「なつよし」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

吉良満義の子（系図により三男とも四男とも言われる）。例文帳に追加

He was Mitsuyoshi KIRA's son (believed to be the third or the fourth son according to the family tree).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

岩倉久米雄殿　金沢区仙石町士族頼信長男例文帳に追加

To Kumeo IWAKURA, the first son of Yorinobu in the warrior class, Sengoku-cho town, Kanazawa ward.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

島津義弘は泗川新城を背に強固な陣を張り、伏兵を配置した。例文帳に追加

Yoshihiro SHIMAZU formed a strong battle formation with the New Sacheon Waeseong at its back and positioned ambush soldiers.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

強誘電体膜としては、一般にＰｂＴｉＯ３，ＰＺＴ（ＰｂＴｉ３，ＰｂＺｒＯ３）またはＰＬＺＴ（Ｌａ，ＰｂＴｉＯ３，ＰｂＺｒＯ３）などが用いられる。例文帳に追加

As a ferroelectrics film, PbTiO3, PZT (PbTi3, PbZrO3) or PLZT (La, PbTiO3, PbZrO3) are used generally. - 特許庁

電極１０２は、強誘電体膜から拡散する酸素をほぼ含まない。例文帳に追加

The electrode 102 does not include almost any oxygen that diffuses from the ferroelectric film. - 特許庁

強誘電性コンデンサを形成するための水素を含まない接触エッチング例文帳に追加

CONTACT ETCHING CONTAINING NO HYDROGEN FOR FORMING FERROELECTRIC CAPACITOR - 特許庁

強誘電体膜およびその製造方法ならびに半導体装置例文帳に追加

FERROELECTRIC FILM, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

誘電体薄膜ならびに強誘電体メモリおよび集積回路例文帳に追加

DIELECTRIC THIN FILM, FERROELECTRIC MEMORY AND INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁

強誘電体キャパシタ６の表面に保護膜７を形成する。例文帳に追加

A protective film 7 is formed on the surface of the dielectric capacitor 6. - 特許庁

強誘電体層（１１Ｂ，１２Ｂ）は、双極子配向処理がなされている。例文帳に追加

Dipole orientation processing is performed to the layers (11B and 12B). - 特許庁

参照セルを用いない１Ｔ１Ｃタイプの強誘電体メモリ装置。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory device of a 1T1C type using no reference cell. - 特許庁

強誘電体メモリ装置およびその製造方法ならびに混載装置例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY, ITS MANUFACTURING METHOD AND HYBRID DEVICE - 特許庁

強磁性半導体膜への効率的なスピン注入を可能とすること。例文帳に追加

To perform efficient spin injection into a ferromagnetic semiconductor film. - 特許庁

第１の強磁性層の上面はプラズマエッチ処理がなされている。例文帳に追加

Plasma etching treatment is applied to the upper surface of the first ferromagnetic layer. - 特許庁

強誘電性液晶表示素子とその製造方法ならびに駆動方法例文帳に追加

FERROELECTRIC LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND ITS MANUFACTURING AND DRIVING METHOD - 特許庁

強磁性体不揮発性記憶素子ならびにその情報再生方法例文帳に追加

FERROMAGNETIC NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT, ITS INFORMATION REPRODUCING METHOD - 特許庁

大きな変形に耐え得る強誘電性液晶エラストマーを提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric liquid crystal elastomer capable of withstanding deformation. - 特許庁

室温において、強磁性を示し大きなスピン分極率が得られる。例文帳に追加

In a room temperature, the magnetic thin film shows ferromagnetism and can provide the large ratio of the spin polarization. - 特許庁

これにより、強磁性体層１５の下部は配線層３ａと同層となる。例文帳に追加

Thus, the lower part of the ferromagnetic layer 15 corresponds to the wiring layer 3a. - 特許庁

強誘電体膜５５ｃの厚さは、７０ｎｍ〜２５０ｎｍとする。例文帳に追加

The thickness of the ferroelectric film 55c is set at 70-250 nm. - 特許庁

大きさが均一な球体を用いた球体群の剛構造体構成装置例文帳に追加

RIGID STRUCTURE COMPONENT DEVICE OF SPHERE GROUP USING EQUAL-SIZE SPHERES - 特許庁

背後剛壁層からの二次的うなり音の再放射を抑制する。例文帳に追加

To suppress the reradiation of secondary beat sound from a back rigid wall layer. - 特許庁

強磁性粉末ならびにそれを用いた塗料および磁気記録媒体例文帳に追加

FERROMAGNETIC POWDER, COATING USING THE SAME AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM - 特許庁

強磁性部品に使用可能なイオウ含有フェライト系ステンレス鋼例文帳に追加

SULPHUR-CONTAINING FERRITIC STAINLESS STEEL USED FOR FERROMAGNETIC PART - 特許庁

強誘電体膜と強磁性体膜との２つの層を積層することなく、かつ強磁性及び強誘電性を損なうことのない構造を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a structure which does not spoil ferromagnetism and ferroelectricity without performing the lamination of the two layers of a ferroelectric film and a ferromagnetic material film. - 特許庁

強磁性半導体（チャネル）５と強磁性ソース７ａ又は強磁性ドレイン７ｂとの相対的な磁化の向きとして情報を記憶させ、トランジスタの伝達特性の違いとして記憶した情報を読み出す。例文帳に追加

Information is stored as the orientation of relative magnification between the ferromagnetic semiconductor (channel) 5 and the source 7a or the drain 7b, and information is read out as the difference in transmission characteristics of a transistor. - 特許庁

バリア膜を不要とした簡便なプロセスで十分な特性を担保できる、強誘電体キャパシタおよびその製造方法、ならびにかかる強誘電体キャパシタを用いた強誘電体メモリ、圧電素子を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric capacitor capable of ensuring sufficient characteristics by a simple process, in which a barrier film is not required, and a ferroelectric memory using such a ferroelectric capacitor and a piezo-electric element. - 特許庁

だが，亜美は競泳の日本記録保持者である仲(なか)西(にし)弘(ひろ)樹(き)(阿(あ)部(べ)力(つよし))と婚約しているのだ。例文帳に追加

However, Ami is engaged to Nakanishi Hiroki (Abe Tsuyoshi), a national record holder in competitive swimming.  - 浜島書店 Catch a Wave

試合後に行われた引退セレモニーでは，歌手の長(なが)渕(ぶち)剛(つよし)さんが自身の曲｢とんぼ｣を歌った。例文帳に追加

In the retirement ceremony held after the game, the singer Nagabuchi Tsuyoshi sang his song “Tombo.”  - 浜島書店 Catch a Wave

強誘電体キャパシタは、上部電極１６と下部電極１８との間に強誘電体膜を具えた構成となっている。例文帳に追加

The ferroelectric capacitor has such structure that a ferroelectric film is provided between an upper part electrode 16 and a lower part electrode 18. - 特許庁

MFMIS 構造の強誘電体メモリセルに対するリライト機能を備え、リライトモードを実行可能なMFMIS 構造の強誘電体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory having MFMIS structure which is provided with a rewrite function for a ferroelectric memory cell having MFMIS structure and which can perform a rewrite mode. - 特許庁

平坦部に成膜された強誘電体は良好な結晶性を持ち、強誘電体キャパシタにおいて、角型性の良いヒステリシスカーブが得られた。例文帳に追加

The ferroelectric substance formed on the flat plane has a superior crystalline characteristic and a hysteresis curve with a superior rectangle characteristic. - 特許庁

強誘電体メモリ２は、１つの強誘電体キャパシタＣを含み、これに入力データＤＩＮの記憶を行うようになっている。例文帳に追加

A ferrodielectric memory 2 comprises one ferrodielectric capacitor, input data DIN is stored in the capacitor. - 特許庁

強誘電液晶を使用する強誘電液晶表示素子への強誘電液晶注入後、封口前の工程において強誘電液晶表示素子を加圧すること無く封口部に封口剤を充填することを可能とする強誘電液晶表示素子の製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric liquid crystal display element, in which an end-sealing agent is filled in an end-sealing part without pressurizing the ferroelectric liquid crystal display element in a step before the end-sealing step after injecting the ferroelectric liquid crystal into the ferroelectric liquid crystal display element using the ferroelectric liquid crystal. - 特許庁

強誘電体薄膜を複数個の電極で挟み、強誘電体薄膜の中で分極信号を転送する分極転送デバイスをメモリセルアレイとして集積し、強誘電体薄膜を連続、一体化した構成をとることにより、強誘電体特性を確保し、微細化、高集積化に適した強誘電体メモリを得る。例文帳に追加

Thus, ferroelectric characteristics can be ensured and a ferroelectric memory suitable for microfabrication and high integration can be obtained. - 特許庁

基体１０と強誘電体層１４との間で、下部電極１２を覆わない位置に、非晶質で、強誘電体層１４を形成するための強誘電体材料と反応しない材料からなる結晶化抑制層１１ａが、強誘電体層１４に接して設けられている。例文帳に追加

A crystallization inhibition layer 11a which is amorphous and consists of a material not reacting with a ferroelectric material for forming the ferroelectric layer 14 is provided so as to contact the ferroelectric layer 14, in a position not covering the lower electrode 12 between the base 10 and the ferroelectric layer 14. - 特許庁

七条家は後裔の赤松義村が赤松政則の後継となり、宗家への復帰を果たすこととなる。例文帳に追加

In the Shichijo family, a descendent Yoshimura AKAMATSU, who became Masanori AKAMATSU's successor, achieved to recover the status of the head family.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

その結果、強誘電体は、凹凸の大きな表面に成膜され、結晶の制御が困難になっている。例文帳に追加

The asperities in the capacitor region increase due to the stacked structure. - 特許庁

基体２上に少なくとも下部電極８と強誘電体膜９と上部電極１０とを有してなる強誘電体キャパシタ３を形成する工程と、強誘電体キャパシタ３を酸素雰囲気下にてアニール処理する工程と、を備えた強誘電体メモリ装置の製造方法である。例文帳に追加

The manufacturing method of a ferroelectric memory device comprises: a process for forming the ferroelectric capacitor 3, having at least a lower electrode 8, a ferroelectric film 9, and an upper electrode 10, on a substrate 2; and a process for annealing the ferroelectric capacitor 3 under an oxygen atmosphere. - 特許庁

強誘電体キャパシタ２は、下部電極１５と、下部電極１５上に形成されて磁性元素を含む強誘電体膜１７と、強誘電体膜１７上に形成された上部電極１９とを有している。例文帳に追加

The ferroelectric capacitor 2 comprises: a lower electrode 15; a ferroelectric film 17 that is formed on the lower electrode 15, and contains a magnetic element; and an upper electrode 19 formed on the ferroelectric film 17. - 特許庁

強誘電体薄膜の形成方法、強誘電体メモリならびに強誘電体メモリの製造方法、および半導体装置ならびに半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING FERROELECTRIC THIN FILM, FERROELECTRIC MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

微細なＣＭＯＳ回路に搭載することができ、良好な残留分極特性を示す強誘電体膜とその製造方法、強誘電体キャパシタ、および強誘電体メモリとその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric film which can be packaged in a micro CMOS circuit and indicates excellent residual polarization characteristics, and manufacturing method thereof, ferroelectric capacitor, ferroelectric memory and manufacturing method thereof. - 特許庁

強磁性金属のイオンを還元させて強磁性金属を析出させる還元工程を行なう際に、強磁性金属のイオンに磁場を印加しながら前記強磁性金属のイオンを還元させる。例文帳に追加

This method includes a reduction step of a ferromagnetic metal ion to have ferromagnetic metal with the ferromagnetic metal ion applied to a magnetic field. - 特許庁

記憶媒体をなす強誘電体容量や強誘電体容量の反転電荷量がばらついても、誤読み出しを起こさないようにした強誘電体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory free from read errors even if there are variations in ferroelectric capacitance or in reversed electric charges in the ferroelectric capacitor. - 特許庁

本株は、強毒豚丹毒菌及び強毒マイコプラズマ・ハイオニューモニエに対し良好なワクチン効果を示した。例文帳に追加

The strain exhibits good vaccine effects on the strong poison swine erysipelas bacteria and the strong poison mycoplasma hyopneumoniae. - 特許庁