「光導電膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

導電膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、電気光学装置、及び電子機器例文帳に追加

FORMING METHOD OF CONDUCTIVE FILM PATTERN, MANUFACTURING METHOD OF DEVICE, ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT - 特許庁

透明導電膜とその製造方法、電気光学装置とその製造方法、及び電子機器例文帳に追加

TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD, ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC EQUIPMENT - 特許庁

導電パターンの形成方法、薄膜トランジスタの製造方法、電気光学装置、及び電子機器例文帳に追加

METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, ELECTROOPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器例文帳に追加

FORMING METHOD OF PATTERN, MANUFACTURING METHOD OF DEVICE, CONDUCTIVE FILM WIRING, ELECTROOPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC EQUIPMENT - 特許庁

機能液保管方法、配線パターン形成方法、導電膜配線、電気光学装置及び電子機器例文帳に追加

FUNCTIONAL FLUID STORING METHOD, WIRING PATTERN FORMING METHOD, CONDUCTIVE FILM WIRING, ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

半導体微粒子ペースト、半導体膜およびその製造方法と光電変換素子例文帳に追加

SEMICONDUCTOR PARTICULATE PASTE, SEMICONDUCTOR MEMBRANE AND ITS MANUFACTURING METHOD AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT - 特許庁

光導電性有機半導体としてペリレン顔料(Me-PTC)を用い、膜厚は500 nmとした。例文帳に追加

Perylene pigment (Me-PTC) is used as the photoconductive organic semiconductor, and the thickness of the film is set to 500 nm. - 特許庁

導電性基板１の上に発光層３を含む半導体膜１０が形成される。例文帳に追加

A semiconductor film 10 containing a light emitting layer 3 is formed on the conductive substrate 1. - 特許庁

半導体膜の作製方法、半導体装置の作製方法、及び光電変換装置の作製方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR FILM, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE - 特許庁

透明導電膜の製造方法および化合物半導体発光素子の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND MANUFACTURE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR LUMINESCENT ELEMENT - 特許庁

導電性及び透明性に優れた透明導電膜を製造することが可能な透明導電膜の製造方法、半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子、ランプ、透明導電性基体の製造方法及び透明導電性基体、並びに、電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a transparent conductive film, capable of manufacturing the transparent conductive film superior in conductivity and transparency, along with a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, the semiconductor light emitting device, a lamp, a method of manufacturing a transparent conductive substrate, the transparent conductive substrate, and electronic apparatus. - 特許庁

透明導電膜と導電性反射膜同士間又は透明導電膜と光電変換層間の良好な接触性又は導通性に優れ、発電の際の太陽電池における直列抵抗を低下させ、発電効率を向上させ得る太陽電池用の複合膜を形成する。例文帳に追加

To form a composite film for solar cells which is able to possess superior contact and conduction properties between a transparent conductive film and a conductive reflective film, or between the transparent conductive film and a photoelectric conversion layer and is able to increase the electricity generation efficiency, by reducing the series resistance in the solar cells, at electricity generation. - 特許庁

酸化物透明導電膜およびアルカリ金属含有酸化物透明導電膜の成膜方法ならびにその酸化物透明導電膜を利用した有機光装置例文帳に追加

FILM FORMING METHOD OF OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND ALKALINE METAL CONTAINING OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND ORGANIC LIGHT DEVICE UTILIZING THE OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM - 特許庁

水素による透光性導電膜の還元が抑制され、しかも、透光性導電膜と半導体層（ドープ層）との良好な電気的接合が得られて、特性の向上を図れる光起電力素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To realize a photovoltaic element and a method of manufacturing thereof, in which characteristics are improved by suppressing reduction of a transmissive conductive film by hydrogen and obtaining satisfactory electrical junction between the transmissive conductive film and a semiconductor layer (doped layer). - 特許庁

透光性導電性薄膜の導電性パターンの断線や導電性異常等を、簡便かつ迅速であり、更に測定対象の透光性導電性薄膜を傷つけることなく、正確に検査する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for simply, rapidly and accurately inspecting the disconnection or conductivity abnormality of the conductive pattern of a translucent conductive membrane without damaging the translucent conductive membrane being a measuring target. - 特許庁

膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、半導体チップの実装構造、半導体装置、発光装置、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体例文帳に追加

FORMING METHOD FOR FILM PATTERN, FILM PATTERN FORMING DEVICE, CONDUCTIVE FILM WIRING METHOD, MOUNT STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR CHIP, SEMICONDUCTOR APPARATUS, LIGHT EMISSION DEVICE, ELECTRONIC OPTICAL APPARATUS, ELECTRONIC APPARATUS, AND NON-CONTACT CARD MEDIUM - 特許庁

膜厚測定方法および膜厚測定装置および膜厚測定装置を有する画像形成装置、光導電性感光体および光導電性感光体の製造方法例文帳に追加

FILM THICKNESS-MEASURING METHOD AND APPARATUS, IMAGE- FORMING APPARATUS HAVING THE FILM THICKNESS-MEASURING APPARATUS, PHOTOCONDUCTIVE PHOTOSENSOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

膜厚測定方法、膜厚測定装置および該膜厚測定装置を有する画像形成装置、並びに光導電性感光体の製造方法および光導電性感光体例文帳に追加

FILM THICKNESS MEASURING METHOD, FILM THICKNESS MEASURING APPARATUS, IMAGE FORMING APPARATUS INCLUDING FILM THICKNESS MEASURING APPARATUS, METHOD OF PRODUCING PHOTOCONDUCTIVE PHOTORECEPTOR, AND PHOTOCONDUCTIVE PHOTORECEPTOR - 特許庁

透明導電膜２と酸化物半導体多孔質膜３からなる光電極４と対極５との間に電荷移送膜１１を介在せしめ、この電荷移送膜１１を無機系ｐ型半導体と導電助剤からなる複合構造を有し、その表面抵抗が３０００Ω／ 以下である膜から構成する。例文帳に追加

The charge transfer film 11 is interposed between the optical electrode 4 composed of a transparent conductive film 2 and the oxide semiconductor porous film 3 to form a composite structure comprising the charge transfer film 11, an inorganic p-type semiconductor, and a conduction assistant, the surface resistance being ≤3,000 Ω/. - 特許庁

パネル組み立て前の基板段階で、反射膜もしくは遮光膜を構成する導電膜と透明電極間のリークの有無を検出を可能とする。例文帳に追加

To detect the existence of leak between a conductive film constituting a reflecting film or a shading film and a transparent electrode in a substrate stage before panel assembly. - 特許庁

その後，光電変換膜３３，第２の透明導電膜３４，および反射膜３５を順次積層して，形成する。例文帳に追加

A photoelectric converter is formed by successively stacking a photoelectric conversion film 33, a 2nd transparent conductive film 34 and a reflection film 35 on the 1st transparent conductive film 32. - 特許庁

光導電膜１２とベース層５は、酸化膜開口部８と保護膜開口部１１を介して電気的に接続されている。例文帳に追加

The photoconduction film 12 and the base layer 5 are electrically interconnected through an oxide film opening part 8 and a protection film opening part 11. - 特許庁

透光性導電膜３２と電極端子部分５１は、膜３３及び膜３４の周囲に設けられたシーリング材７により固定される。例文帳に追加

The translucent conductive film 32 and the electrode terminal part 51 are fixed by a sealing material 7 fitted around the film 33 and the film 34. - 特許庁

光電極４は、透明基板１と透明導電膜２と酸化物半導体多孔質膜３により構成される。例文帳に追加

The photoelectrode 4 is composed of a transparent substrate 1, a transparent conductive film 2 and an oxide semiconductor porous film 3. - 特許庁

表面反射を抑制して光の透過率を高めた透明導電膜を備える透明導電膜付き基材を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate with a transparent conductive film which includes the transparent conductive film having light transmittance increased by suppressing the surface reflection. - 特許庁

モアレの発生を低減することができるパターン露光方法、導電膜の製造方法及び導電膜を提供する。例文帳に追加

To provide a pattern exposure method capable of reducing generation of moire, and to provide a method for producing a conductive film and a conductive film. - 特許庁

転写元基板、薄膜半導体装置、薄膜半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器例文帳に追加

TRANSFER SOURCE SUBSTRATE, THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

加熱用透明導電膜８は、駆動用透明導電膜９を兼ねているとともに光有効領域７に形成されている。例文帳に追加

The transparent conductive film 8 for heating serves as the transparent conductive film 9 for driving and is formed in the optically effective region 7. - 特許庁

支持フィルム、有機色素膜、窒化ケイ素層、および透明導電膜をこの順に有することを特徴とする、導電性偏光フィルム。例文帳に追加

A conductive polarizing film of the present invention has a support film, an organic dye film, a silicon nitride layer, and a transparent conductive film in this order. - 特許庁

透明導電膜の成膜方法、半導体層の欠陥領域補償方法、光起電力素子、及びその製造方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR COMPENSATING DEFECTIVE AREA OF SEMICONDUCTOR LAYER, PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

透明導電膜形成用ネガ型感光性塗布液及び透明導電パターン膜とその製造方法例文帳に追加

NEGATIVE TYPE PHOTOSENSITIVE COATING LIQUID FOR FORMING TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM, TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE PATTERNED FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

透明基板(2)上に透明導電膜を形成し、その上に光触媒膜を形成し、この光触媒膜に光増感色素を吸着させる光電変換素光用電極の製造方法である。例文帳に追加

This is the manufacturing method of the electrode for photoelectric conversion element in which a transparent conductive film is formed on a transparent substrate (2) and a photocatalyst film is formed on it, and a photosensitizing dye is adsorbed on the photocatalyst film. - 特許庁

有機色素を光増感剤とする半導体薄膜電極、光電変換素子及び光電気化学太陽電池例文帳に追加

SEMICONDUCTOR THIN FILM ELECTRODE USING ORGANIC DYE AS PHOTOSENSITIZER, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, AND OPTICAL ELECTROCHEMICAL SOLAR BATTERY - 特許庁

有機色素を光増感剤とする半導体薄膜電極、それを用いた色素増感型光電変換素子および光電気化学太陽電池例文帳に追加

SEMICONDUCTOR THIN FILM ELECTRODE USING ORGANIC DYE AS PHOTOSENSITIZER, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT USING THE SAME, AND PHOTO-ELECTROCHEMICAL SOLAR CELL - 特許庁

そして、その試験光によって、感光体ドラム３０上の光導電膜３１に形成された静電潜像の電位が電位計６０で計測される。例文帳に追加

The potential of an electrostatic latent image formed on the photoconductive film 31 on the photoreceptor drum 30 is measured by an electrometer 60 with test light. - 特許庁

物理現像処理装置、導電性金属部形成方法及び光透過性導電膜、光透過性が高い電磁波遮蔽材料例文帳に追加

PHYSICAL DEVELOPING DEVICE, CONDUCTIVE METAL PORTION FORMING METHOD AND LIGHT-PERMEABLE CONDUCTIVE FILM, ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELDING MATERIAL WITH HIGH LIGHT PERMEABILITY - 特許庁

ｐ型半導体層の上に、ｐ型コンタクト層を介して形成された透光性の正電極を備える半導体発光素子であって、前記透光性の正電極が、第１の半導体膜、金属膜、第２の半導体膜がこの順に積層されてなる半導体発光素子。例文帳に追加

The semiconductor light emitting element is provided with the translucent positive electrode formed on the p-type semiconductor layer through the p-type contact layer and, in this case, the translucent positive electrode is constituted of a first semiconductor film, a metal film, and a second semiconductor film which are laminated in this sequence. - 特許庁

そして、一対の導電性薄膜１０２，１０３間に電圧を印加し、一方の導電性薄膜から他方の導電性薄膜に電子を注入することにより発光させる。例文帳に追加

A voltage is applied between the conductive thin films 102 and 103 to inject electrons from one conductive thin film to the other conductive thin film, whereby light is emitted. - 特許庁

光触媒膜、水分解用半導体光電極およびこれを用いた水分解装置例文帳に追加

PHOTOCATALYST FILM, SEMICONDUCTOR PHOTOELECTRODE FOR WATER DECOMPOSITION, AND WATER DECOMPOSITION DEVICE USING THE SAME - 特許庁

ポリアニリン誘導体から成る光電変換素子用光キャリアー生成および輸送材料薄膜例文帳に追加

THIN FILM MATERIAL FOR GENERATION AND TRANSFER OF OPTICAL CARRIER OF PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT COMPRISING POLYANILINE DERIVATIVE - 特許庁

光、熱、電気等に対する物性が異方性を有する硬化膜であって、その特性を利用して膜単独で、あるいは基体上に硬化膜を形成して、光拡散フィルム、光拡散膜、熱伝導性膜、熱伝導性フィルム、電気伝導性膜、電気伝導性フィルムあるいは偏光素子としての応用が可能な硬化膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a cured film, a light diffusing film, a heat conductive film, an electroconductive film or a cured film capable of being applied as a polarizing element which is a cured film having anisotropy in physical properties with respect to light, heat, electricity and the like, by forming a film alone utilizing characteristics of the cured film or forming the cured film on a substrate. - 特許庁

光、熱、電気等に対する物性が異方性を有する硬化膜であって、その特性を利用して膜単独で、あるいは基体上に硬化膜を形成して、光拡散フィルム、光拡散膜、熱伝導性膜、熱伝導性フィルム、電気伝導性膜、電気伝導性フィルムあるいは偏光素子としての応用が可能な硬化膜を提供する。例文帳に追加

To provide a cured film which exhibits anisotropic properties to light, heat, electricity or the like, and can be applied, by utilizing the characteristics, as light scattering films, light scattering membranes, thermoconductive membranes, thermoconductive films, electroconductive membranes, electroconductive films or polarizing elements by itself or as the cured film formed on a substrate. - 特許庁

第１の透明導電膜１３と低屈折率膜１４との反射光を光学的に干渉させて反射光を減らすことができる。例文帳に追加

Reflected light can be lessened by making the reflected lights of the first transparent conducting film 13 and the low-refractive-index film 14 interfere with each other optically. - 特許庁

各種表示装置の透光性電磁波シールド膜、各種電子デバイスの透明電極、透明面状発熱体等として有用な導電膜を製造するにあたって、導電膜の導電性を向上させることができる導電膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a producing method of a conductive film capable of enhancing conductivity of the film, in producing a translucent electromagnetic-wave shield film of various display devices, a transparent electrode of various electronic devices, and a conductive film useful as a transparent plane heating element or the like. - 特許庁

誘電体多層膜の透明導電体薄膜Ｃの間に電圧を供給すると、電気光学薄膜Ｍの屈折率が電圧によって変化し、光学膜厚が変化する。例文帳に追加

When a voltage is applied between the transparent conductor thin films C of the dielectric multi-layered film, the refractive index of the electrooptic thin film M varies with the voltage and varies in optical film thickness. - 特許庁