「なつよし」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

強誘電体薄膜を複数個の電極で挟み、強誘電体薄膜の中で分極信号を転送する分極転送部と、ゲート部に強誘電体薄膜を有する電界効果型トランジスタを分極検出部とをメモリの構成要素として組み合わせ、かつ強誘電体薄膜を連続、一体化した構成をとることにより、強誘電体特性を確保し、微細化、高集積化に適した強誘電体メモリを得る。例文帳に追加

Thus, ferroelectric characteristics can be ensured and a ferroelectric memory suitable for microfabrication and high integration can be obtained. - 特許庁

強誘電体の結晶化における熱負荷を低減することができる強誘電体薄膜の形成方法、強誘電体メモリならびに強誘電体メモリの製造方法、および半導体装置ならびに半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming ferroelectric thin film which may reduce thermal load in crystallization of a ferroelectric, a ferroelectric memory and a method of manufacturing ferroelectric memory, and a semiconductor device and a method of manufacturing semiconductor device. - 特許庁

強誘電状態において、双極子モーメントが上記基板の表面に対して少なくとも１つの所定の向きである平均の向きを有する軸に沿って配向されるように、少なくとも強誘電体粒子の一部を配向し、基板に強誘電体粒子を付着させる。例文帳に追加

In a ferroelectric state, ferroelectric particles are stuck to a substrate while at least one part of ferroelectric particles is aligned arranged so that a dipole moment is arranged along an axis having average direction being at least one prescribed direction on a surface of the substrate. - 特許庁

記憶装置は、下部電極１０と、下部電極１０の上方に形成された強誘電体層１２と、強誘電体層１２の上方に形成され、強誘電体層と異なる組成の酸化物からなる電荷補償層１４と、電荷補償層１４の上方に形成された上部電極と、を含む。例文帳に追加

The storage device comprises a lower electrode 10, a ferroelectric layer 12 formed above the lower electrode 10, a charge compensation layer 14 which is formed above the ferroelectric layer 12 and comprises an oxide having different composition from the ferroelectric layer, and an upper electrode formed above the charge compensation layer 14. - 特許庁

二つの強磁性体層１４ｃ，１６とこれらの間に挟まれる非磁性体層１５とを含む多層膜構造の磁気抵抗効果素子において、強磁性体層１４ｃ，１６のうちの少なくとも一方を、強磁性を示す元素とホウ素とを含む材料からなる構成とする。例文帳に追加

In the magnetoresistive effect memory element of multilayer film structure comprising two ferromagnetic layers 14c and 16 and a nonmagnetic layer 15 sandwiched between, at least one of the ferromagnetic layers 14c and 16 is composed of a material containing an element exhibiting ferromagnetism and boron. - 特許庁

これにより、半導体装置の製造工程が完了するまでの間にロジック回路形成領域の強誘電体膜１２７に水素及び水分が侵入して強誘電体特性が劣化し、強誘電体キャパシタが常誘電体キャパシタとなる。例文帳に追加

Thus, until the step of manufacturing the semiconductor device is completed, hydrogen and water enter the ferroelectric film 127 of the logic circuit forming region to deteriorate ferroelectric characteristics, and the ferroelectric capacitor turns into the paraelectric capacitor. - 特許庁

強誘電体の結晶化における熱負荷を低減することができる強誘電体薄膜の形成方法、強誘電体メモリならびに強誘電体メモリの製造方法、および半導体装置ならびに半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming ferroelectric thin film, which reduces thermal load in crystallization of a ferroelectric, a ferroelectric memory, and to provide a method of manufacturing a ferroelectric memory, and a semiconductor device, and to provide a method of manufacturing semiconductor device. - 特許庁

これは主として、バッファ層及び強誘電体のリーク電流が大きいため、強誘電体が記憶した電気分極を遮蔽するように強誘電体とバッファ層の界面付近に電荷が蓄積されトランジスタのソースドレイン間の電気伝導を強誘電体の電気分極が制御できなくなるためである。例文帳に追加

An insulator buffer layer 2 is composed of HfO_2+u or Hf_1-xAl_2xO_2+x+y to reduce the leakage current from both of the insulation buffer layer 2 and a ferroelectric 3 and to provide a memory transistor which retains data for a good long time. - 特許庁

第１積層部は、膜面に対して垂直な成分を有する第１の方向に磁化が実質的に固着された第１の強磁性層と、磁化の方向が膜面に対して垂直な方向に可変である第２の強磁性層と、第１、第２の強磁性層の間に設けられた第１の非磁性層と、を含む。例文帳に追加

The first lamination part includes a first ferromagnetic layer having magnetization substantially fixed in a first direction having a component perpendicular to a film face, a second ferromagnetic layer having magnetization variable in a direction perpendicular to the film face, and a frist non-magnetic layer provided between the first and the second ferromagnetic layers. - 特許庁

強誘電体特性を評価する新たな方法を提供し、強誘電体材料をメモリー媒体とするＬＳＩメモリーのような微小領域の強誘電体特性を高速に、高分解ので、かつ、簡易に評価できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a new method for evaluating characteristics of a ferroelectric material which is capable of easily evaluating the characteristics of a micro region of ferroelectric material such as an LSI memory using the ferroelectric material as a memory medium with high resolution at a high speed. - 特許庁

第２積層部は、磁化の方向が膜面に対して平行な方向に可変である第３の強磁性層と、膜面に対して垂直な成分を有する第２の方向に磁化が実質的に固着された第４の強磁性層と、第３、第４の強磁性層の間に設けられた第２の非磁性層と、を含む。例文帳に追加

The second lamination part includes a third ferromagnetic layer having magnetization variable in a direction parallel with the film face, a fourth ferromagnetic layer having magnetization substantially fixed in a second direction having a component perpendicular to the film face, and a second non-magnetic layer provided between the third and the fourth non-magnetic layers. - 特許庁

（１Ｔ／２Ｃセル）型の強誘電体メモリにおいて、必要な強誘電体容量の面積を確保したまま、強誘電体容量１個あたりの占有面積を縮小することができ、かつ１個のメモリセルトランジスタに接続する２個の強誘電体容量間の特性ばらつきをなくす。例文帳に追加

To reduce the occupied area of a ferroelectric capacitor while ensuring an area necessary for the ferroelectric capacitor, and eliminate irregularity of characteristic between two ferroelectric capacitors to be connected with a memory cell transistor, in a (1T/2C cell) type ferroelectric memory. - 特許庁

強誘電体キャパシタ５１，５２に印加される電圧は、これを除去したあとに強誘電体キャパシタ５１，５２の分極がもとの偏位に戻る範囲であるので、強誘電体メモリセルの結線情報が出力により損なわれることがなく、非破壊読み出しが可能である。例文帳に追加

The voltages applied to the capacitors 51, 52 are in a range where their polarization returns to original displacements, and hence the connection information of the ferroelectric memory cells is never lost but the non-destructive read is enabled. - 特許庁

半導体記憶装置は、第１の強誘電体膜（３）及び第２の強誘電体膜（６）よりなる積層膜と、積層膜を垂直方向に横切る電場を発生させる手段（２、７）と、第１の強誘電体膜（３）と第２の強誘電体膜（６）との界面に電流を流し且つ前記電流を検出する手段（４、５）とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor memory device is provided with a lamination film comprised of a first ferroelectric film (3) and a second ferroelectric film (6), means (2 and 7) to generate an electric field crossing the lamination film in vertical direction, and means (4 and 5) to apply current in a boundary between the first and second ferroelectric films (3 and 6) to detect the current. - 特許庁

強誘電体キャパシタを構成する強誘電体がぺロブスカイト構造をもつ正方晶のＰｂ（Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_3 ［ＰＮＺＴ］からなり、組成比（百分率）：Ｎｂ／（Ｎｂ＋Ｚｒ＋Ｔｉ）が３．５％以内であることが基本になっている。例文帳に追加

The ferroelectrics constituting the ferroelectric capacitor comprises Pb(Nb, Zr, Ti)O_3 [PNZT] of tetragonal having perovskite structure, with 3.5% or less composition ratio (percentage) Nb/(Nb+Zr+Ti). - 特許庁

徒に工程数を増加させることなく、強誘電体キャパシタにダメージを与えずに強誘電体キャパシタに対する開孔を層間絶縁膜及び水素拡散防止膜に形成し、しかも不要な残存物を除去する。例文帳に追加

To form an aperture to a ferroelectric capacitor in an interlayer insulation film and a hydrogen diffusion prevention film especially without increasing the number of processes, and without damaging the ferroelectric capacitor, and to remove unneeded residuals. - 特許庁

強誘電体キャパシタ形成に係る熱処理ばかりではなく、強誘電体キャパシタの下部電極の形成前に行われる熱処理などによる導電性プラグの酸化を防止することができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device by which oxidation of conductive plugs because of not only thermal treatment relative to formation of a ferroelectric capacitor but also the thermal treatment or the like which is performed before forming lower electrodes of the ferroelectric capacitor can be prevented. - 特許庁

対応する第２の自転車用品（３）の雌（５）又は雄（４）の結合部への結合に適する少なくとも１つの雄（４）又は雌（５）の結合部（４）を備えた自転車用品（２）からなる。例文帳に追加

This bicycle component (2) is provided with at least one male (4) or female (5) coupling portion (4) suitable for coupling a female (5) or male (4) coupling portion of a corresponding second bicycle component (3). - 特許庁

強誘電体膜１０３形成後、絶縁膜１０４を成膜し、平坦化することにより、強誘電体膜１０３と絶縁膜１０４は同一平面を形成することができ、第二電極１０５の下地は、平坦な形状となる。例文帳に追加

The ferroelectric 103 and an insulation film 104 can form the same plane by forming and planarizing the insulation film 104 after forming the ferroelectric film 103, and the a base of the second electrode 105 becomes flat. - 特許庁

強予告制御部１７１０は、演出判定部１７０４によって強予告演出が実行可能であると判定された場合に、それぞれ独立した演出内容である複数種類の強予告演出を実行する。例文帳に追加

If it is determined that a strong notice rendition can be performed by a rendition determination part 1704, a strong notice control part 1710 performs a plurality of kinds of the strong notice rendition that are respectively independent rendition contents. - 特許庁

伝達リンク４０は、柔領域４３を介して互いに接続連結された第１の剛部分４２と第２の剛部分４４とを有するような、選択的に柔順な梁である。例文帳に追加

The transfer link 40 is a selectively compliant beam having a first rigid section 42 and a second rigid section 44 connected to each other via a flexible area 43. - 特許庁

強磁性突極を備えるモータ部分、または双方のモータ部分が強磁性突極を有するならば、モータ部分の少なくとも一方は、永久磁石極および第１のモータ部分の磁化巻線を有する。例文帳に追加

When the motor part, provided with a ferromagnetic salient pole or both the motor parts, are provided with the ferromagnetic salient pole, at least one of the motor parts has the permanent magnet pole and a magnetized winding of the first motor part. - 特許庁

軟磁性体または強磁性体からなる案内筒に、従来の強磁性板に相当する厚肉の部分を一体に形成した、製造が簡単で安価な渦電流減速装置を得る。例文帳に追加

To obtain an eddy current speed reducer at a low cost, which is simply manufactured by integrally forming a thick part corresponding to the conventional ferromagnetic plate into a unified body with a guide cylinder composed of a soft magnetic material or a ferromagnetic material. - 特許庁

軟磁性体または強磁性体からなる案内筒に、従来の強磁性板に相当する厚肉の部分を一体に形成した、製造が簡単で安価な渦電流減速装置を得る。例文帳に追加

To provide an eddy current decelerating apparatus, whose thick part equivalent to a conventional ferromagnetic plate is integrally formed to a guide tube formed out of a soft magnetic body or ferromagnetic body, and which can be manufactured easily at a low cost. - 特許庁

下部電極８及び上部電極１０とこれら一対の電極間に挟持された強誘電体層９とからなる強誘電体キャパシタ２と、層間絶縁膜２５，１４中に設けられる金属配線３３とを備えた強誘電体メモリ１である。例文帳に追加

The ferroelectric memory 1 comprises the ferroelectric capacitor 2 composed of a lower electrode 8, an upper electrode 10, and a ferroelectric layer 9 held between the pair of electrodes; and a metal wire 33 provided in the interlayer insulating films 25, 14. - 特許庁

強誘電膜上で貴金属膜の蒸着率を向上させうる物質膜の形成方法、この方法を利用した強誘電膜キャパシタの製造方法及びこの方法で形成された強誘電膜キャパシタ、このような強誘電膜キャパシタを備える半導体メモリ装置及びその製造方法例文帳に追加

PROCESS OF FORMING SUBSTANCE FILM TO ENHANCE EFFICIENCY OF VAPOR DEPOSITION OF NOBLE METAL FILM ON FERROELECTRIC FILM, MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC FILM CAPACITOR USING METHOD, FERROELECTRIC FILM CAPACITOR FORMED BY METHOD, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING FERROELECTRIC FILM CAPACITOR, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

強誘電体メモリ装置は、ｐ型半導体基板１上に、下部電極１０、ペロブスカイト型結晶構造を持つ強誘電体膜からなる容量絶縁膜１１及び上部電極１２がこの順に積層して形成された強誘電体キャパシタを備えている。例文帳に追加

The ferroelectric memory includes a ferroelectric capacitor on which a lower electrode 10, capacitance insulation film 12 composed of the ferroelectric film with a perovskite-type crystal structure, and an upper electrode 13 are formed to be laminated in this order on a p-type semiconductor substrate 1. - 特許庁

強誘電性液晶デバイスは、強誘電性液晶セル１を有し、セル１においては、強誘電性の液晶材料２からなる液晶層が２つの透明ガラス基板３・４の間に挟持されており、液晶材料２の分子の表面配向を決定する配向層９・１０が備えられている。例文帳に追加

A ferroelectric liquid crystal device has a ferroelectric liquid crystal cell 1 in which a liquid crystal layer composed of a ferroelectric liquid crystal material 2 is held between two transparent glass substrates 3, 4 and which is equipped with alignment layers 9, 10 to determine the surface alignment of molecules of the liquid crystal material 2. - 特許庁

第１の強磁性体と、第２の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(110)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有する。例文帳に追加

The tunnel magnetoresistive element comprises a first ferromagnetic body, a second ferromagnetic body, and an insulator sandwiched between these ferromagnetic bodies wherein at least one ferromagnetic body has a single crystal of full Heusler alloy grown epitaxially on the (110) face of a base material. - 特許庁

従来法でのエッチングが困難であった強誘電体または貴金属などの物質への微細加工を容易にし、かつ、強誘電体または貴金属にダメージを与えずに、強誘電体または貴金属の構造体へパターンを形成できる方法を提供する例文帳に追加

To provide a method which forms a pattern on structure of ferroelectric or noble metal by microfabrication without giving damage. - 特許庁

強誘電性液晶素子において、強誘電性液晶層の見かけのメモリ角の温度依存性に起因する光漏れを効果的に抑制でき、広い温度範囲で高コントラストが得られる強誘電性液晶素子を、素子構成の複雑化、消費電力アップ、及びコストアップを伴うことなく実現する。例文帳に追加

To realize a ferroelectric liquid crystal element capable of effectively suppressing light leakage due to temperature dependence of an apparent memory angle of the ferroelectric liquid crystal layer and obtaining high contrast in a wide temperature range without complicating element configuration and increasing power consumption and cost. - 特許庁

松尾剛次は、以下のように、真言律宗を鎌倉新仏教の1つとする説を唱えた。例文帳に追加

Kenji MATSUO proposed a theory that the Shingon-ritsu sect was one of the Kamakura New Buddhism as following.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

昭和に入ってからは、宮城長順が昭和6年（1931年）に剛柔流を名乗っている。例文帳に追加

In 1931, during the early Showa period, Chojun MIYAGI called his circle the Goju-ryu school.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

穂発芽性は難、倒伏抵抗性はやや強、いもち抵抗性は中程度である。例文帳に追加

Vivipanity is difficult, its resistance to lodging is somewhat strong, and its resistance to blast is medium.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

近畿日本鉄道近鉄吉野線壺阪山駅から奈良交通バス壺阪山行きで11分。例文帳に追加

11-minute drive by bus of Nara Kotsu Bus Lines Co., Ltd. bound for Tsubosakazan, which runs from Tsubosakazan Station of Kintetsu Corporation Yoshino Line.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

近鉄吉野線吉野駅(奈良県)より吉野ロープウェイ乗り換え「吉野山」下車、徒歩約30分。例文帳に追加

Take Yoshino Ropeway from Yoshino Station of the Kintetsu Yoshino Line (Nara Prefecture) to 'Yoshinoyama' (Mt. Yoshino) stop and walk about 30 minutes.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

近鉄吉野線吉野駅(奈良県)より吉野ロープウェイ乗り換え「吉野山」下車、徒歩約30分例文帳に追加

Take Yoshino Ropeway from Yoshino Station of the Kintetsu Yoshino Line (Nara Prefecture) to 'Yoshinoyama' (Mt. Yoshino) stop and walk about 30 minutes.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

近鉄吉野線吉野駅(奈良県)より吉野ロープウェイ乗り換え「吉野山」下車、徒歩約1時間30分例文帳に追加

From the Kintetsu Yoshino Line Yoshino Station (Nara Prefecture) take the Yoshino ropeway to Yoshino-yama Station and walk 1.5 hours.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

近鉄吉野線吉野駅(奈良県)より吉野ロープウェイ乗り換え「吉野山」下車、徒歩約1時間45分例文帳に追加

From the Kintetsu Yoshino Line Yoshino Station (Nara Prefecture) take the Yoshino ropeway to Yoshino-yama Station and walk 1.75 hours.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

近鉄吉野線吉野駅(奈良県)より吉野ロープウェイ乗り換え「吉野山」下車、徒歩約40分例文帳に追加

Take the Yoshino Ropeway from Yoshino Station on the Kintetsu Yoshino Line (Nara Prefecture), get off at 'Yoshinoyama' and walk for about 40 minutes.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

近鉄吉野線吉野駅(奈良県)より吉野ロープウェイ乗り換え「吉野山」下車、徒歩約10分例文帳に追加

Take the Kintetsu Yoshino line and get off at Yoshino Station, then change to the Yoshino Ropeway, get off at 'Yoshinoyama' and walk about 10 minutes.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

そして3月13日、恒興は尾張犬山城を守る信雄方の武将・中山雄忠を攻略した。例文帳に追加

And on March 13, Tsuneoki captured Osutada NAKAYAMA, a warrior on Nobukatsu's side and protected Owari Inuyama Castle.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

仁平3年(1152年)には崇徳院御所に乱入した源満義を捕縛している。例文帳に追加

In 1152, he captured MINAMOTO no Mitsuyoshi, who broke into the Imperial Palace of Sutoku-in.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

兄弟は飛鳥井雅章室、吉田兼起室、裏松資清（裏松家祖）、細川光尚室やや。例文帳に追加

His siblings included the wife of Masaaki ASUKAI, the wife of Kaneoki YOSHIDA, Sukekiyo URAMATSU (the founder of the Uramatsu family) and Yaya, the wife of Mitsunao HOSOKAWA.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

義子・赤松義村の後見人として赤松氏を支えた女戦国大名。例文帳に追加

She was also a female warring lord, who supported her son in law, Yoshimura AKAMATSU, assuming responsibility for his upbringing as a guardian.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス