「ウルツ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ウルツ鉱半導体発光装置を提供する。例文帳に追加

To provide a wurtzite semiconductor light-emitting devices. - 特許庁

各層２２，２４，２６はウルツ鉱型構造を有している。例文帳に追加

The layers 22, 24 and 26 have each a wurtzite structure. - 特許庁

六方晶系ウルツ鉱型単結晶、その製造方法、および六方晶系ウルツ鉱型単結晶基板例文帳に追加

HEXAGONAL SYSTEM WURTZITE TYPE SINGLE CRYSTAL, ITS MANUFACTURING METHOD AND HEXAGONAL SYSTEM WURTZITE TYPE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

六方晶系ウルツ鉱型化合物単結晶及びその製造方法例文帳に追加

HEXAGONAL SYSTEM WURTZITE TYPE COMPOUND SINGLE CRYSTAL AND PRODUCTION METHOD OF THE SAME - 特許庁

ウルツ鉱型ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法例文帳に追加

PROCESS FOR GROWING WURTZITE III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL - 特許庁

ウルツ鉱型ＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜結晶の製造法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING WURTZITE TYPE GROUP III-V NITRIDE THIN FILM CRYSTAL - 特許庁

多結晶ウルツ鉱型半導体素子及びその製造方法例文帳に追加

POLYCRYSTALLINE WURTZITE-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

ウルツ鉱型結晶層を含む積層体及びその製造方法例文帳に追加

LAMINATE CONTAINING WURTZITE CRYSTALLINE LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

基準軸Ｎｘは、支持体１３のウルツ鉱のｃ軸に直交する。例文帳に追加

A reference axis Nx is orthogonal to a (c) axis of wurtzite of the support 13. - 特許庁

ウルツ鉱パウダーを用いた窒化物系発光素子及びその製造方法例文帳に追加

NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING ELEMENT USING WURTZITE POWDER AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME - 特許庁

ウルツ鉱型ＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜とその製造法例文帳に追加

WURTZITE-TYPE GROUP III-V NITRIDE THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

ウルツ型構造を有する基体粒子表面に、該粒子と異なる組成を有するウルツ型化合物が存在するウルツ型無機顔料に関するものである。例文帳に追加

This inorganic pigment comprises a substrate particle having a wurtzite type structure and another wurtzite type compound existing on the surface of the substrate particle, wherein the wurtzite type compound has another different composition from the substrate particle. - 特許庁

ウルツ鉱型構造では、鏡映操作(または2回転軸)の適用がその構造の極性を反対にする。例文帳に追加

In the wurtzite structure, the application of a mirror operation (or a twofold axis) reverses the polarity of the structure.  - 科学技術論文動詞集

ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置例文帳に追加

SUBSTRATE FOR GROWING WURTZITE TYPE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ウルツ鉱型半導体膜の歪量測定方法、そのプログラム、およびプログラム記録媒体例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING DISTORTION QUANTITY OF WURTZITE SEMICONDUCTOR FILM, ITS PROGRAM AND PROGRAM RECORDING MEDIUM - 特許庁

ウルツ鉱圧電体薄膜、該薄膜の製造方法及び製造装置、並びに薄膜共振子例文帳に追加

WURTZITE PIEZOELECTRIC THIN FILM, METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THE THIN FILM, AND THIN FILM RESONATOR - 特許庁

ウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜構造およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a single crystal thin film structure of wurtzite type boron nitride and a production method of the same. - 特許庁

密着膜１２は、ウルツァイト型結晶構造の結晶を含む非エピタキシャル膜である。例文帳に追加

The adhesion film 12 is a non-epitaxial film containing crystals of a wurtzite type crystal structure. - 特許庁

第1級アミンから出発し、ヘキサニトロヘキサアザイソウルツィタンを2段で合成する。例文帳に追加

This method for synthesizing the hexanitrohexaazaisowurtzitane is provided by synthesizing the compound in 2 steps starting from a primary amine. - 特許庁

垂直配向型及び平行配向型以外の配向を有するウルツ鉱圧電体薄膜であって、その配向により従来にない特性が得られるウルツ鉱圧電体薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide an wurtzite piezoelectric thin film which has any other orientations than a vertical orientation type and a parallel orientation type, and in which characteristics which are absent in the prior arts, can be obtained by the orientation. - 特許庁

発光層は、発光層とｐ型領域の間の界面にわたってウルツ鉱ｃ軸が発光層の方向に向くように、従来のウルツ鉱ＩＩＩ族窒化物層とは極性形成を逆転させることができる。例文帳に追加

The light-emitting layer can make polarization formed reversed from a conventional wurtzite group III nitride layer so that, across an interface between the light-emitting layer and the p-type region, a wurtzite c-axis is oriented toward the light-emitting layer. - 特許庁

ＧａＮ層１６の厚さが２００μｍでＧａＮ層１４の表面のウルツ鉱構造の割合が５％、ＧａＮ層１６の厚さが５００μｍでウルツ鉱構造の割合が１．５％まで低下した。例文帳に追加

A ratio of a wurtzite structure on the surface of the GaN layer 14 is reduced to 5% when a thickness of the GaN layer 16 is 200 μm and reduced to 1.5% when the thickness of the GaN layer 16 is 500 μm. - 特許庁

閃亜鉛鉱またはウルツ鉱として自然に発生し、発光色素として使用される白から黄色の結晶質の蛍光合成物例文帳に追加

a yellow to white crystalline fluorescent compound that occurs naturally as sphalerite or wurtzite and is used as a luminous pigment  - 日本語WordNet

発光層は、少なくとも５０オングストロームの厚みを有するウルツ鉱ＩＩＩ族窒化物層とすることができる。例文帳に追加

The light-emitting layer may be a wurtzite group III nitride layer having a thickness of at least 50 angstroms. - 特許庁

ウルツ鉱構造の化合物半導体を用いてノーマリ・オフの化合物半導体電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a normally-OFF compound semiconductor electronic device using a compound semiconductor having a wurtzite structure. - 特許庁

半導体レーザ素子は、活性層６と、活性層６上に形成され、ウルツ鉱型結晶構造を有するｐ側半導体層とを備える。例文帳に追加

The semiconductor laser element comprises: an active layer 6, and a p-side semiconductor layer formed on the active layer 6 and has a wurtzite crystal structure. - 特許庁

この膜はウルツ鉱型の結晶構造を有し、かつ、その表面が亜鉛極性である（０００１）面である。例文帳に追加

The film includes a wurtzite crystal structure, and the surface thereof is composed of a zinc polarity (0001). - 特許庁

高温での時定数が向上されるよう材料設計された、ウルツ鉱型の結晶構造を有する窒化アルミニウム圧電体を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum nitride piezoelectric material having a wurtzite-type crystal structure which is material-designed so as to improve the time constant at high temperature. - 特許庁

各種デバイス用基板として有用な高純度で均一な六方晶系ウルツ鉱型単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a high purity and uniform hexagonal system wurtzite type single crystal useful as a substrate for various devices. - 特許庁

続いて、ヘキサ置換型ヘキサアザイソウルツィタン誘導体のニトロ化によって、単一反応段において、HNIWが直接的に得られる。例文帳に追加

Then, the HNIW is directly obtained in a single reaction step by the nitration of the hexa-substituted hexaazaisowurtzitane derivative. - 特許庁

III族窒化物半導体等のウルツ型化合物半導体を用いた高効率な太陽電池を得られるようにする。例文帳に追加

To provide a high-efficiency solar cell using a wurtzite compound semiconductor such as a group III nitride semiconductor. - 特許庁

ウルツ鉱型半導体膜に生じる歪を簡便に評価し、評価可能な試料構造に対する制約を緩和する。例文帳に追加

To relax restriction to sample structure which can be evaluated, by simply evaluating distortion occurring at a wurtzite semiconductor film. - 特許庁

幾つかの実施形態において、核形成層は、基板のｃ−面からミスカットされたウルツ鉱型基板の表面の上に形成される。例文帳に追加

In some embodiments, the nuclear layer is formed on the surface of a wurtzite substrate mis-cut from the c-plane of the substrate. - 特許庁

ついで、この六方晶系ウルツ鉱型硫化亜鉛の粉末にＡｇ等の付活剤を添加することで、蛍光体粉末が得られる。例文帳に追加

An activator such as Ag is added to the hexagonal wurtzite zinc oxide powder to provide the fluorescent powder. - 特許庁

基板主面の平坦性が向上した、特に六方柱状晶（コラム）を含まないウルツァイト型基板を形成できるようにする。例文帳に追加

To form a wurtzite type substrate which is improved in the flatness of the main surface of the substrate and does not particularly contain hexagonal columnar crystals (columns). - 特許庁

従来よりも高い精度でc軸が薄膜の面内の一方向に配向したウルツ鉱薄膜を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a wurtzite thin film having c-axis uniaxially oriented in the plane of the thin film with a higher precision than those of conventional ones. - 特許庁

また、鋼板部材４は、新たな部材ではなく、従来の付属部材であるカウルツウブレースを利用したものである。例文帳に追加

The steel sheet 4 is not a new member, but a cowl-to-brace of a conventional accessory member is used therefor. - 特許庁

蛍光体粉末を得るには、まず、六方晶系ウルツ鉱型酸化亜鉛の粉末を硫化水素ガスの雰囲気中で硫化亜鉛の転移温度よりも低い、好ましくは５００〜１０００℃の温度で所定時間加熱処理して硫化させて六方晶系ウルツ鉱型硫化亜鉛の粉末を得る。例文帳に追加

The hexagonal wurtzite zinc oxide powder is sulfurated by heat treatment for a prescribed time at a temperature lower than a transition temperature of zinc sulfide, preferably 5001,000°C in an atmosphere of hydrogen sulfide gas to provide the hexagonal wurtzite zinc sulfide powder. - 特許庁

窒化物半導体デバイスは、ウルツ鉱構造III族窒化物半導体であって、｛０００１｝面以外の面が表面に露出し、｛０００１｝面以外の面のいずれかに張り出す形でウルツ鉱構造III族窒化物半導体による板状構造が形成されている。例文帳に追加

The nitride semiconductor device is made of wurtzite structure group-III nitride semiconductor, and surfaces other than {0001} surface are exposed over the surface of the device, and furthermore, a plate structure made of wurtzite structure group-III nitride semiconductor is formed projecting over any surface, other than the {0001} surface. - 特許庁

白色光源７を有する光源部２と、分光器９と受光器１０を有する測定部１と、計算機１２を有するデータ処理部３とを含み、被測定試料８の基板８ａ上のウルツ鉱型半導体膜８ｂのＡ、Ｂ、Ｃ励起子吸収ピークエネルギーを測定することにより、ウルツ鉱型半導体膜８ｂの歪量を測定する。例文帳に追加

This method includes a light source 2 having a white light source 7, a measuring part 1 having a spectroscope 9, and a light receiver 10, and a data processor 3 having a computer 12, and measures the distortion of the wurtzite semiconductor film 8b by measuring the A, B, C exciter absorption peak energy of the film 8b on the substrate 8a of a sample to be measured 8. - 特許庁

この方法は、ヘキサ置換型ヘキサアザイソウルツィタン誘導体を形成可能にする、α，β-ジカルボニル誘導体と第1級アミンとの反応の第1段を含む。例文帳に追加

The method includes a first step of the reaction of an α,β-dicarbonyl derivative with the primary amine, and enables the formation of a hexa-substituted hexaazaisowurtzitane derivative. - 特許庁

半導体レーザダイオード１０は、六方晶系ウルツ鉱型単結晶基板１２と、この単結晶基板１２のｍ面（１＿１００）上に形成されたＩｎＧａＮからなる活性層１５とを備える。例文帳に追加

The semiconductor laser diode 10 includes a hexagonal-wurtzite single crystal substrate 12 and an active layer 15, made of InGaN formed on m-plane (1_100) of the single-crystal substrate 12. - 特許庁

ウルツ鉱型結晶構造の半導体を用いた電界効果トランジスタで、電極との接触抵抗を高くすることなく、バンドギャップエネルギーのより大きな半導体から障壁層が構成できるようにする。例文帳に追加

To provide a field-effect transistor using a semiconductor with a Wurtzite crystal structure capable of forming a barrier layer out of a semiconductor having a greater bandgap energy, without increasing contact resistance with an electrode. - 特許庁

また、基板上に積層された酸化亜鉛薄膜であって、ウルツ鉱型の結晶性薄膜であり、金属薄膜層上に薄膜形成技術によって形成される。例文帳に追加

The zinc oxide thin film is laminated on the substrate, and it is of the wurtzite type crystalline thin film, and it is formed on a metal thin film layer by film forming technology. - 特許庁

層の平面にほぼ平行な＜０００１＞軸を有するウルツ鉱結晶構造を有する、面内発光層と呼ばれるプレーナ発光層を含む半導体発光装置。例文帳に追加

A semiconductor light emitting device includes a planar light-emitting layer with a wurtzite crystal structure having a <0001> axis substantially parallel to the plane of the layer, referred to as an in-plane light-emitting layer. - 特許庁