「ANTIFERROMAGNETIC」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The second background layer 51a acts on the antiferromagnetic layer 52 to enhance the crystalinity of the antiferromagnetic layer 52 thereby establishing the thin film formation of the antiferromagnetic layer 52.例文帳に追加

第２の下地層５１ａの働きで反強磁性層５２の結晶性が向上し、反強磁性層５２の薄膜化が確立される。 - 特許庁

ANTIFERROMAGNETIC FINE PARTICLE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

反強磁性微小粒子およびその製造方法 - 特許庁

MAGNETIC DEVICE HAVING IMPROVED ANTIFERROMAGNETIC COUPLING FILM例文帳に追加

改良された反強磁性結合膜を有する磁気装置 - 特許庁

REFORMING METHOD FOR ANTIFERROMAGNETIC LAYER AND EXCHANGE COUPLED ELEMENT例文帳に追加

反強磁性層の改質方法及び交換結合素子 - 特許庁

As material for a thermometric resistor 2, an antiferromagnetic semiconductor which is antiferromagnetic below not lower than 100K is used.例文帳に追加

測温抵抗体２の材料として少なくとも１００Ｋ以下で反強磁性となる反強磁性半導体を用いる。 - 特許庁

MAGNETIC DEVICE WITH WEAKLY EXCHANGE COUPLED ANTIFERROMAGNETIC MATERIAL LAYER例文帳に追加

反強磁性物質層と弱い交換結合を有する磁気装置 - 特許庁

DUAL STRIPE SPIN VALVE SENSOR WITHOUT ANTIFERROMAGNETIC PINNING LAYER例文帳に追加

反強磁性ピン止め層を有さないデュアル・ストライプ・スピン・バルブ・センサ - 特許庁

The first and second reference layers (16 and 26) are antiferromagnetic-bonded.例文帳に追加

第１および第２の基準層(16と26)は反強磁性結合される。 - 特許庁

After that, the second antiferromagnetic layer 19 is stack, and the magnetization direction of the second antiferromagnetic layer is fixed in annealing in a second magnetic field.例文帳に追加

その後、第２の反強磁性層１９を積層した後、第２の磁場中アニールにおいて第２の反強磁性層の磁化方向を固定する。 - 特許庁

The spacer layer introduces antiferromagnetic coupling between ferromagnetic layers around.例文帳に追加

スペーサ層は周囲の強磁性層間に反強磁性結合を誘導する。 - 特許庁

The antiferromagnetic layer 4 is regularized and the ferromagnetic layer 3 and antiferromagnetic layer 4 form a ferromagnetic array surface, so that their magnetic moment directions become parallel.例文帳に追加

反強磁性層４は規則化され、強磁性層３および反強磁性層４は強磁性配列面となり、互いの磁気モーメントの方向が平行となる。 - 特許庁

The magnetic domain controlling layer 5 consists of a first antiferromagnetic layer 51 or a laminated structure of a ferromagnetic layer 52 and the first antiferromagnetic layer 51.例文帳に追加

磁区制御層５は、第一の反強磁性体層５１あるいは強磁性体層５２と第一の反強磁性体層５１との積層構造を有する。 - 特許庁

On the antiferromagnetic layer 53, a reference layer 56 that fixes magnetization in the predetermined direction is laminated based on the switched connection with the antiferromagnetic layer 53.例文帳に追加

反強磁性層５３上には、反強磁性層５３との交換結合に基づき所定の方向に磁化を固定するリファレンス層５６が積層される。 - 特許庁

An antiferromagnetic film 1a is formed on the second ferromagnetic film 1b.例文帳に追加

反強磁性膜１ａは第２強磁性膜１ｂ上に設けられている。 - 特許庁

ANTIFERROMAGNETIC MATERIAL FILM, MAGNETORESISTIANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

反強磁性体膜とそれを用いた磁気抵抗効果素子および磁気装置 - 特許庁

Magnetization of the magnetic conductive layer 5 is fixed by an antiferromagnetic conductive layer 6.例文帳に追加

磁性導電層の磁化は反強磁性導電層６によって固定する。 - 特許庁

SPIN VALVE FILM AND METHOD FOR SELECTING OPTIMUM COMPOSITION RATIO IN ANTIFERROMAGNETIC LAYER例文帳に追加

スピンバルブ膜、並びに、その反強磁性体層の最適組成比の選定方法 - 特許庁

EXCHANGE-COUPLING FILM HAVING MULTILAYER ANTIFERROMAGNETIC LAYER AND MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE例文帳に追加

多層の反強磁性層を有する交換結合膜および磁気抵抗効果素子 - 特許庁

In a switched-connection element 1 that is formed by stacking an antiferromagnetic layer 4 and a ferromagnetic layer 5 in order on a substrate 2, the ferromagnetic layer 5 that is connected to the antiferromagnetic layer by switching, the antiferromagnetic layer 4 has a regular phase (Mn_3Ir) of an Mn-Ir alloy.例文帳に追加

基板１上に、反強磁性層４、及び前記反強磁性層と交換結合する強磁性層５が順次積層されてなる交換結合素子１において、前記反強磁性層４が、Mn-Ir合金の規則相（Mn_3Ir）を備えるものとする。 - 特許庁

The antiferromagnetic layers 1a and 1b are provided vertically on the surface of a substrate 11.例文帳に追加

反強磁性層１ａ、１ｂは基板１１の表面に垂直に設けられる。 - 特許庁

At this time, the temperature of the ferromagnetic layer 3 is raised to the regularization temperature of the antiferromagnetic layer 4.例文帳に追加

この際、強磁性層３の温度を反強磁性層４の規則化温度に加熱する。 - 特許庁

Nickel-manganese (Ni-Mn) is preferably used for an antiferromagnetic pinning layer 214.例文帳に追加

反強磁性のピン止め層２１４にはニッケル・マンガン（Ｎｉ−Ｍｎ）を用いるのが望ましい。 - 特許庁

To increase antiferromagnetic coupling between a magnetic layer and a magnetic layer without increasing noise.例文帳に追加

ノイズを増加させることなく、磁気層と磁気層の間の反強磁性結合を増加させる。 - 特許庁

The magnetizing fixed layers 2a and 2b are provided almost parallel to the antiferromagnetic layers 1a and 1b.例文帳に追加

磁化固定層２ａ、２ｂは反強磁性層１ａ、１ｂに略平行に設けられる。 - 特許庁

MANUFACTURE OF LAYER STRUCTURE CONTAINING ARTIFICIAL ANTIFERROMAGNETIC SYSTEM AND MAGNETORESISTANCE SENSOR SYSTEM例文帳に追加

人工反強磁性システムを含む層構造の製造方法並びに磁気抵抗センサシステム - 特許庁

MAGNETIC RECORDING MEDIUM USING ANTIFERROMAGNETIC INTER-LAYER COUPLING MAGNETIC FILM, AND MAGNETIC STORAGE DEVICE例文帳に追加

反強磁性的層間結合磁性膜を用いた磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - 特許庁

It is ascertained that a very small antiferromagnetic layer formed smaller than an antiferromagnetic domain of prescribed dimension L=0.64 is very conductive to an enhancement of an exchanged connection magnetic field.例文帳に追加

こうして所定の反強磁性磁区寸法Ｌ＝０．６４μｍよりも小さく形成される微小な反強磁性層は交換結合磁界の増大に大いに貢献することが確認された。 - 特許庁

In this magnetic detector, both an antiferromagnetic layer and a magnetic layer are laminated in magnetic field in a direction 45 degrees with respect to the long side of the antiferromagnetic and magnetic layers to form a magnetic thin-film core.例文帳に追加

反強磁性層と磁性層とを、前記反強磁性層と磁性層の長手方向に対して４５度の方向の磁場中で積層して磁性薄膜コアを形成する。 - 特許庁

A second antiferromagnetic layer 33 is formed on both the side edges C of the element of a free magnetic layer 28, and a ferromagnetic layer 34 is provided on the second antiferromagnetic layer 33.例文帳に追加

フリー磁性層２８の素子両側端部Ｃ上には第２反強磁性層３３が形成され、前記第２反強磁性層３３上に強磁性層３４が設けられている。 - 特許庁

To increase a resistance changing rate of a spin valve film and to reduce a coercive force of a free layer by increasing a combination energy for an antiferromagnetic layer and a 1st ferromagnetic layer of a spin valve element and increasing an antiferromagnetic combination energy for the 1st ferromagnetic layer and a 2nd ferromagnetic layer through an Ru antiferromagnetic combination layer.例文帳に追加

スピンバルブ素子の反強磁性層と第１強磁性層の結合エネルギー及び、Ru反強磁性結合層を通した第１強磁性層と第２強磁性層の反強磁性的結合エネルギーを大きくし、スピンバルブ膜の抵抗変化率を大きくし、自由層の保磁力を小さくする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetoresistive structure and a method for manufacturing a magnetoresistive head, capable of forming a second antiferromagnetic layer to be formed later without affecting a first antiferromagnetic layer (already formed) using a material as the same as or different from that of the first antiferromagnetic layer.例文帳に追加

あとから形成する第２の反強磁性層を、（既に形成されている）第１の反強磁性層に影響を及ぼすことなく、同一または異なる材料により形成することを可能とする磁気抵抗構造の製造方法および磁気抵抗型ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

This magnetic recording medium is manufactured, so that antiferromagnetic bodies and ferromagnetic particles are brought into direct contact with one another, by dispersing ferromagnetic particles in an antiferromagnetic matrix, by forming an antiferromagnetic layer and an island- shaped ferromagnetic particle layer in this order on a prescribed substrate, by forming an island-shaped ferromagnetic particle layer and an antiferromagnetic layer in this order on a prescribed substrate or by other methods.例文帳に追加

反強磁性マトリックス中に強磁性粒子を分散させる、又は所定の基板上に反強磁性層及び島状の強磁性粒子をこの順に形成する、さらには所定の基板上に島状の強磁性粒子及び反強磁性層をこの順に形成するなどにより、反強磁性体と強磁性粒子とが直接接触してなる磁気記録媒体を製造する。 - 特許庁

The fixed ferromagnetic layer 20 is bonded to the antiferromagnetic layer 5 and has fixed spontaneous magnetization.例文帳に追加

固定強磁性層２０は、反強磁性層５に接合され、固定される固定自発磁化を有する。 - 特許庁

The direction of magnetization of the stationary-side ferromagnetic layer 53 is fixed by the function of an antiferromagnetic layer 52.例文帳に追加

固定側強磁性層５３の磁化方向は反強磁性層５２の働きで固定される。 - 特許庁

The antiferromagnetic material film 3 forms the exchange coupling film 2 through lamination with the ferromagnetic material film 4.例文帳に追加

反強磁性体膜３は強磁性体膜４と積層して交換結合膜２を構成する。 - 特許庁

The antiferromagnetic layer fixes magnetization of the first ferromagnetic layer to a single direction.例文帳に追加

この反強磁性体層により、第１強磁性体層の磁化が１つの方向に固定される。 - 特許庁

An antiferromagnetic layer 20 is provided in the state making contact with the first ferromagnetic layer.例文帳に追加

第１強磁性体層と接触した状態で反強磁性体層２０が設けられる。 - 特許庁

The exchange coupling control layer is formed of a second antiferromagnetic layer or a hard ferromagnetic layer.例文帳に追加

交換結合制御層は第２反強磁性層又は硬質強磁性層から構成される。 - 特許庁

ANTIFERROMAGNETIC FILM, EXCHANGE-COUPLING FILM USING THE SAME, MAGNETORESISTANCE-EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC DEVICE例文帳に追加

反強磁性体膜とそれを用いた交換結合膜、磁気抵抗効果素子および磁気装置 - 特許庁

On the substrate 100, there are laminated the antiferromagnetic layer 104, the magnetization stationary layer 107, the tunnel barrier layer 108 and the magnetization free layer 109 in this order, and there is provided the layer 101 containing Zr and Al, which touches a substrate side of the antiferromagnetic layer 104.例文帳に追加

基板上に、反強磁性層、磁化固定層、トンネルバリア層、磁化自由層がこの順に積層され、反強磁性層の基板側に接する、ＺｒとＡｌを含む層を設けた。 - 特許庁

Furthermore, the second antiferromagnetic layer 41 is made of an insulative and antiferromagnetic material, so that a current is hardly branched and a magnetism detection element with a large reproduction output can be obtained.例文帳に追加

しかも前記第２反強磁性層４１は絶縁性の反強磁性材料であるから、電流が前記第２反強磁性層に分流せず、再生出力の大きい磁気検出素子を得ることができる。 - 特許庁

In an element portion 20 of the magneto-resistance effect type head, the antiferromagnetic layer 1, a first fixed layer 2, an antiferromagnetic coupling layer 4, a second fixed layer 5, a non-magnetic conductive layer 6 and a free layer 7 are layered.例文帳に追加

磁気抵抗効果型ヘッドの素子部２０は、反強磁性層１、第１固定層２、反強磁性結合層４、第２固定層５、非磁性導電層６、自由層７が積層されている。 - 特許庁

In this magnetic detecting element, hard bias layers 18 are formed on both sides of the free magnetic layer 15 and second antiferromagnetic layers 21 are formed on third antiferromagnetic layers formed on both side areas 15a of the magnetic layer 15.例文帳に追加

フリー磁性層１５の両側にハードバイアス層１８を形成するとともに、前記フリー磁性層１５の両側領域上の第３反強磁性層上に第２反強磁性層２１を形成する。 - 特許庁

The reforming method for the antiferromagnetic layer is characterized in that the antiferromagnetic layer is formed on a base body and thermally processed in a vacuum atmosphere of ≤10-9 Torr in initial vacuum degree.例文帳に追加

基体上に反強磁性層を形成し、該反強磁性層を初期真空度が１０^^-9Torr以下の真空雰囲気中で熱処理することを特徴とする反強磁性層の改質方法を採用する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, ANTIFERROMAGNETIC FILM FORMED BY USING THE SAME, MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE例文帳に追加

スパッタリングタ—ゲットと、それを用いて形成した反強磁性体膜、磁気抵抗効果素子および磁気装置 - 特許庁