「ANTIFERROMAGNETIC」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A lower electrode 3 is provided on a substrate 5, and after the lower electrode 3 is made common, pair of magnetic tunnel effect elements 2 composed of an antiferromagnetic film 8, lower magnetic layer 9, barrier film 10, and upper magnetic film 11 such as laminated structure, are formed independently and separately on the lower electrode 3.例文帳に追加

基板５上に下部電極3を設け、同下部電極３を共通にして同下部電極３上に、イオンビームエッチング処理により、反強磁性膜８、下磁性層９、バリア膜１０及び上磁性層１１からなる積層構造の一対の磁気トンネル抵抗素子２を独立に分離して形成する。 - 特許庁

Further, the magnetic head for perpendicular magnetic recording is furnished with antiferromagnetic films 32 which are arranged so as to confront with the side wall sections A3, A4 for generating an exchange coupling magnetic field at a part of the track width regulating section 15A adjacent to the side wall sections A3, A4 to face a magnetization in this part toward the direction parallel to the surface opposite to medium.例文帳に追加

垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、側壁部Ａ３，Ａ４に対向するように配置され、側壁部Ａ３，Ａ４に隣接するトラック幅規定部１５Ａの一部に、その一部における磁化を媒体対向面に平行な方向に向ける交換結合磁界を生じさせる反強磁性膜３２を備えている。 - 特許庁

To provide a magnetic detecting element which can have a saturation magnetic field (Hs), a spin flop magnetic field (Hsf), and antiferromagnetic coupling energy (J_A) within proper ranges and also has superior heat resistance, especially, without varying the film thickness of a nonmagnetic intermediate layer forming a laminated ferrimagnetic structure.例文帳に追加

特に、積層フェリ構造を構成する非磁性中間層の膜厚を特に変更することなく、飽和磁界（Ｈｓ）、スピンフロップ磁界（Ｈｓｆ）及び及び反強磁性結合エネルギー（Ｊ_Ａ）を適切な範囲内に収めることができ、さらに耐熱性にも優れる磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

An MTJ element 31 comprises an antiferromagnetic layer 26, an AP2 layer, a SyAF pinned layer 27 composed of a coupling layer and an AP1 layer, a tunnel barrier layer 28 composed of an AlOx, a free layer 29, and a capping layer 30 including NiFeM (M is a metal atom the oxidation potential of which is higher than that of nickel atom and iron atom), in this order.例文帳に追加

このＭＴＪ素子３１は、反強磁性層２６と、ＡＰ２層、結合層およびＡＰ１層からなるＳｙＡＦピンド層２７と、ＡｌＯｘからなるトンネルバリア層２８と、フリー層２９と、ＮｉＦｅＭ（Ｍは、ニッケル原子および鉄原子よりも高い酸化電位の金属原子）を含むキャップ層３０とを順に備える。 - 特許庁

Where exchange coupling energy is J(erg/cm^2) on a border surface between the substance 41 and the antiferromagnetic layer 27, saturation magnetization of the substance 41 is Ms(emu/cc), and coercive force of the substance 41 is Hc(Oe); a thickness t(cm) of the substance 41 is specified as t<J/(Hc×Ms).例文帳に追加

軟磁性体４１と反強磁性層２７の境界面の交換結合エネルギーをＪ（ｅｒｇ／ｃｍ^２）、軟磁性体４１の飽和磁化をＭｓ（ｅｍｕ／ｃｃ）、軟磁性体４１の保磁力をＨｃ（Ｏｅ）とした場合に、軟磁性体４１の厚さｔ（ｃｍ）がｔ＜Ｊ／（Ｈｃ・Ｍｓ）となるように設定する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium produced by successively forming a base layer of an antiferromagnetic material and a magnetic recording layer of a magnetic material essentially consisting of cobalt, an intermediate layer consisting of a ferromagnetic material is further formed between the base layer and the magnetic recording layer.例文帳に追加

非磁性基板上に、反強磁性材料からなる下地層及びその主成分がコバルトである磁性材料からなる磁気記録層を順次設けてなる磁気記録媒体において、下地層と磁気記録層との間に、強磁性材料からなる中間層がさらに介在せしめられているように構成する。 - 特許庁

To provide a synthetic antiferromagnetic substrate spin-valve magneto-resistive structure having an intense effective exchange magnetic field, which realizes easy adjustment of the bias point even if the size of the unit cell is one micrometer or smaller and also maintains a constant position of the bias point and a constant profile of the magneto-resistance transfer curve regardless of the size of the element.例文帳に追加

単位セルのサイズがマイクロメーター以下であってもバイアスポイント調節が容易であり、素子の大きさに関係なくバイアスポイント位置と磁気抵抗伝達曲線の形状が一定に維持される、有効交換磁場の大きい合成反強磁性体基板スピンバルブ磁気抵抗構造体を提供する。 - 特許庁

The magnetic detecting element comprises ferromagnetic layers 18, 19 and a free magnetic layer 17 in which magnetizing directions are aligned in a track width direction by second antiferromagnetic layers 20, 20, and which are laminated via a nonmagnetic layer 18 formed in a predetermined thickness in such a manner that the layer 17 can be surely formed in a single domain in the track widthwise direction.例文帳に追加

第２の反強磁性層２０，２０によってトラック幅方向に磁化方向がそろえられた強磁性層１９，１９とフリー磁性層１７が、一定の厚さで形成されている非磁性層１８を介して積層されることにより、フリー磁性層１７をトラック幅方向に確実に単磁区化できる。 - 特許庁

At least one selected from an antiferromagnetic layer constituting the spin valve film of a magnetoresistance effect type magnetic head, a magnetization fixed layer, a magnetization free layer, and a nonmagnetic layer is set such that a corrosive current density is 0.1 mA/cm^2 or less in a polarization curve (anode curve) using the NaCl solution of a concentration of 0.1 mol/L.例文帳に追加

磁気抵抗効果型磁気ヘッドのスピンバルブ膜を構成する反強磁性層、磁化固定層、磁化自由層、及び非磁性層の少なくともいずれかの単層膜が、濃度０．１ｍｏｌ／ＬのＮａＣｌ溶液を用いた分極曲線（アノード曲線）において、腐食電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^2以下となるようにする。 - 特許庁

A spin injection magnetic random access memory has an antiferromagnetic coupling structure in which filter layers 22, 32 composed of ferromagnetic layers 23, 33, nonmagnetic layers 24, 34, and ferromagnetic layers 25, 35, a plurality of ferromagnetic tunnel junction elements 21, 31 having mutually different switching current characteristics being stacked in series, and equalized in plane area of each ferromagnetic tunnel junction elements 21, 31.例文帳に追加

フィルター層２２，３２が強磁性層２３，３３／非磁性層２４，３４／強磁性層２５，３５からなる反強磁性結合構造を有するとともに互いに異なったスイッチング電流特性を有する強磁性トンネル接合素子２１，３１を直列に複数個積層し、且つ、前記各強磁性トンネル接合素子２１，３１の平面面積を同じにする。 - 特許庁

A magnetizing switch element comprises a free magnetic element, a transfer element magnetically coupled to the magnetic element in such a manner that the transfer element is transferred to a ferromagnetic, paramagnetic or antiferromagnetic magnetizing state by injecting or inducing electrons or holes or further assisting its external magnetic field, thereby changing the magnetizing direction of the free magnetic element.例文帳に追加

自由磁性体と転移体が磁気的に結合され、転移体が、電子またはホ−ルの注入あるいは誘起により、あるいは更に外部磁場をアシストすることにより、強磁性−常磁性−反強磁性の磁化状態転移を行うことで、自由磁性体の磁化方向を変化させることを特徴とする磁化スイッチ素子である。 - 特許庁

A perpendicular magnetic recording medium includes a nonmagnetic interlayer formed on a nonmagnetic substrate, an antiferromagnetic layer having a thickness of 2 nm or more and 30 nm or less, a first nonmagnetic underlayer having a thickness of 0.2 nm or more and 5 nm or less, a first bit patterned ferromagnetic layer, a first bit patterned nonmagnetic layer, and a second bit patterned ferromagnetic layer.例文帳に追加

非磁性基板上に形成された非磁性中間層、２ｎｍ以上３０ｎｍ以下の厚さを有する反強磁性層、０．２ｎｍ以上５ｎｍ以下の厚さを有する第１の非磁性下地層、第１のビットパターン状強磁性層、第１のビットパターン状非磁性層、第２のビットパターン状強磁性層を有する垂直磁気記録媒体。 - 特許庁

A laminate 2 which is a spin valve film is constituted by successively laminating a soft magnetic layer 22, nonmagnetic layer 23, ferromagnetic layer 24, antiferromagnetic layer 25 and protective layer 26 on a ground substrate layer 21 and is so formed that the electric resistance changes according to the relative angle of the direction of the magnetization of the ferromagnetic layer 24 and the direction of the magnetization of the soft magnetic layer 22.例文帳に追加

スピンバルブ膜である積層体２は、下地層２１の上に軟磁性層２２、非磁性層２３、強磁性層２４、反強磁性層２５および保護層２６を順次積層することにより構成されており、強磁性層２４の磁化の向きと軟磁性層２２の磁化の向きとの相対角度に応じて電気抵抗が変化するようになっている。 - 特許庁

Consequently, the saturation magnetic field (Hs), spin flop magnetic field (Hsf), and antiferromagnetic coupling energy (J_A) can property be weakened as compared with a case wherein the nonmagnetic intermediate layer 4b is made of only Rh without specially varying the film thickness of the nonmagnetic intermediate layer 4b (even when adjustments are made within a film thickness range which is generally used so far).例文帳に追加

これにより、前記非磁性中間層４ｂの膜厚を特に変更することなく（従来から一般的に用いられている膜厚範囲内で調整しても）、飽和磁界（Ｈｓ）、スピンフロップ磁界（Ｈｓｆ）及び反強磁性結合エネルギー（Ｊ_Ａ）を、前記非磁性中間層４ｂをＲｈだけで形成した場合に比べて適度に弱めることが出来る。 - 特許庁

The magneto-resistive element, formed on a substrate and having a spin-valve magneto-resistive structure including a free layer and a pinned layer separated by a non-magnetic spacer layer, includes layers of a third ferromagnetic layer-a second antiparallel coupling layer-a second ferromagnetic layer-a first antiparallel coupling layer-a first ferromagnetic layer-an antiferromagnetic layer formed on the top of said spacer layer.例文帳に追加

基板上に形成され、非磁性スぺーサ層により分離されているフリー層と固定層を含むスピンバルブ磁気抵抗構造において、前記スぺーサ層の上部に、第３強磁性層−第２反平行結合層−第２強磁性層−第１反平行結合層−第１強磁性層−反強磁性層を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The magnetic head includes a magnetoresistive effect element in which the antiferromagnetic layer and the fixed magnetic layer are sequentially stacked over a shield layer made of magnetic material through a foundation layer, wherein the foundation layer has a structure in which a non-magnetic layer and a magnetic layer are stacked, and the magnetization of the shield layer and the magnetization of the magnetic layer are connected in parallel.例文帳に追加

本発明に係る磁気ヘッドは、磁性材料からなるシールド層上に下地層を介して反強磁性層、固定磁性層が順次積層された磁気抵抗効果素子を備える磁気ヘッドであって、前記下地層は、非磁性層と磁性層が積層された構造であり、前記シールド層の磁化と前記磁性層の磁化が平行に結合している。 - 特許庁

Therefore, the exchange coupling magnetic field (Hex) generated between a 1st magnetic layer 13 and the antiferromagnetic layer 4 can be increased and a coupling magnetic field due to RKKY interaction can be also increased, so that a unidirectional exchange bias magnetic field (Hex*) in the fixed magnetic layer 3 can be suitably increased as compared with a conventional method.例文帳に追加

これによって第１の磁性層１３と反強磁性層４との間で発生する交換結合磁界（Ｈｅｘ）を大きくできると同時に、ＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくでき、したがって固定磁性層３における一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を従来に比べて適切に大きくすることができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the magnetic detecting element comprises the steps of laminating a ferromagnetic layer 19 and a second antiferromagnetic layer 20 on the nonmagnetic layer 18 formed in a predetermined thickness, then digging out the layer 20 to form a recess 22, and thereby forming the magnetic detecting element in which the free magnetic layer 17 can be surely formed in a single domain in the track width direction.例文帳に追加

一定の厚さで形成されている非磁性層１８上に、強磁性層１９及び第２反強磁性層２０を積層した後、第２反強磁性層２０を掘り込んで凹部２２を形成することによって、フリー磁性層１７をトラック幅方向に確実に単磁区化できる磁気検出素子を形成することができる。 - 特許庁

An antiferromagnetic layer 24 that can cause a switched connection bias between it and a free magnetic layer 23 of each of the magnetic resistance effect elements to be generated without anneal processing in the magnetic field and the magnetizing directions of the free magnetic layers 23 to be aligned with the sensitivity axis directions in a state permitting variations of magnetization is disposed on the upper faces of the free magnetic layers 23.例文帳に追加

各磁気抵抗効果素子のフリー磁性層２３の上面には、フリー磁性層２３との間で磁場中でのアニール処理を行うことなく交換結合バイアスを生じさせ各フリー磁性層２３の磁化方向を磁化変動可能な状態で感度軸方向に対して直交方向に揃えることができる反強磁性層２４が設けられている。 - 特許庁

In this perpendicular magnetic recording medium configured by sequentially stacking a magnetic domain control layer 12, an amorphous soft magnetic underlayer 13, an intermediate layer 14 and a perpendicular recording layer 15 on a substrate 11, the magnetic domain control layer 12 is composed of a three-layer film wherein a first polycrystalline soft magnetic layer, a random antiferromagnetic layer and a second polycrystalline soft layer are stacked.例文帳に追加

基板１１上に磁区制御層１２、非晶質軟磁性下地層１３、中間層１４、垂直記録層１５を順次積層してなる垂直磁気記録媒体において、磁区制御層１２を基板側から第一多結晶軟磁性層、不規則系反強磁性層および第二多結晶軟磁性層が積層された三層膜とする。 - 特許庁

The sensing element (4) comprises the superposition of a layer of a ferromagnetic material (FM1) and a layer of an antiferromagnetic material (AF1) which is arranged in order to obtain a magnetic moment (10) whose component oriented in the direction of the field to be measured varies reversibly as a function of the intensity of the magnetic field to be measured, and linearly in an adjustable magnetic field range.例文帳に追加

感知要素（４）は、強磁性材料層（ＦＭ１）と反強磁性材料層（ＡＦ１）との重畳体からなっており、この重畳体は、測定用磁界の方向における成分が、測定用磁界の強度の関数として可逆的に変化すると共に調整可能磁界範囲において直線的に変化する磁気モーメント（１０）を与えるようになっている。 - 特許庁

A DC current (DCT current) which generates a magnetic field in the direction opposite to the predetermined magnetizing direction of the pin layer adjacent to an antiferromagnetic layer, is supplied to the spin valve magnetoresistance effect element 23 (SV element) while supplying a nearly rectangular alternating current (ACT current) to a recording element 22 of the magnetic head 21 equipped with the recording element 22 and the SV element 23.例文帳に追加

記録素子２２とスピンバルブ磁気抵抗効果素子２３（ＳＶ素子）とを備える磁気ヘッド２１の記録素子２２に略矩形状の交番する電流（ＡＣＴ電流）を供給しつつ、ＳＶ素子２３に反強磁性層に隣接するピン層の所定の磁化方向に対して逆方向の磁界を発生させる直流電流（ＤＣＴ電流）を供給する。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element which is improved in output characteristic and shows thermally stable characteristics is obtained by reducing the influence of a magnetic material constituting the foundation layer of an antiferromagnetic layer constituting the element on the directions of magnetization of the free and fixed magnetic layers by constituting the foundation layer in a three-layer structure of a first ferromagnetic foundation layer, a first nonmagnetic foundation layer, and a second ferromagnetic foundation layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する反強磁性層の下地層に第１下地強磁性層／第１下地非磁性層／第２下地強磁性層といった構造とすることで、自由磁性層及び固定磁性層の磁化方向に対して下地層を構成する磁性体が影響を及ぼすことを低減して、出力特性の向上と熱的に安定した特性を示す磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

The magnetic recording medium 10 is provided with a nonmagnetic base material 1, a nonmagnetic substrate layer 3 formed on the nonmagnetic base material 1, a first recording layer 4 formed on the nonmagnetic substrate layer 3 and having perpendicular magnetic anisotropy, an intermediate layer 5 made of an antiferromagnetic material and formed on the first recording layer 4, and a second recording layer 6 formed on the intermediate layer and having vertical magnetic anisotropy.例文帳に追加

非磁性基材１と、非磁性基材１の上に形成された非磁性下地層３と、非磁性下地層３の上に形成された垂直磁気異方性を有する第１記録層４と、第１記録層４の上に形成され、反強磁性材料からなる中間層５と、中間層の上に形成された垂直磁気異方性を有する第２記録層６とを有する磁気記録媒体１０による。 - 特許庁

The antiferromagnetic film 3 has such a distinctive feature that its (111)-face is grown in parallel with the surface of the film and the half-value width of the locking curve at the (111)-peak by X-ray diffraction is ≤10.0°.例文帳に追加

Ｒ−Ｍｎ（ＲはＩｒ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｒｕ、ＲｅおよびＣｕから選ばれる少なくとも 1種の元素）を含み、かつ面心立方晶構造を有する反強磁性合金からなる反強磁性膜３と、これと交換結合された強磁性膜４とを具備する交換結合膜２であって、反強磁性膜３はその (111)面が膜面に平行に成長しており、かつＸ線回折による (111)ピークのロッキングカーブ半値幅が10.0度以下である。 - 特許庁