「光導電膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

キートップ部である複数の突起部を有する押釦スイッチ構造体において、透明フィルム１の裏面側に遮光性インキにより文字パターンが印刷されており、その下方全面に導電性蒸着膜４を積層した蒸着フィルム５が接着されており、更にその下方に熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂からなる押釦スイッチ部材６が形成される。例文帳に追加

In a pushbutton switch structural body having plural protruding parts serving as key-top parts, a letter pattern is printed on the rear surface side of a transparent film 1 by shading ink, a deposited film 5 formed by laminating conductive deposited films 4 is adhered to the entire surface of its lower part, and a pushbutton switch member 6 of thermosetting resin or thermoplastic resin is formed on its further lower part. - 特許庁

本ドアミラー装置では、逆Ｆ型アンテナ２８がミラー１８の導電性光反射膜２２に接地されると共にミラー１８に支持されているので、鏡面角度調節機構２６によってミラー１８の車両に対する角度が変更された場合でも、ミラー１８と逆Ｆ型アンテナ２８との相対位置が変化することがない。例文帳に追加

A door mirror device is so formed that an inverse-F antenna 28 is grounded on a conductive light reflection coating 22 of a mirror 18 and supported by the mirror 18 so as not to change the relative position between the mirror 18 and the inverse-F antenna 28, even if the angle of the mirror 18 to the vehicle is changed by a mirror surface angle adjusting mechanism 26. - 特許庁

さらに、フォトセンサ７５、７６の検出結果から得た変数ｍ等に基づいて紫外レーザ光ＵＬの照射を継続するか否かを判断するので、ＶＩＡホール底部に露出した銅薄膜層Ｃｕが今回のホール形成で貫通すべき導電層であるか否かを判断することができる。例文帳に追加

Further, since it is judged whether or not irradiation with the laser beam UL is continued on the basis of a variable m, etc., obtained from the result of detection by the photo sensors 75 and 76, it is judged whether or not the layer Cu exposed on the bottom of the VIA hole is a conductive layer to be pierced by the hole formation of this case. - 特許庁

塩酸を含有する水溶液中で電気化学的粗面化処理され、熱伝導率が０．０５〜０．５Ｗ／ｍＫである親水膜を有するアルミニウム基板上に、熱により合体する自己水分散性樹脂微粒子を含有し、赤外線レーザー露光により書き込み可能な画像記録層を有する平版印刷用原板。例文帳に追加

In this lithographic printing original plate, an image recording layer including thermally amalgamable self-water-dispersible resin particulates and allowing to be written through infrared laser exposure is provided on an aluminum board having a hydrophilic film obtained by being electrochemically roughening treated in a hydrochloric acid-containing aqueous solution and having the thermal conductivity of 0.05 to 0.5 W/mk. - 特許庁

また、陽極パターン３の配線部１５が、透明陽極部１３と同一の透明導電材料によって形成された透明配線層２２と、その透明配線層２２上に金属格子２１と同一の低抵抗金属材料によって形成された遮光性を有する金属薄膜２３とを備えて構成されている。例文帳に追加

A wiring part 15 of the positive electrode pattern 3 is comprised of a transparent wiring layer 22 made of the same transparent conductive material as the transparent electrode part 13 and a metallic film 23 made of low resistance metal material same as the metal lattice 21 having light shielding function, formed on the transparent wiring layer 22. - 特許庁

電子線、Ｘ線、あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特にレジスト組成物を２５０ｎｍ以下の超薄膜で用いる場合における、高感度、高解像性、良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive resist composition which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using an electron beam, an X-ray or EUV light, and simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution and good line edge roughness particularly when the resist composition is used in the form of an ultrathin film of ≤250 nm. - 特許庁

まずシリコンウェーハ表面に付着した有機物をアンモニアと過酸化水素水との混合液等を用いて除去し、次にＨＦ溶液によりシリコンウェーハ表面の自然酸化膜を除去し、ヨウ素エタノール法によりパッシベーションを行い、反射マイクロ波光導電減衰法によりキャリアの再結合ライフタイムを測定する。例文帳に追加

Organic substances sticking on the silicon wafer surface are removed using a mixed liquid of ammonia and a hydrogen peroxide solution etc., a natural oxide film on the silicon surface is removed with an HF solution, and passivation is carried out by an iodine ethanol method, so that the recombination lifetime of a carrier is measured by a reflective microwave photoconduction attenuation method. - 特許庁

塗布液の貯留部を有する塗工機から供給される塗布液を基材上に塗布する、塗布層の形成方法において、 前記貯留部が、その内側表面の少なくとも一部に、無機材料と有機材料とからなる被膜が形成されたものであり、 前記塗布液が、導電性微粒子及びα−アミノケトン構造を有する光重合開始剤を含有するものであることを特徴とする、塗布層の形成方法。例文帳に追加

In the method of forming the coating layer by applying a coating liquid supplied from the coater having the storage part of the coating liquid, on a base material, a coating film comprising an inorganic material and an organic material is formed on at least a part of the inside surface of the storage part and the coating liquid contains a conductive fine particles and a photo-polymerization initiator having an α-amino ketone structure. - 特許庁

膜の厚さが１００μｍ以上、２０００μｍ以下と比較的厚い記録用光導電層の蒸着時において、突沸の影響が大きく表れる蒸着時間の前半部で基板の温度を通常蒸着時温度よりも上昇させることにより、アモルファスセレンの結晶化を防止しつつ蒸着層の表面をなだらかにさせる。例文帳に追加

During the vapor deposition of a photoconductive layer for recording which is relatively thick as large as 100-2,000 μm in thickness, by making the temperature of the substrate higher than a temperature during normal vapor deposition in the first half part of the vapor deposition time during which the influence of the bumping strongly appears, the surface of the vapor deposition layer is smoothed while preventing the crystallization of the amorphous selenium. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルの端子電極１４とフレキシブル基板１３の接続電極１５を異方性導電膜１６を介して接続し、前記端子接続部と露出したプラズマディスプレイパネルの端子電極１２を封止樹脂１７で被覆した構造を有するプラズマディスプレイパネルにおいて、前記封止樹脂１７が結晶性ゼオライト１９を含む光硬化型樹脂であることを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。例文帳に追加

In the plasma display panel in which a terminal electrode 14 of the plasma display panel and a connection electrode 15 of a flexible substrate 13 are connected via an anisotropic conductive film 16, and which includes a structure obtained by covering the terminal connecting part and an exposed terminal electrode 12 of the plasma display panel with sealing resin 17, the sealing resin 17 is a photocurable resin containing crystalline zeolite 19. - 特許庁

このセレンインクを製造する方法、およびこのセレンインクを使用して、様々なカルコゲナイド含有半導体物質、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）；および、光応答デバイス（例えば、エレクトロフォトグラフィ（例えば、レーザープリンタおよびコピー機）、整流器、写真用露出計および太陽電池）、並びに、カルコゲナイド含有相変化メモリデバイスの製造に使用するための基体上にセレンを堆積する方法。例文帳に追加

Provided are methods of preparing the selenium ink and of using the selenium ink to deposit selenium on a substrate for use in the manufacture of a variety of chalcogenide containing semiconductor materials, such as, thin film transistors (TFTs), light emitting diodes (LEDs); and photo responsive devices (e.g., electrophotography (e.g., laser printers and copiers), rectifiers, photographic exposure meters and photo voltaic cells) and chalcogenide containing phase change memory devices. - 特許庁

このセレンインクを製造する方法、およびこのセレンインクを使用して、様々なカルコゲナイド含有半導体物質、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）；および、光応答デバイス（例えば、エレクトロフォトグラフィ（例えば、レーザープリンタおよびコピー機）、整流器、写真用露出計および太陽電池）、並びに、カルコゲナイド含有相変化メモリ物質の製造に使用するための基体上にセレンを堆積する方法。例文帳に追加

Also provided are methods for producing the selenium ink and for using the selenium ink to deposit selenium on a substrate for use in the manufacture of a variety of chalcogenide-containing semiconductor materials, such as thin film transistors (TFTs), light emitting diodes (LEDs); and photoresponsive devices (e.g. electrophotography (e.g. laser printers and copiers), rectifiers, photographic exposure meters and solar cells) and chalcogenide-containing phase change memory materials. - 特許庁

入射した放射線を波長が２２０ｎｍ以下の紫外線に変換する、ＮｄをドープしてなるＬａＦ_３結晶、或いはコアバレンス発光するフッ化バリウムの如き金属フッ化物結晶からなるシンチレーターと、シンチレーターが発する紫外線を導いて紫外線を電気信号に変換するダイヤモンド薄膜センサーとを具備し、そして放射線を電気信号として取り出すことを特徴とする放射線検出装置である。例文帳に追加

The apparatus for detecting radiation for taking out radiation as electric signals includes: a scintillator for converting incident radiation into ultraviolet rays of wavelength of ≤220 nm, or comprising a LaF_3 crystal doped with Nd and a metal fluoride crystal like barium fluoride emitting core valence; and a diamond thin film sensor for guiding the ultraviolet rays emitted by the scintillator to convert the ultraviolet rays into electric signals. - 特許庁