「CELL-LINES」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A plurality of memory cells connected to word lines and to bit lines are arranged in a memory cell array 1 like a matrix.例文帳に追加

メモリセルアレイ１にはワード線、及びビット線に接続された複数のメモリセルがマトリックス状に配置されている。 - 特許庁

A semiconductor memory includes word lines extending in a first direction, bit lines extending in a second direction and a memory cell array.例文帳に追加

メモリは、第１の方向に延伸するワード線と、第２の方向に延伸するビット線と、メモリセルアレイとを備える。 - 特許庁

In array constitution of a memory cell array, word lines and bit lines are made main/sub-constitution, and a selecting transistor is provided for switching.例文帳に追加

メモリセルアレイのアレイ構成を、ワード線、ビット線を主／副構成にし、切り換え用に選択トランジスタを設ける。 - 特許庁

Common internal data lines 43 amounting to k+m lines (m is a natural number) are commonly arranged in the memory cell array blocks 31.例文帳に追加

メモリセルアレイブロック３１に共通にｋ＋ｍ本（ｍは自然数）の共通内部データ線４３が配設される。 - 特許庁

A memory array 1 has a memory cell having double gate structure, plural word lines to which a control gate of the memory cell is connected, and plural bit lines to which a drain of the memory cell is connected.例文帳に追加

メモリアレイ１は、２重ゲート構造を有するメモリセルと、メモリセルのコントロールゲートが接続された複数のワード線と、メモリセルのドレインが接続された複数のビット線とを持つ。 - 特許庁

For memory cell transistors M11-Mmn, the neighboring memory cell transistors are connected in common to the drain lines D1, D2, etc., and the other neighboring memory cell transistors are connected in common to the source lines S1, S2, etc.例文帳に追加

メモリセルトランジスタＭ11〜Ｍmnは、隣接メモリセルトランジスタどうしがドレイン線Ｄ1 ，Ｄ2 ，・・・に共通接続され、他方の隣接メモリセルトランジスタどうしがソース線Ｓ1 ，Ｓ2 ，・・・に共通接続される。 - 特許庁

When three word lines are simultaneously activated from one cell array block, a redundancy cell to replace a defective memory cell connected to one of the three word lines is selected.例文帳に追加

一つのセルアレイブロックから三つのワードラインを共に活性化させる場合、前記三つのワードラインのいずれか一つに結合された不良メモリセルを代替するリダンダンシーセルを選択する。 - 特許庁

Write digit lines WDL are arranged corresponding to each row of the memory cell.例文帳に追加

メモリセルの各行に対応してライトディジット線ＷＤＬが配置される。 - 特許庁

The luminous body is connected electrically to the output lines of the solar cell modules.例文帳に追加

発光体は太陽電池モジュールの出力線と電気接続されている。 - 特許庁

The hek is expressed on cells that include certain tumor cell lines.例文帳に追加

ｈｅｋは、一定の腫瘍細胞系を含む細胞上で発現される。 - 特許庁

Each of the bit lines is connected to a separate reference cell and a separate transistor.例文帳に追加

各ビット線は別個の基準セル及び別個のトランジスタへ結合している。 - 特許庁

A diffusion layer B at the side of the memory cell M1 is connected to bit lines 23, 24.例文帳に追加

メモリセルＭ１側の拡散層Ｂは、ビット線２３，２４に接続される。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING NONVOLATILE MEMORY CELL HAVING TREATED DIELECTRIC AT LOW TEMPERATURE BETWEEN WORD LINES AND BIT LINES, AND NONVOLATILE MEMORY ARRAY INCLUDING SUCH MEMORY CELL例文帳に追加

ワード線とビット線間に低温形成した誘電体のある不揮発性メモリーセルを形成する方法およびそのようなメモリーセルを有する不揮発性メモリーアレイ - 特許庁

The memory cell array includes a plurality of memory cells respectively arranged at a plurality of word lines, a plurality of bit lines crossing the plurality of word lines, and intersections between the plurality of word lines and the plurality of bit lines.例文帳に追加

前記メモリセルアレイは、複数のワード線、前記複数のワード線に交差する複数のビット線、及び、前記複数のワード線と前記複数のビット線との交差部にそれぞれ設けられた複数のメモリセルを有する。 - 特許庁

The flash memory device comprises plural local word lines, plural bit lines, and a memory cell array provided with plural flash EEPROM cells arranged in areas where the local word lines cross the bit lines.例文帳に追加

複数のロ−カルワ−ドライン、複数のビットライン及びロ−カルワ−ドラインとビットラインとの交差領域に配列された複数のフラッシュＥＥＰＲＯＭセルを備えたメモリセルアレイを含む。 - 特許庁

To provide a method by which a write-in time for a cell array of a DRAM which comprises a semiconductor memory, especially, word lines and bit lines and in which a cell of a cell array is decided at an intersection point of these lines can be largely and surely shortened more than conventional one.例文帳に追加

半導体メモリー、特に、ワード線およびビット線を含み、これらの線の交差点でセルアレイのセルが確定されるＤＲＡＭのセルアレイへの書き込み時間が、確実に、従来よりも大幅に節約される方法を提供する。 - 特許庁

The first memory cell block includes a plurality of first wiring lines LL1 and a plurality of second wiring lines LL2 provided between the first wiring lines respectively.例文帳に追加

第１メモリセルブロックは、複数の第１配線ＬＬ１と、第１配線どうしのそれぞれ間に設けられた複数の第２配線ＬＬ２と、を有する。 - 特許庁

A memory cell array block 310 of the MRAM 300 is arrayed with a plurality of magnetic memory cells 311 at the intersection points of word lines, digit lines and bit lines.例文帳に追加

ＭＲＡＭ３００の、メモリセルアレイブロック３１０には、ワードライン、デジットライン、及びビットラインの交差点に複数個の磁気メモリセル３１１が配列される。 - 特許庁

To provide the layout of the metallic lines of a memory cell for simultaneously removing various constraints relating to the design of a memory cell.例文帳に追加

メモリ・セルの設計に関する種々の制約を同時に叶えるメモリ・セルの金属ラインのレイアウトを提供する。 - 特許庁

Multi-subtype FIV vaccines comprising either cell free whole virus or cell lines infected with viruses are described.例文帳に追加

無細胞ウイルス全体またはウイルス感染細胞株のいずれかを含む多種サブタイプFIVワクチンについて記述する。 - 特許庁

Thereby, the number of bank selection lines is decreased, a cell array is shortened in the direction of bit, and cell array area can be reduced.例文帳に追加

これにより、バンク選択線を少なくし、セルアレイをビット方向に短くし、セルアレイ面積を削減できる。 - 特許庁

A DRAM 1 has word lines 10_1 to 10_n, word lines 22 and 24, memory cells 30_1 to 30_n, and a reference cell 40.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１は、ワード線１０_１〜１０_ｎ、ワード線２２，２４、メモリセル３０_１〜３０_ｎ、およびリファレンスセル４０を備えている。 - 特許庁

To decease the parasitic capacitors of data lines of a semiconductor memory device arranged with many data lines on memory cell arrays.例文帳に追加

メモリセルアレイ上に多数のデータ線が配置される半導体記憶装置において、データ線の寄生容量を低減する。 - 特許庁

A match line is made a hierarchical structure and a memory cell is arranged at an intersection of a plurality of sub-match lines and a plurality of search lines.例文帳に追加

また、マッチ線を階層構造とし、複数のサブマッチ線と複数のサーチ線との交点にメモリセルを配置する。 - 特許庁

The programmable memory cell is formed useful in a memory array having column bit lines and row word lines.例文帳に追加

カラムビット線およびロウワード線を有するメモリアレイ中で用いられるように形成されたプログラム可能メモリセルが開示される。 - 特許庁

To provide a method for culturing monocytic established cell lines originated from organisms including human.例文帳に追加

ヒトを含む生物由来単球株化細胞の培養方法を提供する。 - 特許庁

To prevent collapse of lines positioned at the both ends of an element region of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの素子領域の両端部に位置するラインの倒れを防止する。 - 特許庁

A plurality of memory cell lines comprise static memory cells which align in one direction.例文帳に追加

複数のメモリセル行が、一方向に並ぶスタティックメモリセルにより構成される。 - 特許庁

The cell lines are useful for the production of vaccine material (e.g., viruses).例文帳に追加

本発明の細胞株は、ワクチン物質（例えば、ウイルス）の生産に有用である。 - 特許庁

Two or more cell stack lines 41 are arranged between upper end lower end two fastening plates 42a, 42b, a manifold 43 having piping structure is arranged between the cell stack lines 41, and by being held commonly with two or more cell stack lines, the cell stack unit can be thinned and miniaturized.例文帳に追加

上端下端２枚の締付け板４２ａ、４２ｂの間に複数のセルスタック列４１を配置し、セルスタック列４１の間に配管構造をもつマニホールド４３を配置し、複数のセルスタック列４１で共有することで、セルスタックユニットをより薄型化・小型化することが可能になる。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory cell part including at least one memory cell, a first selecting transistor connecting the memory cell part and first signal lines BL0A, BL1A, BL2A, BL3A, BL4A,..., and second signal lines connected to the memory cell part.例文帳に追加

半導体記憶装置は、少なくとも１つのメモリセルを含むメモリセル部、上記メモリセル部と第１の信号線ＢＬ０Ａ，ＢＬ１Ａ，ＢＬ２Ａ，ＢＬ３Ａ，ＢＬ４Ａ，…を接続する第１の選択トランジスタ、及び上記メモリセル部に接続される第２の信号線を備える。 - 特許庁

The second memory cell block includes: a plurality of third wiring lines LL3 provided on extensions of the first wiring lines; and a plurality of fourth wiring lines LL4 provided on extensions of the second wiring lines.例文帳に追加

第２メモリセルブロックは、第１配線の延長線上に設けられた複数の第３配線ＬＬ３と、第２配線の延長線上に設けられた複数の第４配線ＬＬ４と、を有する。 - 特許庁

And the ROM memory cell arrays 20M_0 to 20M_n has a plurality of word lines and a plurality of bit lines, and constituted of a plurality of memory cells which are arranged at intersections of word lines and bit lines in a matrix state.例文帳に追加

そして、ＲＯＭメモリセルアレイ２０Ｍ_０〜２０Ｍ_ｎは、複数のワード線と複数のビット線を有し、ワード線とビット線の交点に行列状に配列された複数のメモリセルから構成されている。 - 特許庁

A hierarchical memory cell array comprises: global bit lines GBL, local bit lines LBL, precharge circuits Q10 and Q11 for the global bit lines, precharge circuits Q20 for the local bit lines, and hierarchical switches Q30.例文帳に追加

階層化メモリセルアレイは、グローバルビット線ＧＢＬ、ローカルビット線ＬＢＬ、グローバルビット線用のプリチャージ回路Ｑ１０、Ｑ１１、ローカルビット線用のプリチャージ回路Ｑ２０、階層スイッチＱ３０を備えている。 - 特許庁

In the twin cell mode, two sub-word lines are driven simultaneously to a selection state, storage data of a memory cell is read out with bit lines being a pair, and sense-operation is performed.例文帳に追加

ツインセルモードにおいては２本のサブワード線を同時に選択状態へ駆動して対をなすビット線にともにメモリセルの記憶データを読出してセンス動作を実行する。 - 特許庁

A redundant memory cell 10 is a redundant memory cell in which a control gate and a drain are connected to a wiring being different from plural word lines and plural bit lines.例文帳に追加

冗長メモリセル１０は、コントロールゲート及びドレインが前記複数のワード線及び前記複数のビット線とは異なる配線に接続された冗長メモリセルである。 - 特許庁

Two write lines 2 and 3 are arranged in parallel in the vicinity of a TMR cell 1 and the easy axis of magnetization of the TMR cell 1 is inclined 45° against the write lines.例文帳に追加

２つの書込み線２，３を少なくともＴＭＲセル１近傍において平行に配置し、ＴＭＲセル１の磁化容易軸をこれと４５°傾けて配置する。 - 特許庁

A memory cell array 1 is configured by disposing a memory cell MC including one pair of cross-connected inverters INV1 and INV2 at each intersection of word lines WL and bit lines BL, /BL.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、一対のインバータＩＮＶ１、ＩＮＶ２を交差接続してなるメモリセルＭＣをワード線ＷＬとビット線対ＢＬ、／ＢＬとの交点に配列してなる。 - 特許庁

To provide immortalized, malignant, human, adult prostate epithelial cell lines or cell lines derived therefrom useful in the diagnosis and treatment of prostate cancer.例文帳に追加

本発明は、不死化された、悪性ヒト先人前立腺上皮細胞株またはそれから誘導された前立腺癌の診断および治療に有用な細胞株に関する。 - 特許庁

In reading out of data, a selected memory cell MC and a comparison cell MC# are connected to data lines DIO and/DIO respectively through bit lines BL and/BL.例文帳に追加

データ読出時において、選択されたメモリセルＭＣおよび比較セルＭＣ＃は、ビット線ＢＬおよび／ＢＬを介して、データ線ＤＩＯおよび／ＤＩＯとそれぞれ接続される。 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY DEVICE HAVING MEMORY CELL WHOSE ROWS ARE CONNECTED TO DIFFERENT PLATE LINES例文帳に追加

異なるプレートラインに連結された行のメモリセルを有する強誘電体メモリ装置 - 特許庁

The sub word lines can be selected in accordance with a twin-cell mode.例文帳に追加

この場合においても、ツインセルモードにしたがってサブワード線を選択することができる。 - 特許庁

Bit lines CBT and CBB for ground control are connected with an SRAM cell CL.例文帳に追加

グランド制御用ビット線ＣＢＴ，ＣＢＢは、ＳＲＡＭセルＣＬに接続される。 - 特許庁

Semiconductor lines comprising cell channels 620 are formed on an STI region 120.例文帳に追加

セルチャンネル６２０を含む半導体線が、ＳＴＩ領域１２０上に形成される。 - 特許庁

The transformed cell lines and transgenic animals include the DNA sequences.例文帳に追加

該ＤＮＡ配列を含む、形質転換された細胞株ならびにトランスジェニック動物。 - 特許庁