「ANTIFERROMAGNETIC MATERIAL」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MAGNETIC REFRIGERATION MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD OF ALTERING ANTIFERROMAGNETIC MATERIAL TO FERROMAGNETIC MATERIAL例文帳に追加

磁気冷凍材料およびその製造方法、ならびに、反強磁性材料を強磁性材料に変質させる方法 - 特許庁

ANTIFERROMAGNETIC MATERIAL FILM, MAGNETORESISTIANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

反強磁性体膜とそれを用いた磁気抵抗効果素子および磁気装置 - 特許庁

To provide a half-metallic antiferromagnetic material which is chemically stable and has a stable magnetic structure.例文帳に追加

化学的に安定で、然も安定な磁気構造を有するハーフメタリック反強磁性体を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the second antiferromagnetic layer 41 is made of an insulative and antiferromagnetic material, so that a current is hardly branched and a magnetism detection element with a large reproduction output can be obtained.例文帳に追加

しかも前記第２反強磁性層４１は絶縁性の反強磁性材料であるから、電流が前記第２反強磁性層に分流せず、再生出力の大きい磁気検出素子を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetoresistive structure and a method for manufacturing a magnetoresistive head, capable of forming a second antiferromagnetic layer to be formed later without affecting a first antiferromagnetic layer (already formed) using a material as the same as or different from that of the first antiferromagnetic layer.例文帳に追加

あとから形成する第２の反強磁性層を、（既に形成されている）第１の反強磁性層に影響を及ぼすことなく、同一または異なる材料により形成することを可能とする磁気抵抗構造の製造方法および磁気抵抗型ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method by which a high-purity Mn material having high yield as a target material and most suitably used for antiferromagnetic thin film deposition can be obtained.例文帳に追加

ターゲット材としての歩留まりが高く、かつ反強磁性薄膜形成用として最適な高純度Ｍｎ材料を得る製造方法の提供。 - 特許庁

The antiferromagnetic layer 3 is made of a PtMn type material having a composition of Mn 50 atm.% in the interface with the ferromagnetic layer 5.例文帳に追加

反強磁性層３はＰｔＭｎ系材料とし、強磁性層５との界面において、５０原子％Ｍｎの組成とする。 - 特許庁

A spacer layer 62 is formed on the fixed layer 56 as a formed object having appropriate thickness of an antiferromagnetic material having conductivity as Cu.例文帳に追加

スペーサ層６２は、Ｃｕのような導電性で反強磁性材の、適当な厚さの形成物として、固定層５６の上に形成する。 - 特許庁

To magnetically transfer magnetic patterns to a high-density magnetic recording medium utilizing the antiferromagnetic bond of two material layers with high accuracy.例文帳に追加

２つの磁性層の反強磁性結合を利用した高密度磁気記録媒体に対し、磁気パターンの磁気転写を精度よく行う。 - 特許庁

A pair of antiferromagnetic layers (second antiferromagnetic layers) 60, 60 are formed via an enhancement layer 59 formed of a magnetic material on hard bias layers 36 formed on both sides in the track widthwise direction of a free-magnetic layer.例文帳に追加

本発明では、フリー磁性層のトラック幅方向の両側に形成されているハードバイアス層３６の上に、磁性材料からなるエンハンス層５９を介して一対の反強磁性層（第２の反強磁性層）６０，６０が形成されている。 - 特許庁

A magnetic compensation layer (69) composed of an antiferromagnetic material is disposed on a surface of the free layer opposite to the fist nonmagnetic intermediate layer.例文帳に追加

フリー層の、第１の非磁性中間層とは反対側の表面上に、反強磁性材料からなる磁化補償層(69)が配置されている。 - 特許庁

The solid memory device comprises magnetization fixing layers 101, 109 which are composed of a permanent magnet, or an antiferromagnetic material for fixing the direction of magnetization of high-spin polarized layers 102, 104, 106, 108.例文帳に追加

磁化固定層101、109は、高スピン偏極層102、104、106、108の磁化方向を固定するための永久磁石あるいは反強磁性を示す層である。 - 特許庁

In the magnetic detecting element; a multilayered film 31 containing an antiferromagnetic layer 23, a fixed magnetic layer 24, a nonmagnetic material layer 25, and a free magnetic layer 26 is formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に、反強磁性層２３と固定磁性層２４と非磁性材料層２５とフリー磁性層２６とを含む多層膜３１が形成されている。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element which includes a magnetic material, which forms antiferromagnetic combination with full Heusler alloy high in spin polarization rate, and which is high in TMR (tunnel magnetoresistance ratio).例文帳に追加

スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide an antiferromagnetically coupling (AFC) material strengthening antiferromagnetic exchange coupling between two ferromagnetic layers, in a magnetic recording disk.例文帳に追加

磁気記録ディスクにおいて、２層の強磁性層間における反強磁性交換結合を強くする反強磁性結合（ＡＦＣ）材料が望まれている。 - 特許庁

The multiferroic thin film may be formed of at least one of BiFeO_3, or any other ferroelectric and antiferromagnetic material.例文帳に追加

マルチフェロイック薄膜は、ＢｉＦｅＯ_３又は任意のその他の強誘電性および反強磁性材料の少なくとも１つを含むように形成される。 - 特許庁

To realize stabilization of film composition and film quality and also to stably obtain sufficient exchange coupling force under the room temperature and higher temperature range, in an antiferromagnetic material film, consisting of the Mn alloy which exhibits superior corrosion resistance and thermal characteristics.例文帳に追加

耐食性や熱特性に優れるＭｎ合金からなる反強磁性体膜において、膜組成や膜質の安定化を図る。 - 特許庁

To strengthen exchange connection and to improve coercive force in a magnetic material having exchange connection of an antiferromagnetic phase and a ferromagnetic phase.例文帳に追加

反強磁性相と強磁性相との交換結合を有する磁性材料において、交換結合をより強固にし、保磁力を向上させること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetoresistance effect element having an antiferromagnetic layer made of an antiferromagnetic material with high corrosion resistance and antiferromagnetism obtained by a low-temperature heat treatment.例文帳に追加

耐蝕性の高い反強磁性材料を用いた磁気抵抗効果素子の製造方法に関し、耐蝕性が高く、かつ反強磁性を付与するための加熱処理の温度が低い材料からなる反強磁性層を用いた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The layer has a first composite magnetic layer 6 having a function for preventing Mn of a material composing the antiferromagnetic layer 5 from being diffused to the tunnel insulating layer 9.例文帳に追加

そして、反強磁性層５を構成する材料のＭｎがトンネル絶縁層９へ拡散することを防止する機能を有する第１複合磁性層６を備える。 - 特許庁

At least one bilayer consisting respectively of an amorphous or quasi-amorphous material 45 and a material having the same structure or the same crystal lattice as the antiferromagnetic layer is placed in the storage layer 40 between a ferromagnetic layer which is in contact with the semiconductor or insulation layer 42 with confined-current-paths and an antiferromagnetic layer.例文帳に追加

それぞれ非晶質または準非晶質の材料４５と、反強磁性層と同一の構造または同一の結晶格子を有する材料と、からなる１つ又はそれ以上の二重層が、前記半導体または制限電流路の絶縁層４２と接触する強磁性層と反強磁性層との間の前記記憶層４０に配置される。 - 特許庁

The magnetoresistive effect element has a magnetoresistive effect film including pin layers 14a, 14b and a free layer 17 sandwiched between a lower shield layer 10 and an upper shield layer 19 wherein an antiferromagnetic layer 13 composed of an Mn based antiferromagnetic material is formed at a lower layer of the pin layer 14a through an Mn layer 22 on an interface.例文帳に追加

下部シールド層１０と上部シールド層１９との間に、ピン層１４ａ、１４ｂとフリー層１７とを備える磁気抵抗効果膜が配された磁気抵抗効果素子であって、前記ピン層１４ａの下層に、界面にMn層２２を挟んで、Mｎ系反強磁性材からなる反強磁性層１３が設けられている。 - 特許庁

In the magnetic recording medium produced by successively forming a base layer of an antiferromagnetic material and a magnetic recording layer of a magnetic material essentially consisting of cobalt, an intermediate layer consisting of a ferromagnetic material is further formed between the base layer and the magnetic recording layer.例文帳に追加

非磁性基板上に、反強磁性材料からなる下地層及びその主成分がコバルトである磁性材料からなる磁気記録層を順次設けてなる磁気記録媒体において、下地層と磁気記録層との間に、強磁性材料からなる中間層がさらに介在せしめられているように構成する。 - 特許庁

An exchange coupling layer consisting of an antiferromagnetic material is formed on a fixing layer.例文帳に追加

交換結合層を元素または組成の異なる複数の反強磁性膜で構成とし、固定層と接する反強磁性膜の単位面積当たりの交換結合エネルギーを大きくし、他の反強磁性膜の異方性定数を大きくする。 - 特許庁

Laminated layers formed of the first conductive material layer and the antiferromagnetic layer (or a single layer of the first conductive material layer) are selectively etched by using hard masks 40a, 40b constituted of insulating films as selecting masks, an isolating trenches 44 are formed, and TMR elements Ta-Tc corresponding to the magnetic tunnel junction part are obtained.例文帳に追加

第１の導電材層及び反強磁性層の積層（又は第１の導電材層の単層）に絶縁膜からなるハードマスク４０ａ，４０ｂを選択マスクとする選択エッチング処理を施して分離溝４４を形成し、磁気トンネル接合部に対応したＴＭＲ素子Ｔａ〜Ｔｃを得る。 - 特許庁

Consequently, it is possible to prevent the sense current from being shunted to a ferromagnetic material layer 35c1, a nonmagnetic intermediate layer 35b, a first fixed magnetic layer 35a in the fixed magnetic layer 35, an antiferromagnetic layer 34, and a seed layer 33.例文帳に追加

従って、固定磁性層３５の強磁性材料層３５ｃ１、非磁性中間層３５ｂ、第１固定磁性層３５ａ、反強磁性層３４、及びシード層３３にセンス電流が分流することを防ぐことができる。 - 特許庁

The half-metallic antiferromagnetic material is a compound having a crystal structure of nickel arsenic type, sphalerite type, wurtzide type, chalcopyrite type, or lock salt type, and is comprised of two or more types of magnetic elements and chalcogens or pnictogens.例文帳に追加

本発明に係るハーフメタリック反強磁性体は、ニッケルヒ素型、閃亜鉛鉱型、ウルツ鉱型、カルコパイライト型或いは岩塩型の結晶構造を有する化合物であって、２種類以上の磁性元素とカルコゲン或いはプニクトゲンとから構成されている。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect type head(MR head) excellent in linear response and suppressed in Barkhausen noise by adopting a Pt-Mn alloy of an antiferromagnetic material film excellent in corrosion resistance and capable of applying an exchange anisotropic magnetic field required and sufficient for an ultrathin film.例文帳に追加

耐食性に優れ且つ極薄膜において必要十分な交換異方性磁界を印加することができる反強磁性体膜であるＰｔＭｎ合金を採用することにより、線形応答性に優れバルクハウゼンノイズを抑制した磁気効果型ヘッド（ＭＲヘッド）を提供すること。 - 特許庁

The magnetic recording medium 10 is provided with a nonmagnetic base material 1, a nonmagnetic substrate layer 3 formed on the nonmagnetic base material 1, a first recording layer 4 formed on the nonmagnetic substrate layer 3 and having perpendicular magnetic anisotropy, an intermediate layer 5 made of an antiferromagnetic material and formed on the first recording layer 4, and a second recording layer 6 formed on the intermediate layer and having vertical magnetic anisotropy.例文帳に追加

非磁性基材１と、非磁性基材１の上に形成された非磁性下地層３と、非磁性下地層３の上に形成された垂直磁気異方性を有する第１記録層４と、第１記録層４の上に形成され、反強磁性材料からなる中間層５と、中間層の上に形成された垂直磁気異方性を有する第２記録層６とを有する磁気記録媒体１０による。 - 特許庁

The sensing element (4) comprises the superposition of a layer of a ferromagnetic material (FM1) and a layer of an antiferromagnetic material (AF1) which is arranged in order to obtain a magnetic moment (10) whose component oriented in the direction of the field to be measured varies reversibly as a function of the intensity of the magnetic field to be measured, and linearly in an adjustable magnetic field range.例文帳に追加

感知要素（４）は、強磁性材料層（ＦＭ１）と反強磁性材料層（ＡＦ１）との重畳体からなっており、この重畳体は、測定用磁界の方向における成分が、測定用磁界の強度の関数として可逆的に変化すると共に調整可能磁界範囲において直線的に変化する磁気モーメント（１０）を与えるようになっている。 - 特許庁

The magnetic head includes a magnetoresistive effect element in which the antiferromagnetic layer and the fixed magnetic layer are sequentially stacked over a shield layer made of magnetic material through a foundation layer, wherein the foundation layer has a structure in which a non-magnetic layer and a magnetic layer are stacked, and the magnetization of the shield layer and the magnetization of the magnetic layer are connected in parallel.例文帳に追加

本発明に係る磁気ヘッドは、磁性材料からなるシールド層上に下地層を介して反強磁性層、固定磁性層が順次積層された磁気抵抗効果素子を備える磁気ヘッドであって、前記下地層は、非磁性層と磁性層が積層された構造であり、前記シールド層の磁化と前記磁性層の磁化が平行に結合している。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element which is improved in output characteristic and shows thermally stable characteristics is obtained by reducing the influence of a magnetic material constituting the foundation layer of an antiferromagnetic layer constituting the element on the directions of magnetization of the free and fixed magnetic layers by constituting the foundation layer in a three-layer structure of a first ferromagnetic foundation layer, a first nonmagnetic foundation layer, and a second ferromagnetic foundation layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する反強磁性層の下地層に第１下地強磁性層／第１下地非磁性層／第２下地強磁性層といった構造とすることで、自由磁性層及び固定磁性層の磁化方向に対して下地層を構成する磁性体が影響を及ぼすことを低減して、出力特性の向上と熱的に安定した特性を示す磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁