「ANTIFERROMAGNETIC」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A spacer layer 62 is formed on the fixed layer 56 as a formed object having appropriate thickness of an antiferromagnetic material having conductivity as Cu.例文帳に追加

スペーサ層６２は、Ｃｕのような導電性で反強磁性材の、適当な厚さの形成物として、固定層５６の上に形成する。 - 特許庁

The antiferromagnetic coupling is formed between the ferromagnetic layer 14 and ferromagnetic layer 16 formed with the nonmagnetic layer 15 interposed.例文帳に追加

非磁性層１５を介して形成された強磁性層１４と強磁性層１６との間には反強磁性結合が形成されている。 - 特許庁

Then, the residual magnetoresistive structure including the second antiferromagnetic layer AFM2 is formed, then subjected to a weak magnetic field (Hann) annealing process.例文帳に追加

次に、第２の反強磁性層ＡＦＭ２を含む残りの磁気抵抗構造を形成したのち、弱磁界（Ｈ_an_n ）アニール工程を行う。 - 特許庁

Controlling of magnetic domains by the magnetic controlling layers 5 in the magneto-resistance effect film 12 can be stabilized by the first antiferromagnetic layer 51.例文帳に追加

第一の反強磁性体層５１によって、磁気制御層５による磁気抵抗効果膜１２における磁区制御を安定化できる。 - 特許庁

To magnetically transfer magnetic patterns to a high-density magnetic recording medium utilizing the antiferromagnetic bond of two material layers with high accuracy.例文帳に追加

２つの磁性層の反強磁性結合を利用した高密度磁気記録媒体に対し、磁気パターンの磁気転写を精度よく行う。 - 特許庁

A preferable manufacturing method for the switched-connection element is when forming an antiferromagnetic thin film layer, to heat a substrate up to a specified temperature preset so as to form the regular phase of the Mn-Ir alloy, and to apply annealing treatment to it after the antiferromagnetic thin film layer has been formed.例文帳に追加

上記交換結合素子の好適な製造方法としては、反強磁性薄膜層を形成する際に、基板を、Mn-Ir合金の規則相を形成するために予め定めた所定の基板温度となるように加熱し、かつ反強磁性薄膜層の形成後に、アニール処理を行う。 - 特許庁

A couple of antiferromagnetic layers 111 and 111 are formed below the extension parts 121a and 121a at an interval along the track width, and a couple of 2nd antiferromagnetic layers 113 and 113 are provided above the extension parts 121a and 121a at an interval along the track width.例文帳に追加

前記延出部１２１ａ，１２１ａの下方にトラック幅方向に間隔を空けて一対の第１反強磁性層１１１，１１１が形成され、かつ前記延出部１２１ａ，１２１ａの上方にトラック幅方向に間隔を空けて一対の第２反強磁性層１１３，１１３が形成されている。 - 特許庁

This indicates the fact that even though the thickness tAF of its antiferromagnetic layer 16 is small, its switched connection is existent between its ferromagnetic layer 14 and its antiferromagnetic layer 16, and the intensity Jc thereof is larger than the intensity Jc (white circular points) of its switched connection which is determined from its switched bias magnetic field He.例文帳に追加

これは、反強磁性層１６の厚みｔAFが薄くても強磁性層１４と反強磁性層１６の間に交換結合が存在しており、その強さＪｃは、交換バイアス磁界Ｈｅから決定した交換結合の強さＪｃ（白丸）よりも大きい。 - 特許庁

This spin valve type magneto-resistance effect head has a spin valve film 17a in which a soft magnetic free layer F, a conductive spacer layer S and a fixed layer P including a hard antiferromagnetic film 17a5 and a magnetic film 17a4 in which magnetization is fixed by the antiferromagnetic film are laminated.例文帳に追加

本発明のスピンバルブ型磁気抵抗効果ヘッドは、軟質磁性の自由層Ｆ、導電性のスペーサ層Ｓ、及び硬質の反強磁性膜１７ａ５と同反強磁性膜により磁化が固着された磁性膜１７ａ４を含む固着層Ｐを積層したスピンバルブ膜１７ａを有している。 - 特許庁

A semiconductor device formed between a word line and bit line has a growth layer, antiferromagnetic layer formed on the growth layer, a pin layer formed on the antiferromagnetic layer, a tunnel barrier layer formed on the pin layer, and a free layer formed on the tunnel barrier layer.例文帳に追加

ワード線とビット線の間に形成される半導体素子は、成長層と、前記成長層上に形成される反強磁性層と、前記反強磁性層上に形成されるピン層と、前記ピン層上に形成されるトンネル障壁層と、前記トンネル障壁上に形成されるフリー層とを有する。 - 特許庁

A magnetic compensation layer (69) composed of an antiferromagnetic material is disposed on a surface of the free layer opposite to the fist nonmagnetic intermediate layer.例文帳に追加

フリー層の、第１の非磁性中間層とは反対側の表面上に、反強磁性材料からなる磁化補償層(69)が配置されている。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ANTIFERROMAGNETIC FILM, MANUFACTURING METHOD OF EXCHANGE COUPLING FILM, MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC DEVICE例文帳に追加

反強磁性体膜の製造方法、交換結合膜の製造方法、磁気抵抗効果素子の製造方法、および磁気装置の製造方法 - 特許庁

On the non magnetic substrate 1, preferably a core forming layer 2 is formed, and a multilayer soft magnetic backing layer 3 including antiferromagnetic film is formed on the layer 2.例文帳に追加

非磁性基板１上に、好ましくは核付け層２を設け、この上に反強磁性膜を含む多層軟磁性裏打ち層３を成膜する。 - 特許庁

At this time, the respective layers are formed to a thickness below 20 mm and the layer on the lower side of the antiferromagnetic substance layer 200 is thinner than the layer of the upper side.例文帳に追加

このとき、それぞれの層が、２０ｎｍ以下の厚さに形成され、反強磁性体層２００の下側の層は、上側の層より薄い。 - 特許庁

The magnetizing direction of the first magnetizing fixed layers 2a and 2b, that are both ends of the identical magnetic film 32, is fixed by the antiferromagnetic layers 1a and 1b.例文帳に追加

同一磁性膜３２の両端部である第１磁化固定層２ａ、２ｂの磁化の向きは、反強磁性層１ａ、１ｂで固定される。 - 特許庁

By the interlayer antiferromagnetic coupling, the generation of the magnetic wall in the lining layer 22 is suppressed, and spike noise generated by the magnetic wall is reduced.例文帳に追加

層間反強磁性結合により、裏打ち層２２における磁壁の発生が抑制され、磁壁により生じていたスパイクノイズが低減される。 - 特許庁

The solid memory device comprises magnetization fixing layers 101, 109 which are composed of a permanent magnet, or an antiferromagnetic material for fixing the direction of magnetization of high-spin polarized layers 102, 104, 106, 108.例文帳に追加

磁化固定層101、109は、高スピン偏極層102、104、106、108の磁化方向を固定するための永久磁石あるいは反強磁性を示す層である。 - 特許庁

The respective dummy films 16 (upper magnetic layers 11) on the different lower electrodes 3 and antiferromagnetic films 8 are connected using upper electrodes 4.例文帳に追加

異なる下部電極3及び反強磁性膜８上の各ダミー膜１６（上磁性層１１）を上部電極４によりそれぞれ接続する。 - 特許庁

The magnetoresistive element is provided with an antiferromagnetic layer 5, a fixed ferromagnetic layer 20, a tunnel insulating layer 9 and a free ferromagnetic layer 21.例文帳に追加

反強磁性層５と固定強磁性層２０とトンネル絶縁層９と自由強磁性層２１とを具備する磁気抵抗素子を用いる。 - 特許庁

The magnetoresistive effect element comprises antiferromagnetic layers 1a and 1b, magnetizing fixed layers 2a and 2b, a magnetizing free layer 3, a nonmagnetic layer 4, and a magnetizing fixed layer 5.例文帳に追加

反強磁性層１ａ、１ｂ、磁化固定層２ａ、２ｂ、磁化自由層３、非磁性層４及び磁化固定層５を具備する磁気抵抗効果素子を用いる。 - 特許庁

In the magnetic detecting element; a multilayered film 31 containing an antiferromagnetic layer 23, a fixed magnetic layer 24, a nonmagnetic material layer 25, and a free magnetic layer 26 is formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に、反強磁性層２３と固定磁性層２４と非磁性材料層２５とフリー磁性層２６とを含む多層膜３１が形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method by which a high-purity Mn material having high yield as a target material and most suitably used for antiferromagnetic thin film deposition can be obtained.例文帳に追加

ターゲット材としての歩留まりが高く、かつ反強磁性薄膜形成用として最適な高純度Ｍｎ材料を得る製造方法の提供。 - 特許庁

The magnetization of the first ferromagnetic stable layer and the magnetic free layer are coupled in an antiferromagnetic or a ferromagnetic alignment through the non-magnetic coupling layer 21.例文帳に追加

第一の強磁性安定層の磁化と磁化自由層は非磁性結合層２１を介して、反強磁性的あるいは強磁性的に結合している。 - 特許庁

The magnetic orientation of the ferromagnetic layer 33 is fixed by the antiferromagnetic layer 35, and the ferromagnetic layer is made thicker than the free layer 27.例文帳に追加

強磁性層３３は、反強磁性層３５により磁化方向が固定されており、磁気膜厚がフリー層２７の磁気膜厚よりも大きく設定されている。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element which includes a magnetic material, which forms antiferromagnetic combination with full Heusler alloy high in spin polarization rate, and which is high in TMR (tunnel magnetoresistance ratio).例文帳に追加

スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

The soft magnetic backing layer 3 is exchange coupled between the soft magnetic film and the antiferromagnetic film, and has anisotropy in the circumferential direction or radial direction.例文帳に追加

この軟磁性裏打ち層３は、軟磁性膜と反強磁性膜の間で交換結合しており、かつ周方向もしくは径方向に異方性を有している。 - 特許庁

Further, an antiferromagnetic layer that fixes the magnetization direction of the fixed magnetic layer is provided at a position deeper in a height direction than that of the giant magnetoresistive element.例文帳に追加

さらに、固定磁性層の磁化方向を固定する反強磁性層を、巨大磁気抵抗効果素子よりもハイト方向奥側の位置に備える。 - 特許庁

Further, the enhancement of the crystalinity of the antiferromagnetic layer 52 increases the magnitude of the anisotropic magnetic filed and the MR ratio of the spin valve film 41a.例文帳に追加

また、反強磁性層５２の結晶性の向上によりスピンバルブ膜４１ａの異方性磁界の大きさやＭＲ比は増大することができる。 - 特許庁

It is desirable that the antiferromagnetic layer is formed of IrMn alloy and the soft magnetic backing layer is formed of alloy having the fcc structure and at least containing Ni and Fe.例文帳に追加

反強磁性層はＩｒＭｎ合金、軟磁性裏打ち層はｆｃｃ構造を有し少なくともＮｉとＦｅを含む合金とすることが好ましい。 - 特許庁

A substrate layer which is composed of a (002)-oriented hexagonal crystal system metal and an antiferromagnetic layer, which is formed on the substrate layer constitute this direction of magnetization controlled film.例文帳に追加

（００２）配向した六方晶系金属からなる下地層と、上記下地層上に形成された反強磁性層とからなる磁化方向制御膜である。 - 特許庁

An insulative second antiferromagnetic layer 41 is provided on a multilayer film 23 at a specified interval in the direction of the width of a track (track width Tw).例文帳に追加

多層膜２３上にはトラック幅方向に所定の間隔（トラック幅Ｔｗ）を開けて、絶縁性の第２反強磁性層４１が設けられている。 - 特許庁

The nickel iron layer 13 applies a permanent longitudinal bias magnetic field in a first direction to the spin valve structure 10 in cooperation with the antiferromagnetic layer 14.例文帳に追加

ニッケル鉄層１３は反強磁性層１４と協働して第１の方向の永久縦バイアス磁界をスピンバルブ構造１０に印加するよう機能する。 - 特許庁

At least one separating layer 73 for suppressing exchange interaction to the ferromagnetic layer 70 by the antiferromagnetic layers 71 is formed in the magnetic shielding layer 7.例文帳に追加

磁気シールド層７に、反強磁性層７１による強磁性層７０への交換相互作用を抑制する分離層７３を少なくとも一層形成した。 - 特許庁

To provide an antiferromagnetically coupling (AFC) material strengthening antiferromagnetic exchange coupling between two ferromagnetic layers, in a magnetic recording disk.例文帳に追加

磁気記録ディスクにおいて、２層の強磁性層間における反強磁性交換結合を強くする反強磁性結合（ＡＦＣ）材料が望まれている。 - 特許庁

The multiferroic thin film may be formed of at least one of BiFeO_3, or any other ferroelectric and antiferromagnetic material.例文帳に追加

マルチフェロイック薄膜は、ＢｉＦｅＯ_３又は任意のその他の強誘電性および反強磁性材料の少なくとも１つを含むように形成される。 - 特許庁

To provide a magnetic detecting element that has a low electrical resistance between an antiferromagnetic layer giving a vertical bias and a free magnetic layer and a strong switching anisotropic magnetic field.例文帳に追加

縦バイアスを与える反強磁性層とフリー磁性層間の電気抵抗が小さく、また交換異方性磁界が大きい磁気検出素子を提供する。 - 特許庁

The composite FGL 40 has a synthetic antiferromagnetic structure consisting of a lower FGL 27b, an upper FGL 29, and an intermediate coupling layer 28 therebetween.例文帳に追加

複合ＦＧＬ４０は、下部ＦＧＬ２７ｂと、上部ＦＧＬ２９と、これらの間の中間結合層２８とからなるシンセティック反強磁性構造を有する。 - 特許庁

To realize stabilization of film composition and film quality and also to stably obtain sufficient exchange coupling force under the room temperature and higher temperature range, in an antiferromagnetic material film, consisting of the Mn alloy which exhibits superior corrosion resistance and thermal characteristics.例文帳に追加

耐食性や熱特性に優れるＭｎ合金からなる反強磁性体膜において、膜組成や膜質の安定化を図る。 - 特許庁

The emitted laser light 39 raises temperatures of a first ferromagnetic layer and an antiferromagnetic layer included in the reproducing element to temperatures not lower than the blocking temperature.例文帳に追加

出射されたレーザ光３９は、再生素子に含まれる第一の強磁性層及び反強磁性層をブロッキング温度以上の温度に昇温させる。 - 特許庁

To strengthen exchange connection and to improve coercive force in a magnetic material having exchange connection of an antiferromagnetic phase and a ferromagnetic phase.例文帳に追加

反強磁性相と強磁性相との交換結合を有する磁性材料において、交換結合をより強固にし、保磁力を向上させること。 - 特許庁

Electrode layers 35 and 36 include soft magnetic layers 351 and 361 having lower surfaces abutting on the upper surfaces of the antiferromagnetic layers 41 and 42.例文帳に追加

電極層３５、３６は、軟磁性層３５１、３６１を含み、軟磁性層３５１、３６１は、下面が反強磁性層４１、４２の上面に隣接する。 - 特許庁

The magnetic random access memory for making the inverted magnetic field drop includes a first antiferromagnetic layer, a fixed layer formed on the first antiferromagnetic layer, a tunnel barrier layer formed on the fixed layer, a ferromagnetic free layer formed on the tunnel barrier layer, and a metal multilayer formed on the ferromagnetic free layer.例文帳に追加

本発明に係る、反転磁場を降下させる磁気抵抗メモリは、第一反強磁性層と、第一反強磁性層上に形成される固定層と、固定層上に形成されるトンネルバリア層と、トンネルバリア層上に形成される強磁性自由層及び、強磁性自由層上に形成される多層構造金属層とを含む。 - 特許庁

The first shield layer 3 includes a first exchange coupled magnetic field application layer 13 applying an exchange coupled magnetic field in a direction parallel to a surface facing the recording medium, on the first MR magnetic layer 6; and a first antiferromagnetic layer 12 coupled in an antiferromagnetic manner to the first exchange coupled magnetic field application layer.例文帳に追加

第１のシールド層３は、第１のＭＲ磁性層６に記録媒体対向面と平行な向きの交換結合磁界を印加する第１の交換結合磁界印加層１３と、第１の交換結合磁界印加層との間で反強磁性結合する第１の反強磁性層１２と、を有している。 - 特許庁

After a first electrode layer 34 is formed on the second antiferromagnetic layer 31, a step of forming a second electrode layer 36 from the internal end faces 31a and 34a of the second antiferromagnetic layer 31 and first electrode layer 34 to the upper surface of a multilayer film 40 through another layer is performed.例文帳に追加

第２反強磁性層３１上に第１電極層３４を形成し、この第１電極層３４とは別工程で、前記第２反強磁性層３１及び第１電極層３４の内側端面３１ａ、３４ａ上から多層膜４０の上面にかけて他層を介して第２電極層３６を形成する。 - 特許庁

The 1st ferromagnetic layer is constituted of antiferromagnetically coupled 1st and 2nd ferromagnetic films 133a, 133b each other by being separated with an antiferromagnetic combination film 133c, and a specific metal is diffused to at least a part of the 1st ferromagnetic film 133a adjacent to the antiferromagnetic layer 134.例文帳に追加

第１の強磁性層が反強磁性結合膜１３３ｃによって分離され互いに反強磁性的に結合された第１及び第２の強磁性膜１３３ａ，１３３ｂから構成されており、反強磁性層１３４に隣接する第１の強磁性膜１３３ａの少なくとも一部に所定金属が拡散されている。 - 特許庁