「CELL-LINES」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

A recessed groove where lead lines of positive and negative electrodes are fixed facing each other is formed through the center of a seat so as to restrain both the electrode lead terminals from being warped, even if a layered cell 10 is thermally expanded by heat released in a reflow process to extend a part which is sealed up by caulking, whereby the electrode lead terminals soldered to the board are improved in soldering reliability.例文帳に追加

リフロー工程で発生する熱により複数枚積層セル１０が熱膨張し、カシメ封口された部分が押し広げられ、座板が押し下げられても両電極リード端子が反らないように、座板の中央部を刳り貫き、正および負電極のリード線が互いに向き合うように固定凹加工した溝を備えることで、基板と両電極リード端子のはんだ付けの信頼性の改善を図る。 - 特許庁

In this SRAM circuit, the memory cell is composed of a pair of driver transistor NMOS 1, NMOS 2 and a pair of access transistor PMOS 1, PMOS 2, and n (n is integer of ≥2) pieces of memory cells MC1-MCn are cascade-connected to one pair of digit lines D, /D.例文帳に追加

一対のドライバトランジスタＮＭＯＳ１，ＮＭＯＳ２と、一対のアクセストランジスタＰＭＯＳ１，ＰＭＯＳ２でメモリセルが構成され、ｎ個（ｎは２以上の整数）のメモリセルＭＣ１〜ＭＣｎが１つのデジット線対Ｄ，／Ｄに縦続接続のＳＲＡＭ回路で、メモリセルの選択時にメモリセルに流れる電流Ｉｏｎと、メモリセルが非選択のときにメモリセルに流れる電流Ｉｏｆｆと、メモリセルの個数ｎとの間に、（１）式を満たす関係が存在する。 - 特許庁

The invention includes antibodies or antigen-binding fragments thereof which bind specifically to conformational epitopes on the extracellular domain of PSMA, compositions containing one or a combination of such antibodies or antigen-binding fragments thereof, hybridoma cell lines that produce the antibodies, and methods of using the antibodies or antigen-binding fragments thereof for cancer diagnosis and treatment.例文帳に追加

本発明は、ＰＳＭＡの細胞外ドメイン上のコンフォメーショナルエピトープに特異的に結合する抗体もしくはその抗原結合性フラグメント、そのような抗体の１つもしくは組み合わせまたは抗体もしくは抗原結合性フラグメントを含む組成物、抗体を産生するハイブリドーマ細胞株、および癌の診断および処置のための抗体もしくはその抗原結合性フラグメントを使用する方法を含む。 - 特許庁

There is disclosed a means of making polymers accumulate by supplying monomers such as 3-hydroxybutyrate, 3-hydroxypropionate, 2-hydroxybutyrate, 3-hydroxyvalerate, 4-hydroxybutyrate, 4-hydroxyvalerate and 5-hydroxyvalerate as a substrate to cell lines expressing one or more enzymes selected from the group consisting of polyhydroxyalkanoate synthase, acyl-CoA transferase, hydroxyacyl-CoA transferase, and hydroxyacyl-CoA synthetase.例文帳に追加

ポリヒドロキシアルカノエートシンターゼ、アシルＣｏＡトランスフェラーゼ、ヒドロキシアシルＣｏＡトランスフェラーゼ、およびヒドロキシアシルＣｏＡシンテターゼからなる群から選択される１以上酵素を発現する細胞系に、３−ヒドロキシブチレート、３−ヒドロキシプロピオネート、２−ヒドロキシブチレート、３−ヒドロキシバレレート、４−ヒドロキシブチレート、４−ヒドロキシバレレート、および５−ヒドロキシバレレートのようなモノマーを基質として提供することによって、ポリマーを蓄積させることからなる。 - 特許庁

A method for programming the semiconductor memory device includes the steps of: charging at least one inhibit string channel connected to a program bit line among a plurality of bit lines and at least one channel among inhibit strings connected to an inhibit bit line, to a precharge voltage supplied to a common source line; and boosting the precharged channel by supplying a word line voltage to a plurality of cell strings.例文帳に追加

本発明による半導体メモリー装置のプログラム方法は、複数のビットラインの中でプログラムビットラインに連結される少なくとも１つのインヒビットストリングのチャンネルと、インヒビットビットラインに連結されるインヒビットストリングの中で少なくとも何れか１つのチャンネルとを共通ソースラインに供給されるプリチャージ電圧に充電する段階と、ワードライン電圧を複数のセルストリングに供給してプリチャージされたチャンネルをブースティングさせる段階と、を有する。 - 特許庁

In the battery module 10 containing a plurality of unit cells 12 arranged at certain intervals and a housing 14 housing the unit cells 12 and circulating air for controlling temperature, the unit cells 12 are divided into at least two cell lines 11 arranged so that terminals 18 are faced each other, and installed on both sides of a central structure 13 through the central structure 13.例文帳に追加

一定の間隔で配置される複数の単位電池１２、及び前記単位電池１２が内蔵されて、温度制御用空気が流通するハウジング１４を含む電池モジュール１０において、前記単位電池１２は、端子１８が互いに対向するように配置された少なくとも二つの電池列１１に分けられて、中央構造物１３を間に置いて当該中央構造物１３の両側に設置される構造の電池モジュールを提供する。 - 特許庁

The memory (diode ROM) comprises a plurality of selection transistors 2 each connected to each of a plurality of word lines WL to be turned on by selecting the corresponding word line, a plurality of memory cells 4 including diodes 3 having cathodes connected to drain regions of the selection transistors 2 respectively and a data determination circuit 8 connected to source regions of the selection transistors 2 for determining data read from the selected memory cell 4.例文帳に追加

このメモリ（ダイオードＲＯＭ）は、複数のワード線ＷＬの各々に接続され、対応するワード線ＷＬが選択されることによりオン状態になる選択トランジスタ２と、選択トランジスタ２のドレイン領域にカソードが接続されたダイオード３をそれぞれ含む複数のメモリセル４と、選択トランジスタ２のソース領域側に接続され、選択メモリセル４から読み出されるデータを判別するためのデータ判別回路８とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor random access memory device with the characteristics of having the matrix of memory cells (C11) that includes the first MIS element (QW11), the drain (3) or the source (4) of the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the first MIS element (QW11), gate input capacity information storage capacitor (CS11) for the second MIS element (QW11). In the matrix of the memory array, the drain of the said first MIS element (QW11) electrically connected to the drain of the second MIS element (QW11), … connecting so that the data line (D1) orthogonally to sense (S1) and word (W1) lines of the each memory cell of the array. 例文帳に追加

第１のMIS素子（Qｗ11）と、第１のMIS素子（Qｗ11）のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとして用いて前記第１のMIS素子（Qｗ11）の上に積み重ね形成された第２のMIS素子（QR11）と、この第２のMIS素子（QR11）のゲート入力容量である情報蓄積用のキャパシタ（Cｓ11）とを有したメモリセル（C11）をマトリックス状に配列したメモリアレイにおいて前記第１のMIS素子（Qｗ11）のドレインを第２のMIS素子（QＲ11）のドレインと電気的に結合して、……、データ線（D1）をメモリアレイの各メモリセル間にセンス線（S1）及びワード線（W1）に直交するように配線することを特徴とする半導体ランダムアクセスメモリ装置。 - 特許庁