「ANTIFERROMAGNETIC」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

By forming a hard bias layer 6 on an antiferromagnetic layer 1, a horizontal surface 6' can be formed in a part higher than a lower surface 4' of a free magnetic layer 4 with small film thickness.例文帳に追加

反強磁性層１上にハードバイアス層６が形成されることによって、薄い膜厚で水平面６′をフリー磁性層４の下面４′よりも上方に形成できる。 - 特許庁

Therefore, by using the large switched connection existent between its ferromagnetic and antiferromagnetic layers of its region WA, its excellent high-frequency permeability characteristic is obtained.例文帳に追加

従って、領域ＷＡにおける大きな強磁性層−反強磁性層間交換結合を利用することで、優れた高周波透磁率特性を得ることができる。 - 特許庁

The upper shield layer has a second exchange coupling magnetic field application layer and a second antiferromagnetic layer which is antiferromagnetically coupled with the second exchange coupling magnetic field application layer.例文帳に追加

上部シールド層は、第2の交換結合磁界印加層と、第2の交換結合磁界印加層との間で反強磁性結合する第2の反強磁性層と、を有している。 - 特許庁

The magnetic memory device includes a fixed layer formed on an antiferromagnetic layer, an information storage layer, and a free layer, wherein the information storage layer is formed with SAF structure.例文帳に追加

反強磁性層上に形成された固定層、情報保存層及び自由層を備え、情報保存層は、ＳＡＦ構造で形成される磁気メモリ素子である。 - 特許庁

To provide magnetic materials and methods for using ferromagentic and antiferromagnetic coupling and exchange bias for binary and multistage magnetic memory device.例文帳に追加

磁気結合された強磁性体と反強磁性体との結合および交換バイアスを使用して２進および多状態の磁気メモリ装置を提供する磁気材料および方法。 - 特許庁

The layer has a first composite magnetic layer 6 having a function for preventing Mn of a material composing the antiferromagnetic layer 5 from being diffused to the tunnel insulating layer 9.例文帳に追加

そして、反強磁性層５を構成する材料のＭｎがトンネル絶縁層９へ拡散することを防止する機能を有する第１複合磁性層６を備える。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel joining (MTJ) device having an antiferromagnetic (AFM) layer and used as a magnetic sensor in a magnetic disk drive or a memory cell in a magnetic random access array.例文帳に追加

反強磁性ＡＦＭ層を有し、磁気ディスク・ドライブ中の磁界センサ、または磁気ランダム・アクセスアレイ中のメモリ・セルとして使用する磁気トンネル接合ＭＴＪデバイス。 - 特許庁

The pinned layer 16 has a synthetic antiferromagnetic pinned structure formed by sequentially stacking an AP2 layer 163, a coupling layer 162 and an AP1 layer 161 from the AFM layer 15.例文帳に追加

ピンド層１６は、ＡＦＭ層１５の側から、ＡＰ２層１６３と結合層１６２とＡＰ１層１６１とが順に積層されたシンセティック反強磁性ピンド構造を有する。 - 特許庁

The magnetoresistive structure including a magnetoresistive element having the first antiferromagnetic layer AFM1 is formed, then subjected to a first annealing process under a strong magnetic field at high temperature.例文帳に追加

第１の反強磁性層ＡＦＭ１を有する磁気抵抗素子を含む磁気抵抗構造を形成したのち、強磁界下で高温で第１のアニール工程を行う。 - 特許庁

A magnetic memory device 1 has: a soft magnetic substance 41 formed to partially or entirely cover a wire 15; and an antiferromagnetic layer 27 formed on the external surface of the substance 41.例文帳に追加

磁気記憶装置１において、配線１５の一部又は全部を覆うように軟磁性体４１を形成し、この軟磁性体４１の外面に反強磁性層２７を形成する。 - 特許庁

When the control film is used for this magnetoresistance effect type sensor, the antiferromagnetic layer in the direction of magnetization controlled film is formed, so as to come into contact with a soft magnetic layer whose direction of magnetization is to be controlled.例文帳に追加

磁気抵抗効果型センサに使用するときには、磁化方向を制御したい軟磁性層に上記磁化方向制御膜の反強磁性層を接して設ける。 - 特許庁

An replacement coupling magnetic field is generated between the antiferromagnetic layer 60 and the enhancement layer 59, and thereby the magnetizing direction of the enhancement layer 59 is fixed in the track widthwise direction (direction X in the figure).例文帳に追加

反強磁性層６０とエンハンス層５９間に交換結合磁界が発生して、エンハンス層５９の磁化方向がトラック幅方向（図示Ｘ方向）に固定される。 - 特許庁

A second ferromagnetic layer 32 whose direction of magnetization is antiparallel to that of a first ferromagnetic layer 30 is laminated on a second antiferromagnetic layer 31.例文帳に追加

第２反強磁性層３１の上に磁化方向が第１強磁性層３０の磁化方向に対して反平行方向である第２強磁性層３２を積層する。 - 特許庁

An MR(magnetoresistance effect) element 50 as a magnetic conversion element has a laminated body 5 produced by laminating an antiferromagnetic layer 51, pinned layer 52, nonmagnetic metal 53 and free layer 54.例文帳に追加

磁気変換素子であるＭＲ素子５０は、反強磁性層５１、ピンド層５２、非磁性金属５３およびフリー層５４を積層してなる積層体５を有している。 - 特許庁

The resistance of the antiferromagnetic ferroelectric film 15 is larger than the on resistance when the first and second source/drain regions 11a-1 and 11a-2 communicate with each other via a channel region 11c.例文帳に追加

反強磁性強誘電膜15の抵抗は、第１及び第２ソース／ドレイン領域11a-1, 11a-2がチャネル領域11cを介して導通したときのオン抵抗よりも大きい。 - 特許庁

The antiferromagnetic film is an alloy film preferably including Cr or Mn or metal oxide film except natural oxidization, and is obtained by film forming like plating.例文帳に追加

反強磁性膜は、好ましくは、Ｃｒ又はＭｎを含有する合金の膜又は自然酸化以外の金属酸化膜であり、めっき等により成膜することより得られる。 - 特許庁

To provide an exchange coupled element which has a high unidirectional anisotropy constant Jk, high blocking temperature TB, and small film thickness and a reforming method for an antiferromagnetic layer.例文帳に追加

高い一方向異方性定数Ｊkを有し、かつ高いブロッキング温度ＴBを有し、膜厚が薄い交換結合素子及び反強磁性層の改質方法を提供する。 - 特許庁

To prevent superposition between a surface uneveness image and a spin image, which is a problem in the case of using a ferromagnetic or antiferromagnetic probe, so as to take out only the spin image.例文帳に追加

強磁性あるいは反強磁性探針を用いた場合の問題点である、表面凹凸像とスピン像との重ね合わせを防ぎ、スピン像のみを取り出す。 - 特許庁

To provide an exchange bonding film including a seed layer having a film thickness not thicker than a critical film thickness and capable of generating a strong Hex* between an antiferromagnetic layer and a ferromagnetic layer.例文帳に追加

臨界膜厚以下の膜厚のシード層を有し、反強磁性層と強磁性層の間に強いＨｅｘ＊を発生させることのできる交換結合膜を提供する。 - 特許庁

At least one bilayer consisting respectively of an amorphous or quasi-amorphous material 45 and a material having the same structure or the same crystal lattice as the antiferromagnetic layer is placed in the storage layer 40 between a ferromagnetic layer which is in contact with the semiconductor or insulation layer 42 with confined-current-paths and an antiferromagnetic layer.例文帳に追加

それぞれ非晶質または準非晶質の材料４５と、反強磁性層と同一の構造または同一の結晶格子を有する材料と、からなる１つ又はそれ以上の二重層が、前記半導体または制限電流路の絶縁層４２と接触する強磁性層と反強磁性層との間の前記記憶層４０に配置される。 - 特許庁

In addition, because the lengths of the each layers in terms of an MR height are the same on the contact area between the pinned layer 34 and the antiferromagnetic layer 33, the pinned layer 34 contacts the antiferromagnetic layer 33 across the whole MR height, exchange coupling is enhanced so much that the tilt of the magnetization direction can be more effectively suppressed.例文帳に追加

しかも、ピンド層３４と反強磁性層３３との接触領域におけるＭＲハイト方向の各層の長さが等しくなっているため、ピンド層３４はＭＲハイト方向全体に渡って反強磁性層３３と接触していることになり、交換結合力が高められて磁化方向の傾きをより効果的に抑制できる。 - 特許庁

The magneto-resistive head 10 includes a lower magnetic shield 16, an antiferromagnetic layer 22 disposed on the lower magnetic shield 16, a pinned ferromagnetic layer 24 disposed on the antiferromagnetic layer 22, a nonmagnetic intermediate 26 disposed on the pinned ferromagnetic layer 24, and a free ferromagnetic layer 28 disposed on the nonmagnetic intermediate layer 26.例文帳に追加

磁気抵抗ヘッド１０であって、下部磁気シールド１６と、下部磁気シールド１６上に配置された反強磁性層２２と、反強磁性層２２上に配置されたピンド強磁性層２４と、ピンド強磁性層２４上に配置された非磁性中間層２６と、非磁性中間層２６上に配置されたフリー強磁性層２８とを含んでいる。 - 特許庁

The magnetic resistance multilayer film to be used for a reproducing magnetic head or an MRAM which utilizes a giant magnetic resistance effect has structure that an antiferromagnetic layer 3, a magnetized fixed layer 4 of which the magnetization direction is fixed due to coupling with the antiferromagnetic layer 3, a non-magnetic spacer layer 5, and a magnetized free layer 6 of which the magnetization direction is free are successively laminated.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果を利用する再生用磁気ヘッドやＭＲＡＭに使用される磁気抵抗多層膜であり、反強磁性層３と、反強磁性層３との結合により磁化の向きが固定されている磁化固定層４と、非磁性スペーサ層５と、磁化の向きが自由である磁化自由層６とが順に積層された構造を有する。 - 特許庁

The magnetoresistive sensor comprises a first antiferromagnetic layer, a pinned ferromagnetic layer formed on the first antiferromagnetic layer, a first non-magnetic conductive layer formed on the pinned ferromagnetic layer, a free ferromagnetic layer formed on the first non-magnetic conductive layer, and a second non-magnetic conductive layer formed on the free ferromagnetic layer.例文帳に追加

磁気抵抗センサであって、第１反強磁性層と、該第１反強磁性層上に設けられたピンド強磁性層と、該ピンド強磁性層上に設けられた第１非磁性導電層と、該第１非磁性導電層上に設けられたフリー強磁性層と、該フリー強磁性層上に設けられた第２非磁性導電層とを含んでいる。 - 特許庁

A mean grain sizes of crystal grains of a lower site layer (preferably an antiferromagnetic layer 42) of the MTJ 40 is 30 nm or smaller, and a crystal array of the lower site layer is oriented randomly (not oriented).例文帳に追加

前記ＭＴＪ４０の下位層（好ましくは反強磁性層４２）の結晶粒の平均粒径を３０ｎｍ以下とし、且つ、その下位層の結晶配列をランダム配向（無配向）とする。 - 特許庁

The fixing layers 41 and 42 are provided with: the pinned layer 42 magnetized along an x-axis direction vertical to a thickness direction; and the antiferromagnetic layer 41 connected to the pinned layer 42.例文帳に追加

なお、固定層４１，４２は、厚み方向に垂直なｘ軸方向に沿って磁化されたピンド層４２と、ピンド層４２に結合する反強磁性層４１とから構成されている。 - 特許庁

A ferromagnetic layer 13 which carries out antiferromagnetic exchange coupling with the free layer 27 is arranged at the part where the areas on the both sides of the free layer 27 are overlapped with the electrode layer 15.例文帳に追加

フリー層２７の両側領域における電極層１５と重なっている部分に当該フリー層２７に反強磁性的交換結合する強磁性層１３が配置されている。 - 特許庁

While the ferromagnetic layer 3 is heated in the argon gas, an antiferromagnetic layer 4 is formed on the ferromagnetic layer 3 by applying a magnetic field in the same direction with the formation of the ferromagnetic layer 3.例文帳に追加

アルゴンガス中で強磁性層３を加熱した状態で、強磁性層３形成時と同方向の磁界を印加して強磁性層３上に反強磁性層４を形成する。 - 特許庁

The plasma treatment layer 45 can be formed in such a way that the surface of the fixation layer 44, the film-formation initial layer of the antiferromagnetic layer 46 or several atomic layers of both are exposed to an argon ion plasma.例文帳に追加

プラズマ処理層４５は固定層４４の表面、反強磁性層４６の成膜初期層、又は双方の数原子層をアルゴンイオンプラズマに曝すことで形成することができる。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element comprises a bias substrate layer 33, a hard bias layer 34 and an electrode layer 36 laminated on the antiferromagnetic layer 26 of both side regions of a multilayer film 31 via an amorphous insulating layer 32.例文帳に追加

多層膜３１の両側領域の反強磁性層２６上に、アモルファス絶縁層３２を介してバイアス下地層３３、ハードバイアス層３４、電極層３６を積層する。 - 特許庁

The AP1 layer in the SyAF pinned layer 27 includes a two-layer structure of an amorphous CoFeB layer and a crystalline CoFe layer laminated in order from the side of the antiferromagnetic layer 26.例文帳に追加

ＳｙＡＦピンド層２７におけるＡＰ１層は、反強磁性層２６の側から順に積層された非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む。 - 特許庁

To dispense with the necessity of an antiferromagnetic(AFM) layer in a sensor, to make realizable doubling of read signals and an operation in a differential mode showing high symmetry, and to make achievable a high reading performance.例文帳に追加

センサ内の反強磁性（ＡＦＭ）層の必要性をなし、読取り信号の倍増と、高い対称性を示すディファレンシャル・モードでの動作とを実現し、高い読取りパフォーマンスを達成する。 - 特許庁

With this constitution, the sense current IS is made to flow through the free layer 38, the intermediate layer 37, and the pinned layer 36, and the sense current is basically not made to flow through the antiferromagnetic layer 32.例文帳に追加

この構成により、センス電流Ｉ_Ｓはフリー層３８、中間層３７、及びピンド層３６に流れ、反強磁性層３２には基本的にセンス電流は流れないことになる。 - 特許庁

A second antiferromagnetic layer 31 is formed on the free magnetic layer 28 and a non-magnetic layer 32 comprising Cr and having thin film thickness is formed on the layer 31.例文帳に追加

フリー磁性層２８上には第２反強磁性層３１が形成され、前記第２反強磁性層３１上にはＣｒで形成された薄い膜厚の非磁性層３２が設けられている。 - 特許庁

A magnetic field caused by the exchange coupling of the coupling layer 33a with the antiferromagnetic layer 33b sections the magnetic layers of the laminate 20 into single magnetic domains, thus suppressing the Barkhausen noise.例文帳に追加

交換結合層３３ａと反強磁性層３３ｂとの交換結合により生じる磁場により、積層体２０の磁性層が単磁区化され、バルクハウゼンノイズが抑制される。 - 特許庁

The spiral domain is suppressed from occurring by setting a long-distance exchange-coupling bias, due to the second antiferromagnetic layer 18, in the direction reverse to the sense current Is.例文帳に追加

第２反強磁性層１８による長距離交換結合バイアスをセンス電流Ｉｓの向きとは逆回転方向に設定することにより、渦巻き状磁区の発生を抑制する。 - 特許庁

An antiferromagnetic layer 23 laminated through a non-magnetic metal layer 24 on a free layer 25 applies an exchange coupling magnetic field to the free layer 25 in a track width direction as a bias magnetic field.例文帳に追加

フリー層２５上に非磁性金属層２４を介して積層された反強磁性層２３は、交換結合磁界をバイアス磁界としてフリー層２５に対してトラック幅方向に与える。 - 特許庁

To prevent magnetization inversion of a fixed layer due to external stress in a magneto-resistance effect type head having a multilayer ferrimagnet type fixed layer which uses IrMnCr as an antiferromagnetic layer.例文帳に追加

ＩｒＭｎＣｒを反強磁性層として用いた積層フェリ型固定層を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、外部ストレスによる固定層の磁化反転を防止する。 - 特許庁

The tab 422 further includes a first antiferromagnetic layer 420 which is formed over the layer 410 and makes exchange coupled with the layer 410.例文帳に追加

第１の反平行結合バイアス安定化タブ４２２は更に、第１の強磁性バイアス層４１０上に形成され、この層と交換結合する第１の反強磁性層４２０を含む。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element includes an antiferromagnetic layer (8), a sticking layer (9A) where the magnetization direction is fixedly set, and a free layer (12) where the magnetization direction varies with applied magnetic field (Hap).例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、反強磁性層（８）と、その磁化方向が固定的に設定される固着層（９Ａ）と、印加磁界（Ｈａｐ）によりその磁化方向が変化する自由層（１２）を含む。 - 特許庁

Then, the ferromagnetic properties thereof are controlled by the addition of antiferromagnetic transition metals such as Ti, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Rh, Ru or the like, the addition of dopants, and the control of the concentration of the transition metals.例文帳に追加

そして、Ti, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Rh,またはRuなどその他の反強磁性の遷移金属の添加、ドーパントの添加などやこれらの遷移金属の濃度の調整、により強磁性特性を調整する。 - 特許庁

Then, the ferromagnetic properties thereof are controlled by the addition of antiferromagnetic transition metals such as Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Rh, Ru or the like, the addition of dopants, and the control of the concentration of the transition metals.例文帳に追加

そして、Mn,Fe, Co, Ni, Cu, Rh,またはRuなどその他の反強磁性の遷移金属の添加、ドーパントの添加などやこれらの遷移金属の濃度の調整、により強磁性特性を調整する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element is composed by utilizing the ferromagnetic tunnel effect, in which the magnetoresistance effect element comprising an antiferromagnetic layer, the magnetic layer, an intermediate layer, and the magnetic layer is formed between electrode layers.例文帳に追加

反強磁性層／磁性層／中間層／磁性層からなる磁気抵抗効果素子を電極層間に形成した強磁性トンネル効果を利用した磁気抵抗効果素子とする。 - 特許庁

To solve problems with the surface roughness of an antiferromagnetic layer and the crystallinity of a tunnel barrier layer to obtain favorable magnetoresistance characteristics, for achieving the thinning of a tunnel magnetoresistance effect element layer.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の薄層化を図るべく、反強磁性層の表面粗さやトンネルバリア層の結晶性の問題を解消し、良好な磁気抵抗特性を得る。 - 特許庁

To produce an effective exchange combined magnetic field without any high-temperature and long-time heat treatment after the formation of the exchange combined film having an antiferromagnetic layer using regular alloy.例文帳に追加

規則合金を用いた反強磁性層を有する交換結合膜の形成において、形成後に高温長時間の熱処理をすることなく有効な交換結合磁界を発生させる。 - 特許庁