「ANTIFERROMAGNETIC」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

a phenomenon in ferrites where there can be incomplete cancellation of antiferromagnetic arranged spins giving a net magnetic moment 例文帳に追加

磁気モーメントのスピンが配列され、反強磁性によって不完全な相殺が発生するフェライトの現象 - 日本語WordNet

A plurality of lower electrodes 4 and antiferromagnetic films 8 are formed and arranged respectively in a row on a substrate 5.例文帳に追加

基板５上に、複数の下部電極3及び反強磁性膜８を一列に配置して設ける。 - 特許庁

To make an antiferromagnetic film thinner and to minimize the degradation in characteristics by a heat treatment.例文帳に追加

反強磁性膜をより薄膜化するとともに、熱処理による特性の低下を最小限に抑える。 - 特許庁

The magnetic domain control films 500a and 500b are formed by laminating ferromagnetic films 55a and 55b for magnetic domain control consisting of ferromagnetic materials and antiferromagnetic films 55a and 55b for magnetic domain control consisting of antiferromagnetic materials.例文帳に追加

磁区制御膜５００ａ，５００ｂは、強磁性材料からなる磁区制御用強磁性膜５５ａ，５５ｂと、反強磁性材料からなる磁区制御用反強磁性膜５６ａ，５６ｂとを積層してなるものである。 - 特許庁

A second shield portion 8 includes a second main shield layer 81, a second antiferromagnetic layer 84, and a second magnetization controlling layer 85 including a second ferromagnetic layer 86 exchange-coupled to the second antiferromagnetic layer 84.例文帳に追加

第２のシールド部８は、第２の主シールド層８１と、第２の反強磁性層８４と、第２の反強磁性層８４と交換結合する第２の強磁性層８６を含む第２の磁化制御層８５とを有している。 - 特許庁

To decrease the film thickness without decreasing the thermal stability of an exchange coupling layer by forming a first antiferromagnetic film having high exchange coupling energy per unit area with a second ferromagnetic film to produce a strong exchange bias magnetic field and forming the second antiferromagnetic film having a large anisotropic const. to thermally stabilize the magnetic moment.例文帳に追加

交換結合層を有するスピンバルブ型磁気抵抗センサにおいて、固定層のピニング磁界を低下することなくその熱安定性を向上でき、結果として反強磁性膜厚を薄膜化すること。 - 特許庁

To increase an exchange-coupling magnetic field generated between an antiferromagnetic layer and a fixed layer while reducing a coercive force of the fixed layer in an exchange-coupling film with the antiferromagnetic layer and the fixed layer formed thereon.例文帳に追加

反強磁性層とその上に積層された固定層とを備えた交換結合膜において、反強磁性層と固定層との間で発生する交換結合磁界を大きくし、且つ固定層の保磁力を小さくする。 - 特許庁

The magnetoresistance effect film 2 is constituted by laminating a half metallic antiferromagnetic layer comprising a half metallic antiferromagnetic layer 21, a nonmagnetic spacer layer 22, and a magnetization free layer 23 of which the direction of magnetization is changed.例文帳に追加

本発明に係る磁気抵抗効果膜２は、ハーフメタリック反強磁性体からなるハーフメタリック反強磁性層21と、非磁性スペーサ層22と、磁化の方向が変化する磁化自由層23とを積層して構成されている。 - 特許庁

The recording medium is provided with an antiferromagnetic substance layer 200 formed between laminated structures 330 comprising magnetic layers 315, 335-nonmagnetic layers 311, 331-magnetic layers 313, 333 on the upper and lower sides of the antiferromagnetic substance layer 200.例文帳に追加

反強磁性体層２００の上下に磁性層３１５、３３５−非磁性層３１１、３３１−磁性層３１３、３３３をなす積層構造３３０の間に形成された反強磁性体層２００を備える。 - 特許庁

MAGNETIC REFRIGERATION MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD OF ALTERING ANTIFERROMAGNETIC MATERIAL TO FERROMAGNETIC MATERIAL例文帳に追加

磁気冷凍材料およびその製造方法、ならびに、反強磁性材料を強磁性材料に変質させる方法 - 特許庁

The nonmagnetic spacer 25a or the like promotes exchange decoupling or antiferromagnetic coupling between adjacent magnetic layers.例文帳に追加

非磁性スペーサ２５ａ等は、隣り合った磁性層間の交換減結合または反強磁性結合を助長する。 - 特許庁

In the antiferromagnetic layer 53, the crystal orientation of the crystalline surface (002) is carried out in parallel with the surface of the base layer.例文帳に追加

反強磁性層５３では下地層の表面に平行に（００２）結晶面が結晶配向される。 - 特許庁

An exchanged connection film 69 is equipped with a ferromagnetic layer and an antiferromagnetic layer superposed on the ferromagnetic layer.例文帳に追加

交換結合膜６９は、強磁性層と、この強磁性層に重ね合わせられる反強磁性層とを備える。 - 特許庁

This layer 33 is composed of an exchange coupling layer 33a and an antiferromagnetic layer 33b laminated one above the other.例文帳に追加

磁化方向固定層は、交換結合層３３ａと反強磁性層３３ｂとを積層してなるものである。 - 特許庁

The increasing of the isolation voltage between the antiferromagnetic film 13 and the lower insulating layer 11 is possible as well.例文帳に追加

また反強磁性膜１３と下部絶縁層１１との間の絶縁耐圧を高めることも可能である。 - 特許庁

The antiferromagnetic layer 52 includes a first layer 521, a second layer 522 and a third layer 523 stacked sequentially.例文帳に追加

反強磁性層５２は、順に積層された第１層５２１、第２層５２２および第３層５２３を含んでいる。 - 特許庁

The intermediate layer is typically made of Ru to promote antiferromagnetic coupling between the upper and lower magnetic layers.例文帳に追加

中間層は、典型的にはＲｕであり、上側と下側磁気層の間の反強磁性結合を促進する。 - 特許庁

The nonmagnetic layer 31 eliminates exchange coupling between the nickel iron layer 32 and the antiferromagnetic layer 14.例文帳に追加

非磁性層３１は、ニッケル鉄層３２と反強磁性層１４との間の交換結合を無くするよう機能する。 - 特許庁

The spin valve type huge magnetoresistance effect element comprises a first antiferromagnetic layer 1, a fixed magnetic layer 2 connected to the first antiferromagnetic layer 1, a nonmagnetic conductive layer 3, a free magnetic layer 4 changing in the magnetizing direction by the signal magnetic field, and a second antiferromagnetic spacer layer 22 to be long distance exchange connected to the magnetic layer 4 via the spacer layer 21.例文帳に追加

第１の反強磁性層１と、この第１の反強磁性層１と接合する固定磁性層２と、非磁性導電層３と、信号磁界により磁化方向が変化する自由磁性層４と、この自由磁性層４に非磁性スペーサ層２１を介して長距離交換結合される第２の反強磁性層２２とを有する構成とする。 - 特許庁

According to various embodiments, a magnetic free layer is separated laterally from an antiferromagnetic layer (AFM) by a nonmagnetic spacer layer, and separated inward from a synthetic antiferromagnetic layer (SFM) by a magnetic tunnel junction.例文帳に追加

さまざまな実施形態に従えば、磁気自由層は、非磁気スペーサ層によって反強磁性層（ＡＦＭ）から横方向に分離されるとともに、磁気トンネル接合によって合成反強磁性層（ＳＡＦ）から内側に分離される。 - 特許庁

First magnetic coupling is antiferromagnetic coupling and second magnetic coupling is ferromagnetic coupling or first magnetic coupling is ferromagnetic coupling and second magnetic coupling is antiferromagnetic coupling.例文帳に追加

第１の磁気結合が反強磁性結合であり、かつ第２の磁気結合が強磁性結合である場合、又は、第１の磁気結合が強磁性結合であり、かつ第２の磁気結合が反強磁性結合である場合のどちらかである。 - 特許庁

A pair of antiferromagnetic layers (second antiferromagnetic layers) 60, 60 are formed via an enhancement layer 59 formed of a magnetic material on hard bias layers 36 formed on both sides in the track widthwise direction of a free-magnetic layer.例文帳に追加

本発明では、フリー磁性層のトラック幅方向の両側に形成されているハードバイアス層３６の上に、磁性材料からなるエンハンス層５９を介して一対の反強磁性層（第２の反強磁性層）６０，６０が形成されている。 - 特許庁

The lamination structure is coupled to at least one antiferromagnetic (AFM) tab a predetermined offset distant from the ABS.例文帳に追加

積層構造は、ＡＢＳから所定のオフセット距離を空けて少なくとも１つの反強磁性（ＡＦＭ）タブに結合される。 - 特許庁

The first antiferromagnetic layer 74 is disposed on an underlayer 73 disposed on the first main shield layer 71.例文帳に追加

第１の反強磁性層７４は、第１の主シールド層７１の上に配置された下地層７３の上に配置されている。 - 特許庁

The decrease in Mrt is achieved, while the thermal stability of the recording medium is not deteriorated, because the volume of particles in ferromagnetic films adhered to each other in an antiferromagnetic manner is increased constructively.例文帳に追加

なぜなら、反強磁性的に結合される膜内の粒子の体積が、建設的に増加するからである。 - 特許庁

An MR device 5 includes a laminate of antiferromagnetic layers 52, a fixed layer 53, a spacer layer 54 and a free layer 55.例文帳に追加

ＭＲ素子５は、積層された反強磁性層５２、固定層５３、スペーサ層５４および自由層５５を備えている。 - 特許庁

Therefore, the antiferromagnetic layer 32 does has no resistance to the sense current, but has a high magnetoresistive effect variation rate.例文帳に追加

このため、反強磁性層３２はセンス電流の抵抗とはならず、高い磁気抵抗変化率を得ることができる。 - 特許庁

In this case, a magnetic metal multilayers film utilizing an antiferromagnetic connection can be employed as the magnetization fixed layer 3a.例文帳に追加

尚、磁化固定層３ａとして、反強磁性結合を利用する磁性金属多層膜を用いることも可能である。 - 特許庁

In addition, the free layer is a layered antiferro-configuration comprising a first ferromagnetic layer/antiferromagnetic binding layer/second ferromagnetic layer, adjusts the magnitude of antiferromagnetic coupling and obtains a linear response characteristic even without providing a vertical bias magnetic field impression mechanism.例文帳に追加

また、自由層を第一の強磁性層／反強磁性結合層／第二の強磁性層から成る積層アンチフェロ構成とし、反強磁性結合の大きさを調整して、縦バイアス磁界印加機構を設けなくても、線型な応答特性を得る。 - 特許庁

A multiplayer film A including a first antiferromagnetic layer 12 and a fixed magnetic layer 13 is subjected to annealing in a first magnetic field while a second antiferromagnetic layer 19 is not stack, and the magnetization direction of the fixed magnetic layer is fixed in a specific direction.例文帳に追加

第１の反強磁性層１２及び固定磁性層１３を含む多層膜Ａを第２の反強磁性層１９）を積層しない状態で、第１の磁場中アニールにかけ前記固定磁性層の磁化方向を所定の方向に固定する。 - 特許庁

The composition of an RE-TM alloy constituting the recording layer 5 is denoted by TMrich, and the flattening layer 3 of good surface smoothness is formed on the substrate of the antiferromagnetic layer 4 to deal with surface roughness caused by the formation of the antiferromagnetic layer 4.例文帳に追加

記録層５を構成するＲＥ−ＴＭ合金の組成をＴＭｒｉｃｈとし、反強磁性層４の形成による表面荒れに対しては反強磁性層４の下地に表面平滑性の良い平坦化層３を形成するものとする。 - 特許庁

To provide a magnetic head which can narrow a lead gap and also make an exchange coupling magnetic field large between an antiferromagnetic layer and a fixed magnetic layer provided on the antiferromagnetic layer, is strong in a degradation factor, such as heat and a magnetic field and has little deterioration in an MR ratio.例文帳に追加

リードギャップを狭くするとともに、反強磁性層とその上に設けた固定磁性層との交換結合磁界を大きくすることができ、熱・磁場という劣化要因に対して強く、ＭＲ比の低下が少ない磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

In order to obtain an exchange coupling layer which is thermally stable and has a large pinning magnetic field, the exchange coupling layer is composed of plural antiferromagnetic films to increase the exchange coupling energy per unit area between the fixing layer and the antiferromagnetic film in contact with the fixing layer.例文帳に追加

具体的には、クロムーマンガンー白金反強磁性合金膜を用い、組成の異なる複数層構成とし、固定層と接触する反強磁性膜の白金組成を固定層から離れた反強磁性膜の白金組成より少なくする。 - 特許庁

The fixed layer (9A) includes a first antiferromagnetic layer (9a) that performs switched connection with the antiferromagnetic layer (8) to fix the magnetization direction, and a second ferromagnetic layer (9b) that is connected in antiparallel with the first ferromagnetic layer through a non-ferromagnetic layer (10).例文帳に追加

固着層（９Ａ）は、反強磁性層（８）と交換結合してその磁化方向が固定される第１の強磁性層（９ａ）と、非磁性層（１０）を介して第１の強磁性層と反平行結合する第２の強磁性層（９ｂ）を含む。 - 特許庁

To provide a storage device which can reduce an amount of a sediment generated in the course of processing an upper antiferromagnetic layer.例文帳に追加

上部の反強磁性層の加工の際に生じる堆積物の量を低減することができる記憶装置を提供する。 - 特許庁

The antiferromagnetic layer 3 is made of a PtMn type material having a composition of Mn 50 atm.% in the interface with the ferromagnetic layer 5.例文帳に追加

反強磁性層３はＰｔＭｎ系材料とし、強磁性層５との界面において、５０原子％Ｍｎの組成とする。 - 特許庁

The bottom faces 31c of the recesses 31a are positioned between the top and bottom surfaces 23a and 23b of the antiferromagnetic layer 23.例文帳に追加

前記凹部３１ａの底面３１ｃは、前記反強磁性層２３の上面２３ａと下面２３ｂとの間に位置している。 - 特許庁

The multilayered film 16 consists of an antiferromagnetic layer 25, first and second ferromagnetic layers 21, 22 and a tunnel insulation layer 23.例文帳に追加

多層膜１６は、反強磁性体層２５、第１および第２の強磁性体層２１，２２、ならびにトンネル絶縁層２３からなる。 - 特許庁

In addition, the switching anisotropic magnetic field also increases, because the joint areas of the antiferromagnetic layers 13 and 13 with the free magnetic layer 25 increase.例文帳に追加

また、第２反強磁性層１３，１３とフリー磁性層２５の接合面積が増え、交換異方性磁界も大きくなる。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, ANTIFERROMAGNETIC FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT PROVIDED WITH THE FILM, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

スパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁

A magnetic resistance sensor 200 includes a fixed layer structure fixed by exchange-coupling to an antiferromagnetic (AFM) layer 232.例文帳に追加

磁気抵抗センサ２００は反強磁性（ＡＦＭ）層２３２に交換結合することによって固定された固定層構造体を含む。 - 特許庁

To increase an exchange-coupling energy between an antiferromagnetic layer and a fixed layer to improve the stability of magnetization of the fixed layer in an exchange-coupling film including the stacked antiferromagnetic layer and fixed layer, a magneto-resistance effect head, a magnetic sensor and a magnetic memory including the film.例文帳に追加

積層された反強磁性層と固定層からなる交換結合膜、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、反強磁性層と固定層間の交換結合エネルギーを増大し、固定層の磁化の安定性を高める。 - 特許庁

The exchanged bond film comprises an antiferromagnetic film having a composition shown by Pt100-zMnz (where, 40<z≤75) and a crystal structure of tetragonal system, and a ferromagnetic film of an FeCo alloy laid on the antiferromagnetic film.例文帳に追加

組成がＰｔ_100-zＭｎ_z（ここで、ｚは、４０＜ｚ≦７５）で表され、かつ結晶構造が正方晶系である反強磁性膜と、前記反強磁性膜と積層形成されたＦｅＣｏ合金からなる強磁性膜とを備えることを特徴とする交換結合膜。 - 特許庁

A multilayer film A containing a first antiferromagnetic layer 12 and the fixed magnetic layer 13 is annealed in a first magnetic field while the multilayer film A is not laminated on a vertical bias layer 18 (second antiferromagnetic layer) to fix the magnetization direction of the fixed magnetic layer in a specific direction.例文帳に追加

第１反強磁性層１２及び固定磁性層１３を含む多層膜Ａを縦バイアス層１８（第２反強磁性層）を積層しない状態で、第１の磁場中アニールにかけ前記固定磁性層の磁化方向を所定の方向に固定する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetoresistance effect element having an antiferromagnetic layer made of an antiferromagnetic material with high corrosion resistance and antiferromagnetism obtained by a low-temperature heat treatment.例文帳に追加

耐蝕性の高い反強磁性材料を用いた磁気抵抗効果素子の製造方法に関し、耐蝕性が高く、かつ反強磁性を付与するための加熱処理の温度が低い材料からなる反強磁性層を用いた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。 - 特許庁