「"zone method"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

STEEL FOR WELDED STRUCTURE HAVING EXCELLENT TOUGHNESS IN WELD HEAT-AFFECTED ZONE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING WELDED STRUCTURE例文帳に追加

溶接熱影響部の靱性が優れた溶接構造物用鋼とその製造方法および溶接構造物の製造方法 - 特許庁

HIGH-STRENGTH STEEL EXCELLENT IN LOW TEMPERATURE TOUGHNESS AND TOUGHNESS AT WELD HEAT AFFECTED ZONE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING HIGH-STRENGTH STEEL PIPE例文帳に追加

低温靱性および溶接熱影響部靱性に優れた高強度鋼とその製造方法および高強度鋼管の製造方法 - 特許庁

In the production method for the laser medium to be excited by exciting light to perform laser oscillation, the laser medium composed of the crystal added with the laser active ion in the prescribed concentration is produced by a floating zone method.例文帳に追加

励起光により励起されてレーザー発振するレーザー媒質の作製方法において、フローティングゾーン法により、レーザー活性イオンが所定の濃度に添加された結晶よりなるレーザー媒質を作製する。 - 特許庁

In this single crystal manufacturing unit, in a high pressure gas of not lower than 11 atmospheres by the floating melt zone method, a single crystal of orthorombic Ga_2-XFe_XO_3 is manufactured.例文帳に追加

１１気圧以上の高圧ガス加圧下において浮遊溶融帯方式の単結晶製造装置で、斜方晶（Ｏｒｔｈｏｒｏｍｂｉｃ; オーソロンビック）のＧａ_2-X Ｆｅ_X Ｏ_3 の単結晶を製造する。 - 特許庁

The MgTiO_3 birefringent single crystal is manufactured by a floating zone method using an MgTiO_3 ceramic rod prepared by mixing MgO and TiO_2 at the stoichiometric composition (MgO:TiO_2=1:1) and sintering.例文帳に追加

ＭｇＯ、ＴｉＯ_２を化学量論組成（ＭｇＯ：ＴｉＯ_２＝１：１）で混合し焼結して作成したＭｇＴｉＯ_３セラミクス棒を用いて浮遊帯溶融法によりＭｇＴｉＯ_３複屈折単結晶を製造する。 - 特許庁

To provide a single crystal manufacturing unit obtaining a novel single crystal in a high pressure gas atmosphere by a floating melt zone method, and a high pressure single crystal manufacturing unit therewith.例文帳に追加

高圧ガス雰囲気下において浮遊溶融帯方式で、新規単結晶を得ることができる単結晶製造装置及びそれを用いた高圧単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the method includes a process of forming an ingot 2 by performing zoning from the terminal end A2 toward the starting end A1 in pulling of the formed ingot 1 by a floating zone method (FZ method) to recrystallize the ingot 1.例文帳に追加

また、フローティングゾーン法（ＦＺ法）により、形成されたインゴット１の引き上げの終端Ａ２から引き上げの初端Ａ１に向かってゾーニングすることでインゴットを再結晶化させ、インゴット２を生成する工程を備える。 - 特許庁

To provide a runoff prevention material with a simple structure that can easily eliminate an "unevenness (gap)" between a base zone (vegetation zone) for carrying out vegetation and a slope face to enable a vegetation zone method to be conducted efficiently regardless of seasons.例文帳に追加

植生を行うための基帯（植生帯）と法面との間の「不陸（隙間）」を容易に解消できて、季節を問わず効率的な植生帯工法が行える流亡防止材を簡単な構成によって提供すること。 - 特許庁

The silicon single crystal obtained by a float zone method has a diameter of at least 200 mm over a length of at least 200 mm and free from dislocations in the region of this length.例文帳に追加

単結晶が少なくとも２００ｍｍの長さにわたり少なくとも２００ｍｍの直径を有し、この長さの範囲内で無転位であることを特徴とする、フロートゾーン法により製造したシリコンからなる単結晶 - 特許庁

To provide a measurement method and measurement system for measuring crystallization interface of a semiconductor single crystal in an initial stage of a cone part forming process for enlarging the crystal diameter from a seed necking process of an FZ (Floating Zone) method, and to provide a control method and a control system.例文帳に追加

ＦＺ法の種絞り工程から結晶径を拡大するコーン部形成工程初期における半導体単結晶の晶出界面の測量方法、測量システム、制御方法、制御システムを提供する。 - 特許庁

The single crystal of ZrB_2 or TiB_2 is manufactured by crystallizing a raw material rod prepared by mixing a Y ingredient and a boride of an alkaline earth metal into ZrB_2 or TiB_2, by high frequency floating zone method.例文帳に追加

ＺｒＢ_２またはＴｉＢ_２にＹ成分とアルカリ土類金属のホウ化物を配合して原料を調製して原料棒にし、原料棒から高周波フローティングゾーン法により結晶化させて、ＺｒＢ_２またはＴｉＢ_２の単結晶を製造する。 - 特許庁

To perform crystal growth without using any elaborated growth material such as a material fabricated correspondingly to the shape of a crucible, in the growth process for an at least ternary compound semiconductor crystal, using a zone method.例文帳に追加

結晶成長方法に関し、ゾーン法を適用して三元以上の化合物半導体結晶を成長させるに際し、るつぼの形状に合わせて加工した材料など面倒な成長材料を用いることなく結晶成長を行うことができるようにする。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing a silicon single crystal where the deposition and sticking of SiO_2 in a furnace is effectively suppressed when the silicon single crystal is produced by a floating zone method using a silicon raw material containing oxygen.例文帳に追加

酸素を含有するシリコン原料素材を用いてフローティングゾーン法でシリコン単結晶を製造する際に、炉内でのＳｉＯ_２の析出・付着を効果的に抑制することが可能なシリコン単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an N-type silicon single crystal, in which generation of OSF (oxidation-induced stacking fault) is prevented even when a silicon single crystal is produced by an FZ (floating zone) method, particularly, a silicon single crystal having a diameter of 8 inches (200 mm) or more is produced, and the N-type silicon single crystal.例文帳に追加

ＦＺ法によりシリコン単結晶、特には直径８インチ（２００ｍｍ）以上のシリコン単結晶を製造する場合であっても、ＯＳＦの発生を防止することができるＮ型シリコン単結晶製造方法及びＮ型シリコン単結晶を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor wafer includes a first injection process for forming a silicon crystal by a floating zone method and injecting N type impurity of prescribed concentration, and a second injection process for performing neutron irradiation and injecting phosphorus in a prescribed concentration onto the silicon crystal after the first injection process.例文帳に追加

フローティングゾーン法によりシリコン結晶を形成し、所定濃度のＮ型不純物を注入する第１の注入工程と、第１の注入工程の後、シリコン結晶に中性子照射を行い、所定濃度のリンを注入する第２の注入工程を備える。 - 特許庁

To provide a method for measuring utilizing dilution of content of impurity in silicon by a float zone method for enabling measurement of the impurity in the silicon to be inspected using photoluminescence or FTIR or both of them.例文帳に追加

調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはＦＴＩＲ又はその両方を用いて行うことを可能とするための、フロートゾーン法によるシリコン中の不純物濃度の希薄化を利用した測定方を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor crystal by an FZ method (floating zone method or floating zone melting method), by which the slip back generated when a raw material and a melting zone are separated and a crystal is completely solidified in a separation process, can be reduced.例文帳に追加

ＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体結晶の製造方法において、切り離し工程で原料と溶融帯域を切り離し完全に結晶を固化させる際に生じるスリップバックを低減できる半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR BURYING HEAT INSULATING SHEET AROUND CONSTANT TEMPERATURE ZONE IN SHALLOW PART UNDERGROUND AND RIGHT UNDER BUILDING FOR DEVELOPING CONSTANT TEMPERATURE ZONE, METHOD FOR BURYING OR BUILDING WATER TANK IN CONSTANT TEMPERATURE ZONE TO ACCUMULATE CONSTANT TEMPERATURE WATER AS HEAT MEDIUM, AND HEAT INSULATION SHEET USED THEREIN例文帳に追加

恒温地帯造成のために、地下浅部及び、建造物直下の恒温地帯周囲に断熱シートを埋設する方法、及び、恒温地帯に水タンクを埋設、又は造成し、恒温水を蓄え、熱媒体とする方法、及び、これに使用する断熱シート。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-quality P- or N-type silicon single crystal having a large diameter and resistivity as high as ≥1,000 Ω cm at a low cost in high yield by a FZ (float zone) method free from decrease in the resistivity in the production processes of a device.例文帳に追加

大口径で抵抗率１０００Ω・ｃｍ以上の高抵抗率のＰ型またはＮ型の高品質なシリコン単結晶を、デバイス製造工程で抵抗率が低下することのないＦＺ法により低コスト且つ高歩留まりで製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a novel method for manufacturing a boride single crystal that has better crystallinity than that obtained with the prior art, by a floating zone method; and to provide a substrate that is made by the manufacturing method and is suitable for epitaxial growth of a semiconductor layer, particularly a GaN-based semiconductor layer.例文帳に追加

ＦＺ法によって、現状よりも結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができる新規な製造方法と、前記製造方法によって製造された、特に、ＧａＮ系半導体層等の半導体層をエピタキシャル成長させるのに適した基板とを提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor single crystal rod by an FZ method (floating zone method or floating zone melting method) that copes with a growth process (cone step, straight body step, or the like) of a crystal and an operation condition (rotational speed, rotary direction, or the like of a crystal), controls a crystal diameter, or the like stably, and grows a crystal stably.例文帳に追加

結晶の成長工程（コーン工程や直胴工程等）や操業条件（結晶の回転数や回転方向等）に対応でき、安定して結晶径等を制御でき、安定した結晶成長を行うことが可能なＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体単結晶棒の製造方法を提供する。 - 特許庁

This single crystal-growing apparatus is obtained by providing three floors for working respectively in close to chambers corresponding to respecting working faces at least for multicrystal set, for zoning and for taking out of single crystal, in the apparatus for growing crystal by floating zone method(FZ method), equipped with at least multicrystal set chamber, a zoning chamber and a single crystal taking out chamber.例文帳に追加

少なくとも多結晶セットチャンバ、ゾーニングチャンバおよび単結晶取出しチャンバを具備するフローティングゾーン法（ＦＺ法）による単結晶育成装置において、チャンバに近接して設ける作業用フロアを、少なくとも多結晶セット用、ゾーニング用および単結晶取出し用の各作業面に対応する位置に三箇所設けることを特徴とするＦＺ法単結晶育成装置。 - 特許庁