding bobbin, and to quickly perform good deuterium loading processing.例文帳に追加

巻取りボビンの下段巻部の光ファイバに重水素ガスが到達しなくなることによる重水素ローディング処理不良の発生を回避し、迅速に、良好な重水素ローディング処理を行えるようにすること。 - 特許庁

To provide an apparatus for processing defect of a control system, in which a defect determination can be made proper by preventing the erroneous determination of a communication defect between entities of the control system.例文帳に追加

制御システムの各要素間における通信異常の誤判定を防止して異常判定の適正化を図ることの可能な制御システムの異常処理装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a processed product of a hot dip plated steel sheet, which has a sound hot dip plated layer free from a processing defect, such as a crack or peeling, by enhancing the ductility of the hot dip plated layer to a value nearly equal to the ductility of a ground steel.例文帳に追加

溶融めっき層の延性を増加させて下地鋼に近づけ、クラック,剥離等の加工欠陥のない健全な溶融めっき層を有する溶融めっき鋼板の加工製品を得る。 - 特許庁

例文

Consequently, the flow rate of the gas which is made to flow between the substrate 106 and the supporting stand 107 becomes large and substrate processing defect is not generated, thus realizing effect of good productivity since cleaning can be carried out effectively.例文帳に追加

これにより、基板106とその支持台107間に流すガスのリーク流量が大きくなって、基板処理不良を発生することがなくなり、また効率的にクリーニングが実施できるので生産性に優れた効果を発揮する。 - 特許庁

例文

To prevent generation of processing defect in a substrate due to an increase of leak flow rate of He gas in a processing device for carrying out dry etching and plasma CVD film deposition.例文帳に追加

ドライエッチングやプラズマCVD膜堆積する処理装置において、Heガスのリーク流量増大による基板の処理不良が発生するのを防止する。 - 特許庁

Here, a processing defect or dust sticking of the nozzle storage hole 27 can be detected from an external shape of the light leaking to above the nozzle storage hole 27.例文帳に追加

ここで、前記ノズル収納穴27の上方に漏れてくる光の外形から、ノズル収納穴27の加工不良やゴミ付着を検出することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate processing device that prevents a processing defect of a semiconductor device by speedily grasping abnormality of an operation state of a lift pin and is surely improved in yield of products by greatly reducing manufacture loss of the semiconductor device.例文帳に追加

リフトピンの動作状況の異常を迅速に把握して半導体装置の加工不良を未然に防ぐことができ、半導体装置の製造ロスを大幅に軽減して製品の歩留まりを確実に向上することができる半導体基板処理装置を提供する。 - 特許庁

An image processing/defect detection part 300 receives image data acquired by scanning on a wafer W from an image input part 72, determines whether a defect exists by comparing the image data with reference image data, and outputs defect inspection result data, showing the result to a control part 401 of a PC terminal.例文帳に追加

画像処理/欠陥検出部300は、ウエハW上の走査により得られた画像データを画像入力部72から受け取り、該画像データを参照画像データと対比して欠陥が存在するか否かを判定し、それを表す欠陥検査結果データをPC端末の制御部401に出力する。 - 特許庁

例文

A cantilever 5 used in the present invention is made of a silicon material having 400 to 500 μm length and 30 to 50 μm thickness so that during observation, the probe 4 can be in contact with the mask under 1 nN contact pressure, and in processing, defect correction can be performed by allowing the probe to be in contact with the mask under 10 nN to 1mN contact pressure.例文帳に追加

本発明に使用するカンチレバー5は、長さが400〜500μm、厚みが30〜50μmとしたシリコン素材で形成し、探針4が観察時には0.1nNオの接触力でマスクと接し、加工時には10nNから1mNまでの接触力でマスクと接して欠陥修正を実施できるようにした。 - 特許庁

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