「波長選択」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．０を越え１．１以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.0-1.1, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate. - 特許庁

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．２を越え１．３以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.2-1.3, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate. - 特許庁

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．３を越え１．４以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.3-1.4, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate. - 特許庁

細胞懸濁液内に含有されている細胞Ｃと他の成分とを分離する遠心分離機と、遠心分離機による細胞Ｃと他の成分との分離前の細胞懸濁液、または、遠心分離機による細胞Ｃと他の成分との分離中の細胞懸濁液に対して、細胞懸濁液に含まれる赤血球Ｅ中のヘモグロビンに選択的に吸収される波長帯域のレーザ光を照射するレーザ照射装置１８とを備える細胞分離装置１００を提供する。例文帳に追加

The cell separation apparatus 100 includes: a centrifugal separator that separates the cells C and other components contained in a cell suspension; and laser irradiation devices 18 for applying a laser beam having a wavelength band selectively absorbed in a hemoglobin in an erythrocyte E contained in the cell suspension, to the cell suspension before or during the separation of the cells C and other components by the centrifugal separator. - 特許庁

本発明による光源装置は複数のレーザダイオードと、上記複数のレーザダイオードの近傍に設けられた温度センサと、上記温度センサの出力に基づき上記複数のレーザダイオードの各々の温度を制御することによりその発振波長を制御する制御ループと、上記複数のレーザダイオードから選択される参照レーザダイオードの温度制御条件に従って他のレーザダイオードの温度制御条件を補償する手段とを備えている。例文帳に追加

A light source apparatus includes a plurality of laser diodes, a temperature sensor mounted in neighborhood of the laser diodes, a control loop for controlling an oscillation wave length by controlling temperatures of the laser diodes based on an output of the temperature sensor, respectively, and a means for compensating a temperature control condition of other laser diodes according to a temperature control condition of a reference laser diode selected from the laser diodes. - 特許庁

単一基板上に二つのレーザダイオード発光領域が形成されたモノリシック型二波長光源である半導体レーザ装置１０とビームスプリッタ１２との間に、入射偏光方向に応じて異なった減光特性を有する光学フィルタ２が設けられると共に、該光学フィルタ２によって半導体レーザ装置１０から出射されるレーザ光のＴＭ偏波光成分を選択的に減光するようにした。例文帳に追加

Between a semiconductor laser apparatus 10 being the monolithic two-wavelength light source where two laser diode light-emitting areas are formed on the single substrate and a beam splitter 12, an optical filter 2 having extinction property different according to an incident polarization direction is provided, and the TM polarized light component of the laser beam emitted from the semiconductor laser apparatus 10 is extinguished selectively by the optical filter 2. - 特許庁

本発明はすなわちＢＥＴ比表面積が特定範囲にある波長選択吸収性顔料とヒンダードアミン系耐候安定剤を含有し、紫外線吸収剤は全く含まない樹脂組成物またはこれからなる成形体（Ａ）と、紫外線吸収剤を含む樹脂組成物またはこれからなる成形体（Ｂ）とを必須の構成材料とする複合材料であって、少なくとも（Ｂ）が受光する構成であることを特徴とする複合材料。例文帳に追加

The resin composite material is one essentially consisting of (A) a resin composition containing a wavelength-selective light-absorbing pigment having a BET specific surface area in a specified range and a hindered amine weather resisting stabilizer and containing no UV absorber or a molding therefrom and (B) a resin composition containing an ultraviolet absorber or a molding therefrom, wherein at least (B) receives light. - 特許庁

アルカリ性媒体中で現像可能であり且つ３４０ないし３９０ナノメーターの範囲内の波長の輻射線に対して感受性である化学的に増幅されたネガティブ機能性ホトレジストであって、前記輻射線硬化性ホトレジストは、所定の構造を有するオキシムスルホネート化合物を含む輻射線感受性光酸発生剤及びアクリル樹脂、アミノ樹脂、ポリエステル樹脂、又はアルキッド樹脂からなる群より選択される少なくとも一つの酸硬化性樹脂を含むホトレジスト。例文帳に追加

The radiation curing photoresist is a negative function photoresist which is developable in an alkaline medium, is sensitive to radiations of a wavelength within a range of from 340 to 390 nm and is chemically amplified, and includes a radiation sensitive photo-acid generator containing an oxime sulfonate compound having a prescribed structure and at least one acid curing resin selected from the group consisting of an acrylic resin, amino resin, polyester resin or alkyd resin. - 特許庁

上記の課題を解決するために、本発明は、ＥＵＶ光源から発散される発散光のスペクトルを測定するＥＵＶ光源スペクトル計測装置において、前記発散光を減光する減光手段と、減光された発散光のうち所望の波長帯域の発散光のみを選択する分光手段と、前記分散光の光量を熱エネルギーとして検出する検出手段を有することを特徴とするＥＵＶ光源スペクトル計測装置を提供する。例文帳に追加

This invention provides the EUV light source spectrum measuring device which is for measuring spectrum of dispersion light dispersed from the EUV light source and, characterized by having a light reduction means reducing the dispersion light, a spectroscopic means for selecting only the dispersion light in desired wavelength zone in the reduced dispersion light, and a detection means for detecting the light quantity of the dispersion light as heat energy. - 特許庁

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が０．９３乃至１．２である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン酸化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

A 2-layer structure antireflection coating is formed between a resist layer and a silicon oxide film formed on the surface of a silicon semiconductor substrate, and is used for exposing the resist layer by an exposure system whose numerical aperture is 0.93-1.2, with a wavelength of 190-195 nm. - 特許庁

選択部１０３ｂは、この周波数系列の高調波信号へ変換されたＲＲＯデータの基本波および３次高調波の波長および振幅を、データフォーマッタ部１０１ｅおよびサーボデータフォーマッタ部１０２ｄの双方を介してハードディスクコントローラ２００へ出力可能とし、ユーザデータ読み取り時およびサーボデータ読み取り時のいずれにおいても磁気ヘッドの磁気ディスクからの浮上量を算出可能とした。例文帳に追加

A selection section 103b can output the wavelengths and amplitude of the fundamental wave of the RRP data converted into the frequency-sequential higher harmonic signal and the third higher harmonic wave to a hard disk controller 200 via both of data formatters 101e and 102d, and calculates the flying height of a magnetic head from the magnetic disk both in reading user data and reading servo data. - 特許庁

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が０．９３を越え１．０以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 0.93-1.0, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate. - 特許庁

光ファイバー線路（11）であって、単一の波長帯域において正の色分散を持つ複数の正分散光ファイバー（14）と、単一の波長帯域において負の色分散を持つ複数の負分散光ファイバー（16）とを有し、上記正分散光ファイバー（14）と負分散光ファイバー（16）は、光ファイバー・ケーブル（11）の長手方向に交互に配置され、かつ、組み合わされるものであり、複数の正分散光ファイバー（14）は、第1の正平均値（DA）と第1の標準偏差をとる分布に従う累積分散値を持つ正分散光ファイバー・グループから選択され、複数の負分散光ファイバー（16）は、第2の負平均値（DB）と第2の標準偏差をとる分布に従う累積分散値を持つ負分散光ファイバー・グループから選択され、かつ、第1及び第2の平均値（DA、DB）の和の絶対値は第1の平均値（DA）の20%以下であり、また、第1及び第2の標準偏差間の差異の絶対値は第1の標準偏差の20%以下であることを特徴とする光ファイバー線路。例文帳に追加

An optical fibre line (11) comprising: a plurality of positive dispersion optical fibres (14) having a positive chromatic dispersion in a signal wavelength band; a plurality of negative dispersion optical fibres (16) having a negative chromatic dispersion in the signal wavelength band; wherein the positive dispersion optical fibres (14) and the negative dispersion optical fibres (16) are alternately arranged and coupled in the longitudinal direction of the optical fibre line (11); characterized in that the plurality of positive dispersion optical fibres (14) are selected from a positive dispersion optical fibre group the cumulative dispersion value of which conforms to a distribution with a first average value (DA ) which is positive and a first standard deviation; the plurality of negative dispersion optical fibres (16) are selected from a negative dispersion optical fibre group the cumulative dispersion value of which conforms to a distribution with a second average value (DB ) which is negative and a second standard deviation; the absolute value of the sum of the first and second average values (DA, DB) is not greater than 20% of the first average value (DA ) and the absolute value of the difference between the first and second standard deviation is not greater than 20% of the first standard deviation.  - 特許庁

本発明のレーザ発振素子１は、コレステリック液晶を含むコレステリック液晶層２、コレステリック液晶層２に対向配置され、コレステリック液晶を含むコレステリック液晶層３、コレステリック液晶層２，３間に設けられ、光励起により蛍光を発する色素５を含む欠陥層４を備えており、コレステリック液晶における選択反射波長帯域と色素５から発せられる蛍光の発光帯とが少なくとも一部の波長領域において重なり合っており、コレステリック液晶層２，３に含まれるコレステリック液晶のらせんの巻き方向が同一となっており、色素５の遷移モーメントがコレステリック液晶層２，３の表面に対して平行に配向している。例文帳に追加

The laser oscillation element 1 is equipped with a cholesteric liquid crystal layer 2 containing cholesteric liquid crystals, a cholesteric liquid crystal layer 3 which contains cholesteric liquid crystals and is arranged opposite to the cholesteric liquid crystal layer 2, and a defective layer 4 which is interposed between the cholesteric liquid layers 2 and 3 and contains colorants 5 that emit fluorescence by photoexcitation. - 特許庁