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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 急速熱窒化に関連した英語例文

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急速熱窒化の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 16



例文

代替の実施形態では、初期酸物層は急速素酸物(NO)堆積によって基板上に形成される。例文帳に追加

In an alternative embodiment, the initial oxynitride layer is formed on the substrate by a rapid heat oxynitride deposition. - 特許庁

は、急速熱窒化(RTN)、炉、リモート・プラズマ(RPN)、デカップルド・プラズマ(DPN)、ウェル注入またはポリシリコン注入、あるいはこれらの組合せを含むさまざまな技法によって選択的に実施することができる。例文帳に追加

Nitriding can be selectively carried out by rapid thermal nitridation (RTN), furnace nitriding, remote plasma nitriding (RPN), decoupled plasma nitriding (DPN), and wale implantation or polysilicon implantation, or by various techniques, including combinations of these methods. - 特許庁

素子分離膜12の形成されたシリコン基板を急速(RTP)炉に装着し、酸雰囲気中にて500〜800℃に加してシリコン基板11上に酸膜13を形成する(c)。例文帳に追加

A formed silicon substrate of an element separation film 12 is fitted to a rapid thermal process(RTP) furnace and is heated at 500-800°C within oxidizing/nitriding atmosphere, thus forming an oxide-nitride film 13 on a silicon substrate 11 (c). - 特許庁

合金を原料として物又は酸物蛍光体を工業的に大量に生産する場合において、加時に反応が急速に進み、発生したによって原料の溶融や分相、あるいは物の分解が起こり、蛍光体の特性が低下するという問題点を解決する。例文帳に追加

To provide a commercially manufacturing method of a large amount of a nitride or oxynitride fluorescent substance using an alloy as a raw material, which overcomes the conventional problems in that the nitriding reaction proceeds rapidly when heated, the melting, phase separation of the raw material or the decomposition of the nitride occurs due to the generated heat and the properties of a fluorescent substance is deteriorated. - 特許庁

例文

応力によって加板を形成するアルミニウム質焼結体を被覆する酸膜と発抵抗体との接合部にクラックが発生することを防止し、急速昇度、急速冷却を繰り返したとしても長期間にわたって安定して発させることが可能なセラミックヒーターを提供する。例文帳に追加

To provide a ceramic heater, capable of preventing generation of cracks in the connection part of an oxide film for coating an aluminum nitride sintered body, forming a heating board with thermal stress and a heating resistor, and capable of generating heat stably over a long period of time, even after repeated rapid temperature increase and rapid cool down. - 特許庁


例文

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、基板の表面を、膜を形成する急速学蒸着(RTCVD)プロセスに暴露する段階を含む方法を示す。例文帳に追加

In the manufacturing process of a semiconductor device, a method is indicated, where the method includes a step for exposing the surface of the substrate to a rapid thermochemical vapor deposition(RTCVD). - 特許庁

トランジスタのゲート電極4およびソース・ドレイン領域6の上にチタン膜7、コバルト膜8、チタン膜9を順次堆積した後に、600℃から675℃の範囲の温度で第1の急速処理を行う。例文帳に追加

A titanium film 7, cobalt film 8, and titanium nitride film 9 are sequentially deposited on a gate electrode 4 and a source/drain region 6 of a transistor, which is then performed with first rapid heat treatment at 600 to 670°C. - 特許庁

素子パターンがより微細な固体撮像装置と、ゲート酸膜の処理と、主要処理工程における急速処理とを行うことなく、ファーネスアニール処理を採用する固体撮像装置の製造方法とを実現する。例文帳に追加

To provide a solid state imaging device whose element pattern is finer, and to provide a manufacturing method of the solid state imaging device which employs a furnace annealing process with no nitriding process of a gate oxide film nor rapid thermal process in a main thermal treating process. - 特許庁

マンガンナノ粒子の前駆体がカーボンに高分散担持された複合体粉末を、素雰囲気中で急速処理することによって、金属酸物の結晶を進行させ、酸マンガンナノ粒子をカーボンに高分散担持させる。例文帳に追加

Composite powder having a precursor of manganese oxide nanoparticles supported on carbon in a highly dispersed manner is treated by rapid heating in a nitrogen atmosphere to progress crystallization of metal oxide, whereby manganese oxide nanoparticles are supported on carbon in a highly dispersed manner. - 特許庁

例文

金属酸物ナノ粒子の前駆体がカーボンに高分散担持された複合体粉末を、素雰囲気中で急速処理することによって、金属酸物の結晶を進行させ、金属酸物ナノ粒子をカーボンに高分散担持させる。例文帳に追加

A composite powder in which a precursor of metal oxide nanoparticles is supported by carbon in a highly dispersed manner is subjected to rapid heating treatment in a nitrogen atmosphere, thereby advancing the crystallization of the metal oxide and allowing the metal oxide nanoparticles to be supported by carbon in a highly dispersed manner. - 特許庁

例文

ケイ素質セラミックスがで変質したりしない1300℃程度の飽和温度を保ち、W線材が断線することもなく急速昇温が可能で、しかも理想的な自己温度制御機能をもつセラミックヒータ型グロープラグを得る。例文帳に追加

To obtain a ceramic heater type glow plug having an ideal self temperature control function in which the saturation temperature is sustained at about 1300°C causing or not causing thermal deterioration of silicon nitride ceramic and the temperature of a W wire material can be raised quickly without causing breakage. - 特許庁

浸炭やの影響を受けることがなく、高温強度に優れ、急速や焼入れ時の衝撃にも耐える優れた耐久性を有し、変形せず、軽量に基づく容量の低減が可能となり、ロボットなどの適用による省人にも対応可能な処理用治具を提供する。例文帳に追加

To provide a jig for heat treatment which has excellent high tempera ture strength without receiving the effect of the carburizing and the nitriding and excellent durability standing the heat shock at the rapid heating and the quenching and can reduce the heat capacity owing to the lightening without developing the heat deformation and can correspond to the saving of man-hour by applying a robot etc. - 特許庁

アルミニウム粉末と、希土類合物からなる焼結助剤と、アクリル系樹脂からなる有機バインダーとを含む成形体をつくり、それを炭素残留分が2.0%(質量%、以下同じ)となるように脱脂した後、1500℃以上からの昇温速度を10℃/分以上として急速する。例文帳に追加

The production method comprises preparing a formed body including an aluminum nitride powder, a sintering aid comprising a rare earth compound, and an organic binder comprising an acrylic resin, degreasing the formed body under such a condition that a residual carbon becomes 2.0 mass%, and then quickly heating the degreased body at a temperature elevation speed of 10°C/min or higher after exceeding 1,500°C. - 特許庁

鋼部材の表面処理方法であって、上記鋼部材を浸炭焼入れまたは浸炭焼入れする浸炭工程S1と、上記鋼部材にショットピーニングを施すショットピーニング工程S2と、上記ショットピーニングの後、上記鋼部材をオーステナイト温度以上に急速し、続いて焼入れを施す焼入れ工程S3とを備えたことを特徴とする。例文帳に追加

This surface treatment method for the steel member comprises a carburizing step S1 of performing carbo-hardening or carbo-nitrizing-hardening, a shot-peening step S2 of performing the shot-peening on the steel member, and a hardening step S3 of rapidly heating the steel member above the austenitic temperature after the shot-peening, and successively hardening the steel member. - 特許庁

方法は、ホットウオール急速処理チャンバ内に基板を供給するステップと、前記処理チャンバの圧力を約0.01から10トールに調節するステップと、約550℃から900℃の温度で、塩素含有シリコン先駆物質をアンモニアと反応させ、基板の表面上に珪素フィルムを形成するステップと、を備える。例文帳に追加

The method comprises a step of supplying a substrate into a hot wall quick heat treatment chamber, a step of adjusting the pressure of the chamber from about 0.01 to 10 Torr, and a step of reacting a chlorine- containing silicon precursor with ammonia to form a silicon nitride film on the surface of the substrate. - 特許庁

例文

シリコン基板11の表面部に不純物拡散層12を形成し、その表面の自然酸膜を除去した後、Ni−Ir合金層13を堆積させて、例えば300℃〜500℃の温度で素ガス雰囲気中の急速アニール(RTA)を施し、イリジウム含有のニッケルモノシリサイド層15を形成する。例文帳に追加

The nickel monosilicide layer 15 containing iridium is formed by forming an impurity diffusion layer 12 on the surface of a silicon substrate 11, depositing an Ni-Ir alloy layer 13 after removing a natural oxide film on the surface, and applying a rapid thermal annealing (RTA) in a nitrogen gas atmosphere at temperature of 300°C to 500°C for example. - 特許庁

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