ＧＴＯの英語

A temperature detecting circuit 15 existing in an ON gate circuit 8 detects the temperature of the GTO thyristor 1 on the basis of gate-cathode voltage VGE obtained from the gate terminal 2 and the cathode terminal 3a in a monitoring period when a constant current flows to the GTO thyristor 1.例文帳に追加

オンゲート回路８内に存在する温度検出回路１５は、ＧＴＯサイリスタ１に定電流が流れるモニタ期間において、ゲート端子２，カソード端子３ａより得られるゲート−カソード間電圧ＶＧＥに基づき、ＧＴＯサイリスタ１の温度を検出する。 - 特許庁

In this temperature measuring method of the semiconductor device, the joining temperature of SiC GTO is determined by utilizing the fact that a rising time tv of a voltage Vak between an anode and a cathode as a turn-off characteristic time of SiC GTO which is a semiconductor switching element has high temperature dependency.例文帳に追加

この半導体装置の温度測定方法によれば、半導体スイッチング素子であるＳｉＣ ＧＴＯのターンオフ特性時間としてのアノード-カソード間電圧Ｖａｋの立ち上がり時間ｔｖは温度依存性が大きいことを利用して、ＳｉＣ ＧＴＯの接合温度を求めている。 - 特許庁

To provide a gate drive circuit capable of suppressing an increase in a negative peak voltage (an absolute value) of a gate voltage during turn-off of a gate turn-off thyrister (SiC-GTO) using a wide gap semiconductor generated by an increase in crystal defect, and capable of preventing the generation of self-ignition by the internal capacitance of the SiC-GTO.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体を用いたゲートターンオフサイリスタ（ＳｉＣ−ＧＴＯ）において、結晶欠陥の増加により生じる、ＳｉＣ−ＧＴＯのターンオフ時におけるゲート電圧の負のピーク電圧（絶対値）の増大を抑制するとともに、ＳｉＣ−ＧＴＯ内部の静電容量による自己点弧を防止するゲート駆動回路を提供すること。 - 特許庁

The SiC GTO device can control a surge voltage, generated between an anode electrode 12 and a gate electrode 13 by an off-gate current, by using a zener diode structural part 6.例文帳に追加

このＳｉＣ ＧＴＯ装置によれば、オフゲート電流によって発生するアノード電極１２とゲート電極１３との間のサージ電圧をツェナーダイオード構造部６によって抑制できる。 - 特許庁

A GTO thyristor 1 has a cathode terminal 3b and an anode terminal 4 connectable from the exterior, in addition to a gate terminal 2 and a cathode terminal 3a for the connection with a driving circuit 5.例文帳に追加

ＧＴＯサイリスタ１は、駆動回路５との接続用のゲート端子２及びカソード端子３ａに加え、外部から接続可能なカソード端子３ｂ及びアノード端子４をさらに有している。 - 特許庁

Between an anode and a gate of the SiC-GTO connected to the gate drive circuit, a capacitor for suppressing an increase in gate voltage is connected through the shortest connection wire.例文帳に追加

ゲート駆動回路に接続されるＳｉＣ−ＧＴＯのアノードとゲート間に、ゲート電圧の上昇を抑制するためのコンデンサを最短の接続線で接続している。 - 特許庁

A separation region between the diode and the GTO thyristor comprises a semiconductor substrate of a first conductive type, a thin-layer region of a second conductive type formed on its main surface, and a guard ring region of a second conductive type.例文帳に追加

ダイオードとＧＴＯサイリスタとの間の分離領域が、第１導電型の半導体基板と、その主面に形成された第２導電型の薄層領域と、第２導電型のガードリング領域とを含む。 - 特許庁

To provide a reverse conducting thyristor which has, with a diode anti-parallel jointed to a GTO thyristor, no variation in insulating characteristics, with a small area at a separation part.例文帳に追加

ダイオードとＧＴＯサイリスタとが逆並列接合された逆導通サイリスタにおいて、分離部の面積が小さくかつ絶縁特性にばらつきのない逆導通サイリスタを提供する。 - 特許庁