「ＧＴＯ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

POWER CONVERSION APPARATUS USING HARD DRIVE GTO例文帳に追加

ハードドライブＧＴＯを用いた電力変換装置 - 特許庁

This temperature measurement method for measuring the junction temperature of a SiC GTO by utilizing the large temperature dependency of the accumulation time ts as the turn off characteristic time of the semiconductor switching element SiC GTO.例文帳に追加

この半導体装置の温度測定方法によれば、半導体スイッチング素子であるＳｉＣ ＧＴＯのターンオフ特性時間としての蓄積時間ｔｓは温度依存性が大きいことを利用して、ＳｉＣ ＧＴＯの接合温度を求めている。 - 特許庁

A temperature detecting circuit 15 existing in an ON gate circuit 8 detects the temperature of the GTO thyristor 1 on the basis of gate-cathode voltage VGE obtained from the gate terminal 2 and the cathode terminal 3a in a monitoring period when a constant current flows to the GTO thyristor 1.例文帳に追加

オンゲート回路８内に存在する温度検出回路１５は、ＧＴＯサイリスタ１に定電流が流れるモニタ期間において、ゲート端子２，カソード端子３ａより得られるゲート−カソード間電圧ＶＧＥに基づき、ＧＴＯサイリスタ１の温度を検出する。 - 特許庁

In this temperature measuring method of the semiconductor device, the joining temperature of SiC GTO is determined by utilizing the fact that a rising time tv of a voltage Vak between an anode and a cathode as a turn-off characteristic time of SiC GTO which is a semiconductor switching element has high temperature dependency.例文帳に追加

この半導体装置の温度測定方法によれば、半導体スイッチング素子であるＳｉＣ ＧＴＯのターンオフ特性時間としてのアノード-カソード間電圧Ｖａｋの立ち上がり時間ｔｖは温度依存性が大きいことを利用して、ＳｉＣ ＧＴＯの接合温度を求めている。 - 特許庁

To provide a gate drive circuit capable of suppressing an increase in a negative peak voltage (an absolute value) of a gate voltage during turn-off of a gate turn-off thyrister (SiC-GTO) using a wide gap semiconductor generated by an increase in crystal defect, and capable of preventing the generation of self-ignition by the internal capacitance of the SiC-GTO.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体を用いたゲートターンオフサイリスタ（ＳｉＣ−ＧＴＯ）において、結晶欠陥の増加により生じる、ＳｉＣ−ＧＴＯのターンオフ時におけるゲート電圧の負のピーク電圧（絶対値）の増大を抑制するとともに、ＳｉＣ−ＧＴＯ内部の静電容量による自己点弧を防止するゲート駆動回路を提供すること。 - 特許庁

The SiC GTO device can control a surge voltage, generated between an anode electrode 12 and a gate electrode 13 by an off-gate current, by using a zener diode structural part 6.例文帳に追加

このＳｉＣ ＧＴＯ装置によれば、オフゲート電流によって発生するアノード電極１２とゲート電極１３との間のサージ電圧をツェナーダイオード構造部６によって抑制できる。 - 特許庁

A GTO thyristor 1 has a cathode terminal 3b and an anode terminal 4 connectable from the exterior, in addition to a gate terminal 2 and a cathode terminal 3a for the connection with a driving circuit 5.例文帳に追加

ＧＴＯサイリスタ１は、駆動回路５との接続用のゲート端子２及びカソード端子３ａに加え、外部から接続可能なカソード端子３ｂ及びアノード端子４をさらに有している。 - 特許庁

Between an anode and a gate of the SiC-GTO connected to the gate drive circuit, a capacitor for suppressing an increase in gate voltage is connected through the shortest connection wire.例文帳に追加

ゲート駆動回路に接続されるＳｉＣ−ＧＴＯのアノードとゲート間に、ゲート電圧の上昇を抑制するためのコンデンサを最短の接続線で接続している。 - 特許庁

A separation region between the diode and the GTO thyristor comprises a semiconductor substrate of a first conductive type, a thin-layer region of a second conductive type formed on its main surface, and a guard ring region of a second conductive type.例文帳に追加

ダイオードとＧＴＯサイリスタとの間の分離領域が、第１導電型の半導体基板と、その主面に形成された第２導電型の薄層領域と、第２導電型のガードリング領域とを含む。 - 特許庁

To provide a reverse conducting thyristor which has, with a diode anti-parallel jointed to a GTO thyristor, no variation in insulating characteristics, with a small area at a separation part.例文帳に追加

ダイオードとＧＴＯサイリスタとが逆並列接合された逆導通サイリスタにおいて、分離部の面積が小さくかつ絶縁特性にばらつきのない逆導通サイリスタを提供する。 - 特許庁

According to this SiC GTO, the extending direction of a long side face 5B of a mesa shape p-type anode emitter layer 5 is inclined by an angle φ=60° from the off direction of <11-20> direction.例文帳に追加

このＳｉＣ ＧＴＯによれば、メサ状のｐ型アノードエミッタ層５の長側面５Ｂが延在している方向を、〈１１−２０〉方向としたオフ方向から角度φ＝６０°だけ傾斜させた方向とした。 - 特許庁

Namely, in the temperature measuring method, a measured turn-off characteristic time is converted into the joining temperature of SiC GTO based on a relation characteristic between the rising time tv measured beforehand and the joining temperature.例文帳に追加

すなわち、この温度測定方法では、予め測定した立ち上がり時間ｔｖと接合温度との関係特性に基づいて、測定したターンオフ特性時間を、ＳｉＣ ＧＴＯの接合温度に換算している。 - 特許庁

In the temperature measurement method, the measured turn off characteristic time is converted into the junction temperature of the SiC GTO, based on the relational characteristic between previously measured accumulated time ts and junction temperature.例文帳に追加

すなわち、この温度測定方法では、予め測定した蓄積時間ｔｓと接合温度との関係特性に基づいて、測定したターンオフ特性時間を、ＳｉＣ ＧＴＯの接合温度に換算している。 - 特許庁

An annular end part 23 of a second coating part 16 that coats a surface 15A of a first coating part 15 which coats a surface of an SiC GTO thyristor element 1 placed on an upper surface 3A of a copper support body 3, engages with an annular engagement groove 21 of the support body 3.例文帳に追加

この半導体装置では、銅製の支持体３の上面３Ａに載置されたＳｉＣ ＧＴＯサイリスタ素子１の表面を被覆する第１の被覆部１５の表面１５Ａを被覆する第２の被覆部１６の環状の端部２３が支持体３の環状の嵌合溝２１に嵌合する。 - 特許庁

Related to a semiconductor layer (p+-AlGaN layer 6) just below a gate electrode, a semiconductor material whose band gap is larger than that forming other semiconductor layer (n-AlGaN layer 5), for example AlGaN, is used to provide a power device comprising GTO and IGBT of vertical structure.例文帳に追加

ゲート電極直下の半導体層（ｐ^+-ＡlＧaＮ層６）を、他の半導体層（ｎ-ＡlＧaＮ層５）を形成する半導体材料よりもバンドギャップの大きい半導体材料、例えばＡlＧaＮを用いて、縦型構造のＧＴＯやＩＧＢＴからなるパワーデバイスを実現する。 - 特許庁

Since current-voltage conversion is performed, using an FET for resistance substitution to memory effect of current mode which uses a GTO thyristor, a device is made smaller than S-RAM, in terms of the occupancy area and also is made shorter than D-RAM, in terms of data input/output time.例文帳に追加

［解決手段］ＧＴＯサイリスターを使って電流モードのメモリ効果を抵抗代用のＦＥＴで電流−電圧変換する事でＳ−ＲＡＭよりも占有面積を小さく、また、Ｄ−ＲＡＭよりもデータ入出力時間を縮くする。 - 特許庁

In a semiconductor device, a cover part 15 covering a GTO thyristor element 1 contains a silicon-containing polymer, including a bridged structure using siloxane (Si-O-Si binder) in one or more parts and is formed from a first silicon-containing curable composition containing a patina catalyst, that is a hardening reactive catalyst, and an iron group containing rust.例文帳に追加

この半導体装置は、ＧＴＯサイリスタ素子１を覆う被覆部１５が、シロキサン(Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合体)による橋かけ構造を一箇所以上有する珪素含有重合体を含有し、かつ硬化反応触媒である白金系触媒、および鉄族含有錆体を含有する第１の珪素含有硬化性組成物で形成されている。 - 特許庁

To provide a stopping type exciting system that prevents a shaft vibrating phenomenon of a generator that occurs in the stopping type exciting system having a high gain and an overcurrent phenomenon that occurs in a system having unilateral current conducting capability, or defects of exciting systems utilizing a conventional thyristor type exciting system, gate turn off Thyristor (GTO), or insulated gate bipolar transistor (IGBT).例文帳に追加

従来のサイリスター型励磁システムやＧａｔｅ Ｔｕｒｕ Ｏｆｆ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒや（ＧＴＯ）及びＩｎｓｕｌｔｏｒ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａ Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ（ＩＧＢＴ）を用いた励磁システムが有している短所、つまり、高利得を有している停止型励磁システムで発生する発電機の軸振動現象、及び短方向性電流導通能力を有しているシステムで発生する過電圧現象を予防する停止型励磁システムを提供する。 - 特許庁