「ANTIFERROMAGNETIC」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus a large pinning magnetic field is obtd. and the anisotropic const. of the antiferromagnetic film not in contact with the fixing layer can be increased to secure desired thermal stability.例文帳に追加

望ましくは、２層構成で、固定層と接触する膜を白金組成３〜１０ａｔ％ で膜厚を５ｎｍ以上とし、固定層と接触しない膜の白金組成を１０〜１５ａｔ％とする。 - 特許庁

The lengths from an ABS surfaces to the fixed layer 54 and an antiferromagnetic layer 55 are formed to be longer than the lengths from the ABS surfaces to the cap layer 51, the free layer 52, and a non-magnetic intermediate layer 53, respectively.例文帳に追加

固定層５４及び反強磁性層５５のＡＢＳ面からの長さは、キャップ層５１、自由層５２及び非磁性中間層５３のＡＢＳ面からの長さより大きく形成されている。 - 特許庁

Hard bias layers 36 are opposed to each other on both sides of a free magnetic layer 29, on which a ferromagnetic layer 59 and a second antiferromagnetic layer 60 are formed with a prescribed interval.例文帳に追加

フリー磁性層２９の両側にハードバイアス層３６を対向させ、前記フリー磁性層２９の上面に所定の間隔を開けて強磁性層５９及び第２の反強磁性層６０を形成する。 - 特許庁

The plasma treatment layer 45 has a crystal lattice constant in the intermediate between that of the fixation layer 44 and that of the antiferromagnetic layer 46, it matches the crystal lattice of both and it ensures the crystallinity of both.例文帳に追加

このプラズマ処理層４５は固定層４４と反強磁性層４６との間の中間の結晶格子定数を有し、双方の結晶格子を整合し、かつ双方の結晶性を確保する。 - 特許庁

The center part D of the layer 31 is non-antiferromagnetic and the magnetization of the center part D of the layer 28 is simply magnetized in a moderately weak level allowing magnetization to be inverted from an external magnetic field.例文帳に追加

前記第２反強磁性層３１の中央部Ｄは非反強磁性であり、前記フリー磁性層２８の中央部Ｄの磁化は外部磁界に対し磁化反転可能な程度に弱く単磁区化される。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic tunnel junction element capable of effectively suppressing diffusing of Mn from an antiferromagnetic layer containing a Mn-based alloy even if a heat treatment is applied thereto, and excelling in characteristics and heat resistance.例文帳に追加

熱処理を受けてもＭｎ系合金を含む反強磁性層からのＭｎ拡散を有効に抑制することができ、特性および耐熱性に優れた強磁性トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁

To provide a spin MOS field effect transistor including a magnetic body forming an antiferromagnetic coupling with a full Heusler alloy of high spin polarizability, and using a magnetoresistive effect element with a high TMR ratio.例文帳に追加

スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

Top and bottom surfaces and end surfaces of a superconducting layer 101 in the superconducting wiring are covered with an antiferromagnetic insulator layer 102 or a ferromagnetic insulator layer that functions as a magnetic order layer.例文帳に追加

超伝導配線の超伝導体層１０１の上下表面及び端面を磁気秩序層として機能する反強磁性絶縁体層１０２または強磁性絶縁体層で被覆した。 - 特許庁

To sufficiently magnetize an antiferromagnetic layer constituting a magnetic domain control film and to facilitate turn of the magnetizing direction in a free layer with respect to a magnetic head, a thin film magnetic film and a magnetic recorder.例文帳に追加

磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッド、及び、磁気記録装置に関し、磁区制御膜を構成する反強磁性層を充分に磁化するとともに、フリー層における磁化方向の回転を容易にする。 - 特許庁

In the magnetic memory, the movable layer of a magnetic element is the 2-layer structure of a ferromagnetic layer and an oxide antiferromagnetic layer having an electromagnetic effect, and voltage induced magnetization reversal is used as an information input system.例文帳に追加

磁性素子の可動層が強磁性体層と電気磁気効果を有する酸化物反強磁性体層の２層構造であり、情報入力方式として電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリ。 - 特許庁

A ground layer 7 consisting of a NiCr film in which the ratio of Cr atoms is ≥41%, preferably ≤70%, is formed on the side of the antiferromagnetic layer 3 which is the opposite side to the magnetized fixed layer 4.例文帳に追加

反強磁性層３の磁化固定層４とは反対側には、Ｃｒの原子数比が４１％以上で、好ましくは７０％以下であるＮｉＣｒ膜より成る下地層７が設けられている。 - 特許庁

The antiferromagnetic layer 23, non-magnetic metal layer 24 and free layer 25 are formed so as to range from a valid area of the magneto-resistance effect layer to an area expanding on both sides in the track width direction.例文帳に追加

反強磁性層２３、非磁性金属層２４及びフリー層２５は、磁気抵抗効果層の有効領域からトラック幅方向の両側に広がった領域に及ぶように、形成される。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic tunnel junction element wherein, excellent in heat-resistance and characteristics, the Mn diffusion from an antiferromagnetic layer comprising an Mn array is effectively suppressed even in a thermal process.例文帳に追加

熱処理を受けてもＭｎ系合金を含む反強磁性層からのＭｎ拡散を有効に抑制することができ、特性および耐熱性に優れた強磁性トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁

Antiferromagnetic films 271, 272 are arranged between the first and second magnetic shield films 25, 26, adjacent to at least one of the first and second magnetic shield films 25, 26, and generate exchange coupling.例文帳に追加

反強磁性膜２７１、２７２は、第１及び第２の磁気シールド膜２５、２６の間に配置され、第１または第２の磁気シールド膜２５、２６の少なくとも一方に隣接し、交換結合を生じる。 - 特許庁

Technologies, materials and devices are disclosed, which achieve high-density magnetic storage based on a magnetic exchange bias generated by magnetic coupling of a ferromagnetic layer and an adjacent antiferromagnetic layer.例文帳に追加

本出願では、強磁性層とこれに隣接する反強磁性層との磁気結合によって発生する磁気交換バイアスに基づいて高密度の磁気記憶を実現するための技術、材料、装置を開示する。 - 特許庁

The magnetic anchoring layer 63 has one each or more of the first and the second ferromagnetic layers 631, 632 alternately-laminated and mutually antiferromagnetic-coupled through a nonmagnetic coupling layer 633, respectively.例文帳に追加

磁化固着層６３は、非磁性の結合層６３３を介して交互に積層されて互いに反強磁性結合する第１および第２の強磁性層６３１，６３２をそれぞれ１つまたは複数有する。 - 特許庁

To impart a strong switching connection between ferromagnetic films, and to inhibit a shunt loss while effectively increasing a switching connection force from an antiferromagnetic film, in an SV film having a synthetic pinned structure.例文帳に追加

シンセティック・ピンド構造のＳＶ膜において、強磁性膜間に強い交換結合を与え、反強磁性膜からの交換結合力を実効的に増大させながら、同時に分流損失を抑える。 - 特許庁

The magnetization fixed layer 15 has unidirectional anisotropy by exchange coupling with the antiferromagnetic layer 19 and the magnetization direction of the magnetization fixed layer 15 is fixed in absence of an external magnetic field.例文帳に追加

さらに磁化固定層１５が、反強磁性層１９との間の交換結合により一方向異方性を有し、外部磁場がない状態での磁化固定層１５の磁化方向が固定されている。 - 特許庁

A bottom surface is provided in a non-magnetic intermediate layer 16 through a second antiferromagnetic layer 18, a recess 21 where width dimension in the track-width direction of the bottom surface is equal to the track width dimensions is formed.例文帳に追加

第２の反強磁性層１８を貫通し、底面が非磁性中間層１６内に設けられ、この底面のトラック幅方向の幅寸法がトラック幅寸法に等しい凹部２１を形成する。 - 特許庁

The second magnetic layer F2 is arranged nearer to the pinned layer 23 than the first magnetic layer F1, and the magnetic layers F1 and F2 are coupled with each other in an antiferromagnetic state through the coupling layer 40.例文帳に追加

第２の磁性層Ｆ２は、第１の磁性層Ｆ１よりもピンド層２３に近い位置に配置され、２つの磁性層Ｆ１，Ｆ２は、結合層４０を介して反強磁性的に結合している。 - 特許庁

To direct the magnetizations of two free layers antiparallel to each other when no external magnetic field is applied, without making use of antiferromagnetic coupling between the two free layers through a spacer layer.例文帳に追加

スペーサ層を介した２つの自由層の反強磁性的結合を利用することなく、外部からの磁界が印加されない状態で２つの自由層の磁化の方向を互いに反平行にする。 - 特許庁

The nonmagnetic layer 27 composed of Ru or the like is formed on a free magnetic layer 26, and a ferromagnetic layer 28 and a second antiferromagnetic layer 29 are arranged on both side ends 27a of the nonmagnetic layer 27.例文帳に追加

フリー磁性層２６上にはＲｕなどで形成された非磁性層２７が形成され、前記非磁性層２７の両側端部２７ａ上には強磁性層２８及び第２反強磁性層２９が設けられている。 - 特許庁

A TMR element 51 is provided with a TMR film 53 including an antiferromagnetic layer 61, a pinned layer 63, a barrier layer 65, and a free layer 67; and a lower magnetic shield film 55 provided at the lower part in the laminating direction of the TMR film.例文帳に追加

ＴＭＲ素子５１は、反強磁性層６１、ピンド層６３、バリア層６５及びフリー層６７を含むＴＭＲ膜５３と、ＴＭＲ膜の積層方向下方に設けられた下部磁気シールド膜５５とを備える。 - 特許庁

An exchange coupling layer consisting of an antiferromagnetic material is formed on a fixing layer.例文帳に追加

交換結合層を元素または組成の異なる複数の反強磁性膜で構成とし、固定層と接する反強磁性膜の単位面積当たりの交換結合エネルギーを大きくし、他の反強磁性膜の異方性定数を大きくする。 - 特許庁

A (first) nickel iron layer 13, a (second) antiferromagnetic layer 14, a nonmagnetic layer 31, a (second) nickel iron layer 32, and a read layer 15 are sequentially laminated on both sides of a spin valve structure 10 while keeping in contact with a side slope 10S.例文帳に追加

スピンバルブ構造１０の両側に、側斜面１０Ｓに接するように、（第１の）ニッケル鉄層１３、（第２の）反強磁性層１４、非磁性層３１、（第２の）ニッケル鉄層３２およびリード層１５を順次設ける。 - 特許庁

There are provided a free layer 132 that has a first areal extent that is sensitive to a magnetic field and a synthetic antiferromagnetic (SAF) layer 134 adjacent to the free layer and has a second areal extent that is greater than the first areal extent.例文帳に追加

磁気に反応する第１の面積範囲を有する自由層１３２と、第１の面積範囲よりも広い第２の面積範囲を有し、自由層に隣接する合成反強磁性（ＳＡＦ）層１３４を設ける。 - 特許庁

In this invention, the degradation of sensitivity with respect to high temps. is prevented by allowing the antiferromagnetic film 17a5 to be made from platinum manganese(PtMn) and making the thickness of the film to be within the range 20 nm to 40 nm.例文帳に追加

本発明においては、前記反強磁性膜１７ａ５を白金マンガン（ＰｔＭｎ）から形成し、この膜の厚さを２０ｎｍ乃至４０ｎｍの範囲内とすることにより、高温に対する感度劣化を防止した。 - 特許庁

The spin valve thin film element MR1 consists of an antiferromagnetic layer 122, fixed magnetic layer 123, nonmagnetic electrically conductive layer 124 and free magnetic layer 125, and is formed between a lower gap layer 129 on the substrate and an upper gap layer 127.例文帳に追加

また、このスピンバルブ型薄膜素子を備え、再生シールド間隔を厚くすることなく、前記スピンバルブ型薄膜素子と上部シールド層および下部シールド層との絶縁が確保しやすい薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

The magnetic random-access memory includes at least one magnetic memory cell, comprising an antiferromagnetic layer 12, a pin layer 13 formed on it, a tunnel barrier layer 14 formed on it and a free layer 15 formed on it.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、反強磁性層（１２）とその上に形成されたピン層（１３）とその上に形成されたトンネルバリア層（１４）とその上に形成された自由層（１５）を備える少なくとも一つの磁気メモリセルを含む。 - 特許庁

A new seed layer which consists of NiCr whose Cr(chromium) percentage content is 31at % and has thickness of about 3nm, is used for forming the bottom spin valve magnetometric sensor having a synthetic antiferromagnetic pinned layer.例文帳に追加

クロム（Ｃｒ）含有率が３１ａｔ％であるＮｉＣｒからなり、約３ｎｍの厚みをなす新たなシード層は、シンセティック反強磁性ピンド層を有するボトムスピンバルブ磁気センサを形成するために使用される。 - 特許庁

The background layer comprises a first background layer 51 selected from any of a NiCr alloy layer, a NiFeCr alloy layer, and a NiFe alloy layer, and a second background layer deposited between the first background layer and the antiferromagnetic layer 52.例文帳に追加

下地層はＮｉＣｒ合金層、ＮｉＦｅＣｒ合金層、ＮｉＦｅ合金層から選択される第１の下地層５１と、第１の下地層と反強磁性層５２の間に堆積される第２の下地層から成る。 - 特許庁

The magnetic memory cell comprises a ferromagnetic tunnel junction (MTJ) 40 constituted by sequentially laminating at least an antiferromagnetic layer 42, a ferromagnetic fixed layer 43, a non-magnetic spacer layer 44 and a ferromagnetic free layer 45.例文帳に追加

磁気メモリ素子は、少なくとも、反強磁性層４２、強磁性固定層４３、非磁性スペーサ層４４及び強磁性自由層４５を順次に積層して構成された強磁性トンネル接合（ＭＴＪ）４０を有する。 - 特許庁

In the magnetic thin-film core thus formed, the magnetic layer is affected by exchange-coupled field which is induced into it by the antiferromagnetic layer, with the same action as being magnetized to give a bias magnetic field.例文帳に追加

このように形成した磁性薄膜コアでは、反強磁性層によって磁性層に誘起される交換結合磁界によって、前記磁性層は、所定方向に磁化されてバイアス磁界を与えたと同様の作用をうける。 - 特許庁

Antiferromagnetic layers 41 and 42 have lower surfaces partially overlapping the upper surface of the free layer 301 of the MR film 300 and exchange bonding takes place at the overlapped part thus applying a bias field due to exchange bonding to the MR film 300.例文帳に追加

反強磁性層４１、４２は、下面がＭＲ膜３００のフリー層３０１の上面と、部分的に重なり、重なり部分で交換結合を生じ、ＭＲ膜３００に交換結合によるバイアス磁界を印加する。 - 特許庁

An MTJ element 2 has an antiferromagnetic layer 16, an SyAP pinned layer 16, a tunnel barrier layer 17, a free layer 18 and a cap layer 19 in this sequence on the top of a seed layer 14 arranged on a lower shield layer 10.例文帳に追加

ＭＴＪ素子２は、下部シールド層１０に設けられたシード層１４の上に、反強磁性層１５と、ＳｙＡＰピンド層１６と、トンネルバリア層１７と、フリー層１８とキャップ層１９とを順に備える。 - 特許庁

A GMR film 30 has such a structure that a base layer 31, antiferromagnetic layer 32, fixed magnetization laminate 33, non-magnetic metal layer 37, diffusion prevention layer 38, free magnetization layer 39, and protection layer 40 are stacked in this order.例文帳に追加

ＧＭＲ膜３０は、下地層３１、反強磁性層３２、固定磁化積層体３３、非磁性金属層３７、拡散防止層３８、自由磁化層３９、保護層４０が順次積層された構成からなる。 - 特許庁

This spin valve layer has a free magnetization layer, a magnetization fixed layer, and an antiferromagnetic layer made of an alloy containing iridium and manganese.例文帳に追加

前記再生ヘッドはスピンバルブ層を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドであり、前記スピンバルブ層は磁化自由層、磁化固定層および反強磁性層を有し、該反強磁性層はイリジウムおよびマンガンを含む合金からなる。 - 特許庁

The doctor blade 116 is a plate-like antiferromagnetic austenite stainless steel, and the proximal region to the developing roller is magnetic-field oriented after being ferromagnetized by martensitic transformation induced by the processing.例文帳に追加

このドクターブレード１１６は、板状の反強磁性オーステナイト系ステンレス鋼であり、かつ、前記現像ローラとの最近接領域が、加工誘起によるマルテンサイト変態により強磁性化された後、磁場配向されている。 - 特許庁

At least one antiferromagnetic (AFM) tab is connected to the first free layer on a surface thereof opposite the spacer layer, the AFM tab having a second areal extent that is smaller than the first areal extent.例文帳に追加

少なくとも１つの反強磁性（ＡＦＭ）タブが、第１のフリー層に、スペーサ層とは反対側のその表面上で接続されており、ＡＦＭタブは、第１の面積範囲よりも小さい第２の面積範囲を有する。 - 特許庁

When DC current is supplied while the magnetic wall is fixed so that the magnetic wall does not move in the fine line by using a magnetic wall fixing means such as an antiferromagnetic body, magnetic moment rotates without movement of the magnetic wall.例文帳に追加

反強磁性体などの磁壁固定手段を用いることにより磁壁が細線内を移動しないように該磁壁を固定しつつ直流電流を供給すると、磁壁は移動することなくその磁気モーメントが回転する。 - 特許庁

Otherwise, without being provided with the antiferromagnetic layer, the dimensions of the fixed magnetic layer in a height direction is made sufficiently longer than the dimensions in the direction of track width, and the magnetization direction of the fixed magnetic layer is stabilized by shape anisotropy.例文帳に追加

あるいは、反強磁性層を備えず、固定磁性層のハイト方向の寸法をトラック幅方向の寸法よりも十分に長くして、形状異方性により固定磁性層の磁化方向を安定化させる。 - 特許庁

In this manufacturing method for a magnetoresistance effect thin-film magnetic head provided with an SV-GMR element 4, a process in which a plasma treatment layer 45 is formed between a fixation layer 44 and an antiferromagnetic layer 46 for the SV-GMR element 4 is provided.例文帳に追加

SV-GMR素子４を備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、SV-GMR素子４の固定層４４と反強磁性層４６との間にプラズマ処理層４５を形成する工程を備える。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium has a film structure, where a ferromagnetic layer 12, an antiferromagnetic layer 13, a soft magnetic backing layer 14, an intermediate layer 15, a perpendicular magnetic recording layer 16, and a protective film 17 are deposited sequentially on a substrate 11, in this order.例文帳に追加

基板１１上に、強磁性層１２，反強磁性層１３，軟磁性裏打ち層１４，中間層１５，垂直記録層１６及び保護膜１７を、この順序で成膜した膜構造を有している。 - 特許庁

The element is produced by successively laminating, from the substrate, the free magnetic layer 125, nonmagnetic electrically conductive layer 124, fixed magnetic layer 123 and antiferromagnetic layer 122, and then forming the upper gap layer 127 in contact with the antiferromagnetic layer 122.例文帳に追加

反強磁性層１２２と、固定磁性層１２３と、非磁性導電層１２４と、フリー磁性層１２５とを有し、基板上に形成された下部ギャップ層１２９と上部ギャップ層１２７との間に形成される スピンバルブ型薄膜素子ＭＲ１であり、 基板側から、フリー磁性層１２５、非磁性導電層１２４、固定磁性層１２３、反強磁性層１２２の順で積層され、前記上部ギャップ層１２７と前記反強磁性層１２２とが接して形成されたものする。 - 特許庁

A spin valve type magnetoresistive element which has a laminated structure including an antiferromagnetic layer/a pinned magnetic layer/a non-magnetic intermediate layer/a magnetic free layer/and a magnetization stable layer is used, and the magnetization stable layer 11 is arranged adjacent to the magnetic free layer 1.例文帳に追加

反強磁性層／磁化固定層／非磁性中間層／磁化自由層／磁化安定層の積層構造を有するスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を用い、磁化自由層１に隣接して磁化安定層１１を設置する。 - 特許庁