| 例文 (999件) |
なつよしの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4333件
強誘電体メモリの素子構造、並びに非破壊読み出し方法例文帳に追加
STRUCTURE OF FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT AND NONDESTRUCTIVE READOUT METHOD - 特許庁
次に、強誘電体層と上部電極層に２回目のアニールを行う。例文帳に追加
Next, the second annealing is performed for the ferroelectric layer and the upper electrode layer. - 特許庁
現像を行って強誘電体膜の露光部分を除去する。例文帳に追加
Development is performed to remove the exposed part of the ferroelectric film. - 特許庁
強誘電体メモリ素子及びその製造方法並びにエッチバック方法例文帳に追加
FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ETCHING BACK METHOD - 特許庁
誘電体薄膜の製造方法並びに強誘電体装置例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING DIELECTRIC THIN FILM AND FERROELECTRIC DEVICE - 特許庁
その絶縁層上に第２の強磁性体層（フリー層）１０７を作製することで、第１の強磁性体層１０３と第２の強磁性体層１０７で第２段階の酸化物層１０６を挟んだ構成の強磁性トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子を製造する。例文帳に追加
The method also comprises the step of manufacturing the magnetoresistance effect element having the ferromagnetic tunnel junction of the constitution in which the oxide layer 106 of the second stage is interposed between the first ferromagnetic layer 103 and the second ferromagnetic layer 107. - 特許庁
強誘電体キャパシタの評価を製造プロセス中に行う。例文帳に追加
A ferroelectric capacitor is evaluated during a manufacture process. - 特許庁
強誘電体メモリ装置及びその駆動方法並びに電子機器例文帳に追加
FERROELECTRIC MEMORY APPARATUS, DRIVING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁
強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING FERROMAGNETIC SUBSTANCE, TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
強磁性金属粒子粉末及びその製造法、並びに磁気記録媒体例文帳に追加
FERROMAGNETIC METAL PARTICLE POWDER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM - 特許庁
強誘電体薄膜とその成膜用原料溶液および成膜方法例文帳に追加
FERROELECTRIC THIN FILM, RAW MATERIAL SOLUTION FOR FORMING THE SAME FILM AND FORMATION OF FILM - 特許庁
分極処理された強誘電体に、電圧を印加して分極反転を行う。例文帳に追加
Voltage is applied to a polarized ferroelectric and polarization inversion is performed. - 特許庁
強磁性金属粒子粉末及びその製造法、並びに磁気記録媒体例文帳に追加
FERROMAGNETIC-METAL PARTICLE POWDER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM - 特許庁
強誘電性液晶材料の製造方法並びに液晶素子例文帳に追加
PRODUCTION OF FERROELECTRIC LIQUID CRYSTAL MATERIAL AND LIQUID CRYSTAL ELEMENT - 特許庁
強誘電体薄膜の成膜用原料溶液および成膜方法例文帳に追加
RAW MATERIAL SOLUTION FOR FORMING FILM OF FERROELECTRIC THIN FILM AND FORMATION OF FILM - 特許庁
冷却板５３間には同じくＵ字型の強磁性体５４が差し込まれる。例文帳に追加
Similarly the same U-shaped ferromagnetic bodies 54 are inserted between the cooling plates 53. - 特許庁
外装材と雄実加工方法並びに外装材の接合構造例文帳に追加
EXTERIOR MATERIAL, TONGUE MACHINING METHOD, AND EXTERIOR MATERIAL CONNECTION STRUCTURE - 特許庁
強磁性金属粉末及びその製造方法並びに磁気記録媒体例文帳に追加
FERROMAGNETIC METAL POWDER, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM - 特許庁
絶縁性及び強磁性を兼ね備えた半導体を提供すること。例文帳に追加
To provide a semiconductor which is insulating and ferromagnetic. - 特許庁
本発明の強誘電フィルムは、前記強誘電分域アレイ構造を備える。例文帳に追加
The ferroelectric film has the ferroelectric domain array structure. - 特許庁
強誘電体キャパシタを備えた不揮発性ＤＲＡＭを提供する。例文帳に追加
To provide a non-volatile DRAM provided with a ferroelectric capacitor. - 特許庁
強誘電体メモリ装置及びその駆動方法並びに電子機器例文帳に追加
FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND DRIVE METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC EQUIPMENT - 特許庁
強磁性金属粒子粉末の製造法、並びに磁気記録媒体例文帳に追加
METHOD FOR PRODUCING FERROMAGNETIC-METAL PARTICLE POWDER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM - 特許庁
強磁性金属粒子粉末及びその製造法、並びに磁気記録媒体例文帳に追加
FERROMAGNETIC METAL PARTICLE, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM - 特許庁
強磁性金属粒子粉末及びその製造法、並びに磁気記録媒体例文帳に追加
FERROMAGNETIC METAL PARTICLE POWDER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM - 特許庁
強誘電体メモリ及びその製造方法並びに電子機器例文帳に追加
FERROELECTRIC MEMORY, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE - 特許庁
下部電極１２と上部電極１４との間に強誘電体膜１３を有した強誘電体キャパシタ３を備えてなる強誘電体メモリ装置１である。例文帳に追加
The ferroelectric memory device 1 is provided with a ferroelectric capacitor 3 having a ferroelectric film 13 between a lower electrode 12 and an upper electrode 14. - 特許庁
ネマティック相では、強誘電性液晶の自然のらせんピッチが、強誘電性液晶層１５の厚みよりも十分長いため、素子の強誘電性液晶層１５の配向が容易になる。例文帳に追加
In the nematic phase, the natural spiral pitch of the ferroelectric liquid crystal is sufficiently longer than the thickness of the ferroelectric liquid crystal layer 15, therefore, orientation of the ferroelectric liquid crystal layer 15 of the element becomes easy. - 特許庁
ネマティック相では、強誘電性液晶の自然のらせんピッチが、強誘電性液晶層の厚みよりも十分長いため、素子の強誘電性液晶層の配向が容易になる。例文帳に追加
Since the natural helix pitch of the ferroelectric liquid crystal is sufficiently longer than the thickness of the ferroelectric liquid crystal layer of the device in the nematic phase, the ferroelectric liquid crystal layer of the device is easily arranged. - 特許庁
ネマティック相では、強誘電性液晶の自然のらせんピッチが、強誘電性液晶層の厚みよりも十分長いため、素子の強誘電性液晶層の配向が容易になる。例文帳に追加
In the nematic phase, as the natural helical pitch of the ferroelectric liquid crystal is sufficiently greater than the thickness of the ferroelectric liquid crystal layer to facilitate alignment of the ferroelectric crystal layer in the device. - 特許庁
ネマティック相では、強誘電性液晶の自然のらせんピッチが、強誘電性液晶層の厚みよりも十分長いため、素子の強誘電性液晶層の配向が容易になる。例文帳に追加
In the nematic phase, the natural helix pitch of the ferroelectric liquid crystal is sufficiently greater than the thickness of the ferroelectric liquid crystal layer to facilitate alignment of the ferroelectric liquid crystal layer in the device. - 特許庁
第１の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層より保磁力の大きな第２の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間に設けられた膜厚が単調に変化する非磁性体と、前記第１の強磁性体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを設ける。例文帳に追加
The three terminal-type magnetoresistance effect element includes: a first ferromagnetic layer; a second ferromagnetic layer having a larger magnetic coercive force than that of the first ferromagnetic layer; a nonmagnetic material of which the film thickness provided between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer monotonously changes; and a gate electrode provided on the first ferromagnetic layer via a gate insulating film. - 特許庁
多結晶又は非晶質の基板上に、多結晶からなる第１の強誘電体膜３ａを形成した後、第１の強誘電体膜３ａの表面を平滑化処理し、平滑化処理された第１の強誘電体膜３ａ上に、第１の強誘電体膜３ａと同一の結晶構造を有する薄膜の第２の強誘電体膜３ｂを積層して、強誘電体積層構造を製造する。例文帳に追加
The ferroelectric stacked-layer structure is fabricated by forming a first polycrystalline ferroelectric film 3a of polycrystal on a polycrystalline or amorphous substrate, and then planarizing a surface of the first ferroelectric film 3a, and laminating on the first ferroelectric film 3a having been planarized a second thin ferroelectric film 3b having the same crystalline structure as the first ferroelectric film 3a. - 特許庁
簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。例文帳に追加
To provide a composition for forming a ferroelectric thin film suitable for the application to a thin film capacitor of high capacitance density, which can remarkably improve a relative dielectric constant compared with the case of the conventional ferroelectric thin film by a simple means, a method for forming the ferroelectric thin film, and a ferroelectric thin film formed by the method. - 特許庁
この強磁性体バルク部材１８を配置することで、例えば，強磁性体板１４の内部を通り，強磁性体板１６方向に向かう磁束があるとき、磁束は強磁性体バルク部材１８の内部を通りぬけ、強磁性体板１６内部へぬける。例文帳に追加
By arranging these members, when there is a magnetic flux passing into the plate 14 toward the plate 16, the magnetic flux passes through the insides of the members 18 to the inside of the plate 16. - 特許庁
子に小出祐英（長男）、小出英発（次男）、小出祐順（三男）、娘（稲垣長剛正室）。例文帳に追加
His children include Hirofusa KOIDE (the first son), Fusaoki KOIDE (the second son), 小出祐順 (the third son) and a daughter (lawful wife of Nagakata INAGAKI). - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
(年齢的にかなり高齢の光義自身は出陣していない、という説あり)。例文帳に追加
(Although, there is a theory that he did not went to the front, as he was considerably old at that time). - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
酸化イットリウム膜６６は強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７を結晶化する際に下地となる。例文帳に追加
The yttrium oxide film 66 is used as a base in crystallizing the ferroelectric film (STN film) 57. - 特許庁
次に、下部電極７上に強誘電体薄膜からなる容量絶縁膜８を形成する。例文帳に追加
A capacitive insulating film 8 formed of a ferroelectric thin film is formed on the lower electrode 7. - 特許庁
第２の磁気記録層７には少なくともＣｏとＣｒを含む合金の強磁性材料が用いられる。例文帳に追加
An alloyed ferromagnetic material containing at least Co and Cr is used in the second magnetic recording layer 7. - 特許庁
エッチングストップ層１９は、強酸や、強アルカリなどでウエットエッチングが可能な層である。例文帳に追加
The etch stopper layer 19 can be etched with a strong acid or a strong alkali. - 特許庁
第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。例文帳に追加
The second ferromagnetic layer is composed of CoFe, NiFe, etc. and has a negative magnetostriction constant. - 特許庁
酸化タンタル膜６６は強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７を結晶化する際に下地となる。例文帳に追加
The tantalum oxide film 66 is used as the underlayer for crystallization of the ferroelectric material film (STN film) 57. - 特許庁
結晶欠陥が少なく良好な特性を持つ強誘電体膜積層体を提供する。例文帳に追加
To provide a ferroelectric film lamination having few crystal defects and with excellent characteristics. - 特許庁
強磁性体からなる遮蔽板を用いることなく誘導加熱器の周辺設備の加熱を抑制する。例文帳に追加
To restrain heating of peripheral equipments of an induction heating device without using shield plate made of ferromagnetic body. - 特許庁
第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。例文帳に追加
The second ferromagnetic layer comprises CoFe, NiFe and the like, and has a negative magnetostriction constant. - 特許庁
強固定部７０Ｃ，７０Ｄは、フレーム３０における第２領域部３０Ｂに対して接合している。例文帳に追加
The firmly fixed parts 70C, 70D are joined with the second area 30B in the frame 30. - 特許庁
結晶欠陥が少なく良好な特性を持つ強誘電体膜積層体を提供する。例文帳に追加
To provide a ferroelectric film laminated body which is few in crystal-defect and has good characteristics. - 特許庁
保護配線１０２０が除去されると、強誘電体メモリ１１は、復号鍵を出力できなくなる。例文帳に追加
When the protective wiring 1020 is removed, the ferroelectric memory 11 no longer is able to output the decoding key. - 特許庁
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