「なつよし」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

賀茂光栄（かものみつよし、天慶2年（939年）-長和4年6月7日(旧暦)（1015年6月25日））は、平安時代の陰陽師、陰陽家。例文帳に追加

KAMO no Mitsuyoshi (939 - July 1, 1015) was Onmyoji or Inyoka (Master of Yin yang) who lived in the Heian period.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

植松幸雅（うえまつよしまさ、享保6年11月11日(旧暦)（1721年12月29日）-安永6年9月5日(旧暦)（1777年10月5日））は、江戸時代中期の公卿。例文帳に追加

Yoshimasa UEMATSU (December 29, 1721 - October 5, 1777) was a court noble during the mid Edo period.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

島津歳久（しまづとしひさ、天文(元号)6年（1537年）-天正20年7月18日(旧暦)（1592年8月25日））は島津貴久の三男で、島津義久、島津義弘の弟。例文帳に追加

Toshihisa SHIMAZU (1537- August 25, 1592) was the third son of Takahisa SHIMAZU, and is the younger brother of Yoshihisa SHIMAZU and Yoshihiro SHIMAZU.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

強誘電体フッ化物結晶のレーザー耐久性評価方法及び選別方法、並びに、強誘電体フッ化物結晶及び光学部品例文帳に追加

METHOD OF EVALUATING LASER DURABILITY OF FERROELECTRIC SUBSTANCE FLUORIDE CRYSTAL AND METHOD OF SELECTING THE SAME, AND FERROELECTRIC SUBSTANCE FLUORIDE CRYSTAL AND OPTICAL COMPONENT - 特許庁

強誘電体キャパシタを有するメモリセルアレイおよびその製造方法並びに強誘電体メモリ装置例文帳に追加

MEMORY CELL ARRAY COMPRISING FERROELECTRIC CAPACITOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND FERROELECTRICS MEMORY DEVICE - 特許庁

強誘電体キャパシタ１は、下部電極１１と、強誘電体膜１２と、上部電極１３とを備える。例文帳に追加

The ferroelectric capacitor 1 includes a lower electrode 11, a ferroelectric film 12, and the upper electrode 13. - 特許庁

半導体装置（強誘電体記憶装置１）において、トランジスタ３と、強誘電体キャパシタ８とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device (ferroelectric memory device 1) is provided with a transistor 3 and a ferroelectric capacitor 8. - 特許庁

強誘電体メモリ用下部電極、これを用いた強誘電体キャパシタ、並びに下部電極の製造方法例文帳に追加

LOWER ELECTRODE FOR FERROELECTRIC MEMORY, FERROELECTRIC CAPACITOR USING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING LOWER ELECTRODE - 特許庁

強アルカリ用容器４が、開閉弁２１を有する排水口２２を備え、強アルカリ電解水を貯水する。例文帳に追加

The former is stored in a strong alkali tank 4 having an outlet 22 provided with an on-off valve 21 to reserve the strong alkali water. - 特許庁

強誘電体メモリ及びその動作制御方法並びに強誘電体メモリセル構造及びその製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY AND CONTROL METHOD FOR ITS OPERATION, STRUCTURE OF FERROELECTRIC MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

強誘電体膜内のＢｉ成分の揮発または拡散を防止する強誘電性メモリデバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric memory device with which the volatilization or diffusion of Bi element in a ferroelectric film can be prevented. - 特許庁

強誘電体薄膜の製造方法及び圧電素子の製造方法並びに強誘電体薄膜形成用組成物例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD OF PIEZOELECTRIC ELEMENT AS WELL AS COMPOSITION FOR FERROELECTRIC THIN FILM FORMATION - 特許庁

強誘電体キャパシタ２は、下部電極膜１６上に強誘電体膜１８が成膜されている。例文帳に追加

A ferroelectric capacitor 2 has such a structure that the ferroelectric film 18 is formed on the lower electrode film 16. - 特許庁

強誘電体膜の製造方法、強誘電体素子の製造方法、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器例文帳に追加

MANUFACTURING METHODS OF FERROELECTRIC FILM AND FERROELECTRIC ELEMENT, SURFACE ACOUSTIC WAVE ELEMENT, FREQUENCY FILTER, OSCILLATOR, ELECTRONIC CIRCUIT AND ELECTRONIC EQUIPMENT - 特許庁

陰イオン交換樹脂としては、強塩基性樹脂が好ましく、溶離剤としては、強アルカリ性水溶液が好ましく、特にＮａＯＨ水溶液が好ましい。例文帳に追加

As the anion-exchange resin, a strongly alkaline aqueous solution, particularly a NaOH aqueous solution, is favorable. - 特許庁

特に強誘電体材料（セラミックス）の膜形成に関して、条件の適正化を行い、低温合成と強誘電性特性の両立化を図る。例文帳に追加

To realize both of synthesis at a low temperature and ferroelectric characteristics by rationalizing conditions for forming, especially, a membrane of a ferroelectric material (ceramic). - 特許庁

強誘電体膜の評価方法、強誘電体膜の評価装置、及び半導体装置の製造方法並びに記憶媒体例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR EVALUATING FERROELECTRIC FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND STORAGE MEDIUM - 特許庁

強誘電体ナノドットを有する強誘電体情報記録媒体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric information storage medium having ferroelectric nanodots, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

次に、強誘電体膜１０に対して、酸化雰囲気中で熱処理を行うことにより、強誘電体膜１０を結晶化する。例文帳に追加

Then, the ferroelectric film 10 is crystallized by subjecting the ferroelectric film 10 to heat treatment in an oxygen atmosphere. - 特許庁

強磁性体層は真空成膜法または印刷法で形成でき、強磁性体層間には非磁性体層１６を設けることができる。例文帳に追加

The ferromagnetic layers 15 can be formed by a vacuum film-forming method or a printing method and a nonmagnetic layer 16 can be provided between the ferromagnetic layers 15. - 特許庁

強誘電体キャパシタを構成する強誘電体層が特定のパターンを有し、信号電極の浮遊容量を小さくすることができるメモリセルアレイ、およびその製造方法、ならびに強誘電体メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a memory cell array where a ferroelectrics layer constituting a ferroelectrics capacitor has a specific pattern for less floating capacity of a signal electrode, manufacturing method thereof, and a ferroelectrics memory device. - 特許庁

強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット、それを用いた強誘電体膜、強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置例文帳に追加

SPUTTERING TARGET FOR FORMING FERROELECTRIC FILM, FERROELECTRIC FILM USING THE SAME, FERROELECTRIC ELEMENT, ACTUATOR USING THE SAME, INK JET HEAD AND INK JET RECORDER - 特許庁

強誘電体キャパシタを構成する各層の結晶配向性が良好に制御された強誘電体キャパシタおよびその製造方法、ならびに強誘電体メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric capacitor in which the crystal orientation of each layer constituting a ferroelectric capacitor is favorably controlled, and to provide its manufacturing method and a ferroelectric memory. - 特許庁

電界効果トランジスタに、強誘電性及び強磁性をともに有する物質を含有する絶縁部１６と絶縁部１６に対向して設けられ強磁性を少なくとも有する物質を含有する強磁性部１４とを設ける。例文帳に追加

The field effect transistor is provided with an insulating part 16 that contains a substance having both ferroelectricity and ferromagnetism, and a ferromagnetic part 14 that is formed opposite to the insulating part 16 and contains a substance having at least ferromagnetism. - 特許庁

強誘電体キャパシタを形成する際の加工性を向上し、良好な強誘電体特性を有する強誘電体キャパシタを形成できるようにした、強誘電体メモリ装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a ferroelectric memory device capable of improving machining properties when forming a ferroelectric capacitor and forming the ferroelectric capacitor having improved ferroelectric characteristics. - 特許庁

良好な界面特性を有する強誘電体積層構造、及びかかる強誘電体積層構造を用いた、優れた電気特性を有する電界効果トランジスタ又は強誘電体キャパシタを提供することにある。例文帳に追加

To provide a ferroelectric stacked-layer structure having excellent interface characteristics, and a field effect transistor or ferroelectric capacitor with superior electric characteristics using the same ferroelectric stacked-layer structure. - 特許庁

強誘電体薄膜において、所望の膜厚及び所望の分極軸方向を有する強誘電体微粒子よりなる強誘電体薄膜を作製する。例文帳に追加

To manufacture a ferroelectric thin film composed of ferroelectric fine particles having a desired film thickness and a desired direction of polarization axis. - 特許庁

本発明の強誘電分域アレイ構造は、複数の強誘電分域構造を備え、前記強誘電分域構造はナノオーダー直径を持ち、且つ、強誘電フィルムの内に三角格子状に緊密に配列される。例文帳に追加

The ferroelectric domain array structure has a plurality of ferroelectric domain structures which have nano-order diameters and are tightly arrayed in a triangular lattice in the ferroelectric film. - 特許庁

例えばスタック型強誘電体キャパシタの強誘電体層の製造方法において、良好な配向性を有する強誘電体層が得られる強誘電体層の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric layer in, for example, a stack type ferroelectric capacitor, wherein the ferroelectric layer having a good orientation is obtained. - 特許庁

強誘電体膜の強誘電体特性にバラツキが生じるのを防止し、しかも良好な強誘電体特性が得られるようにした、強誘電体メモリの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric memory, preventing variation in ferroelectric characteristics of a ferroelectric film, and providing excellent ferroelectric characteristics. - 特許庁

強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ装置に関し、ＰＺＴより大きな残留分極量を有する（１１１）配向性に優れた強誘電体薄膜を得る。例文帳に追加

To obtain a ferroelectric thin film that has larger residual polarization (111) than PZT with an excellent orientation in a ferroelectric capacitor and a ferroelectric memory device. - 特許庁

強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ装置に関し、電極と強誘電体膜の界面近傍におけるＰｂプア層の発生を抑制し、しかも、結晶配向性の良好な強誘電体膜を得る。例文帳に追加

To suppress the generation of a Pb-poor layer in the vicinity of an interface between an electrode and a ferrodielectric film and obtain the ferrodielectric film, excellent in crystal orientation, in a ferrodielectric capacitor and a ferrodielectric memory apparatus. - 特許庁

基材シート(1) の少なくとも片面に、糸の段階で強撥水加工されたのち布帛に形成された強撥水性布帛(2) がラミネートされた構造を有する強撥水性ラミネート製品である。例文帳に追加

A strong water-repellent laminated product having a structure in which a highly water-repellent woven fabric 2 is processed to give high water repellency in the step of threads on one face of a base sheet 1 and then formed into a woven fabric. - 特許庁

強誘電体メモリ装置を構成する強誘電体容量素子を分極状態に保ちながら、強誘電体容量素子における逆方向保持分極の読み出し電荷量Ｐｗの経時変化の温度依存性を測定する。例文帳に追加

Temperature dependency of a temporal change in read electric charges Pw of a reverse direction holding polarization in a ferroelectric capacitor element is measured while keeping the ferromagnetic capacitive element constituting the ferroelectric memory device in a polarized state. - 特許庁

トンネル磁気抵抗素子は、強磁性固定層と、バリア層と、強磁性自由層と、強磁性自由層のもう一方の界面に接する非磁性層からなる積層構造を含む磁気抵抗素子であって、非磁性層がＭｇＯである。例文帳に追加

A magnetoresistive element containing a laminated structure comprising a ferromagnetic fixed layer, a barrier layer, a ferromagnetic free layer and a non-magnetic layer brought into contact with another interface of the ferromagnetic free layer is used as the tunnel magnetoresistive element, and the non-magnetic layer consists of MgO. - 特許庁

磁気メモリ素子は、少なくとも、反強磁性層４２、強磁性固定層４３、非磁性スペーサ層４４及び強磁性自由層４５を順次に積層して構成された強磁性トンネル接合（ＭＴＪ）４０を有する。例文帳に追加

The magnetic memory cell comprises a ferromagnetic tunnel junction (MTJ) 40 constituted by sequentially laminating at least an antiferromagnetic layer 42, a ferromagnetic fixed layer 43, a non-magnetic spacer layer 44 and a ferromagnetic free layer 45. - 特許庁

第１の強磁性層１３と第２の強磁性層１５の間にバリア層１４を有する強磁性トンネル接合素子１において、バリア層を単一の元素からなる絶縁体で形成する。例文帳に追加

In this ferromagnetic tunnel junction element, having the barrier layer 14 between a first ferromagnetic layer 13 and a second ferromagnetic layer 15, the barrier layer is constituted of an insulator which is made of a single element. - 特許庁

強磁性層２４において最も非磁性層２３側の層である強磁性内側層２４２の中には、磁性を有し且つ強磁性内側層２４２よりも電気抵抗が大きい強磁性層内層２４３が設けられている。例文帳に追加

The ferromagnetic inner layer 242 which is the extreme nonmagnetic layer 23 side in the ferromagnetic layer 24 is internally provided with the ferromagnetic inside layer 243 having magnetism and having the electric resistance greater than the electric resistance of the ferromagnetic inner layer 242. - 特許庁

単結晶基板１上に犠牲層としても機能するバッファー層２を形成する工程と、バッファー層２上に強誘電体素子６（強誘電体薄膜４）を形成する工程と、強誘電体素子６（強誘電体薄膜４）を単結晶基板１から分離する工程と、単結晶基板１から分離された強誘電体素子を任意基板上に配設する工程と、を備えた強誘電体素子の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the ferroelectric element comprises steps of forming a buffer layer 2 also serving as a sacrificial layer on a single crystal substrate 1, forming the ferroelectric element 6 (ferroelectric thin film 4) on the buffer layer 2, separating the ferroelectric element 6 (ferroelectric thin film 4) from the single crystal substrate 1, and disposing the ferroelectric element 6 separated from the single crystal substrate 1 on any substrate. - 特許庁

基体１０上に形成された下部電極１２と、下部電極１２を覆って形成された強誘電体層１４と、強誘電体層１４上に形成された上部電極１６と、からなる強誘電体キャパシタを有する強誘電体メモリ１５である。例文帳に追加

The ferroelectric memory 15 has a ferroelectric capacitor consisting of the lower electrode 12 formed on a base 10, a ferroelectric layer 14 formed to cover the lower electrode 12, an upper electrode 16 formed on the ferroelectric layer 14. - 特許庁

強誘電体層は、強誘電体層の主要部を形成する第１の結晶集合組織を備えた第１の強誘電体層と、主要部と一方の電極との間に界面層を形成する第２の別の結晶集合組織を備えた第２の強誘電体層とを含む。例文帳に追加

A ferroelectric layer includes a first ferroelectric layer, having a first crystalline aggregate system forming a main part of a ferroelectric layer and a second ferroelectric layer, having a second separate crystalline aggregate system forming an interface layer between a main part and one electrode. - 特許庁

強誘電体膜の評価方法は、一対の電極間に形成した強誘電体膜に電圧を印加して、強誘電体膜にリークを生じさせるリーク発生工程と、発生したリークの発生数を測定し、発生数に基づいて強誘電体膜の評価を行う評価工程とを備える。例文帳に追加

The method for evaluating the ferroelectric film includes a step of generating a leak in the ferroelectric film by applying a voltage to the ferroelectric film formed between a pair of electrodes, and a step of evaluating the ferroelectric film by measuring the number of generated leaks for evaluation based on the number of generated leaks. - 特許庁

下部電極、第１，第２，第３の強誘電体膜および上部電極を順に形成する際（ステップＳ１〜Ｓ５）、第１，第３の強誘電体膜は、所定の元素を添加して、第２の強誘電体膜より薄く形成し、第２の強誘電体膜は、そのような元素を添加せずに形成する。例文帳に追加

When a lower electrode, first, second, and third ferroelectric films, and an upper electrode are formed in order (steps S1 to S5), the first and third ferroelectric films are formed thinner than the second ferroelectric film by adding predetermined elements, and the second ferroelectric film is formed without adding such elements. - 特許庁

第一の強磁性安定層３の磁化量Ｍ３と第二の強磁性安定層５の磁化量Ｍ５は実質的に略等しく、第一の強磁性安定層の磁化と第二の強磁性安定層の磁化は反平行結合層４を通じて各々の磁化が反平行方向になるように磁気的結合している。例文帳に追加

A magnetization quantity M3 of the first ferromagnetic stable layer 3 and a magnetization quantity M5 of the second ferromagnetic stable layer 5 are substantially equal, and the magnetization of the first ferromagnetic stable layer and the magnetization of the second ferromagnetic stable layer are magnetically coupled through the antiparallel coupling layer 4 so that each magnetization may become in an antiparallel direction. - 特許庁

強誘電相では、強誘電性液晶の自然のらせんピッチが、素子の強誘電性液晶層１５の厚みよりも十分短いため、強誘電性液晶はらせん配向ベクトル構造を有し、かつ表面安定化されていない。例文帳に追加

In the ferroelectric phase, the natural spiral pitch of the ferroelectric liquid crystal is sufficiently shorter than the thickness of the ferroelectric liquid crystal layer 15 of the element, therefore, the ferroelectric liquid crystal has a spirally oriented vector structure and is not stabilized on the surface. - 特許庁