「光導電膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

光ディスク１０の領域Ａ１に周設された導電性の反射膜１２のうち、信号記録領域Ａ４を除く領域にスリット孔１３を設け、このスリット孔１３の中央部において当該スリット孔１３を挟んで反射膜１２とＲＦＩＤタグのＩＣチップ２０の接続端子とを結線させる。例文帳に追加

A slit hole 13 is formed in the region of a conductive reflection film 12 provided around the periphery of a region A1 of the optical disk 10 except a signal recording region A4 and the reflection film 12 and a connection terminal of an IC chip 20 of the RFID tag are connected across the slit hole 13 at a center part of the slit hole 13. - 特許庁

優れた絶縁信頼性、耐薬品性を有し、また半導体パッケージ用ソルダーレジストとして重要なＰＣＴ耐性、ＨＡＳＴ耐性、無電解金めっき耐性を有する硬化皮膜を形成できる光硬化性熱硬化性樹脂組成物、そのドライフィルム及び硬化物、並びにこれらによりソルダーレジスト等の硬化皮膜が形成されてなるプリント配線板を提供する。例文帳に追加

To provide a photocurable thermosetting resin composition capable of forming a cured film having excellent insulation reliability and chemical resistance and having PCT resistance, HAST resistance and electroless gold plating resistance which are important as a solder resist for a semiconductor package, to provide its dry film and cured product and to provide a printed wiring board in which the cured film such as the solder resist is formed thereby. - 特許庁

表面と裏面を有する基板１１を設ける工程と、フォトリソグラフィープロセスに使用されるＥＵＶ光を吸収するために、基板の表面にイオンビームスパッタリングにより窒化タンタル（ＴａＮ）からなる膜１５を沈積する工程と、基板の裏面にイオンビームスパッタリングにより導電膜１６を沈積する工程とを有する。例文帳に追加

The method comprising the steps for providing a substrate 11 having a surface and a backside; depositing a film 15 composed of tantalum nitride (TaN) on the surface of the substrate by means of ion beam sputtering, in order to absorb EUV light used in a photolithography process; and depositing an electrically conductive film 16 on the backside of the substrate by means of ion beam sputtering. - 特許庁

プラズマ放電を用いた処理を行っている処理チャンバ内に配置された被処理体に対して、フラッシュランプによる短時間の光照射を処理面側から行い、高密度のラジカルとイオンを含む雰囲気下で極短時間の高温熱処理を行って薄膜形成及び薄膜改質を実現する半導体装置の製造方法及び製造装置である。例文帳に追加

Light irradiation by a flash lamp takes place in a short time from a side of a processed surface on a material to be processed placed in a processing chamber for carrying out the processing by means of plasma discharge, and high temperature heat treatment in an extremely short time takes place in an atmosphere containing highly concentrated radicals and ions to obtain formation and reformation of a thin film. - 特許庁

サファイア等からなる結晶基板２上に半導体薄膜層を積層した半導体発光素子１において、結晶基板２の厚みを５０μｍ以下にしたことを特徴とする半導体発光素子１としたものであり、発光部で発生した熱量を、サファイア基板２を通過させて迅速にリードフレーム８に逃がし、発熱を抑えるので、増加させた電流量に応じた輝度を得ることができるという作用を有している。例文帳に追加

The semiconductor light emitting element 1 which has a semiconductor thin film layer stacked on a crystal substrate 2 made of sapphire, etc., is characterized in that the crystal substrate 2 is ≤50 μm thick; and heat generated at a light emission part is speedily conducted to a lead frame 8 through the sapphire substrate 2 to suppress the heat generation, so that luminance corresponding to an increased current quantity can be obtained. - 特許庁

第２の主面側から照射した光を、第１の主面側に配置した検出器２４によって検出することにより第１及び第２の内部電極１１，１２の位置を検出し、その検出結果に基づいて決定された第１の主面上の部分に導電膜３３を形成することにより、第１及び第２の外部電極１３，１４のそれぞれの第１の部分１３ａ、１４ａを形成する。例文帳に追加

A detector 24 positioned on a first principal surface side detects the light emitted from a second principal surface side to detect positions of first and second internal electrodes 11, 12, and a conductive film 33 is formed at a part on the first principal surface determined based upon the detection result to form first parts 13a, 14a of the first and second external electrodes 13, 14, respectively. - 特許庁

電気光学パネルの第２の透明基板２０に形成したパネル側入出力端子９１と、フレキシブル基板８に形成した基板側入出力端子８３とを異方性導電膜６によって電気的に接続する際に、ヘッド６０をフレキシブル基板８の上面８２に当ててフレキシブル基板８を加熱しながら圧着する。例文帳に追加

When a panel input/output terminal 91 formed in the second transparent substrate 20 of the electro-optical panel and a substrate input/output terminal 83 formed at the flexible substrate 8 are electrically connected by the anisotropic conductive membrane 6, a head 60 is put at an upper face 82 of the flexible substrate 8, and is press-contacted while the flexible substrate 8 is heated. - 特許庁

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるレーザ構造と、そのレーザ構造の共振器方向に形成された一対のへき開面３７，３８と、その一対のへき開面３７，３８のうちレーザ光の射出側に形成された被膜３９と、レーザ構造に電流を注入するためのｐ側電極３５およびｎ側電極３６とを備える。例文帳に追加

The semiconductor laser has a laser structure made of a nitride-based group III-V compound semiconductor, a pair of cleavage planes 37 and 38 formed in a resonator direction of the laser structure, a coating 39 formed on a laser light projection side between the pair of cleavage planes 37 and 38, and a p-side electrode 35 and an n-side electrode 36 for injecting a current into the laser structure. - 特許庁

ｐ型半導体層上に形成されたＴＣＯからなる透明電極と、該透明電極上の一部に形成されたボンディングパッドとを有するＧａＮ系ＬＥＤ素子における、ｐ電極に含まれるメタル膜の光吸収に起因する損失を低減し、更に、この損失の低減されたＧａＮ系ＬＥＤ素子を効率よく製造することのできる、ＬＥＤ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a GaN-based LED device in which a GaN-based LED device having a transparent electrode formed of TCO on a p-type semiconductor layer and a bonding pad formed partially on the transparent electrode is reduced in loss due to light absorption of a metal film included in a (p) electrode and further the GaN-based LED device reduced in the loss can be efficiently be manufactured. - 特許庁

液晶ディスプレイ・プラズマディスプレイ・無機ＥＬディスプレイ・有機ＥＬディスプレイ・電子ペーパー等の透明電極に最適である光学特性、酸化亜鉛膜と透明基板の密着性およびシート抵抗値の安定性の良好な酸化亜鉛系透明導電積層体を提供すること。例文帳に追加

To provide a zinc oxide based transparent conductive laminate having the optical characteristics optimum to the transparent electrode of a liquid crystal display, a plasma display, an inorganic EL display, an organic EL display, etc. and improved in the adhesion of a zinc oxide film and a transparent substrate and the stability of a sheet resistance value. - 特許庁

そして、透明導電膜４は、少なくとも集電極５が形成されている領域に対応する領域に位置する低酸素濃度領域４ａと、集電極５が形成されていない領域に対応する領域に位置し、低酸素濃度領域４ａよりも光吸収係数が低い高酸素濃度領域４ｂとを含む。例文帳に追加

The transparent conductive film 4 has a low oxygen concentration region 4a disposed on the region corresponding to the region formed at least with the collector electrode 5, and a high oxygen concentration region 4b disposed on the region corresponding to the region in which the collector electrode 5 is not formed and having a lower light absorption coefficient than the low oxygen concentration region 4a. - 特許庁

接触、離反型で静電駆動型の表示装置において、画素となる可動薄膜が高速動作で、その変位量が大きく、多少の異物が存在しても安定に、かつ確実に光導波路に接触でき、安定な輝度の表示を可能とする低電圧駆動で低消費電力の表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a low-voltage driven and low-power-consumption display device which is characterized by that a movable thin film as a pixel operates fast and can stably and securely come into contact with an optical waveguide even if its displacement quantity is large and slight foreign matter is present to make a display of stable illuminance, as a contacting/separating type electrostatically driven display device. - 特許庁

疎水性の上部端とイオン性の親水性官能基を有する下部端とを有するカリックスアレーン；フラーレン；およびカリックスアレーンの親水性官能基と反対の電荷を持つ表面を有する導電性基板から構成され、カリックスアレーンとフラーレンが２：１の比率で結合して形成された錯体が、基板表面に単分子膜状に積層している光電変換素子用材料。例文帳に追加

This material for the photoelectric conversion element is constituted of calixarene provided with a hydrophobic upper end and a lower end provided with ionic hydrophilic functional group, fullerene, and a conductive substrate provided with a surface having an electric charge opposite to the hydrophilic functional group of calixarene, and a complex formed by connecting calixarene and fullerene by the ratio of 2:1 is laminated on a substrate surface in a monomolecular film shape. - 特許庁

半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。例文帳に追加

There is provided a method of manufacturing the light emitting device for depositing a semiconductor layer by using a the target material representative of a semiconductor material and the sputtering apparatus having parts covered with the thermal spraying material with the same material as the target material, and applying high-frequency power by using the target material in an atmosphere containing rare gases. - 特許庁

本発明は、酸化アルミニウム層を含むコート膜を光出射端面に有する半導体レーザ素子であって、上記酸化アルミニウム層内の表面部と深部におけるアルミニウムの２ｐ軌道電子と原子核の結合エネルギーの変化量が１．２ｅＶ以下であることを特徴とする半導体レーザ素子である。例文帳に追加

The semiconductor laser element having, at a light emitting end surface, the coat film including an aluminum oxide layer is characterized in that variation in binding energy of a 2p orbital electron and an atomic nucleus of aluminum between a surface part and a deep part in the aluminum oxide layer is ≤1.2 eV. - 特許庁

分散剤を添加しなくても優れた分散性を実現でき、かつ、得られる膜状体が高い強度を有するスラリー組成物を提供し、また、該スラリー組成物を用いて得られるセラミックペースト、導電ペースト、磁性粉末ペースト、ガラスペースト、熱現像性感光材料用ペースト及び蛍光体ペーストを提供する。例文帳に追加

To provide a slurry composition achieving excellent dispersibility without adding a dispersant and giving high strength of a film material obtained from the composition, and to provide a ceramic paste, a conductive paste, a magnetic powder paste, a glass paste, a paste for a heat-developable photosensitive material and a phosphor paste obtained by using the slurry composition. - 特許庁

第二の照射領域２４よりも光量が高くて第三の照射領域２５よりも光量が低い領域である第一の照射領域２３と、パターン３と補助パターン１０とが重畳してなす凸部１１ａとが重畳することにより、アライメントずれが生じても導電膜１６が分断される。例文帳に追加

A first irradiation region 23 where the luminous energy is higher than in a second irradiation region 24 and lower in a third irradiation region 25 is overlapped with a protruding part 11a formed by overlap of a pattern 3 and an auxiliary pattern 10, which assures division in a conductive film 16 even misalignment occurs. - 特許庁

Ｓｉ基板上に、３Ｃ−ＳｉＣ層を形成することなく、優れた結晶性で成膜されたＡｌＮまたはＧａＮからななり、発光ダイオード、レーザ発光素子、高速高温動作可能電子素子等の他、高周波デバイスにも好適に用いることができる窒化物半導体単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor single crystal including AlN or GaN which are film-formed to have good crystallinity without forming a 3C-SiC layer on a Si substrate, and which can be used suitably for a light emitting diode, a laser light emitting element, an electronic element that can be operated at a high speed and a high temperature, etc., as well as a high frequency device. - 特許庁

スリーブ１３内に対向して配置された下型１１及び上型１２により熱可塑性素材９を押圧して光学素子を成形する光学素子の成形ブロック１０において、下型１１及び上型１２に一体に配置され、熱可塑性素材９の温度を制御する導電膜ヒータ１４を具備する。例文帳に追加

A molding block 10 for an optical element to mold the optical element by pressing the thermoplastic material 9 with a lower die 11 and an upper die 12 which are arranged to be opposed in a sleeve 13 has conductive film heaters 14 which are arranged integrally to the lower die 11 and the upper die 12 and which control the temperature of the thermoplastic material 9. - 特許庁

パルスレーザ発振器２２からのレーザ光パルス２４をビーム成形光学回路系２６で形状と強度を調節してシリコン薄膜の試料４２に照射する際に、マイクロ波導波管３０内のマイクロ波３１をアンテナ３６を用いて電場軸が試料４２の表面に対して垂直となるよう試料４２に作用させる。例文帳に追加

When a laser beam pulse 24 from a pulse laser oscillator 22 is adjusted in its shape and intensity by a beam formation optical circuit system 26 and then radiated on a silicon thin film as a sample 42, a microwave 31 within a microwave waveguide 30 is applied onto a surface of the sample 42 from an antenna 36 so that an electrical field axis becomes vertical to the surface of the sample 42. - 特許庁

少なくとも共振器の真下に位置するｎ型コンタクト層の一部分をδ程度の膜厚で残しておけば、共振器直下においても負電極とのコンタクトが良好に確保できるので、効果的な光の閉じ込め作用に基づいてｎ型コンタクト層から漏れ出る光に依るＦＦＰの乱れを十分に抑制することができると同時に、半導体レーザが安定して発振する。例文帳に追加

If at least a part of the n-type contact layer located underneath an resonator is left with film thickness δ, since a contact with a negative electrode can be well secured even beneath the resonator, the mutilation of FFP caused by the light leaking from the n-type contact layer can be sufficiently suppressed based on an effective light containment action, and simultaneously, a semiconductor laser is stably oscillated. - 特許庁

露光裕度、現像裕度、耐ＰＣＴ性、ビア形状、耐熱性、現像性、密着性、耐熱衝撃性、耐電食性、可とう性、機械特性に優れた高性能な硬化膜を得ることができ、プリント配線板や高密度多層板及び半導体パッケージ等の製造に好適に用いられる感光性樹脂組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a photosensitive resin composition capable of giving a high performance cured film excellent in exposure tolerance, development tolerance, PCT resistance, via shape, heat resistance, developability, adhesion, thermal shock resistance, electric corrosion resistance, flexibility and mechanical properties, and suitable for use in the production of a printed wiring board, a high density multilayer plate, a semiconductor package and the like. - 特許庁

反射防止膜および導電層を含む光学フィルタであって、さらに衝撃緩和層を有し、且つ−１０℃での周波数１Ｈｚにおける衝撃緩和層の動的貯蔵弾性率が１×１０^3〜１×１０^6Ｐａの範囲にあり、且つ動的損失弾性率が１×１０^3〜３×１０^5Ｐａの範囲にあることを特徴とする光学フィルタ。例文帳に追加

The optical filter includes an antireflection film and a conductive layer and further has a shock relief layer, wherein the shock relief layer has a dynamic storage modulus and a dynamic loss modulus at a frequency of 1 Hz at -10°C in a range of 1×10^3-1×10^6 Pa and in a range of 1×10^3-3×10^5 Pa, respectively. - 特許庁

ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１０側から順番に、ｎ型の第１の多層反射層１２、ｎ型の第１の光共振層１４、ｎ型の第２の多層反射層１６、ｉ型ＩｎＧａＡｓの光吸収層１８及びアノード電極２２（反射膜）が形成されている。例文帳に追加

On the bottom face of an n-type InP substrate 10 (semiconductor substrate), an n-type first multilayer reflection layer 12, an n-type first optical resonance layer 14, an n-type second multilayer reflection layer 16, an i-type InGaAs light absorption layer 18, and an anode electrode 22 (reflection film) are formed in order from the n-type InP substrate 10 side. - 特許庁

導電性支持体３１上に少なくとも電荷発生層３５、ホール輸送層３７、ホール輸送性保護層３９を順に積層し、該保護層が少なくともラジカル重合性ホール輸送性化合物を紫外線又は電子線を照射することで連鎖重合させて得られる３次元架橋膜からなる電子写真感光体において、該保護層中に特定のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物を含有させた電子写真感光体。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptor includes at least a charge generating layer 35, a hole transport layer 37 and a hole transporting protective layer 39 laid sequentially on a conductive support 31, the protective layer comprising a three-dimensionally crosslinked film formed by chain polymerization of at least a radical polymerizable hole transporting compound by irradiation with ultraviolet rays or electron beams, wherein a specific naphthalenetetracarboxylic acid diimide compound is incorporated into the protective layer. - 特許庁

自発光素子を具備する複数の副画素を含む画素と、前記副画素の各々に備えられた、少なくともチャンネル領域を有する半導体活性層を具備し、前記自発光素子に電流を供給するために前記自発光素子に接続されてなる、駆動用薄膜トランジスタ（２０ｒ、２０ｇ、２０ｂ）とを含むフラットパネルディスプレイであって、前記半導体活性層のチャンネル領域が、少なくとも２つの前記副画素に関して相異なる方向に配置されてなることを特徴とするフラットパネルディスプレイである。例文帳に追加

The channel regions of the semiconductor active layers are arranged in the mutually different directions regarding at least two sub-pixels. - 特許庁

電子写真感光体等に使用する有機半導体材料において、良好なラジカル重合性と電荷輸送性を有し、成膜性や他のモノマーとの相溶性にも優れ、且つ、製造工程が短くて済み安価に供給することができる、各種有機デバイス用材料となるアクリル酸エステル化合物を提供する。例文帳に追加

To obtain an acrylic acid ester compound that has excellent radical polymerizability and charge transport properties in an organic semiconductor material useful for an electrophotographic photoreceptor, has excellent film-forming property and compatibility with other monomers, inexpensively supplied by a short production process and is made into a material for various organic devices. - 特許庁

又、揮発若しくは昇華性を有し、且つ、化学反応により金属酸化物を形成する一種あるいは複数の金属化合物及び該金属酸化物にドーピングする金属の金属化合物を、基材上に放出し、光触媒活性及び導電性を合わせ持つ金属酸化物を主体とする薄膜層を形成させることにより防汚・電磁波シールド積層品が製造される。例文帳に追加

The soil resistant/electromagnetic wave shielding laminate is produced by releasing both one kind or a plurality of metallic compounds which have volatility or sublimation properties and form a metallic oxide by chemical reaction, and a metallic compound of a metal which dopes metallic oxide, on the base material and forming the thin film layer in which a metallic oxide having both photocatalytic activity and electrically conductive properties is a main body. - 特許庁

電子写真法を利用して導電性回路が形成されるプリント配線板に於いて、使用される積層板の表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．３０μｍ以下であり、該積層板表面上の異常突起の高さが感光層の膜厚の０．７倍以下の高さであることを特徴とするプリント配線板の製造方法例文帳に追加

In this printed wiring board on which a conductive circuit is formed by utilizing the electrophotographic method, the center-line average height of the surface of a used laminate is adjusted to ≤0.30 μm, and the heights of abnormal projections on the surface are suppressed to ≤0.7 of the thickness of the photosensitive layer. - 特許庁

本発明の面発光レーザの誘電体ＤＢＲミラーの形成方法は、半導体成長により活性層を含む共振器を構成する工程と、同共振器端面にＳｉを含む誘電体ＤＢＲを温度１５０℃以上３００℃以下の第一温度で成膜する工程と、そのあとに第一温度と異なる第二温度で熱処理を施す工程を有する。例文帳に追加

The forming method of the dielectric DBR mirror of the surface emitting laser comprises a process for constituting a resonator comprising an active layer with semiconductor growth, a process for depositing dielectric DBR comprising Si on an end face of the resonator at a first temperature of 150°C to 300°C, and a process for performing heat treatment at a second temperature different from the first temperature. - 特許庁

良好な可視光の透過率と高導電性を維持しながら、透明電極膜を形成するスパッタリングプロセスにおいて、高密度でノジュール発生が少ない焼結体ターゲットを効率的に製造し、ノジュールの発生に伴う生産性の低下や品質の低下を抑制できるターゲットを得る。例文帳に追加

To efficiently produce a sintered compact target of high density which has reduced occurrence of nodules in a sputtering process where a transparent electrode film is formed while maintaining the high transparency of visible light and high electrical conductivity, and to obtain a target which can suppress the reduction of productivity and the reduction of quality caused by the occurrence of nodules. - 特許庁

活性層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系ホモロガス酸化物半導体を用い、エッチングストッパー層を形成することなく活性層のダメージを抑制するとともに、ソース・ドレイン電極の低抵抗化を図ることが可能な薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thin film transistor, wherein an In-Ga-Zn-O group homologous oxide semiconductor is used as an active layer, damage in the active layer is suppressed without forming an etching stopper layer, and resistance of source-drain electrodes can be reduced; and to provide a method for manufacturing an electro-optical device. - 特許庁

本発明のＩＩＩ族窒化物系半化合物半導体発光素子の製造方法は、ＳｉＣ基板上またはＩＩＩ族窒化物系化合物半導体上に誘電体膜をパターン状に形成する第１工程と、リアクターを水素雰囲気に置換した後、有機金属化学的気相成長法により上記ＳｉＣ基板または上記ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の上にＩＩＩ族窒化物系半導体層を選択成長する第２工程を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The manufacturing method of the group III nitride compound semiconductor light-emitting element includes a first process for forming a dielectric film on a SiC substrate or the group III nitride compound semiconductor in a pattern shape and a second process for causing the group III nitride semiconductor layer to selectively grow on the SiC substrate or the group III nitride compound semiconductor by an organic metal chemical vapor growth method, after a reactor is substituted for hydrogen atmosphere. - 特許庁

アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０の製造工程では、タンタルからなる下部電極１３の表面を陽極酸化して酸化膜１４を形成した後、上部電極１５を形成する前に、不活性雰囲気中での第１のアニール工程と、水素含有雰囲気中でのアニールにより水素原子を前記酸化膜中に導入する第２のアニール工程とを行う。例文帳に追加

In an active matrix electrooptical device, the step for fabricating a nonlinear element 10 being used as a pixel switching element performs a first annealing step in an inert atmosphere after an oxide film 14 is formed by anodizing the surface of a lower tantalum electrode 13 before an upper electrode 15 is formed, and a second annealing step for introducing hydrogen atoms into the oxide film by annealing in an atmosphere containing hydrogen. - 特許庁

ａ）紫外光域において強力かつ均一に吸光し、ｂ）レジスト材料を「崩れ」させたり、意図したレジストラインよりはみ出ることのない、ｃ）フォトレジスト現像剤および上記のＳＯＧ反射防止膜の製造工程に対して感応することのない、吸収性スピンオンガラス反射防止膜およびリソグラフィー材料が、層状材料、電子部品、および半導体部品の製造を発展させるために望まれている。例文帳に追加

To provide an absorbable spin-on glass anti-reflection film and lithography material that a) can absorb a light strongly and evenly in a region of ultraviolet light, b) does not "collapse" a resist material or run off an intended resist line, and c) does not react photoresist developer in a manufacturing process of an SOG anti-reflection film to develop manufacture of layered materials, electronic components, and semiconductor components. - 特許庁

誘電体材料と導電性材料で構成された減圧可能な反応容器内に円筒状基体を設置し、該反応容器の外部に設けた少なくとも１つの高周波電極に対し複数の高周波電力を同時に供給すると共に該高周波電力をパルス印加する事により、該反応容器内に供給した原料ガスを分解し該円筒状基体に珪素を母体とする非単結晶膜を堆積する事により電子写真感光体を形成する。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptors are formed by placing a cylindrical substrate in a pressure reducible reaction container made of dielectric materials and conductive materials, and supplying two or more RF power simultaneously at least to one RF electrode provided outside this reaction container and applying the power in pulses, then decomposing the material gas supplied to this reaction chamber, and depositing non-single crystal films having silicon as the parent on this cylindrical substrate. - 特許庁

本発明によるＣＭＯＳイメージセンサは、光感知素子領域、ゲート電極、層間絶縁膜、金属配線を含む半導体基板上に形成されたカラーフィルタ層と、カラーフィルタ層上に形成された赤外線遮断フィルタと、赤外線遮断フィルタ層上に形成されたマイクロレンズとを含む。例文帳に追加

The CMOS image sensor comprises a color filter layer formed on a semiconductor substrate including a light sensing element region, a gate electrode, an interlayer insulating film, and metal wiring; the infrared ray interception filter formed on the color filter layer; and a microlens formed on the infrared ray interception filter layer. - 特許庁

光電変換材の製造方法は、硫黄および／またはセレンを含有するｐ型カルコパイライト型化合物半導体よりなる母材薄膜を、有機金属亜鉛化合物および／または有機金属カドミウム化合物を含有する雰囲気中において熱処理することにより、ｐｎホモ接合またはｐｎヘテロ接合を形成させる工程を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method of manufacturing the photoelectric conversion material includes a step of forming a p-n homojunction or a p-n heterojunction by applying a heat treatment to a base material, made of a p-type chalcopyrite compound semiconductor containing sulfur and/or selenium in an atmosphere containing organic metal zinc compound and/or organic metal cadmium compound. - 特許庁

センサー基板２０の側端面２０ｆ〜２０ｈから上金枠５０までを連続して覆う撥水性コーティング層６が設けられているため、センサー基板２０の側端面２０ｆ〜２０ｈ等に水滴が付着しようとした場合でも、透光性導電膜２８と上金枠５０とが短絡することがない。例文帳に追加

Since a water-repellent coating layer 6 for continuously covering a range from side end faces 20f to 20h of the sensor substrate 20 to the upper metal framework 50 is provided, the translucency conductive film 28 and the upper metal framework 50 are not short-circuited even if waterdrops are deposited on side end faces 20f to 20h and the like of the sensor substrate 20. - 特許庁

半導体基板上の凹部領域に複数の光電変換素子を平面配置した画素部を有するカラー固体撮像素子において、カラーフィルタ着色層の枠色ムラや剥がれ等の品質不良の生じない正常な膜形成領域を広く確保するとともに、良好な色特性を有する微細化したカラー固体撮像素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a color solid-state imaging element that has a pixel portion where a plurality of photoelectric conversion elements are arranged on a plane in a recess region on a semiconductor substrate, the color solid-state imaging element being characterized in securing a wide normal film formation region free of a quality defect such as frame color unevenness, peeling, etc., of a color filter colored layer, having excellent color characteristics, and being made fine. - 特許庁

実装端子１６０から第１の基板間導通端子１７０への第２の配線パターン１２には、光反射膜１２０と同時形成された金属配線が用いられているが、第２の基板２０から露出部分では途切れており、この部分には、第１の駆動電極１５０と同時形成された配線が形成されている。例文帳に追加

While metallic wiring formed simultaneously with the film 120 is used for a second wiring pattern 12 from a packaging terminal 160 to a first inter-substrate conduction terminal 170, the wiring is interrupted in the portions exposed from the second substrate 20 and in these portions, the wring formed simultaneously with the first driving electrode 150 is formed. - 特許庁

ｎ型ＡｌＧａＮ層からなる回折格子３０は、誘電体膜で形成された選択成長マスク３２を介してｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１８上にＡｌＧａＮの横方向成長性を利用した選択成長法により設けられ、ｎ型ＡｌＧａＮ層とは屈折率の異なるｎ型ＧａＮ光導波層２０で埋め込まれている。例文帳に追加

A grating 30, constituted of an n-type AlGaN layer, is formed by a selective growth method using lateral growth via a selective growth mask 32 formed of a dielectric film on the n-type AlGaN clad layer 18, and embedded by the n-type GaN optical waveguide layer 20 whose index of refraction is different from that of the n-type AlGaN layer. - 特許庁

有機廃棄物を電磁誘導加熱装置及びマイクロヒーターの組み合わせにより真空加熱処理すると共にその処理工程にて生じる排出物を逆浸透膜、光触媒を利用し同時無害化して、処理後残さ物も乾燥炭化によって再利用可能製品として生ごみ等処理する装置を提供する。例文帳に追加

The apparatus is employed for treating garbage or the like and is enabled to carry out vacuum heating treatment of organic wastes by combining an electromagnetic wave induction heating apparatus and a microheater, simultaneously detoxify the discharged matter generated in the treatment process by using a reverse osmosis membrane and a photocatalyst, and dry and carbonize the treatment residues to recover reusable products. - 特許庁

インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成した特性にバラツキが少ない増幅回路と表示素子の駆動回路を用いて、マトリクス状に配置したフォトダイオードが捉える光の強度分布を再現よく電気信号に変換して取り出し、マトリクス状に配置した表示素子をムラなく駆動する。例文帳に追加

An amplifier circuit and a drive circuit of display elements, which are constituted of the thin-film transistors employing the oxide semiconductor containing indium, gallium, and zinc and have small characteristic variations, are used to convert light intensity distribution received by the photodiodes disposed in a matrix into electrical signals with high reproducibility for extraction, thus the display elements disposed in a matrix being driven in a uniform manner. - 特許庁

耐候性鋼表面に、フッ素樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、アクリルシリコーン樹脂及び湿気硬化型ウレタン樹脂から選ばれる少なくとも１種のバインダー樹脂と、無公害防錆顔料と、導電性樹脂とを含有し、かつ、促進耐候性試験サンシャインウェザーメーター照射３００時間後の光沢保持率が８０％以上の塗膜を形成する着色塗料を塗装する。例文帳に追加

The surface of a weatherable steel is coated with a colored coating containing at least one kind of binder resin selected from fluororesin, acrylic resin, polyester resin, acrylic silicone resin and moisture-curing resin, a pollution-free rust inhibiting pigment and a conductive resin and forming a coating film having ≥80% gloss retention after 300 hours of irradiation by an accelerated weathering-test weathermeter. - 特許庁