「なつよし」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

時尾とのあいだには、長男・勉、次男・剛、三男・龍雄の3人の息子が生まれた。例文帳に追加

SAITO and Tokio had three sons: Tsutomu, the eldest; Tsuyoshi, the second; and Tatsuo, the youngest son.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

幼少時から吉田光由の『塵劫記』を独学し、さらに高度な数学を学ぶ。例文帳に追加

Starting in his childhood, he taught himself mathematics by studying Mitsuyoshi YOSHIDA's "Jinkoki," continuing his studies into even more advanced mathematics.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

梓弓（あずさゆみ）張りて心は強けれど、引き手すくなき身とぞ成りぬる。例文帳に追加

Azusayumi (a bow made of Japanese cherry birch, also a set epithet in classical Japanese poetry), although the heart is strong like bent bow, now there is so little to hold the life back.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

メタロセン内包フラーレン類及び強磁性金属内包フラーレン類、並びに、それらの製造方法例文帳に追加

METALLOCENE-INVOLVED FULLERENES, FERROMAGNETIC METAL-INVOLVED FULLERENES AND METHODS FOR PRODUCING THEM - 特許庁

圧電効果の大きな組成範囲の強誘電体膜を備えた素子を効率よく製造する。例文帳に追加

To efficiently manufacture an element having a ferroelectric film in a composition range large in piezoelectric effect. - 特許庁

強誘電体結晶中に導波路を製造する方法は下記の工程からなる。例文帳に追加

The method of manufacturing the waveguide in a ferroelectric crystal consists of the following steps. - 特許庁

シャワーヘッド、シャワーヘッドを含む成膜装置、ならびに強誘電体膜の製造方法例文帳に追加

SHOWER HEAD, FILM FORMING APPARATUS INCLUDING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRIC FILM - 特許庁

強アルカリ溶液を装置内に導入する必要のない細菌分析装置を提供する。例文帳に追加

To provide a bacteria analysis apparatus requiring no introduction of a strong alkaline solution to the apparatus. - 特許庁

強入力妨害に対する耐性を改善することが可能なテレビジョンチューナを提供する。例文帳に追加

To provide a television tuner capable of enhancing the immunity to strong input disturbance. - 特許庁

そして水平方向には梁７を剛接して、剛接フレーム４を構成する。例文帳に追加

A rigid joint frame 4 is constituted by rigidly joining a beam 7 in a horizontal direction. - 特許庁

強誘電体膜４が少なくとも上部電極５と略同じ範囲に設けられている。例文帳に追加

The film 4 is provided in at least almost the same scope as in the electrode 5. - 特許庁

樹脂を施して金型内で適当な剛さまで硬化させた後、金型を取り外す。例文帳に追加

After the resin is applied and cured to an appropriate stiffness within the mold, the mold is removed. - 特許庁

強磁性金属ナノ構造体の生成方法、強磁性金属ナノファイバーおよびそれを用いたはんだ、ならびにシート材を製造する際に、簡便な操作で生成することができる強磁性金属ナノ構造体の生成方法およびそれにより得られる強磁性金属ナノ構造体の用途を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferromagnetic metal nanostructure which facilitates manufacturing ferromagnetic metal nanofiber and solder or sheets using the ferromagnetic metal nanofiber and provide a use of the manufactured ferromagnetic metal nanostructure. - 特許庁

強誘電体を形成可能な組成物を下部電極上に塗布するための、レジストを含む鋳型７を形成し（ａ）、鋳型７中に、強誘電体を形成可能な組成物を塗布し、強誘電体形成性組成物層３ａを形成し（ｂ）、その後、焼成する（ｃ）。例文帳に追加

The composition material is coated in the mold 7 and a composition layer 3a for forming the ferroelectric substance is formed (b) and then it is baked (c). - 特許庁

まず、強誘電体膜３１７を厚く堆積し、その後に、ウエハ全体で膜厚を均一に堆積可能な層間絶縁膜３１６をストッパとして、ＣＭＰ法で強誘電体膜３１７を平坦化して、強誘電体膜３１７ａを形成する。例文帳に追加

First the ferroelectric film 317 is deposited to be thick, and then, the ferroelectric film 317 is flattened by a CMP method with the interlayer dielectric 316 as a stopper, which can be deposited with a uniform thickness on an entire wafer, to form the ferroelectric film 317a. - 特許庁

強磁性体からなる第１の電極１２と強磁性体からなる第２の電極１３と第１の電極１２及び第２の電極１３の間に配置されるナノ粒子１４とを備え、ナノ粒子１４が強磁性金属ナノ粒子１４ａの外周に絶縁性を有する保護基１４ｂを有する。例文帳に追加

The tunnel magnetic resistance element includes a first electrode 12 made of ferromagnetic material, a second electrode 13 made of ferromagnetic material and nanoparticles 14 arranged between the first and second electrodes 12 and 13, and the nanoparticles 14 have insulative and protective groups 14b on the outer periphery of ferromagnetic metal nanoparticles 14a. - 特許庁

半導体基板１０の上方に形成された強誘電体キャパシタ６２は、下部電極４８と、強誘電体特性を備えた誘電体膜（強誘電体膜）５０と、上部電極６０とを有する。例文帳に追加

A ferroelectric capacitor 62 formed above a semiconductor substrate 10 has a lower electrode 48, a dielectric film (ferroelectric film) 50 having ferroelectric characteristics, and an upper electrode 60. - 特許庁

強誘電体特性が良好であって、電極膜の剥離が生じにくい、強誘電体キャパシタ及びその製造方法、並びに強誘電体メモリ装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a ferroelectric capacitor and its manufacturing method, in which the ferroelectric characteristics are satisfactory, and the exfoliation of an electrode film is hard to occur and to provide a ferroelectric memory device. - 特許庁

強誘電体素子１１は、強誘電体膜１０３と強誘電体膜１０３をはさんで配置される第１の電極１０２と第２の電極１０４を備える。例文帳に追加

The ferroelectric element 11 comprises a ferroelectric film 103, a first electrode 102 and a second electrode 104 disposed on both sides of the ferroelectric film 103. - 特許庁

基板１上に堆積させた強誘電体膜２の形成材料を結晶化し、強誘電体膜２を成膜する結晶化工程を、当該結晶化工程途中における強誘電体膜２のラマンスペクトルによって監視する。例文帳に追加

A crystallization process in which a material for forming a ferroelectric film 2 deposited on a substrate 1 is crystallized to form the ferroelectric film 2 is monitored with a Raman spectrum of the ferroelectric film 2 in the course of the crystalization process. - 特許庁

半導体記憶装置は、強誘電体キャパシタ３０と、強誘電体キャパシタ３０に直列に接続された読み出しＦＥＴ１０と、強誘電体キャパシタ３０に並列に接続された選択ＦＥＴ２０とを備えている。例文帳に追加

A semiconductor memory is provided with a ferroelectric capacitor 30, a read-out FET 20 connected to the ferroelectric capacitor 30 in series, and a selection FET 20 connected to the ferroelectric capacitor 30 in parallel. - 特許庁

可変容量素子を、強誘電体材料で形成された強誘電体層と、強誘電体層を挟み込むように設けられた２つの電極とを備える構成とする。例文帳に追加

The variable capacity element includes a ferroelectric layer made of ferroelectric material, and two electrodes provided to sandwich the ferroelectric layer. - 特許庁

そのため、強誘電体膜３１７ａに膜厚が薄い部分は生じず、リーク電流が流れることはなく、強誘電体膜３１７ａの膜厚がばらつくこともない。例文帳に追加

Therefore, a thin part is not generated on the ferroelectric film 317a, a leakage current does not flow, and the thickness of the ferroelectric film 317a is not varied. - 特許庁

強誘電体素子の製造方法において、高価な基板を用いることなく、また複雑なプロセスを経ることなく、比較的低温で、結晶性及び結晶配向性に優れた強誘電体膜を成膜する。例文帳に追加

To deposit a ferroelectric film excellent in crystalline and crystalline orientation at comparatively low temperature without neither using an expensive substrate nor going through complicated processes concerning a method for manufacturing a ferroelectric element. - 特許庁

強誘電体トランジスタのソースおよびドレインを用いて読み出し動作を行うことで、読み出し動作時に、強誘電体トランジスタのゲート絶縁膜を構成する強誘電体膜に電圧が印加されることを避けることができ、強誘電体膜の分極状態が変化することを防止できる。例文帳に追加

By performing read operation using the source and the drain of the ferroelectric transistor, during read operation, it can be evaded that voltage is applied to the ferroelectric film constituting a gate insulation film of the ferroelectric transistor, and change of a polarization state of the ferroelectric film can be prevented. - 特許庁

強信号の衛星信号と弱信号の衛星信号とが合成された信号を受信する環境下において、強信号ｃｈでの振幅を求めること無く、弱信号ｃｈの強信号相互相関値を推定し、弱信号ｃｈでの強信号の影響を排除する。例文帳に追加

To remove an influence of a strong signal on a weak signal ch by estimating a strong signal mutual correlation value of the weak signal ch without acquiring an amplitude in the strong signal ch, under an environment wherein a synthesized signal of a satellite signal of the strong signal and a satellite signal of the weak signal is received. - 特許庁

強磁性ワード線と、強磁性ワード線と交差する非磁性ビット線と、強磁性ワード線と対向する配線と、強磁性ワード線及び非磁性ビット線の交差部分と配線との間に設けられた磁気抵抗効果素子２０１とを備える。例文帳に追加

The spin memory has a ferromagnetic word line, a nonmagnetic bit line crossing the ferromagnetic word line, a wiring opposed to the ferromagnetic word line, and the magneto-resistance effect element 201 provided between an intersection part of the ferromagnetic word line and nonmagnetic bit line, and the wiring. - 特許庁

第１の電極１４、第２の電極１８、及び第３の電極２４、並びに、第１の強誘電性ポリマー層１６及び第２の強誘電性ポリマー層２２は、第１の強誘電性コンデンサ構造２８及び第２の強誘電性コンデンサ構造３０を規定する。例文帳に追加

The first, second and third electrodes 14, 18, 24 and the first and second ferroelectric polymer layers 16, 22 define first and second ferroelectric capacitor structures 28, 30. - 特許庁

強磁性固定層、分離層および強磁性フリー層備えたスピン注入磁化反転素子において、強磁性固定層が分離層に接している面積が、強磁性フリー層が分離層に接している面積よりも大きいことを特徴とする。例文帳に追加

In a spin implantation magnetization reversal element with a ferromagnetic fixed layer, separating layer, and a ferromagnetic free layer, a ferromagnetic fixed layer area adjacent to the separating layer is larger than a ferromagnetic free layer area adjacent to the separating area. - 特許庁

第１の強磁性層（１）と、前記第１の強磁性層の上に設けられた絶縁層（３）と、前記絶縁層の上に設けられた第２の強磁性層（２）と、を備え、前記絶縁層には開口幅が２０ｎｍ以下の開口（Ａ）が設けられ、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層とは前記開口を介して接続されてなる磁気抵抗効果素子を提供する。例文帳に追加

An opening (A) having a diameter of 20 nm or smaller is provided to the insulating layer (3), and the first ferromagnetic layer (1) and the second ferromagnetic layer (2) are connected together through the intermediary of the opening (A) for the formation of the magnetoresistive effect device. - 特許庁

強誘電体膜の熱処理方法は、強誘電体膜内の酸素が該強誘電体膜の外部に拡散することを防止する第１の熱処理を行なう工程と、第１の熱処理を行なう工程の後に、強誘電体膜を結晶化する第２の熱処理を行なう工程とを含む。例文帳に追加

The method for the heat treatment of the ferroelectric film comprises processes for performing: first heat treatment for preventing oxygen in the ferroelectric film from being diffused to the outside of the ferroelectric film, and second heat treatment for crystallizing the ferroelectric film after the process for performing the first heat treatment. - 特許庁

強磁性体からなる物品を磁石に磁力で固定した状態で該磁石を介して回転させながら、該物品の少なくとも一部分に塗布剤をスプレー塗布することを特徴とする強磁性体からなる物品の塗装方法。例文帳に追加

In the method for coating the article of the ferromagnetic body, while the article is fixed by a magnet and rotated through the magnet, the coating is sprayed to at least a part of the article. - 特許庁

下部電極１７と、下部電極１７の上面に形成された強誘電体膜１４と、強誘電体膜１４の上面に形成された導電性膜からなる上部電極１５とからなるキャパシタ１８を有する。例文帳に追加

This memory has a capacitor 18 that comprises a lower electrode 17, a ferroelectric film 14 formed on the top surface of the lower electrode 17, and an upper electrode 15 consisting of a conductive film formed on the top surface of the ferroelectric film 14. - 特許庁

遮断弁装置６６は、遮断弁６８と、遮断弁６８に設けられた永久磁石７０と、メータハウジング５２側に取り付けられた強磁性部材７２と、強磁性部材７２を磁化させるためのコイル７４とを具備する。例文帳に追加

The cutoff valve apparatus 66 has a cutoff valve 68, a permanent magnet 70 provided in the cutoff valve 68, a ferromagnetic member 72 that is mounted on the side of the meter housing 52, and a coil 74 for magnetizing the ferromagnetic member 72. - 特許庁

基体２上に設けられて、基体２内に埋設されたプラグ１８に接続する酸素バリア膜１３と、酸素バリア膜１３上に設けられた下部電極１４と強誘電体膜１５と上部電極１６とからなる強誘電体キャパシタ３と、を備えてなる強誘電体メモリ装置１である。例文帳に追加

The ferroelectric memory device 1 is provided with an oxygen barrier film 13 provided on a substrate 2 and connected to a plug 18 buried in the substrate 2; and the ferroelectric capacitor 3 comprising a lower electrode 14, a ferroelectric film 15 and an upper electrode 16 which are provided on the oxygen barrier film 13. - 特許庁

強誘電体を有する電界効果トランジスタ型記憶素子において、強誘電体層が、バッファ層と電極層の間に積層される第一の強誘電体層と、ゲートスタックを被包するように積層される第二の強誘電体層からなることを特徴とする強誘電体を有する電界効果トランジスタ型記憶素子を提供する。例文帳に追加

In the field-effect transistor memory element having the ferroelectric material, a ferroelectric layer is composed of a first ferroelectric layer stacked between a buffer layer and an electrode layer, and a second ferroelectric layer stacked to cover a gate stack. - 特許庁

強誘電体キャパシタを形成するために下部電極１２、強誘電体膜１３及び上部電極１４を順次堆積し、強誘電体キャパシタの上部電極１４及び強誘電体膜１３を同一マスクによってエッチング加工後、別のマスク１７を用いて強誘電体キャパシタの下部電極１２をエッチング加工する。例文帳に追加

To form ferroelectric capacitors, lower electrodes 12, ferroelectric film 13 and upper electrodes 14 are deposited one after another, the upper electrodes 14 of the ferroelectric capacitors and the ferroelectric film 13 thereof are etched using the same mask, and then the lower electrodes 12 of the ferroelectric capacitors are etched using another mask 17. - 特許庁

ヒステリシス特性を簡便に回復させることができ、かつ、メモリ回路を動作させなくても強誘電体メモリ装置に保持された情報を消去することができる、強誘電体メモリ装置、半導体パッケージ装置、強誘電体キャパシタの再生方法、強誘電体メモリ装置の初期化方法、および強誘電体メモリ装置の廃却方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory device, semiconductor package device, reproducing method for a ferroelectric capacitor, initializing method for the ferroelectric memory device, and discarding method for the ferroelectric memory device in which hysteresis characteristics can be easily recovered, and information held in the ferroelectric memory device can be erased even without operating a memory circuit. - 特許庁

リング状に直列に接続された複数の強誘電体キャパシタを有する第１の強誘電体キャパシタ群と、第１の強誘電体キャパシタ群のうちのいずれかの強誘電体キャパシタを、第１のビット線及び第１のプレート線に電気的に接続するか否かを切り換える切換手段とを備えた強誘電体メモリ装置。例文帳に追加

This ferroelectric memory device is provided with a first ferroelectric capacitor group having a plurality of ferroelectric capacitors connected in series in the shape of a ring, and a switching means for switching whether either of the ferroelectric capacitors in the first ferroelectric capacitor group is electrically connected to a first bit line and a first plate line. - 特許庁

吉原の万灯籠（よしわらのまんどろ）とは、京都府舞鶴市に伝わる伝説的で勇壮な祭のひとつ。例文帳に追加

Yoshiwara no Mandoro is a traditional and vibrant festival that takes place in Maizuru City, Kyoto Prefecture.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

山芋を入れた「芋酒」（強精効果があるという）などが代表的である。例文帳に追加

Imozake' made using yamaimo (Japanese yam; said to have the effect of increasing vitality) is a major example.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

このきっかけになったのが1627年、京都の吉田光由によって書かれた『塵劫記』である。例文帳に追加

The beginning of the great development was triggered by "Jinkoki," written by Mitsuyoshi YOSHIDA in Kyoto during 1627.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

また長次郎以外では唯一吉左衛門を名乗らず、吉兵衛と名乗った。例文帳に追加

Incidentally, except for Chojiro, Donyu, who took the name "Kichibe", was the only leader who did not take the name Kichizaemon.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

安福春雄の後も、子の建雄、柿原崇志、国川純など手利きが多い。例文帳に追加

After Haruo YASUFUKU, many skilled performers such as his son Tatsuo, Takashi KAKIHARA, and Jun KUNIKAWA appeared from this school.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

数日後の雪の夜、幸蔵はおもとの弟・三吉から衝撃的な知らせを受ける。例文帳に追加

A few days later on a snowy night, Kozo receives a shocking news from Sankichi, Omoto's younger brother.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス