「ふーちんぐきそ」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

制御回路５６は、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ４がオンで他がオフの状態から、まずスイッチング素子Ｑ１をオフした後、スイッチング素子Ｑ４をオフし、かつスイッチング素子Ｑ２をオンし、その後、スイッチング素子Ｑ３をオンする。例文帳に追加

When the switching elements Q1, Q4 is turned on and the others are turned off, the control circuit 56 turns off the switching element Q1, turns off the switching element Q4, turns on the switching element Q2, and then turns on the switching element Q3. - 特許庁

エッチング穿孔性に優れたＦｅ−Ｎｉ系合金シャドウマスク用素材例文帳に追加

Fe-Ni-BASED ALLOY STOCK FOR SHADOW MASK HAVING EXCELLENT ETCHING PIERCEABILITY - 特許庁

コンデンサＣ４の両端電圧がスイッチング素子Ｑ４のスレッショルド電圧に達すると、スイッチング素子Ｑ４がオンになり、スイッチング素子Ｑ２のゲート電圧が引き抜かれ、スイッチング素子Ｑ２がオフになる。例文帳に追加

When a both-terminal voltage of the capacitor C4 reaches a threshold voltage of a switching element Q4, the switching element Q4 is turned on, and the gate voltage of the switching element Q2 is tripped to turn the element Q2 off. - 特許庁

ソフトスタート回路、およびそれを備えたスイッチング方式ＤＣ−ＤＣコンバータ例文帳に追加

SOFT START CIRCUIT AND SWITCHING DC-DC CONVERTER EQUIPPED WITH THE SAME - 特許庁

積層構造型フォトブリーチング導波路及びその製造方法例文帳に追加

LAMINATED STRUCTURE TYPE PHOTOBLEACHING WAVEGUIDE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

シリコンウェーハのエッチング方法とその装置及び不純物分析方法例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING SILICON WAFER AND IMPURITY ANALYZING METHOD - 特許庁

カラーフィルタ基板およびこれを用いたフリンジフィールド・スイッチング方式液晶表示装置例文帳に追加

COLOR FILTER SUBSTRATE, AND FRINGE FIELD SWITCHING TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME - 特許庁

当該フーチング基礎３の上に積層ゴム４を設置する。例文帳に追加

A laminated rubber 4 is provided on the footing foundation 3. - 特許庁

プラズマエツチング装置内でウエハをプラズマエッチングする際に生じるパーティクルを出来るだけ、その発生を抑えた支持リング、フォーカスリング、シールドリングなどのプラズマエッチング装置用シリコンリングを提供する。例文帳に追加

To provide a silicon ring for use of a plasma etcher such as a support ring, a focus ring, and a shield ring with minimized generation of particles at the time of plasma-etching a wafer in the plasma etcher. - 特許庁

スイッチング損失、スイッチングノイズを増加させずにＰＷＭ電力増幅器を広帯域化する。例文帳に追加

To make a band of a PWM power amplifier broad without increasing switching loss and switching noise. - 特許庁

ハイパワーＲＦ回路のためのスイッチング回路および磁気共鳴イメージング装置例文帳に追加

SWITCHING CIRCUIT FOR HIGH POWER RF CIRCUIT AND MAGNETIC RESONANCE IMAGING APPARATUS - 特許庁

副スイッチング素子２０と逆並列の副フライホイールダイオード２９を備える。例文帳に追加

The inverter also comprises a sub-fly-wheel diode 29 in antiparallel with the element 20. - 特許庁

上記ＭＯＳＦＥＴ（11）のスイッチング速度をＳｉ半導体からなる主スイッチング素子のスイッチング速度の２倍以上とする。例文帳に追加

Switching speed of the MOSFET (11) is set to twice or more the switching speed of the main switching element composed of an Si semiconductor. - 特許庁

キャップリング２とフーチング基礎３をプレキャストコンクリートによって一体に形成する。例文帳に追加

The cap rings 2 and the footing foundation 3 are integrally formed by precast concrete. - 特許庁

大根の根、葉の粉末及びプロポリス粉末を基本材料とし、ヨーグルト粉末、スキムミルク（脱脂粉乳）、ビール酵母、ビフィズス菌、ビタミンＣ、グルコマンナン、オリゴ糖、キシリトール、グリチミン、マルチトール、ソーマチン、ヨーグルトフレーバーパウダー、グレープフルーツ果汁粉末を含有する。例文帳に追加

This diet food has as the base material, Japanese radish root and leaf powder, and propolis powder, and contains yoghurt powder, skimmed milk, beer yeast, bifidobacterium, vitamin C, glucomannan, oligosaccharide, xylitol, glycymin, maltitol, thaumatin, yoghurt flavor powder, and grapefruit juice powder. - 特許庁

エッチングプロセスは、ＰＺＴ層(240)のエッチングのために、塩素／酸素系のプラズマにＣＨＦ_３のようなふっ素含有化合物を加え、かつＩｒ層（350／330）をエッチングするときに、側壁プロファイルを改善するために窒素を加える。例文帳に追加

The processes add a fluorine- containing compound such as CHF_3 to the chlorine/oxygen-based plasma for etching of the PZT layer and add nitrogen to improve sidewall profiles when etching Ir layers (350/330). - 特許庁

側溝の受枠に装着されるグレーチングを固定するために使用する部品をグレーチングより外れないように固定して紛失しないようにすると共に、グレーチングをガタ付きなく固定することができる固定装置を提供する。例文帳に追加

To provide a fixing device capable of fixing parts used for fixing a grating mounted to a receiving frame of a side ditch, not to come off from the grating so as not to be lost and fixing the grating without looseness. - 特許庁

天然に存在するフラボノイド成分であり、具体的にはフィセチン（ｆｉｓｅｔｉｎ）、フラボン（ｆｌａｖｏｎｅ）、ケンフェロール（ｋａｅｍｐｆｅｒｏｌ）、モリン（ｍｏｒｉｎ）、ケルセチン（ｑｕｅｒｃｅｔｉｎ）、又はラムネチン（ｒｈａｍｎｅｔｉｎ）を含む薬学組成物。例文帳に追加

This pharmaceutical composition contains a naturally presenting flavonoid component, concretely, flavone, kaempferol, morin, quercetin or rhamnetin. - 特許庁

プラズマエッチング装置を用い、窒化ガリウム系化合物半導体をエッチングする方法において、前記プラズマエッチング装置にＣＦ_4とＳｉＣｌ_4を含むエッチングガスとＯ_2ガスを導入して、エッチングレートの制御性を高める。例文帳に追加

In a method for etching a gallium nitride compound semiconductor by using a plasma etching device, etching gas including CF4 and SiCl4 is introduced to the plasma etching device and the controllability of the etching rate is improved. - 特許庁

バッファ層とエッチング停止層はそれぞれについて選択的にエッチング可能な選択エッチングレートを有する。例文帳に追加

The buffer layers and the etching stop layers have the selective etching rates capable of selectively etching them, respectively. - 特許庁

高い安定性と工程マージンを保障し、銅を含む金属層を均等にテーパエッチングすることができる優れたエッチング液を提供する。例文帳に追加

To provide a superior etching liquid which can secure high stability and process margin, and which can uniformly taper-etch a metal layer, including copper. - 特許庁

パターンニングされたフォトレジスト層をマスクとして使用してカバー層をエッチング除去する。例文帳に追加

Using the patterned photoresist layer as a mask, the cover layer 50 is etched off. - 特許庁

パーティクル発生の少ないシールドリング、支持リングまたはフォーカスリングなどのプラズマエッチング装置用シリコンスリングを提供する。例文帳に追加

To provide a silicon ring for use of a plasma etcher such as a shield ring, a support ring or a focus ring with little particle generation. - 特許庁

主スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のオン操作を十分にターンオン損失が低減されたソフトスイッチングとすることができないこと。例文帳に追加

To solve the problem wherein soft switching of main switching elements Q1 and Q2 cannot be performed, i.e., the main switching elements cannot be turned on, while sufficiently reducing the turn-on loss. - 特許庁

アモルファスＩＴＯ透明導電膜用エッチング液組成物及びエッチング方法例文帳に追加

ETCHANT COMPOSITION FOR AMORPHOUS ITO TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND ETCHING METHOD - 特許庁

次に、エッチング可能部１１のＣｕ層６、８をエッチング処理により除去する（ｆ）。例文帳に追加

Then the Cu layers 6, 8 of the etchable part 11 is eliminated by etching (f). - 特許庁

次に、フレーム間に露出しているメッキ下地膜をエッチングし、該メッキ下地膜のエッチング跳ね返りをフレーム側壁に再付着させる。例文帳に追加

Then, the plating bedding film exposing in the frame is etched, and etching rebounds of the plating bedding film are adhered again to the wall of the frame side. - 特許庁

フーチングＦの側面と矢板１とが結合されていないので、フーチングＦとの結合作業を省くことが出来る。例文帳に追加

Since the side of the footing F is not thereby connected to the sheet pile 1, connection work with the footing F can be eliminated. - 特許庁

グレーチング部２と、グレーチング部２に隣接して設けられたコンクリート製の本体部３と、グレーチング部２と本体部３との境界部分において本体部３と一体成形されてなるコンクリート製のスロープ部４とを備えたグレーチング付きコンクリート蓋１である。例文帳に追加

This concrete lid 1 with grating is provided with a grating part 2, a main body part 3 made of concrete and provided adjacent to the grating part 2, and a slope part 4 made of concrete and formed integrally with the main body part 3 in a boundary part of the grating part 2 and the main body part 3. - 特許庁

準共振ソフトスイッチングタイプのインバータを備えた溶接セット例文帳に追加

WELDING SET HAVING SEMI-RESONANT SOFT SWITCHING TYPE INVERTER - 特許庁

各ハーフブリッジ回路は、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の組と、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ４の組を有して成る。例文帳に追加

Each half bridge has the pair of switching elements Q1 and Q2 and the pair of switching elements Q3 and Q4. - 特許庁

増幅器に用いられる電源回路で、ＤＣ／ＤＣコンバータ１５のスイッチング損失が増えて効率が劣化することを防ぐ。例文帳に追加

To prevent deterioration in efficiency because of increase of the switching loss in a DC/DC converter 15 provided for a power supply circuit used for amplifiers. - 特許庁

フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置及びその製造方法例文帳に追加

FRINGE FIELD SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME - 特許庁

ソフトスイッチングを適用するための補助共振回路を備えたＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、電流リップルを過大にすることなくソフトスイッチングが適用できるように、ソフトスイッチングのための制御動作を適切化する。例文帳に追加

To make a control operation for soft switching appropriate to apply soft switching without making a current ripple excessive in a DC-DC converter including an auxiliary resonant circuit for applying soft switching. - 特許庁

スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２は、ＧａＮ系半導体により形成されて２つのゲートを備えた双方向スイッチング素子で構成される。例文帳に追加

The switching elements Q1 and Q2 are composed of a bidirectional switching element that is formed of a GaN-based semiconductor and has two gates. - 特許庁

電子部品実装用フィルムキャリアテープのエッチング処理装置および電子部品実装用フィルムキャリアテープのエッチング処理方法例文帳に追加

ETCHING PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR ELECTRONIC COMPONENT MOUNTING FILM CARRIER TAPE - 特許庁

夫々の柱の柱脚に設けたフーチング２４と、それらフーチングを支持する基礎杭の杭頭とは縁切りされている。例文帳に追加

A footing 24 provided at a column base of each column is separated from a pile head of a foundation pile which supports the footing. - 特許庁

それによって、エッチング対象となるターゲット膜以外の層の側壁をそうしたバッファ膜で保護し、その後にゲートエッチング工程を実施する。例文帳に追加

In such a method, sidewalls on layers excluding a target film being etched are protected with such a buffer film followed by a gate etching process. - 特許庁

非接触式三次元形状計測器のオフラインティーチング方法例文帳に追加

OFF-LINE TEACHING METHOD OF NONCONTACT THREE-DIMENSIONAL SHAPE MEASURING DEVICE - 特許庁

セメントキルン用れんがのコーチングの付着強度測定方法例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING ADHESION STRENGTH OF COATING OF BRICK FOR CEMENT KILN - 特許庁

インタレース走査方式の場合、メインＣＰＵ１２は、偶数／奇数フィールドの画像が偶数／奇数番目の行の画素に表示される間、スイッチング素子９１ｄ／スイッチング素子９１ｅをオフする。例文帳に追加

In an interlaced scan system, the main CPU 12 turns off the switching element 91d and the switching element 91e, while the images of odd-numbered and even-numbered fields are displayed by the pixels of the odd-numbered and even-numbered rows. - 特許庁

複合チャネル内に含まれた少なくとも２つのトランスポートチャネルをマッチングするための方法、その用途、マッチング装置および基地局例文帳に追加

METHOD FOR MATCHING AT LEAST TWO TRANSPORT CHANNELS INCLUDED IN COMPOSITE CHANNEL, ITS APPLICATION, MATCHING DEVICE AND BASE STATION - 特許庁

回路の表面全体が金属保護膜５で覆われるので、フラッシュエッチングの際に回路のトップ部分へのダメージを防ぐだけでなく、特に回路側面のオーバーエッチングを防ぐことができる。例文帳に追加

Since the whole surface of the circuit is covered with the film 5, not only the top of the circuit is prevented from being damaged during flush etching, but also over etching of the side face of the circuit is especially prevented. - 特許庁

エッチング液に超音波をかけ、そのキャビテーションにより反応生成物を除去しながらエッチングを行うことにより、一度に深く均一なエッチングを施すことが可能なグレーズ基板のエッチング方法、およびそのエッチング方法を用いた部分凸型グレーズ基板の製造方法。例文帳に追加

Provided are: a method for etching a glaze substrate, which enables application of a deep and even etching at one time by etching while applying an ultrasonic wave to an etching liquid and removing a reaction product by the cavitation; and a method for manufacturing a partially convexed protrusion type glazed substrate by using the etching method. - 特許庁

その後、ドライエッチングによってパターニング膜１５を除去し、さらに、ウエットエッチングによってシード膜１４の不要部分を除去する。例文帳に追加

After that, the film 15 is removed through dry etching, and the unwanted part on the film 14 is removed through wet etching. - 特許庁