「有機金属化学蒸着」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

有機金属化学蒸着法用原料及び該原料を用いた金属含有膜の製造方法例文帳に追加

RAW MATERIAL FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING METAL-CONTAINING FILM USING THE RAW MATERIAL - 特許庁

有機金属化学蒸着法用有機銅化合物及びそれを用いて作製した銅薄膜例文帳に追加

ORGANOCOPPER COMPOUND FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND COPPER THIN FILM PREPARED BY USING THE SAME - 特許庁

蒸着は化学気相蒸着法ＣＶＤ、有機金属化学気相蒸着法ＭＯＣＶＤ、原子層蒸着法ＡＬＤ、またはこれと類似の蒸着法であり得る。例文帳に追加

The depositing method can be CVD (chemical vapor deposition), MOCVD (organic metal chemical vapor deposition), ALD (atomic layer deposition), or those similar to this. - 特許庁

有機金属化学蒸着用の銅薄膜形成用溶液原料及びこれから作られた銅薄膜例文帳に追加

SOLUTION RAW MATERIAL FOR FORMING COPPER THIN FILM FOR ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND COPPER THIN FILM MADE THEREFROM - 特許庁

有機金属気相化学蒸着法による高品位ＩＩＩ−族窒化物薄膜の成長方法例文帳に追加

GROWTH METHOD OF HIGH QUALITY NITRIDE THIN FILM OF GROUP III ELEMENT BY ORGANOMETALLIC GASEOUS PHASE CHEMICAL DEPOSITION - 特許庁

ＭＯＣＶＤ（有機金属化学蒸着）法によるＺｎＯ系透明導電膜の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING ZnO-BASED TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM BY USING MOCVD (ORGANO-METAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) PROCESS - 特許庁

有機金属化学蒸着法用原料及び該原料を用いたシリコン含有膜の製造方法例文帳に追加

RAW MATERIAL FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (MOCVD) METHOD AND METHOD FOR PRODUCING SILICON-CONTAINING FILM USING THE RAW MATERIAL - 特許庁

物理蒸着が、複数成分材料を堆積させるのに一つまたは複数の有機金属化合物からの化学蒸着により増大される。例文帳に追加

Physical vapor deposition is augmented by chemical vapor deposition from one or more organometallic compounds to deposit multi-component materials. - 特許庁

この膜は、金属有機化学気相蒸着法による金属窒化物で形成され、部分的にプラズマ処理される。例文帳に追加

The film is formed of a metal nitride by a metallo-organic chemical vapor deposition method, and partially subjected to plasma treatment. - 特許庁

金属−有機物化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）チャンバの表面から金属堆積副生成物を洗浄するためのその場方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for cleaning metallic deposited by-products from the surface of a metal-organic matter chemical vapor depositing(MOCVD) chamber on the spot. - 特許庁

化学蒸着に用いる原料ガスは、上記高融点金属のハロゲン化物や有機金属化合物を用いることができる。例文帳に追加

A material gas used in the chemical vapor deposition can include a halide or organic metal compound of the above-mentioned high melting point metal. - 特許庁

有機金属化学蒸着用有機ニッケル化合物及び該化合物を用いたニッケル含有膜の製造方法例文帳に追加

ORGANIC NICKEL COMPOUND FOR ORGANO-METALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION, AND METHOD FOR PRODUCING NICKEL-CONTAINING FILM BY USING THE COMPOUND - 特許庁

有機タンタル化合物及びこれを含む有機金属化学蒸着用原料並びにこれから作られるタンタル含有薄膜例文帳に追加

ORGANIC TANTALUM COMPOUND, RAW MATERIAL FOR ORGANO- METALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CONTAINING THIS AND TANTALUM-CONTAINING THIN FILM MADE THEREFROM - 特許庁

有機アミノタンタル化合物及びこれを含む有機金属化学蒸着用溶液原料並びにこれから作られる窒化タンタル膜例文帳に追加

ORGANIC AMINOTANTALUM COMPOUND, SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING SAME FOR ORGANIC METAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND TANTALUM NITRIDE FILM MADE THEREOF - 特許庁

有機金属化学蒸着用有機銅化合物及びこれを含む銅薄膜形成用溶液原料並びにこれから作られた銅薄膜例文帳に追加

ORGANIC COPPER COMPOUND FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING THE SAME AND USED FOR FORMING THIN COPPER FILM AND THIN COPPER FILM FORMED FROM THE SAME - 特許庁

有機金属化学蒸着用有機ジルコニウム化合物及び該化合物を含むＰＺＴ薄膜形成用原料液例文帳に追加

ORGANOZIRCONIUM COMPOUND FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND RAW MATERIAL SOLUTION FOR FORMING PZT THIN FILM COMPRISING THE SAME COMPOUND - 特許庁

化学気相蒸着用の有機金属化合物及びその有機金属化合物の製造方法並びにその有機金属化合物を用いた薄膜の製造方法例文帳に追加

ORGANOMETALLIC COMPOUND FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION, METHOD FOR PRODUCING THE ORGANOMETALLIC COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM USING THE ORGANOMETALLIC COMPOUND - 特許庁

有機金属化学蒸着法用ルテニウム化合物及び該化合物により得られたルテニウム含有薄膜例文帳に追加

RUTHENIUM COMPOUND FOR ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD, AND RUTHENIUM-CONTAINING THIN FILM OBTAINED FROM THE COMPOUND - 特許庁

タンタル錯体及び該錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料並びにこれを用いて作製されたタンタル含有薄膜例文帳に追加

TANTALUM COMPLEX AND SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING THE COMPLEX AND USED FOR ORGANIC METAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND TANTALUM-CONTAINING THIN FILM FORMED FROM THE SAME - 特許庁

タンタル錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料及びそれを用いて作製されたタンタル含有薄膜例文帳に追加

SOLUTION RAW MATERIAL FOR ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD CONTAINING TANTALUM COMPLEX AND TANTALUM-CONTAINING THIN FILM PRODUCED BY USING THE SAME - 特許庁

チタン錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料及びそれを用いて作製されたチタン含有薄膜例文帳に追加

TITANIUM COMPLEX-CONTAINING SOLUTION RAW MATERIAL FOR ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND TITANIUM-CONTAINING THIN FILM PRODUCED BY USING THE SAME - 特許庁

銅（ＩＩ）のβ−ジケトネート錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料及びそれを用いて作製された銅薄膜例文帳に追加

SOLUTION MATERIAL FOR METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CONTAINING β-DIKETONATE COMPLEX OF COPPER (II) AND COPPER THIN FILM FORMED USING THE SAME - 特許庁

銅錯体、銅（ＩＩ）のβ−ジケトネート錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料及びそれを用いて作製された銅薄膜例文帳に追加

COPPER COMPLEX, SOLUTION RAW MATERIAL FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION COMPRISING β-DIKETONATE COMPLEX OF COPPER (II) AND COPPER THIN FILM PREPARED BY USING THE SAME - 特許庁

有機金属化学蒸着法用溶液原料及び該原料を用いて作製された複合酸化物系誘電体薄膜例文帳に追加

SOLUTION RAW MATERIAL FOR ORGANIC METAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND COMPLEX OXIDE DIELECTRIC THIN FILM FORMED BY USING SUCH RAW MATAERIAL - 特許庁

有機金属化学蒸着法用溶液原料及び該原料を用いた複合酸化物系誘電体薄膜の製造方法例文帳に追加

SOLUTION MATERIAL FOR ORGANIC METAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND FORMING METHOD OF COMPOSITE OXIDE SERIES DIELECTRIC THIN FILM USING THE MATERIAL - 特許庁

本発明の銅薄膜は、上記銅錯体又は上記混合物を用いて有機金属化学蒸着法により作製された薄膜である。例文帳に追加

A copper thin film is produced from the copper complex or the mixture by an organic metal chemical vapor deposition method. - 特許庁

ＣＶＤ（化学蒸着）前駆体として使用するための超純粋有機金属化合物を製造する新たな方法を見いだす。例文帳に追加

To find a new method of preparing an ultra-pure organometallic compound for use as a CVD (chemical vapor deposition) precursor. - 特許庁

ＣＶＤ（化学蒸着）前駆体として使用するための超純粋有機金属化合物を製造する新たな方法を提供する。例文帳に追加

To provide a new method of preparing an ultra-pure organometallic compound for use as CVD (chemical vapor deposition) precursor. - 特許庁

チャンバ内部の上下温度差による熱帯流の発生を根本的に抑える金属有機化学気相蒸着装置を提供する。例文帳に追加

To provide a metal organic chemical vapor deposition device which can fundamentally suppress occurrence of thermal convection flow caused by a difference of higher and lower temperatures in a chamber. - 特許庁

有機金属化学蒸着法に用いる原料液の原料容器充填方法及び該原料液を圧入した原料容器例文帳に追加

METHOD FOR FEEDING RAW MATERIAL LIQUID INTO RAW MATERIAL VESSEL USED FOR ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND RAW MATERIAL VESSEL FED WITH THE RAW MATERIAL LIQUID - 特許庁

前記方法は、基板上に有機金属化学蒸着工程によって第１導電性金属化合物膜を形成し、前記第１導電性金属化合物膜上に物理気相蒸着工程によって第２導電性金属化合物膜を形成することを含む。例文帳に追加

The semiconductor forming method of this invention comprises a step to form a primary conductive metal compound film on a substrate by an organometallic chemical vapor deposition process, and a step to form a secondary conductive metal compound film on the primary conductive metal compound film by a physical vapor deposition process. - 特許庁

固体昇華法を用いた有機金属化学蒸着法により成膜速度及び成膜速度の再現性を制御し得る有機金属化学蒸着法用ルテニウム化合物及び該化合物により得られたルテニウム含有薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a ruthenium compound for an organometallic chemical vapor deposition method that can control a deposition rate and reproducibility of the deposition rate using a solid sublimation method, and to provide a ruthenium-containing thin film obtained from the compound. - 特許庁

又、水素ガス、不活性ガス又はそれらの混合ガスの存在下、有機金属錯体を用いて、化学気相蒸着法により金属多孔質膜を形成する。例文帳に追加

Further, the metal porous membrane is formed using an organometallic complex in the presence of a hydrogen gas, an inert gas or a mixed gas thereof by a chemical vapor deposition process. - 特許庁

また、アルコールの蒸気と前駆体との化学反応による熱分解で薄膜が蒸着されるために蒸着速度が速く、特にβ−ジケトン系の有機金属化合物を前駆体として使用する場合にも速い蒸着速度を得ることができる。例文帳に追加

Since the thin film is deposited through thermal decomposition caused by the reaction of alcohol vapor and a precursor, the deposition rate is high and a high deposition rate can also be attained even when a β-diketone based organic metal compound is used as the precursor. - 特許庁

半導体素子の製造工程中、銅液体原料を用いて金属−有機化学気相蒸着法で銅層を蒸着する時、銅の蒸着速度を増大させるとともに、再現性を具現することのできる液体運送装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a liquid carrying device which is capable of increasing the copper vapor deposition speed, and realizing the reproducibility when a copper layer is vapor deposited by a metal-organic chemical phase vapor deposition method using a raw liquid copper in the manufacturing process of a semi- conductor element. - 特許庁

基板上に有機金属化学気相蒸着工程でＰＺＴを蒸着して予備強誘電体膜を形成した後、予備強誘電体膜の表面を化学機械的研磨工程で研磨して基板上に強誘電体薄膜を形成する。例文帳に追加

After vapor-depositing PZT on a substrate through the process of metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) to form a preliminary ferroelectric film, the surface of the preliminary ferroelectric film is polished by chemical mechanical polishing, thus forming a ferroelectric thin film on the substrate. - 特許庁

例えば化学蒸着のようなプロセス用の超純粋アルキル金属化合物を製造するため金属ハロゲン化物をアルキル化剤反応させる合成のためのマイクロチャンネルデバイスを使用することを含む超純粋有機金属化合物の調製方法。例文帳に追加

The method of preparing an ultra-pure organometallic compound comprises using a microchannel device for synthesis in reacting a metal halide with an alkylating agent to produce the ultra-pure alkylmetal compound for processes such as chemical vapor deposition. - 特許庁

有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）法によってアルカリ土類金属を含む酸化物の薄層を形成する際の原料として有用な、水和物の生成が抑制された高純度なアルカリ土類金属β−ジケトネート錯体の製造方法に関する。例文帳に追加

To provide a method for producing a high-purity β-diketonate complex of an alkaline earth metal with suppressed formation of a hydrate, useful as a raw material for a thin layer of an oxide containing the alkaline earth metal formed by a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) method. - 特許庁

この白金膜は金属白金をターゲット材にしてスパッタリングにより溝にシード膜を形成した後、シード膜上に有機金属化学蒸着法によりジメチル白金シクロオクタジエン等の有機白金化合物の蒸気の分解により製造する。例文帳に追加

A method for manufacturing the platinum film comprises the steps of forming a seed film in the groove by sputtering metal platinum as a target material, and then decomposing vapor of an organic platinum compound, such as dimethyl platinum cyclooctadiene or the like on the sheet film, through organic metal chemical vapor deposition method. - 特許庁

化学蒸着反応器内で、活性化窒素原子、特に誘電体障壁放電により発生させた活性化窒素原子およびIII族金属の有機金属化合物１種以上を、従来のＭＯＣＶＤ法におけるよりも低温の７００℃〜１，０００℃に加熱した基板上に化学蒸着させる製造方法である。例文帳に追加

This method for producing a III group metal nitride thin film comprises carrying out chemical vapor deposition of activated nitrogen atom, especially activated nitrogen atom generated by dielectric barrier discharge and one or more kinds of organometallic compounds of III group metals on a substrate heated to 700°C to 1,000 which is a temperature lower than that in conventional MOCVS method. - 特許庁

本発明の課題は、有機ルテニウム錯体を化学気相蒸着法によりルテニウム含有薄膜を製造させた後、次いで、そのルテニウム含有薄膜の上に、有機金属錯体をＣＶＤ法により金属含有の薄膜を形成させることを特徴とする、ルテニウム含有薄膜を下層金属膜とした金属含有薄膜の製造法によって解決される。例文帳に追加

Regarding the method for producing a metal-containing thin film using a ruthenium-containing thin film as a lower layer metal film, an organic ruthenium complex is subjected to a chemical vapor deposition process, so as to produce a ruthenium-containing thin film, and then, an organic metal complex is formed on the ruthenium-containing thin film by a CVD process, so as to deposit a metal-containing thin film. - 特許庁

イリジウムを含む下部電極を形成した後、下部電極上に有機金属化学気相蒸着工程で形成されたＰＺＴを含む強誘電体層を形成する。例文帳に追加

A ferroelectric layer including PZT formed in an organic metal chemical vapor deposition process on a lower electrode is formed after the lower electrode including iridium is formed. - 特許庁

有機金属化学蒸着法用ルテニウム化合物がビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムからなるルテニウム化合物であって、化合物の粒径が０．０２〜５．５ｍｍ、平均粒径が０．０３〜５．０ｍｍである。例文帳に追加

The ruthenium compound for the metallic organic chemical vapor deposition method consists of bis(cyclopentadienyl)ruthenium, and has particle sizes of 0.02-5.5 mm and an average particle size of 0.03-5.0 mm. - 特許庁

蒸気圧が高く、気化が安定的かつ容易で、その銅薄膜の形成速度が制御可能な、有機金属錯体を用いた化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）用銅錯体を提供する。例文帳に追加

To provide a copper complex for MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) produced by using an organic metal complex having high vapor pressure, enabling stable and easy evaporation and forming a copper thin film at a controllable deposition speed. - 特許庁

優れた膜の組成制御性及び段差被覆性を有する有機金属化学蒸着法用溶液原料及び該原料を用いて作製された複合酸化物系誘電体薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a solution material for an organic metal chemical vapor deposition method having excellent film composition controllability and step coverage, and a composite oxide series dielectric thin film prepared using the material. - 特許庁