「Breakdown strength」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

HIGH BREAKDOWN STRENGTH SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

高耐圧半導体素子およびその製造方法 - 特許庁

To provide a protective circuit having a high electrostatic breakdown strength.例文帳に追加

静電気耐量の高い保護回路を提供する。 - 特許庁

HIGH BREAKDOWN-STRENGTH SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

高耐圧型半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

To give a semiconductor element for electric power a high breakdown strength.例文帳に追加

電力用の半導体素子を高耐圧化させる。 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING COLLECTOR-EMITTER BREAKDOWN STRENGTH OF BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

バイポーラトランジスタのコレクタ・エミッタ間耐圧の測定方法 - 特許庁

To provide a high integration semiconductor device in which breakdown strength of a high breakdown strength PMOS transistor is ensured.例文帳に追加

高耐圧ＰＭＯＳトランジスタの耐圧を確保した高集積化された半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The breakdown value of the rectifier element 28 is set not less than the breakdown strength of the switch element 18.例文帳に追加

整流素子２８のブレークダウン値がスイッチング素子１８の耐圧値に等しいかそれ以上である。 - 特許庁

To decrease the number of fabrication steps required for forming a high breakdown strength transistor and an ordinary breakdown strength transistor on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

高耐圧トランジスタと通常耐圧トランジスタとを同一半導体基板上に形成する際に工程数を削減する。 - 特許庁

To improve avalanche breakdown strength and element reliability simultaneously.例文帳に追加

アバランシェ破壊耐量と素子の信頼性を同時に向上させる。 - 特許庁

To precisely test equipment for harmonic breakdown strength.例文帳に追加

機器の高調波耐量について正確に試験できるようにする。 - 特許庁

EDGE STRUCTURE WITH HIGH BREAKDOWN STRENGTH FOR SEMICONDUCTOR MODULE例文帳に追加

半導体モジュ—ル用の高電圧耐性を有する縁部構造体 - 特許庁

To prevent leakage defect of a normal breakdown strength MOS transistor and a high breakdown strength MOS transistor made on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

同一半導体基板上に形成される通常耐圧ＭＯＳトランジスタと高耐圧ＭＯＳトランジスタのリーク不良を防止する。 - 特許庁

To easily obtain a semiconductor device of high breakdown strength and low on-voltage.例文帳に追加

高耐圧及び低オン電圧の半導体装置を容易に得る。 - 特許庁

To enhance the breakdown strength and the durability of lightweight golf club shaft.例文帳に追加

軽量ゴルフクラブシャフトの折損強度および耐久性を高める。 - 特許庁

To freely set a potential difference between a high level and a middle level within the range of the breakdown strength of a high breakdown-strength element even when the high breakdown-strength element at 100 V or higher is used and a capacitive load is driven.例文帳に追加

１００Ｖ超の高耐圧素子を用い、かつ容量性負荷を駆動させる場合でも、ハイレベルとミドルレベルの間の電位差を高耐圧素子の耐圧の範囲内で、自由に設定することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose conductive resistance is low and whose breakdown strength is high.例文帳に追加

導通抵抗が低い高耐圧の半導体装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, high breakdown strength can be obtained by forming a depletion layer by the opening of a stripe.例文帳に追加

また、ストライプの開口により空乏層を形成して高耐圧を得る。 - 特許庁

To provide the nitride system semiconductor device of a high breakdown strength and a low ON resistance.例文帳に追加

高耐圧／低オン抵抗の窒化物系半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable high breakdown strength semiconductor device at a low cost in which a high breakdown strength element and a drive circuit or a protection circuit, etc., are formed integrally.例文帳に追加

高耐圧素子及びドライブ回路や保護回路等を一体化した高耐圧半導体装置を信頼性高く低コストで提供すること。 - 特許庁

To make a switching element able to be used within the breakdown strength of the element without raising the rank of the breakdown strength of the element in the driving circuit of a plasma display device.例文帳に追加

プラズマディスプレイ装置の駆動回路において、スイッチング素子の耐圧ランクを上げずに素子の耐圧内で使用できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

A second conductivity-type breakdown strength layer 13 is formed on a first conductivity-type drain layer 12, and a first conductivity-type conductive region 42 is formed partially into the breakdown strength layer 13 by diffusion from the surface of the breakdown strength layer 13.例文帳に追加

第１の導電型のドレイン層１２上に第２の導電型の耐圧層１３を形成し、耐圧層１３内に、耐圧層１３表面からの拡散によって、部分的に第１の導電型の導電領域４２を形成する。 - 特許庁

To provide a high breakdown strength semiconductor device, along with its manufacturing method, capable of shortening a turn-off time slower than that of an MOS transistor of high breakdown strength to improve breakdown strength while maintaining on-voltage, in IGBT.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、高耐圧のＭＯＳトランジスタに比べて遅いターンオフ時間を短縮し、オン電圧を維持しながら、耐圧を向上させることができる高耐圧半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The protective diode has a reverse breakdown strength which is about half the gate-oxide-film breakdown voltage of the transistor 5.例文帳に追加

保護ダイオード１１は横形ＤＭＯＳトランジスタ５のゲート酸化膜破壊耐圧の約２分の１の逆耐圧をもつ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which enhances forward surge breakdown strength while maintaining a high reverse breakdown voltage.例文帳に追加

高い逆方向耐圧を維持しつつ順方向サージ破壊耐量を高くすることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF HIGH BREAKDOWN STRENGTH MOS TRANSISTOR AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタの製造方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide coil parts which are superior in insulation and breakdown strength and are easy to assemble.例文帳に追加

絶縁性、耐圧性に優れ、且つ、組立容易なコイル部品を提供する。 - 特許庁

To realize an electrostatic chuck which is high in dielectric breakdown strength, shallow, and excellent in covering properties.例文帳に追加

絶縁破壊し難く、浅くて被覆性も良い静電チャックを実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having large breakdown strength as compared with conventional one.例文帳に追加

従来よりも大きな破壊耐量を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a synthetic fiber paper and an electrical insulating paper, having a strong adhesive strength and a strong dielectric breakdown strength.例文帳に追加

層内接着強力が強く、絶縁破壊強さが強い合成繊維紙および電気絶縁紙を提供する。 - 特許庁

A phenomenon in which avalanche breakdown occurs in the linear part before avalanche breakdown occurs in the curved part can be provided, and the breakdown strength of the semiconductor device 32 is improved.例文帳に追加

曲線部でアバランシェ降伏が生じるよりも先に直線部でアバランシェ降伏が生じる現象を得ることができ、半導体装置３２の破壊耐量が向上する。 - 特許庁

An impurity is injected for adjusting the threshold of a low breakdown strength MISFET, with a polycrystalline silicon film 111 which is to be a gate electrode of the low breakdown strength MIFET formed on a gate electrode FG of the high-breakdown strength MISFET.例文帳に追加

また、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極ＦＧ上に低耐圧ＭＩＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜１１１が形成された状態で、低耐圧ＭＩＳＦＥＴの閾値調整用の不純物注入を行う。 - 特許庁

An impurity is injected for adjusting a threshold value of a low breakdown-strength MISFET, with a polycrystal silicon film 111 which is to be a gate electrode of the low breakdown-strength MIFET formed on a gate electrode FG of the high breakdown strength MISFET.例文帳に追加

また、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極ＦＧ上に低耐圧ＭＩＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜１１１が形成された状態で、低耐圧ＭＩＳＦＥＴの閾値調整用の不純物注入を行う。 - 特許庁

The ratio of the breakdown strength of the body 11 to the breakdown strength of either lower one of the bottom 12 and the lid 13 is set to 0.09-0.50.例文帳に追加

そして、底部１２と蓋部１３の破壊強度のうちいずれか低い方の破壊強度に対する胴部１１の破壊強度の比率が０．０９〜０．５０に設定されている。 - 特許庁

To prevent decrease in breakdown strength due to breakdown strength drift caused by the decrease in the surface concentration in an RESURF(reduced surface field) layer.例文帳に追加

ＲＥＳＵＲＦ層表面濃度の低下による耐圧ドリフトによる耐圧低下を防ぎ、高信頼性の高耐圧型半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve ESD breakdown strength of an input protecting circuit in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、入力保護回路のＥＳＤ耐圧を向上させる。 - 特許庁

To improve the breakdown strength characteristic of a solid electrolytic capacitor.例文帳に追加

耐電圧特性を向上させた固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To make compatible high breakdown strength and low on-resistance in a high electron mobility transistor.例文帳に追加

高電子移動度トランジスタにおいて、高耐圧化と低オン抵抗化の両立を図る。 - 特許庁

Thus, the electric field between both electrodes is relaxed to keep a high breakdown strength of an element.例文帳に追加

したがって、両電極間の電界が緩和されて素子の高耐圧が保持できる。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor device having a structure capable of improving a breakdown strength.例文帳に追加

耐圧を向上できる構造を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To easily materialize high breakdown strength and high reliability for a semiconductor element for power.例文帳に追加

電力用半導体素子の高耐圧化と高信頼性化を容易に実現すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which maintains an IE effect and improves a breakdown strength.例文帳に追加

ＩＥ効果を維持しながら、破壊耐量が改善された半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a CMOS circuit which improves the drain breakdown strength of an n-channel MOSFET.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳＦＥＴのドレイン耐圧を向上できるＣＭＯＳ回路を提供する。 - 特許庁

To enhance a copper wiring formed through a damascene method in dielectric breakdown strength (reliability).例文帳に追加

ダマシン法を用いて形成された銅配線の絶縁破壊耐性（信頼性）を向上する。 - 特許庁

To provide a capacitor having large capacitance, high breakdown strength and low leakage current.例文帳に追加

静電容量が大きく、耐圧性が高く、漏れ電流が少ないキャパシタを提供すること。 - 特許庁

Then, the breakdown strength of a component of the power conversion circuit 10 can be lowered.例文帳に追加

従って、電力変換回路１０の構成部品の耐圧を下げることができる。 - 特許庁