「なつよし」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

強誘電体キャパシタ１１３は、強誘電体膜１１０と上側の第１の電極１１１と下側の第２の電極１１２とからなる。例文帳に追加

The ferroelectric capacitor 113 comprises a ferroelectric film 110, an upper side first electrode 111 and a lower side second electrode 112. - 特許庁

トランジスタ及びトランジスタに共通に連結された複数の強誘電体キャパシタからなる強誘電体メモリ装置例文帳に追加

TRANSISTOR AND FERROELECTRIC SUBSTANCE MEMORY DEVICE COMMONLY CONNECTED TO TRANSISTOR AND CONSISTING OF PLURAL FERROELECTRIC SUBSTANCE CAPACITOR - 特許庁

強誘電体キャパシタ4００は強誘電体膜６００、下部電極部５００および上部電極部７００の三層構造をしている。例文帳に追加

A ferroelectric substance capacitor 400 has a three-layer structure of a ferroelectric substance film 600, a lower electrode part 500 and an upper electrode part 700. - 特許庁

強誘電体キャパシタ３００は強誘電体膜１０５、第一電極部１０２および第二電極部１０７の三層構造をしている。例文帳に追加

The ferroelectric substance capacitor 300 has a three layer structure comprising a ferroelectric substance film 105, a first electrode portion 102 and a second electrode portion 107. - 特許庁

良好な結晶品質を有する強誘電体膜の製造方法、およびこの製造方法により得られる強誘電体膜を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric substance membrane having sufficient crystal quality, and a ferroelectric substance membrane obtained by the manufacturing method. - 特許庁

強誘電体キャパシタ３００は下から、第一電極部１０２、強誘電体膜１０３、第二電極部１０５からなる。例文帳に追加

The ferroelectric capacitor 300 comprises a first electrode portion 102, a ferroelectric film 103 and a second electrode portion 105 from the lower level. - 特許庁

強誘電体メモリ装置は、少なくとも強誘電体キャパシタを有するメモリセルが複数配列されたメモリセルアレイを含む。例文帳に追加

A ferroelectric memory device comprises a memory cell array in which a plurality of memory cells having at least a ferroelectric capacity are arranged. - 特許庁

強誘電体膜を広範囲にわたって評価することができるため、強誘電体膜の異常個所を高い確率で見つけ出すことが可能になる。例文帳に追加

The ferroelectric film can be evaluated over a wide range, so an abnormal position of the ferroelectric film can be found with high probability. - 特許庁

高速なスイッチング速度を有する強誘電体キャパシタを含む強誘電体ランダムアクセスメモリを提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric random access memory provided with a ferroelectric capacitor having a high switching speed. - 特許庁

良好なヒステリシス特性を有する強誘電体層を含む、強誘電体キャパシタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for fabricating a ferroelectric capacitor including a ferroelectric layer having good hysteresis characteristics. - 特許庁

良好な強誘電体膜を容易に効率よく製造する強誘電体膜の製造方法及び強誘電体膜の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of ferroelectric film and a manufacturing apparatus of ferroelectric film capable of easily and efficiently manufacturing a satisfactory ferroelectric film. - 特許庁

強誘電体キャパシタの容量絶縁膜に水素が侵入する事態の確実な防止と、強誘電体メモリ装置の微細化との両立を図る。例文帳に追加

To surely prevent hydrogen from infiltrating into a capacitive insulating film of a ferroelectric capacitor and miniaturize a ferroelectric memory device. - 特許庁

強誘電体素子およびその形成方法、強誘電体素子を用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置例文帳に追加

FERROELECTRIC ELEMENT AND ITS FORMING METHOD, ACTUATOR EMPLOYING FERROELECTRIC ELEMENT, INKJET HEAD AND INKJET RECORDER - 特許庁

次に、第１の強誘電体膜３ａ及び第２の強誘電体膜３ｂの形成後に熱処理を行なった後、上部電極４を形成する。例文帳に追加

Next, subsequent to the formation of the first ferroelectric film 3a and the second ferroelectric film 3b, thermal treatment is carried out, and then, the upper electrode 4 is formed. - 特許庁

強誘電体メモリ装置７０には、センスアンプ１、強誘電体メモリヒューズ部４０、及びセルユニットＳＵ１が設けられる。例文帳に追加

The ferroelectric memory device 70 includes a sense amplifier 1, a ferroelectric memory fuse part 40, and a cell unit SU1. - 特許庁

Ｂｉ_4-xＡ_xＴｉ_3Ｏ_12 の一般式で表わされる強誘電体材料よりなる強誘電体膜の信頼性を向上させる例文帳に追加

To improve reliability of a ferroelectric substance film composed of ferroelectric substance expressed by a general formula of Bi_4-x+yA_xTi_3O_12. - 特許庁

強磁性体２６ａの周りの各永久磁石１２ａ，１４ａ，１６ａ，１８ａおよび２０ａの磁化方向を、強磁性体２６ａ側がＳ極となるように形成する。例文帳に追加

A magnetized direction of the permanent magnets 12a, 14a, 16a, 18a and 20a around the ferromagnetic body 26a is arranged so that the ferromagnetic body 26a side be the S pole. - 特許庁

強磁性データ層(304)は、変更可能な磁化の配向によって特徴付けられ、強磁性基準層(308)は、基準磁界によって特徴付けられる。例文帳に追加

The ferromagnetic data layer (304) features a changeable magnetization orientation, and the ferromagnetic reference layer (308) features a reference magnetic field. - 特許庁

強磁性体２６ｂの周りの各永久磁石１２ｂ，１４ｂ，１６ｂ，１８ｂおよび２０ｂの磁化方向を、強磁性体２６ｂ側がＮ極となるように形成する。例文帳に追加

A magnetized direction of the permanent magnets 12b, 14b, 16b, 18b and 20b around the ferromagnetic body 26b is arranged so that the ferromagnetic 26b side be the N pole. - 特許庁

強誘電体膜７を段差ができるように埋込み形成し、ＣＭＰ法で強誘電体膜をパターニングする。例文帳に追加

The ferroelectric film 7 is buried in a manner to form a step, and the ferroelectric film 7 is patterned by CMP method. - 特許庁

比較的少ない工程で強誘電体装置を製造するための製造方法及び強誘電体装置の構造を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric device in relatively few processes and a structure of the ferroelectric device. - 特許庁

ＭＴＪ素子７０は、第１の強磁性層２４と、トンネルバリア層３０と、第２の強磁性層４２とが順に積層される工程を含む。例文帳に追加

The method for manufacturing the MTJ element 70 comprises the steps of sequentially laminating a first ferromagnetic layer 24, a tunnel barrier layer 30 and a second ferromagnetic layer 42. - 特許庁

磁化安定層は、非磁性結合層／第一の強磁性安定層／反平行結合層／第二の強磁性安定層からなる。例文帳に追加

The magnetization stable layer includes a non-magnetic coupling layer, a first ferromagnetic stable layer, an antiparallel coupling layer, and a second ferromagnetic stable layer. - 特許庁

誤動作を抑えることができる、強誘電体メモリ装置および強誘電体キャパシタからなるメモリセルに対する動作方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory device in which malfunction can be suppressed and an operating method for a memory cell consisting of ferroelectric capacitors. - 特許庁

強誘電性に優れかつ低温で強誘電体薄膜を成膜できるBi_4Ti_3O_12系強誘電体材料とその成膜方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a Bi_4Ti_3O_12-based ferroelectric material excellent in the ferroelectric property and formable into a ferroelectric thin film at a low temperature and to provide a method for forming the film. - 特許庁

強誘電体メモリセルからなるアレイを具備する強誘電体メモリ装置のメモリセルをテストする回路及び方法が提供される。例文帳に追加

A circuit and a method for testing a memory cell of a ferroelectric memory device equipped with an array consisting of ferroelectric memory is provided. - 特許庁

強誘電体メモリにおいて、強誘電体キャパシタのリーク電流の面内ばらつきを抑制することが困難である。例文帳に追加

To solve the problem wherein there are difficulties for suppressing in-plane variation of a leakage current of a ferroelectric capacitor, in a ferroelectric memory. - 特許庁

第１および第２の強磁性膜２２、２４のうち、自由層２１から遠い側に位置する第２の強磁性膜２４は、永久磁石材料からなる。例文帳に追加

The second ferromagnetic film 24 existing on the side far from the free layer 21 of the first and second ferromagnetic films 22, 24 consists of a permanent magnet material. - 特許庁

ＴＭＲ素子７０は、第１の強磁性層２４と、トンネルバリア層３０と、第２の強磁性層４２とが順に積層された構造を有する。例文帳に追加

A TMR element 70 has a laminated structure of a first ferromagnetic layer 24, a tunnel barrier layer 30 and a second ferromagnetic layer 42 laminated in this order. - 特許庁

自由磁性体膜３０は強磁性体膜２７と反強磁性体膜２６と強磁性体膜２５とを有している。例文帳に追加

The free magnetic body film 30 has a ferromagnetic body film 27, a diamagnetic body film 26, and a ferromagnetic body film 25. - 特許庁

本発明の磁気抵抗素子１０の製造方法は、基板上に強磁性材料からなる第１の強磁性層１３を形成する。例文帳に追加

In the manufacturing method of a magnetoresistive element 10, a first ferromagnetic layer 13 composed of a ferromagnetic material is formed on a substrate. - 特許庁

強磁性体１５（Ｎ），１６（Ｓ）、強磁性体２６（Ｎ），２７（Ｓ）はそれぞれクラッチ基板上に短冊状に複数設ける。例文帳に追加

The ferromagnetic elements 15(N), 16(S) and a plurality of ferromagnetic elements 26(N), 27(S) are respectively provided on a clutch substrate in a rectangular shape. - 特許庁

これにより、強誘電体コンデンサ５に記憶されていた分極状態に対応した電荷が強誘電体接続ノード１７に放出される。例文帳に追加

Thus, electric charges corresponding to a polarization state stored in the ferroelectric capacitor 5 are discharged to a ferroelectric connection node 17. - 特許庁

第１の磁化制御層７５は、第１の反強磁性層７４と交換結合する第１の強磁性層７６と、非磁性中間層７７を介して第１の強磁性層７６と反強磁性的に交換結合する第３の強磁性層７８を含んでいる。例文帳に追加

The first magnetization controlling layer 75 includes a first ferromagnetic layer 76 exchange-coupled to the first antiferromagnetic layer 74, and a third ferromagnetic layer 78 antiferromagnetically exchange-coupled to the first ferromagnetic layer 76 through a nonmagnetic middle layer 77. - 特許庁

油物が供される場合には一般に強肴のあとである。例文帳に追加

If grilled food is served it generally comes after any boiled dishes.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

近鉄吉野線六田駅より奈良交通バス「比曽口」下車、徒歩15分。例文帳に追加

Take Nara Kotsu Bus to 'Hisoguchi' from the Muda Station of the Kintetsu Yoshino Line and walk for 15 minutes.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

比叡山の長豪・覚尋・良祐に天台教学を学ぶ。例文帳に追加

He learned the Tendai doctrine from Chogo, Kakujin and Ryoyu of Mt. Hiei.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

貞義の子満義は観応の擾乱で足利直義に与した。例文帳に追加

A child of Sadayosh, Mitsuyoshi took the side the Tadayoshi ASHIKAGA during the Kanno disturbance.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

その手紙は一九の名古屋の友人，神谷剛(ごう)甫(ほ)氏に送られた。例文帳に追加

The letter was sent to Kamiya Goho, Ikku's friend in Nagoya.  - 浜島書店 Catch a Wave

強磁性金属充填カーボンナノチューブ素子及びそれを用いたデバイス例文帳に追加

FERROMAGNETIC METAL-FILLED CARBON NANOTUBE ELEMENT AND DEVICE USING IT - 特許庁

強誘電体キャパシタ及びその製造方法、並びに半導体装置例文帳に追加

FERROELECTRIC CAPACITOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

強誘電体層は、材料としてチタン酸ジルコン酸鉛を用いている。例文帳に追加

The ferroelectric layer is formed using lead zirconate titanate. - 特許庁

強誘電体キャパシタ及びその製造方法並びに半導体記憶装置例文帳に追加

FERROELECTRIC CAPACITOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE - 特許庁

強誘電体キャパシタを備えたメモリセルを読み出すための回路例文帳に追加

CIRCUIT FOR READING OUT MEMORY CELL PROVIDED WITH FERROELECTRIC CAPACITOR - 特許庁

次に、アニールを行うことにより、強誘電体膜２２を結晶化させる。例文帳に追加

Next, the ferroelectric film 22 is crystallized by performing annealing. - 特許庁