「光導電膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

導電性膜１２０を選択的に除去した後、導電性膜１２０をマスクとして、絶縁樹脂膜１２２を露光し、現像して絶縁樹脂膜１２２にビアホールを形成する。例文帳に追加

After the conductive film 120 is selectively removed, the insulating resin film 122 is exposed and developed using the conductive film 120 as a mask to form a via hole to the insulating resin film 122. - 特許庁

下層導電性膜７上のＰＳＧ膜９、ＳｉＮ膜１１及び感光性ポリイミド層１５に、下層導電性膜７の一端側及び他端側にそれぞれ対応してスルーホール１７が形成されている。例文帳に追加

A PSG film 9, an SiN film 11, and a photosensitive polyimide layer 15 on the lower-layer conductive film 7 has through-holes 17 formed corresponding to one end side and the other end side of the lower-layer conductive films 7. - 特許庁

少ない回数で均一な厚膜の光電気セル用多孔質金属酸化物半導体膜を形成することのできる光電気セル用多孔質金属酸化物半導体膜形成用塗料を提供する。例文帳に追加

To provide a paint for forming a porous metal oxide semiconductor film for photoelectric cell in which the porous metal oxide semiconductor film for photoelectric cell of a uniform thickness can be formed with a small number of times. - 特許庁

その後、レーザ光を用いたスクライブによって半導体膜５の一部を除去しての様に電気接続用溝６を設け光電変換膜たる半導体膜５を短冊状に分割する。例文帳に追加

After that, one part of the semiconductor film 5 is removed by scribing using a laser beam to provide a groove 6 for electric connection as shown in Fig. (d), and the semiconductor film 5 as a photoelectric film is divided into strips. - 特許庁

テラヘルツ光１の近接場光により表面に沿う長さ方向の電気抵抗が変化する半導体チップ１２と、半導体チップの表面を覆う絶縁被膜１８と、絶縁被膜の表面を覆いテラヘルツ光を遮光可能な導電性被膜２０とを備える。例文帳に追加

This near-field terahertz photodetector includes a semiconductor chip 12, whose longitudinal electrical resistance along its surface changes due to near-field light of terahertz light 1, an insulating film 18 which covers the surface of the semiconductor chip, and a conductive film 20 able to shield the terahertz light by covering the surface of the insulating film. - 特許庁

簡便且つより安価な手法により半導体微粒子薄膜の製造とかかる薄膜を用いることにより高い光電変換効率を有する光電変換素子ならびこの光電変換素子からなる光化学電池を提供する。例文帳に追加

To provide a photoelectric conversion element having high photoelectric conversion efficiency by using a simple and inexpensive method of semiconductor particle thin film manufacturing, and the thin film produced by the method, to provide a photochemistry battery having the photoelectric conversion element. - 特許庁

自然光は導電性薄膜を２度通過し、発光層からの光は導電性薄膜を１度通過するだけなので、所定の透過率になる膜厚で導電性薄膜を設ければ、反射した自然光の透過率を抑え、発光層からの光は従来と同程度あるいはそれ以上に透過させることができ、偏光板が不要となる。例文帳に追加

If the thin conductive film having a thickness with predetermined transmittance is provided, transmittance of the reflected natural light is suppressed so that the light from the light emitting layer has transmittance equal to or greater than a normal level. - 特許庁

透明基板１と、透明基板１の表面に形成される高導電層２と、高導電層２上に形成される透明導電膜４と、透明導電膜４上に形成され、分光増感色素６を備えた金属酸化物半導体膜５とを備える。例文帳に追加

This electrode component is provided with a transparent substrate 1, a high conductivity layer 2 formed on the surface of the transparent substrate 1, a transparent conductive film 4 formed on the high conductivity layer 2, and a metal oxide semiconductor film 5 provided with spectrally sensitized dye 6. - 特許庁

このような構成の光電極２の透明電極膜６上に多孔性半導体電極膜７を形成し、この多孔性半導体電極膜７に増感色素を吸着・担持させる。例文帳に追加

A porous semiconductor electrode membrane 7 is formed on the transparent electrode membrane 6 of the photo electrode 2 thus constructed, and a sensitized dye is adsorbed and carried on this porous semiconductor electrode membrane 7. - 特許庁

電流分散膜として透明導電膜を用いた発光ダイオードを製造する際に、透明導電膜からの電極剥がれを起こさない構造とする。例文帳に追加

To constitute a light-emitting diode in a structure with the electrodes not being peeled off a transparent conductive film which is used as a current diffusion film at manufacturing of the diode. - 特許庁

透明基板(1)と、その上の透明導電膜(2)とからなる透明電極(3)に、酸化チタン粒子を含むペーストを塗布し、乾燥、透明電極(3)の透明導電膜(2)の上に光触媒膜(4)を形成した。例文帳に追加

A paste containing titanium oxide particles is coated to a transparent electrode (3) consisting of a transparent substrate (1) and a transparent conductive film (2) thereabove, drying is carried out, and the photocatalyst film (4) is formed on the transparent conductive film (2) of the transparent electrode (3). - 特許庁

半導体薄膜の製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ、集積回路、電気光学装置、電子機器例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR THIN FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR AND THIN FILM TRANSISTOR, INTEGRATED CIRCUIT, ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

有機電界発光表示装置は，絶縁基板と，絶縁基板上に位置し，引張応力を有するモリブデン膜又はモリブデン合金膜からなる導電膜パターンと，導電膜パターン上に位置するシリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜とを含む。例文帳に追加

An organic electroluminescent display device comprises an insulating substrate, a conductive film pattern consisting of molybdenum film or molybdenum alloy film which is located on the insulating substrate and has tensile stress, and silicon nitride film or silicon oxynitride film which is located on the conductive film pattern. - 特許庁

製造工程を増やすことなく、容量素子の誘電体膜の膜厚をＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚よりも薄くすることのできる薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体装置、この電気光学装置、およびこの電子機器を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a thin film semiconductor device with which a dielectric film of a capacitive element can be made thinner than a gate insulating film of a TFT without increasing manufacturing step, and to provide a thin film semiconductor device, an electrooptical device, and an electronic device having the electrooptical device. - 特許庁

上記光学フィルムのハードコート層（Ａ）の光透過性基材とは反対側の面に、透明導電膜が設けられた光学フィルムの当該透明導電膜側に、さらに第二の透明導電膜が設けられていることを特徴とする、タッチパネル。例文帳に追加

The touch panel is characterized in that the optical film has a transparent electroconductive film provided on a reverse surface of the hard coating layer (A) from the optically transmissive substrate and in that a second transparent electroconductive film is disposed on a side of the transparent electroconductive film of the optical film. - 特許庁

そして、この導電性遮光膜１２４のうち、パッド部１１６の外側に配置される導電性遮光膜１２４Ａの位置を外側に移動し、導電性遮光膜１２４Ａとパッド部１１６との間隔を例えば１０μｍ以上離間させた。例文帳に追加

Then, a position of an electrically conductive light shielding film 124A disposed on the outer side of the pad part 116 among this electrically conductive light shielding film 124 is moved outside, and an interval between the electrically conductive light shielding film 124A and the electrically conductive pad part 116 is set into 10 μm or more. - 特許庁

光半導体素子１は、半導体基板ＳＢ上に半導体多層膜Ｌ１１、分離層ＳＰ、及び半導体多層膜Ｌ１２が順に積層されており、半導体多層膜Ｌ１１に形成された静電耐圧素子１０と、半導体多層膜Ｌ１１の上方に位置する半導体多層膜Ｌ１２に形成された面発光型半導体レーザ２０とを含んで構成される。例文帳に追加

An optical semiconductor element 1 comprising a semiconductor multilayer film L11, a separation layer SP, and a semiconductor multilayer film L12 formed sequentially on a semiconductor substrate SB, further includes an electrostatic breakdown voltage element 10 formed on the semiconductor multilayer film L11, and a surface emission semiconductor laser 20 formed on the semiconductor multilayer film L12 located above the semiconductor multilayer film L11. - 特許庁

レジスト膜４の露光パターンに従って側面１ｃ、１ｄ上の導電性膜３をエッチングすることによって、電極を成形する。例文帳に追加

Etching the conductive film 3 on the side faces 1c, 1d corresponding to the exposure pattern of the resist film 4 forms the electrodes. - 特許庁

光電変換用上電極８ａはＩＴＯ膜であるが、半導体層１ａへの熱処理が終了した後にＩＴＯ膜を形成する。例文帳に追加

An upper electrode 8a for photoelectric conversion is an ITO film, but the ITO film is formed, after heat treatment of a semiconductor layer 1a has been completed. - 特許庁

金属電極保護膜作製用キット、金属電極保護膜及びその製造方法、並びに半導体発光デバイス及びその製造方法例文帳に追加

KIT FOR FORMING METAL ELECTRODE PROTECTION FILM, METAL ELECTRODE PROTECTION FILM AND FORMATION METHOD THEREFOR, AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

電流分散層として金属酸化膜９を有する半導体発光素子において、前記金属酸化膜９に電極１０がメッキされている。例文帳に追加

In the semiconductor light emitting element having a metal oxide film 9 as a current dispersion layer, an electrode 10 is plated on the metal oxide film 9. - 特許庁

表面改質透明導電性膜上にフタロシアニン化合物よりなる膜を設けた電荷注入型発光素子およびその製造方法例文帳に追加

ELECTRIC CHARGE INJECTION TYPE LIGHT EMITTING ELEMENT PROVIDED WITH FILM WHICH CONSIST OF PHTHALOCYANINE COMPOUND ON SURFACE REFORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

成膜用塗布剤とその製造方法、化合物半導体膜とその製造方法、光電変換素子、及び太陽電池例文帳に追加

COATING AGENT FOR FILM FORMING, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, AND SOLAR CELL - 特許庁

電圧を印加することにより光の透過率が変化し、導電膜に対する密着性に優れる合わせガラス用中間膜を提供する。例文帳に追加

To provide an intermediate film for laminated glass capable of changing a light transmissivity by application of a voltage, and having excellent adhesion to a conductive film. - 特許庁

ｐ型非晶質シリコン膜上の周辺部を除く領域に、透明導電膜からなる受光面電極２が形成されている。例文帳に追加

In the region except the periphery of the p-type amorphous silicon film, a light receiving surface electrode 2 composed of a transparent conductive film is formed. - 特許庁

導電性膜の製造方法及びその製造装置並びに透光性電磁波シールド膜及びプラズマディスプレーパネル例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING ELECTROCONDUCTIVE FILM, PRODUCTION APPARATUS THEREFOR, TRANSLUCENT ELECTROMAGNETIC-WAVE SHIELD AND PLASMA DISPLAY PANEL - 特許庁

光電変換薄膜トランジスタ１２上にはオーバーコート膜１３を介してｎ型酸化亜鉛からなる透明導電層１４が設けられている。例文帳に追加

A transparent conductive layer 14 made of n-type zinc oxide is provided via an overcoat film 13 on the photoelectric conversion thin film transistor 12. - 特許庁

厚膜透明電極１９は、発光層１７と反射メタル２０との間に設けられ、厚膜の透明な導電性材料から構成されている。例文帳に追加

The thick transparent electrode 19 is provided between the light emission layer 17 and the reflection metal 20, and is formed of thick transparent conductive material. - 特許庁

また、薄膜太陽電池用基板は、支持基板と該支持基板上に形成された前記導電性光反射膜とからなる。例文帳に追加

The substrate for thin-film solar cells comprises a support substrate and the conductive light-reflecting film formed on the support substrate. - 特許庁

電圧を印加することにより光の透過率が変化し、導電膜に対する密着性に優れる合わせガラス用中間膜を提供する。例文帳に追加

To provide an interlayer for laminated glass which allows a change of light transmittance upon voltage application and has excellent adhesion to a conductive film. - 特許庁

また当該薄膜は、特に光の散乱性能の点で高い性能を有し、太陽電池の透明導電膜として有用である。例文帳に追加

Further, the thin film has high performance particularly in the scattering performance of light, and is useful as a transparent conductive film of a solar battery. - 特許庁

シールド用の導電膜と遮光膜との間の短絡を抑制した横電界方式の液晶表示装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display device of a lateral electric field system suppressing short circuit between a conductive film for shielding and a light shielding film. - 特許庁

遮光膜８は、導電性を有し、絶縁膜７を介して、対応する垂直電荷転送部１２の上層に垂直方向に沿って形成されている。例文帳に追加

The light-shielding film 8 has conductivity and is vertically formed above the corresponding vertical charge transfer unit 12 with an insulating film 7. - 特許庁

薄膜の形成方法、薄膜形成装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置、並びに電子機器例文帳に追加

METHOD FOR FORMING THIN FILM, THIN FILM FORMING APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

さらに透明導電性膜を成膜することにより、光学ローパスフィルタの静電気を防止することにより、ゴミの集塵を防止する。例文帳に追加

Moreover, dust collection is prevented by preventing static electricity of the optical low-pass filter while forming transparent conductive films on the antireflection film and the IR coat or the UV-IR cut coat. - 特許庁

トップエミッション型有機ＥＬ発光素子の上面側の電極に適する低抵抗性の透明導電膜を室温で製膜する。例文帳に追加

To manufacture at room temperature a transparent conductive film with low resistance suitable for an upper face side electrode of a top emission type organic EL light-emitting element. - 特許庁

塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置及び半導体装置の製造方法、並びに電気光学装置、電子機器例文帳に追加

COATER, METHOD FOR FORMING THIN FILM, SYSTEM FOR FORMING THIN FILM, PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRO-OPTICAL DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

直上に形成する層、例えば光電変換層、特に結晶性シリコン薄膜との界面剥離を抑制できる導電膜を提供する。例文帳に追加

To provide a conductive film, where interfacial peeling between a layer formed just above, e.g. a photoelectric conversion layer, especially a crystalline silicon thin film and the conductive film can be suppressed. - 特許庁

導電性基体上に感光層を含む塗膜を有する電子写真感光体の端部塗膜を剥離したとき、剥離した塗膜端面がギザギザにならないように剥離する電子写真感光体の製造方法、電子写真感光体用剥離液、電子写真感光体の提供。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an electrophotographic photoreceptor by which a stripped coating film is prevented from burring on its end face when an end coating film of the electrophotographic photoreceptor having coating films containing a photosensitive layer on a conductive substrate is stripped, and to provide a stripping liquid for the electrophotographic photoreceptor and the electrophotographic photoreceptor. - 特許庁

光電変換素子等に有用な半導体微粒子膜の作製方法、この半導体微粒子膜を用いることにより優れた変換効率を示す色素増感光電変換素子の作製方法、当該方法で作製した光電変換素子、及びかかる光電変換素子を用いた光電池を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a fine semiconductor particle film useful for photoelectric conversion element and the like, a method for manufacturing a dye-sensitized photoelectric conversion element showing excellent conversion efficiency, the photoelectric conversion element produced by this method, and a photocell using this photoelectric conversion element. - 特許庁

光電変換素子１１上に、下地樹脂層１３、樹脂レンズ１４、透明無機膜／導電性薄膜／透明無機膜構成の光学機能薄膜１８を備えること。例文帳に追加

The solid state image sensing element comprises a substrate resin layer 13, a resin lens 14, and an optical functional thin film 18 of a transparent inorganic film/conductive thin film/transparent inorganic film constitution on a photoelectric conversion element 11. - 特許庁

半導体装置は、半導体基板１の裏面への入射光Ｌを光電変換する受光部２ａ、２ｂを含み、半導体基板の表面上に形成された絶縁膜７、１０ａと、配線膜９を含む配線層８とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device includes light-receiving sections 2a, 2b photoelectrically converting incident light L on a rear surface of a semiconductor substrate 1, and includes insulating films 7, 10a formed on a surface of the semiconductor substrate and a wiring layer 8 including a wiring film 9. - 特許庁

透明導電膜付き透明基体、その製造方法、および光電変換素子用基板ならびに光電変換素子例文帳に追加

TRANSPARENT BASE SUBSTRATE WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, ITS MANUFACTURING METHOD, PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND SUBSTRATE THEREFOR - 特許庁

電磁波シールド能を有し、かつ表面が黒化層で覆われたパターン状の導電性金属膜を透明支持体上に設けてなる透光性電磁波シールド膜であって、該黒化層がニッケルからなることを特徴とする透光性電磁波シールド膜。例文帳に追加

The blackened layer is formed of nickel, with an amount of nickel being 0.06-5.0 g/m^2. - 特許庁

光蓄電電極１では、基板１ｃ上に導電性高分子膜１ａが形成され、導電性高分子膜１ａ中に光触媒粒子１ｂが分散している。例文帳に追加

In this photoelectric storage electrode 1, a conductive polymer film 1a is formed on a substrate 1c, and photocatalyst particles 1b are dispersed in the conductive polymer film 1a. - 特許庁